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Migration-enhanced epitaxy法を用いたSi基板上への低転位密度GaAsのヘテロエピタキシャル成長に関する研究 / 野沢和彦

資料種別:
学位論文
出版情報:
東京 : 東京工業大学, 1996
著者名:
野沢, 和彦  
書誌ID:
1000294361
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