| 刊行のねらい |
| 序章 強誘電性および反強誘電性液晶とディスプレイ 小史と構造・物性 (福田敦夫,李継) |
| 1 はじめに 1 |
| 2 単純な表示原理,複雑な構造・物性捩れ配向状態と「く」の字層構造 2 |
| 3 「く」の字層構造の制御によるジクザグ欠陥の除去 4 |
| 3.1 基板界面におけるプレティルトお付与 4 |
| 3.2 電界の印加 6 |
| 3.3 分子が傾いても層の厚さが変化しない材料の使用 6 |
| 4 コントラスト比および透過率の向上捩れ状態の回避と有効円錐角の最適化 7 |
| 5 メモリ 性 閾値特性とヒステリシス 7 |
| 6 不完全スイッチング,焼付きの問題自発分極の存在 8 |
| 7 耐種撃性・自已修複機能とセルへの注入問題 スメクティック層の存在 9 |
| 8 応答速度,温度依存性,中間調など双定性とアーレニュース則 10 |
| 9 反強誘電性液晶ディスプレイ 10 |
| 10 おわりに 11 |
| 第I編 次世代液晶とディスプレイ |
| 1 高精細,大画面強誘電性液晶ディスプレイ(神辺純一郎) 17 |
| 1.1 はじめに 17 |
| 1.2 配向モード 17 |
| 1.2.1 ブックシェルフFLCD 18 |
| 1.2.2 シェブロンFLCD 18 |
| 1.3 高精細,大画面FLCD 20 |
| 1.3.1 FLCセル化技術 22 |
| 1.3.2 耐衝撃性の向上 23 |
| 1.3.3 高速描画 23 |
| 1.4 おわりに 25 |
| 2 テクスチャーチェンジパネルの開発(鈴木 康) 26 |
| 2.1 ブックシェルフとシェブロン 26 |
| 2.2 Texture Change 26 |
| 2.3 層構造 27 |
| 2.3.1 メタステーブル構造の精密測定 27 |
| 2.3.2 過剰メモリー効果 30 |
| 2.4 texture-changeパネルの特性 31 |
| 2.4.1 駆動特性 31 |
| 2.4.2 長期駆動信頼性 34 |
| 2.5 おわりに 35 |
| 3 ブックシェルフ層構造を示す表面安定化強誘電性液晶表示(望月昭宏,中塚正勝) 37 |
| 3.1 はじめに 37 |
| 3.2 ナフタレン系液晶組成 38 |
| 3.3 層構造の解析 39 |
| 3.4 相転移系列と配向状態の関係 43 |
| 3.5 層の傾き角と配向状態 44 |
| 3.6 層構造と電気 光学応答 46 |
| 3.7 層構造とダイナミック駆動特性 48 |
| 3.8 試作強誘電性液晶ディスプレイ 49 |
| 3.9 おわりに 50 |
| 4 動画表示可能な強誘電性液晶ディスレイの開発(小沼利光,山崎舜平） 52 |
| 4.1 はじめに 52 |
| 4.2 液晶材料および配向膜 53 |
| 4.3 配向状態およびスイッチング性 54 |
| 4.4 X線回折法による層構造の解析 57 |
| 4.5 マルチプレクス駆動パネルの作製 59 |
| 4.6 おわりに 60 |
| 5 強誘電性液晶の層構造とスイッチング機構(磯貝正人) 62 |
| 5.1 はじめに 62 |
| 5.2 堅固な層構造下でのスイッチング 62 |
| 5.2.1 ブックシェルフ構造下でのスイッチング 62 |
| 5.2.2 堅固なシェブロン構造下でのスイッチング 65 |
| 5.3 電界下での層構造 67 |
| 5.4 層変形を伴うスイッチング過程 70 |
| 5.5 おわりに 71 |
| 6 強誘電性高分子液晶のスイッチング(川嵜健次,蜂屋 聡) 73 |
| 6.1 はじめに 73 |
| 6.2 歴史 73 |
| 6.3 構造 75 |
| 6.4 物性1(低分子との比較) 76 |
| 6.5 特性2(高分子性) 82 |
| 6.6 おわりに 83 |
| 7 ハイプレチルト配向における強誘電性液晶の電気光学特性およびその応用(上村 強,脇田尚英) 85 |
| 7.1 はじめに 85 |
| 7.2 層構造とプレチルト角(斜方蒸着の場合) 85 |
| 7.3 配向状態と電気光学特性 88 |
| 7.3.1 表示モードとコントラスト,明るさ 88 |
| 7.3.2 層構造と見かけのチルト角(θeff) 89 |
| 7.3.3 電気光学特性の比較 90 |
| 7.4 投写型超高精細ディスプレイの開発 92 |
| 7.4.1 投射用ライトバルブへの要求性能 92 |
| 7.4.2 配向法92 |
| 7.4.3 電界誘起ブラックマトリックス 94 |
| 7.4.4 ディスプレイシステムの概要 96 |
| 7.4.5 表示性能 96 |
| 7.5 直視型OAパネルの開発 97 |
| 7.6 これからの課題の展開 100 |
| 8 反強誘電性液晶のディスプレイへの応用(山田裕一郎) 102 |
| 8.1 はじめに 102 |
| 8.2 反強誘電性液晶材料 104 |
| 8.3 スイッチング特性と配向処理 106 |
| 8.4 マルチプレックス駆動 109 |
| 8.5 AFLCマルチカラーディスプレイ 111 |
| 8.5.1 セル構成 111 |
| 8.5.2 液晶材料 111 |
| 8.5.3 駆動と表示性能 111 |
| 8.6 今後の課題と展望 112 |
| 9 強誘電性液晶ディスプレイの駆動方法と配向状態(向殿充浩) 114 |
| 9.1 はじめに 114 |
| 9.2 強誘電性液晶ディスプレイの駆動方法 114 |
| 9.3 ハイプレティルト配向膜を用いた強誘電性液晶セルの配向状態 117 |
| 9.4 液晶材料とティルト角 123 |
| 9.5 おわりに 124 |
| 10 電場によるスメクチック層構造の制御と強誘電性液晶ディスプレイ(佐藤 譲) 126 |
| 10.1 はじめに 126 |
| 10.2 電場による層構造の変化 127 |
| 10.3 層の傾き角と見かけのティルト角 130 |
| 10.4 層構造と表示特性 130 |
| 10.5 今後の課題 134 |
| 10.6 おわりに 134 |
| 第II編 次世代液晶材料化合物の開発 |
| 1 強誘電性液晶の分子構造と自発分極の植,ツイストセンス(斉藤伸一) 137 |
| 1.1 はじめに 137 |
| 1.2 Psのサインと大きさ 138 |
| 1.2.1 Psのサインの定義 138 |
| 1.2.2 ピフェニリルピリミジンのPsのサイン 140 |
| 1.2.3 α-メチル化合物 142 |
| 1.2.4 α-シアノ化合物 143 |
| 1.2.5 コアからの距離が異なるメチル化合物 145 |
| 1.2.6 ハロゲン化合物 147 |
| 1.3 N*相のヘリカルピッチのセンス 148 |
| 1.4 おわりに 149 |
| 2 新しい強誘電性液晶の分子設計と合成(竹原貞夫) 151 |
| 2.1 はじめに 151 |
| 2.2 母体液晶用化合物 151 |
| 2.2.1 中温液晶 152 |
| 2.2.2 減粘液晶 155 |
| 2.2.3 高温液晶 157 |
| 2.3 キラルドーパント用光学活性化合物 161 |
| 2.3.1 乳酸誘導体 162 |
| 2.3.2 ジキラル化合物 162 |
| 2.3.3 スルホキシド誘導体 163 |
| 2.3.4 シアンヒドリン誘導体 164 |
| 2.3.5 シアノアルキル誘導体 165 |
| 2.3.6 γーラクトン旅導体 165 |
| 2.3.7 シアノシクロプロパン誘導体 166 |
| 2.4 おわりに 167 |
| 3 強誘電性液晶用光学活性γーラクトンの分子設計と合成(坂口和彦) 169 |
| 3.1 はじめに 169 |
| 3.2 キラル部の設計 なぜγーラクトンか 170 |
| 3.3 合成 170 |
| 3.4 物性評価 分子構造と自発分極の関係を中心に 172 |
| 3.5 おわりに結論と今後の課題 177 |
| 4 乳酸を不斉源とするカイラルド-パントおよび強誘電性液晶(杉田真一) 179 |
| 4.1 はじめに 179 |
| 4.2 カイラルド-パント 179 |
| 4.2.1 乳酸を不斉源とするカイラルド-パント 180 |
| 4.3 ホスト液晶 185 |
| 4.4 強誘電性液晶組成物 185 |
| 4.5 おわりに 186 |
| 5 強誘電性液晶材料 側鎖の効果を中心として (原田隆正) 187 |
| 5.1 はじめに 187 |
| 5.2 自発分極と側鎖 188 |
| 5.2.1 キラル部を含んだ原子団を有する液晶 189 |
| 5.2.2 非キラル側鎖の効果 192 |
| 5.2.3 高自発分極を得るための骨格部分での工夫 195 |
| 5.3 側鎖と相転移温度 196 |
| 5.3.1 骨格の効果 196 |
| 5.3.2 側鎖の効果 198 |
| 5.4 おわりに 203 |
| 6 ジキラル型強誘電性液晶化合物(北村輝夫,松村興一) 205 |
| 6.1 はじめに 205 |
| 6.2 メモリー性,応答性に関与する液晶物性 205 |
| 6.3 ジキラル型新強誘電性液晶 206 |
| 6.3.1 ジキラルブチル型強誘電性液晶 207 |
| 6.3.2 ジキラルペンチル,ヘキシル型液晶 214 |
| 6.3.3 各種化合物の粘性と自発分極 216 |
| 6.4 おわりに 216 |
| 7 リン原子を含む強誘電性液晶(波多賢治) 218 |
| 7.1 自発分極と分子構造 218 |
| 7.2 リン化合物の特徴と合成法 220 |
| 7.2.1 リン化合物の特徴 220 |
| 7.2.2 リン化合物の合成法 221 |
| 7.3 リン系強誘電性液晶の特徴 223 |
| 7.3.1 リン酸エステル系強誘電性液晶 224 |
| 7.3.2 ホスフィン酸エステル系強誘電性液晶 225 |
| 7.4 今後の展望 226 |
| 8 強誘電性液晶組成物(苗村省平) 228 |
| 8.1 はじめに 228 |
| 8.2 強誘電性液晶材料に対する要求特性 228 |
| 8.3 SmC相を有する化合物とホスト液晶組成物の設計 229 |
| 8.4 カイラルド-パントとSmC*液晶組成物の設計 236 |
| 8.5 実用的なSmC*液晶組成物とその特性 239 |
| 9 強誘電性液晶のカイラルド-パントとしてのδ-バレロラクトン化合物(坂下啓一,影山義隆,池本哲哉) 244 |
| 9.1 はじめに 244 |
| 9.2 強誘電性液晶組成物の設計 244 |
| 9.3 カイラルド-パントの分子設計 245 |
| 9.4 光学活性δ-バレロラクトン誘導体の開発 247 |
| 9.5 カイラル添加物としての2-(4'-オクチルオキシビフェニル-4-カルボキシ)-5-アルキルーδーバレロラクトン誘導体 248 |
| 9.6 カイラル添加物としての2-(4'ーオクチルオキシビフェニルー4ーカルボキシ)-5,5-ジアルキル-δ-バレロラクトン誘導体 250 |
| 9.7 5,5-ジアルキル-δ-バレロラクトン誘導体を用いた実用的なFLC組成物 252 |
| 9.8 おわりに 253 |
| 10 キラルエポキシドを不斉源とする強誘電性液晶(横山明久,吉沢 篤) 254 |
| 10.1 各種キラルエポキシドの誘導体 254 |
| 10.2 2-メチルアルカノイル基を有する化合物 255 |
| 10.3 2-フルオロ-2-2メチルアルカノイルオキシ基を有する化合物 258 |
| 10.4 おわりに 261 |
| 11 アミノ酸系強誘電性液晶のデザインと合成(西岡綾子,井上長三) 263 |
| 11.1 はじめに 263 |
| 11.2 アミノ酸を用いた液晶 263 |
| 11.3 アミン系液晶 269 |
| 11.4 今後の展望 271 |
| 12 フェニルベンゾエート系強誘電性液晶の構造と物性(藤沢幸一) 274 |
| 12.1 はじめに 274 |
| 12.2 合成法 277 |
| 12.3 不斉炭素がコア構造に直結した化合物(キラル直結タイプ) 277 |
| 12.4 不斉炭とコア構造の間にメチレン単位を有する化合物(内部メチレン鎖タイプ) 282 |
| 12.5 内部メチレン鎖導入の効果 283 |
| 12.6 おわりに 285 |
| 13 フッ素系反強誘電性液晶材料(伊藤恵造) 287 |
| 13.1 はじめに 287 |
| 13.2 フッ素系反強誘電性液晶の構造と物性 287 |
| 13.2.1 アルコキシ鎖長の影響 287 |
| 13.2.2 キラル側アルキル鎖長の影響 288 |
| 13.2.3 環置換基の効果 289 |
| 13.2.4 動特性 291 |
| 13.3 反強誘電性液晶のブレンド 292 |
| 13.3.1 2成分系の組成物 292 |
| 13.4 おわりに 295 |
| 14 反強誘電性液晶(城野正博,油井知之) 297 |
| 14.1 はじめに 297 |
| 14.2 これまでに合成された反強誘電性液晶 297 |
| 14.2.1 反強誘電性液晶の構晶 297 |
| 14.2.2 主な反強誘電性液晶の紹介 301 |
| 14.3 分子構造と反強誘電性 301 |
| 14.4 今後の課題 305 |
| 15 フェニルアルカン酸骨格を有する反強誘電性液晶(乾 至良,岩根 寛) 308 |
| 15.1 はじめに 308 |
| 15.2 芳香族カルボン酸エステル骨格を有する反強誘電性液晶材料 309 |
| 15.3 芳香族ケトン骨格を有する反強誘電性液晶材料 313 |
| 15.4 フェニルアルカン酸エステル骨格を有する反強誘電性液晶材料 313 |
| 15.4.1 合成 313 |
| 15.4.2 相転移温度 314 |
| 15.4.3 チルト角,自発分極 315 |
| 15.5 おわりに 316 |
| 16 反強誘電相の発現と分子構造の関係(西山伸一) 318 |
| 16.1 はじめに 318 |
| 16.2 反強誘電相を示した化合物 318 |
| 16.3 反強誘電相の発現と分子構造の関係 318 |
| 16.3.1 キラル部 319 |
| 16.3.2 コア部 323 |
| 16.3.3 末端長鎖部 326 |
| 16.4 まとめ 327 |
| 16.4.1 キラル部 327 |
| 16.4.2 コア部 335 |
| 16.4.3 末端長鎖部 335 |
| 第3編 次世代液晶ディスプレイのための周辺材料 |
| 1 スパッタ法による低抵抗ITO透明導電膜(石橋 暁) 337 |
| 1.1 はじめに 337 |
| 1.2 透明導電膜の種類 337 |
| 1.3 ITO膜の作製方法 338 |
| 1.4 要求される膜特性 339 |
| 1.4.1 単純マトリックス方式 339 |
| 1.4.2 アクティブマトリックス方式 339 |
| 1.5 スパッタ法によるITO膜の形成技術 340 |
| 1.5.1 導入酸素量 340 |
| 1.5.2 成膜温度 341 |
| 1.5.3 ターゲット 342 |
| 1.5.4 低電圧スパッタ法 342 |
| 1.5.5 H2O,H2の添加効果 347 |
| 1.6 量産用スパッタ装置 348 |
| 1.7 おわりに 350 |
| 刊行のねらい |
| 序章 強誘電性および反強誘電性液晶とディスプレイ 小史と構造・物性 (福田敦夫,李継) |
| 1 はじめに 1 |
| 2 単純な表示原理,複雑な構造・物性捩れ配向状態と「く」の字層構造 2 |
| 3 「く」の字層構造の制御によるジクザグ欠陥の除去 4 |
| 3.1 基板界面におけるプレティルトお付与 4 |
