| 第1章半導体集積回路とエレクトロニクス産業 |
| 1．1エレクトロニクス機器の進歩と半導体集積回路 1 |
| 1．2回路基板と集積回路 5 |
| 演習問題 7 |
| 第2章半導体の基礎 |
| 2．1半導体材料 8 |
| 2．2電子と正孔 9 |
| 2．3不純物添加によるキャリア密度の制御 10 |
| 2．4キャリアの分布 12 |
| 演習問題 14 |
| 第3章半導体内でのキャリアの動きとその制御 |
| 3．1オームの法則（電界によるドリフト運動）と速度限界 15 |
| 3．2拡散電流（濃度の濃いところから薄いところへの流れ） 17 |
| 3．3キャリアの発生と消滅 18 |
| 3．4ｐｎ接合によるキャリア注入 20 |
| 3．5空乏層と電界効果 22 |
| 演習問題 25 |
| 第4章アナログ増幅器 |
| 4．1バイポーラ・トランジスタの構造と動作原理 27 |
| 4．2バイポーラ・トランジスタのＩ－Ｖ特性 29 |
| 4．3増幅の原理（ＡＣ小信号特性） 30 |
| 4．4電流制御モード増幅回路 32 |
| 演習問題 39 |
| 第5章ＭＯＳＦＥＴの構造 40 |
| 5．2しきい電圧（チャネル形成に必要なゲート電圧） 41 |
| 5．3直流電流電圧特性 42 |
| 5．4飽和特性 46 |
| 5．5小信号増幅能力指数 47 |
| 5．6走行時間と動作周波数 48 |
| 5．7スイッチング特性と寄生容量 49 |
| 演習問題 52 |
| 第6章ＣＭＯＳ論理ゲート回路 |
| 6．1インバータとバッファ 54 |
| 6．2ＮＡＮＤ回路とＮＯＲ回路 57 |
| 6．3排他的論理ＥＸＯＲ回路 59 |
| 6．4多入力ゲートと複合論理ゲート 61 |
| 6．5パストランジスタとスイッチ 63 |
| 6．6Ｄフリップ・フロップとラッチ回路 64 |
| 演習問題 66 |
| 第7章メモリ集積回路の基本構造と特性 |
| 7．1ＤＲＡＭ 67 |
| 7．2ＳＲＡＭ 70 |
| 7．3不揮発性メモリ 71 |
| 7．4マスクＲＯＭとＦｕｓｅ 76 |
| 演習問題 79 |
| 第8章ＡＤ/ＤＡ変換回路 |
| 8．1ＡＤ変換器 80 |
| 8．2ＤＡ変換器 82 |
| 8．3電荷再配分型ＤＡ変換器 85 |
| 8．4負帰還型ＡＤ変換器 85 |
| 8．5アナログ回路の精度を決める要因 87 |
| 演習問題 92 |
| 第9章集積化プロセス |
| 9．1ウエハの製作 93 |
| 9．2熱酸化 97 |
| 9．3熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ 99 |
| 9．4ＰＶＤ 100 |
| 9．5不純物拡散とイオン注入 104 |
| 9．6リソグラフィ 107 |
| 9．7エッチング 113 |
| 9．8ＣＭＰ 117 |
| 9．9ＣＭＯＳプロセスの流れ 118 |
| 演習問題 120 |
| 第10章集積回路の設計 |
| 10．1デバイス設計 121 |
| 10．2プロセス設計 124 |
| 10．3基本回路セル設計 125 |
| 10．4ハードウェア記述言語を用いた設計と論理が合成 127 |
| 10．5レイアウト設計（配置配線） 128 |
| 10．6検証 130 |
| 10．7テスト容易化設計 131 |
| 演習問題 132 |
| 第11章スケーリング則の破綻と新材料・プロセスへの期待 |
| 11．1トランジスタのスケーリング則 133 |
| 11．2配線のスケーリング 134 |
| 11．3ＭＯＳＦＥＴの高性能化 136 |
| 11．4低電圧化と低消費電力化 139 |
| 演習問題 141 |
| 演習問題解答例 142 |
| 索引 154 |
| 第1章半導体集積回路とエレクトロニクス産業 |
| 1．1エレクトロニクス機器の進歩と半導体集積回路 1 |
| 1．2回路基板と集積回路 5 |
| 演習問題 7 |
| 第2章半導体の基礎 |
| 2．1半導体材料 8 |
