| 1半導体工業の歴史と集積回路 |
| 1．1半導体工業の歴史 1 |
| 1．2集積回路の本質とその生れる必然性 8 |
| 2集積回路の種類 |
| 2．1高密度実装回路 13 |
| 2．2集積回路 14 |
| 2．3ＳＯＣ技術とＳＩＰ技術 18 |
| 3モノリシック集積回路のあらまし |
| 3．1モノリシックＩＣの構造概要 19 |
| 3．1．1バイポーラＩＣの構造 22 |
| 3．1．2ＭＯＳ－ＩＣの構造 24 |
| 3．1．3ＣＭＯＳ－ＩＣとＢｉ－ＣＭＯＳ－ＩＣの構造 26 |
| 3．2モノリシックＩＣの製造方法の概要 26 |
| 3．2．1バイポーラＩＣのプロセスの概要 27 |
| 3．2．2ＭＯＳ－ＩＣのプロセスの概要 30 |
| 3．3モノリシックＩＣの断面構造の詳細 31 |
| 演習問題 32 |
| 4ｐｎ接合とＭＯＳ構造 |
| 4．1基本構造としてのｐｎ接合とＭＯＳ構造 34 |
| 4．2ｐｎ接合とその形成 35 |
| 4．3ｐｎ接合の特性 37 |
| 4．3．1空乏層の広がり 37 |
| 4．3．2空乏層の接合容量 42 |
| 4．3．3ｐｎ接合を流れる電流と整流特性 44 |
| 4．3．4耐圧特性および降伏電圧 48 |
| 4．4ｐｎ接合とバイポーラトランジスタ 52 |
| 4．5ＭＯＳ構造とその形成 54 |
| 4．6ＭＯＳ構造の特性 55 |
| 4．6．1電圧印加時の表面電位のふるまい 55 |
| 4．6．2ＭＯＳ容量のＣ－Ｖ特性としきい値電圧 60 |
| 4．6．3チャネルの形成とチャネルコンダクタンス 64 |
| 4．7ＭＯＳトランジスタ 66 |
| 補足事項 68 |
| 演習問題 74 |
| 5半導体モノリシックＩＣの製造技術 |
| 5．1はじめに 76 |
| 5．2シリコン単結晶とウェーハ 77 |
| 5．2．1シリコンの性質 77 |
| 5．2．2シリコンウェーハの作製 79 |
| 5．3酸化と酸化膜の性質 83 |
| 5．3．1酸化膜の形成法と酸化速度 83 |
| 5．3．2酸化膜の性質 87 |
| 5．3．3熱酸化による表面形状の変化（段差） 91 |
| 5．4ホトレジスト加工 92 |
| 5．4．1ホトレジスト材料 92 |
| 5．4．2ホトレジスト加工の手順 93 |
| 5．4．3ホトレジスト加工の精度 95 |
| 5．4．4微細加工とドライブプロセス 97 |
| 5．5熱拡散とイオン打込み 100 |
| 5．5．1不純物元素のドーピング 100 |
| 5．5．2熱拡散の方法 102 |
| 5．5．3熱拡散の理論 105 |
| 5．5．4拡散技術の応用 110 |
| 5．5．5イオン打込み（イオン注入） 114 |
| 5．6エピタキシャル成長とＣＶＤ技術 121 |
| 5．6．1エピタキシャル成長法 121 |
| 5．6．2エピタキシャル成長の応用と問題点 127 |
| 5．6．3ケミカルベーパデポジション（ＣＶＤ） 128 |
| 5．7金属膜の形成と配線技術 132 |
| 5．7．1配線工程と配線材料 133 |
| 5．7．2真空蒸着とスパッタリングの装置 135 |
| 5．7．3多層配線技術とＣＭＰ技術 137 |
| 補足事項 140 |
| 演習問題 141 |
| 6半導体モノリシックＩＣの構成素子 |
| 6．1アイソレーションとプレーナ構造 143 |
| 6．2モノリシック抵抗 145 |
| 6．2．1構造と特性 145 |
| 6．2．2バターン設計と抵抗値の精度 146 |
| 6．2．3寄生素子の周波数特性 150 |
| 6．2．4モノリシック抵抗のその他の形 155 |
| 6．3モノリシック・コンデンサ 156 |
| 6．3．1構造と特性 156 |
| 6．3．2パターン設計と容量値 157 |
| 6．4配線およびインダクタンス 161 |
| 6．4．1配線とその特性 161 |
| 6．4．2インダクタンス 164 |
| 6．5ＭＯＳトランジスタ 167 |
| 6．5．1構造と特性 168 |
| 6．5．2パターン設計とホトマスク 172 |
| 6．5．3プロセス設計としきい値電圧 174 |
| 6．5．4寄生素子およびその他の効果 176 |
| 6．5．5ＭＯＳロランジスタの種々の構造 179 |
| 6．6バイポーラトランジスタ 184 |
| 6．6．1構造と特性 185 |
| 6．6．2バターン設計とホトマスク 192 |
| 6．6．3寄生素子とその影響 197 |
| 6．6．4ｐｎｐトランジスタ 201 |
| 6．7モノリシックダイオード 204 |
| 6．7．1モノリシックダイオードの種類 205 |
| 6．7．2モノリシックダイオードの特性 206 |
| 6．7．3ツェナーダイオード 208 |
| 補足事項 209 |
| 演習問題 210 |
| 7半導体モノリシックＩＣのパターン設計 |
| 7．1モノリシック集積回路の構成 213 |
| 7．2レイアウト設計とその手順 219 |
| 7．3回路パターンのＩＣチップ上への転写技術 227 |
| 7．3．1マスク原図の製作と転写プロセス 229 |
| 7．3．2転写技術の精度 231 |
| 補足事項 235 |
| 演習問題 241 |
| 参考文献 |
| 演習問題解答 |
| 索引 |
