例題で学ぶ半導体デバイス

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例題で学ぶ半導体デバイス / 沼居貴陽著

資料種別:: 図書[目次DB]
出版情報:: 東京 : 森北出版, 2006.11
形態:: vi, 204p ; 22cm
著者名:: 沼居, 貴陽(1961-) <DA10030733>
ISBN:: 9784627773615 [4627773617]
書誌ID:: BA79062548

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書誌詳細

注記:

参考文献: p198-201

タイトルのヨミ:

レイダイデマナブハンドウタイデバイス

著者名ヨミ:

ヌマイ, タカヒロ

主題:

半導体

言語:

日本語

目次情報:

序章半導体と半導体デバイス 1

0.1 真空管から半導体へ 1

0.2 半導体の特徴と応用 3

第1章半導体の基礎 4

1.1 結晶構造 4

1.2 エネルギーバンド 10

1.3 真性半導体と不純物半導体 14

1.4 キャリア濃度 19

1.5 半導体中の電気伝導 26

演習問題 30

第2章 pn 接合ダイオード 32

2.1 pn 接合 32

2.2 電気的中性領域を流れる電流 42

2.3 キャリアの発生と再結合 44

2.4 降伏現象 49

演習問題 52

第3章金属 - 半導体接合 54

3.1 仕事関数、真空準位、電子親和力 54

3.2 金属 - 半導体接合界面 55

3.3 電気伝導 61

3.4 ショットキーダイオード 63

演習問題 64

第4章バイポーラトランジスタ 66

4.1 増幅作用 66

4.2 電流輸送率 71

4.3 小信号等価回路 78

4.4 四端子回路 78

4.5 電流輸送率の遮断周波数 81

4.6 高周波等価回路 82

演習問題 85

第5章ユニポーラトランジスタ 89

5.1 理想 MIS 構造 89

5.2 実際の MIS 構造 97

5.3 基本特性 99

5.4 動特性 106

5.5 利得帯域幅積 108

演習問題 110

第6章アクティブデバイス 113

6.1 サイリスタ 113

6.2 ユニジャンクショントランジスタ 118

6.3 ガンダイオード 121

6.4 インバットダイオード 124

演習問題 125

第7章光デバイス 127

7.1 半導体の光物生 127

7.2 光検出デバイス 130

7.3 発行素子 134

演習問題 135

第8章半導体プロセス 136

8.1 熱拡散 136

8.2 イオン注入 140

8.3 シリコンの熱酸化 141

演習問題 142

演習問題の解答 144

付録 A 電磁気学の基礎 175

A.1 ガウスの法則とクーロンの法則 175

A.2 ストークスの法則とアンペールの法則 179

A.3 電位と電界 181

付録 B 統計力学の基礎 184

B.1 エントロピーと絶対温度 184

B.2 ボルツマン因子と分配関数 184

B.3 ギプス因子とギプス和 185

B.4 分布関数 187

付録 C 量子力学の基礎 189

C.1 シュレーディンガーの波動方程式 189

C.2 箱型井戸 190

C.3 水素原子 191

付録 D 有効質量 194

D.1 有効質量の定義と意義 194

D.2 状態密度有効質量 196

D.3 伝導率有効質量 197

参考文献 198

索引 202

序章半導体と半導体デバイス 1

0.1 真空管から半導体へ 1

0.2 半導体の特徴と応用 3

第1章半導体の基礎 4

1.1 結晶構造 4

1.2 エネルギーバンド 10

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