Physics of semiconductor devices

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Physics of semiconductor devices / S.M. Sze, Kwok K. Ng

版:

3rd ed

資料種別:

図書

出版情報:

Hoboken, N.J. : Wiley-Interscience, c2007

形態:

x, 815 p. ; 25 cm

著者名:

ISBN:

9780471143239 [0471143235]

書誌ID:

BA79139799

子書誌情報

フルテキスト

所蔵情報

他の版・巻

書誌詳細

注記:

Includes bibliographical references and index

主題:

Semiconductors

言語:

英語

目次情報:

Introduction

Semiconductor Physics / Part I：

Physics and Properties of Semiconductors-A Review / Chapter 1：

Crystal Structure / 1.1：

Energy Bands and Energy Gap / 1.3：

Carrier Concentration at Thermal Equilibrium / 1.4：

Carrier-Transport Phenomena / 1.5：

Phonon, Optical, and Thermal Properties / 1.6：

Heterojunctions and Nanostructures / 1.7：

Basic Equations and Examples / 1.8：

Device Building Blocks / Part II：

p-n Junctions / Chapter 2：

Depletion Region / 2.1：

Current-Voltage Characteristics / 2.3：

Junction Breakdown / 2.4：

Transient Behavior and Noise / 2.5：

Terminal Functions / 2.6：

Heterojunctions / 2.7：

Metal-Semiconductor Contacts / Chapter 3：

Formation of Barrier / 3.1：

Current Transport Processes / 3.3：

Measurement of Barrier Height / 3.4：

Device Structures / 3.5：

Ohmic Contact / 3.6：

Metal-Insulator-Semiconductor Capacitors / Chapter 4：

Ideal MIS Capacitor / 4.1：

Silicon MOS Capacitor / 4.3：

Transistors / Part III：

Bipolar Transistors / Chapter 5：

Static Characteristics / 5.1：

Microwave Characteristics / 5.3：

Related Device Structures / 5.4：

Heterojunction Bipolar Transistor / 5.5：

MOSFETS / Chapter 6：

Basic Device Characteristics / 6.1：

Nonuniform Doping and Buried-Channel Device / 6.3：

Device Scaling and Short-Channel Effects / 6.4：

MOSFET Structures / 6.5：

Circuit Applications / 6.6：

Nonvolatile Memory Devices / 6.7：

Single-Electron Transistor / 6.8：

JFETs, MESFETs, and MODFETs / Chapter 7：

JFET and MESFET / 7.1：

MODFET / 7.3：

Negative-Resistance and Power Devices / Part IV：

Tunnel Devices / Chapter 8：

Tunnel Diode / 8.1：

MOSFETs

Related Tunnel Devices / 8.3：

Resonant-Tunneling Diode / 8.4：

IMPATT Diodes / Chapter 9：

Dynamic Characteristics / 9.1：

Power and Efficiency / 9.4：

Noise Behavior / 9.5：

Device Design and Performance / 9.6：

BARITT Diode / 9.7：

TUNNETT Diode / 9.8：

Transferred-Electron and Real-Space-Transfer Devices / Chapter 10：

Transferred-Electron Device / 10.1：

Real-Space-Transfer Devices / 10.3：

Thyristors and Power Devices / Chapter 11：

Thyristor Characteristics / 11.1：

Thyristor Variations / 11.3：

Other Power Devices / 11.4：

Photonic Devices and Sensors / Part V：

LEDs and Lasers / Chapter 12：

Radiative Transitions / 12.1：

Light-Emitting Diode (LED) / 12.3：

Laser Physics / 12.4：

Laser Operating Characteristics / 12.5：

Specialty Lasers / 12.6：

Photodetectors and Solar Cells / Chapter 13：

Photoconductor / 13.1：

Photodiodes / 13.3：

Avalanche Photodiode / 13.4：

Phototransistor / 13.5：

Charge-Coupled Device (CCD) / 13.6：

Metal-Semiconductor-Metal Photodetector / 13.7：

Quantum-Well Infrared Photodetector / 13.8：

Solar Cell / 13.9：

Sensors / Chapter 14：

Thermal Sensors / 14.1：

Mechanical Sensors / 14.3：

Magnetic Sensors / 14.4：

Chemical Sensors / 14.5：

Appendixes

List of Symbols / A：

International System of Units / B：

Unit Prefixes / C：

Greek Alphabet / D：

Physical Constants / E：

Properties of Important Semiconductors / F：

Properties of Si and GaAs / G：

Properties of SiO, and Si3N / H：

Index

Properties of SiO[subscript 2] and Si[subscript 3]N[subscript 4]

Introduction

Semiconductor Physics / Part I：

Physics and Properties of Semiconductors-A Review / Chapter 1：

Crystal Structure / 1.1：

Energy Bands and Energy Gap / 1.3：

Carrier Concentration at Thermal Equilibrium / 1.4：

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