| 第IV部 バイポーラ・トランジスタ（BJT） |
| 第9章 バイポーラ・トランジスタの静的特性 697 |
| 9.1 はじめに 697 |
| 9.2 出力特性（定性的議論） 702 |
| 9.3 電流利得 705 |
| 9.4 理想的なBJTのモデル 707 |
| 9.4.1 コレクタ係数M 712 |
| 9.4.2 注入効率γ 712 |
| 9.4.3 ベース輸送効率αT 714 |
| 9.5 BJTにおける不純物濃度の勾配 720 |
| 9.5.1 傾斜ベース・トランジスタ 724 |
| 9.5.2 ベース電界のβへの影響 729 |
| 9.6 基本的なEbers-Moll直流モデル 730 |
| 9.7 BJTにおける電流集中とベース抵抗 734 |
| 9.8 ベース幅の変調（Early効果） 738 |
| 9.9 なだれ破壊 744 |
| 9.10 高水準注入 744 |
| 9.11 ベース押し出し（Kirk効果） 745 |
| 9.12 エミッタ－ベース接合における再結合 747 |
| 9.13 まとめ 749 |
| 9.14 付録の参考文献リストについて 751 |
| 9.15 第9章の参考文献 751 |
| 9.16 復習のポイント 752 |
| 9.17 練習問題 752 |
| 第10章 BJTの時間依存特性の解析 759 |
| 10.1 はじめに 759 |
| 10.2 Ebers-Moll交流モデル 759 |
| 10.3 小信号等価回路 761 |
| 10.3.1 混成πモデル 763 |
| 10.4 BJTにおける蓄積電荷容量 769 |
| 10.5 周波数応答 774 |
| 10.5.1 単位電流利得周波数かfT 775 |
| 10.5.2 ベース走行時間 777 |
| 10.5.3 ベース－コレク夕接合通過時間 779 |
| 10.5.4 最大発振周波数 779 |
| 10.6 高周波トランジスタ 780 |
| 10.6.1 ダブル－ボリシリコン自己整合型トランジスタ 780 |
| 10.7 BJTのスイッチ動作 783 |
| 10.7.1 出力のlow-to-high遷移時間 786 |
| 10.7.2 Schottkyクランプ・トランジスタ 788 |
| 10.7.3 エミッタ結合型論理回路 789 |
| 10.8 BJTとMOSFETとBiMOS 792 |
| 10.8.1 BJTとMOSFETの比較 792 |
| 10.8.2 BiMOS 794 |
| 10.9 まとめ 796 |
| 10.10 付録の参考文献リストについて 797 |
| 10.11 第10章の参考文献 797 |
| 10.12 復習のポイント 798 |
| 10.13 練習問題 798 |
| 補遺4：バイポーラ・デバイス 801 |
| S4.1 はじめに 801 |
| S4.2 へテロ接合バイポーラ・トランジスタ（HBT） 802 |
| S4.2.1 組成勾配を持たないHBT 802 |
| S4.2.2 組成勾配型HBT 806 |
| S4.3 Si－BJTとSiGeベース，GaAsベースHBT 809 |
| S4.4 サイリスタ（npnp型スイッチ） 811 |
| S4.4.1 4層ダイオードスイッチ 811 |
| S4.4.2 npnpスイッチの2－トランジスタモデル 816 |
| S4.5 シリコン制御整流器 817 |
| S4.6 CMOS回路における寄生npnpスイッチ 822 |
| S4.7 BJTへのSPICEの適用 823 |
| S4.7.1 寄生効果 825 |
| S4.7.2 低電流から中電流の動作領域 826 |
| S4.7.3 大電流領域 828 |
| S4.8 SPICEのBJTへの応用例 829 |
| S4.9 まとめ 835 |
| S4.10 補遺4の参考文献 836 |
| S4.11 復習のポイント 837 |
| S4.12 練習問題 837 |
| 第Ⅴ部 光デバイス |
| 第11章 光エレクトロニクスデバイス 843 |
| 11.1 はじめに 843 |
| 11.2 光検出器（フォト・ダイオード） 843 |
| 11.2.1 一般的な光検出器 845 |
| 11.2.2 太陽電池 845 |
| 11.2.3 p-i-n（PIN）型光検出器 860 |
| 11.2.4 なだれフォト・ダイオード 862 |
| 11.3 発光ダイオード（LED） 864 |
| 11.3.1 順方向バイアス下の接合における自発放射 864 |
| 11.3.2 等電性捕獲準位 867 |
| 11.3.3 青色LEDと白色LED 869 |
| 11.3.4 赤外LED 869 |
| 11.4 レーザー・ダイオード 876 |
| 11.4.1 光学利得 877 |
| 11.4.2 自己帰還 881 |
| 11.4.3 利得＋帰還＝レーザー 558 |
| 11.4.4 レーザーの構造 887 |
| 11.4.5 他の半導体レーザー用材料 891 |
| 11.5 撮像素子（イメージ・センサー） 893 |
| 11.5.1 電荷結合撮像素子 893 |
| 11.5.2 MOS撮像素子 894 |
| 11.6 まとめ 896 |
| 11.7 付録の参考文献リストについて 897 |
| 11.8 第11章の参考文献 898 |
| 11.9 復習のポイント 898 |
| 11.10 練習問題 899 |
| 付録A 半導体デバイスの製造 905 |
| A.1 はじめに 905 |
| A.2 基板の製造 905 |
| A.2.1 原材料 906 |
| A.2.2 結晶成長 907 |
| A.2.3 結晶欠陥 912 |
| A.2.4 エピタキシイ 913 |
| A.3 不純物添加 917 |
| A.3.1 不純物の拡散 918 |
| A.3.2 イオン注入（イオン打ち込み） 920 |
| A.4 リソグラフィ 922 |
| A.5 導電体と絶縁体 925 |
| A.5.1 金属配線 925 |
| A.5.2 多結晶シリコン 926 |
| A.5.3 酸化工程 928 |
| A.5.4 窒化珪素 931 |
| A.6 クリーン・ルーム 932 |
| A.7 パッケージ 933 |
| A.7.1 導線接続（ワイヤー・ボンディング） 933 |
| A.7.2 外線（リード） 935 |
| A.7.3 フリップ・チップ 936 |
| A.7.4 表面固定型パッケージ 936 |
| A.8 まとめ 938 |
| 付録B 状態密度と有効質量 939 |
| B.1 はじめに 939 |
| B.2 1次元自由電子 939 |
| B.3 2次元自由電子 941 |
| B.4 3次元自由電子 943 |
| B.5 周期的な結晶場における擬似自由電子 944 |
| B.6 状態密度有効質量 945 |
| B.6.1 例1：K＝0に単一の最小点を持つ伝導帯 945 |
| B.6.2 例2：K＝0で2つのバンドが同じ最大点を持つ価電子帯 946 |
| B.6.3 例3：複数の等価な最小点を持つ伝導帯（Si,Ge,GaPなど） 947 |
| B.7 伝導有効質量 949 |
| B.7.1 例1：K＝0に単一の最小点を持つ伝導帯 950 |
| B.7.2 例2：価電子帯の正孔 950 |
| B.7.3 例3：複数の等価な最小点を持つ伝導帯の電子 951 |
| B.7.4 例4：歪みシリコン 951 |
| B.8 有効質量のまとめ 954 |
| 付録C 定数・単位・元素表 955 |
| 付録D 記号一覧・ギリシャ文字 963 |
| 付録E 積分公式 983 |
| 付録F 有用な式 985 |
| 付録G 参考文献リスト 997 |
| 訳者あとがき 1001 |
| 索引 1003 |
| 第IV部 バイポーラ・トランジスタ（BJT） |
| 第9章 バイポーラ・トランジスタの静的特性 697 |
| 9.1 はじめに 697 |
| 9.2 出力特性（定性的議論） 702 |
| 9.3 電流利得 705 |
| 9.4 理想的なBJTのモデル 707 |
