1. 序論 |
1.1 薄膜トランジスタ(TFT)とはなにか 1 |
1.2 TFT発展の歴史 4 |
1.2.1 TFTの始まり 4 |
1.2.2 ディスプレイへの応用展開 7 |
1.2.3 TFT発展の理由 9 |
2. TFTの動作原理 |
2.1 基本的な動作原理 11 |
2.1.1 基本構造 11 |
2.1.2 電界効果 12 |
2.1.3 電流電圧特性 13 |
2.2 基礎知識 18 |
2.2.1 キャリア密度 18 |
2.2.2 キャリア輸送 21 |
2.3 捕獲準位 23 |
2.3.1 帯電型とエネルギー分布 23 |
2.3.2 空間分布 25 |
2.4 より詳しい動作原理 33 |
2.4.1 基本構造 33 |
2.4.2 電界効果 33 |
2.4.3 容量電圧特性 40 |
2.4.4 電流電圧特性 41 |
2.4.5 その他の現象 53 |
2.5 種々のTFT 56 |
2.5.1 多結晶シリコンTFT 56 |
2.5.2 非晶質シリコンTFT 59 |
2.5.3 有機TFT 61 |
2.5.4 酸化物TFT 67 |
3. TFT作製技術 |
3.1 トップゲート構造およびボトムゲート構造 75 |
3.2 水素化非晶質シリコンTFT作製技術 76 |
3.2.1 水素化非晶質シリコンTFTプラズマプロセスの主な特徴 76 |
3.2.2 水素化非晶質シリコンTFTプラズマプロセスにおけるガス圧力の効果 78 |
3.2.3 プラズマパラメータの予測と大面積化時の課題 81 |
3.2.4 プラズマCVD 86 |
3.3 多結晶シリコンTFT作製技術 92 |
3.3.1 洗浄技術 94 |
3.3.2 多結晶シリコン膜形成技術 95 |
3.3.3 ゲート絶縁膜形成技術 113 |
3.3.4 ドーピング技術 120 |
3.4 有機TFT作製技術 126 |
3.4.1 素子構造 126 |
3.4.2 チャネル領域形成法 127 |
3.4.3 ゲート絶縁層形成法 128 |
3.4.4 ソース・ドレイン電極形成法 129 |
3.5 酸化物TFT作製技術 130 |
4. 評価技術 |
4.1 膜厚 134 |
4.1.1 接触式膜厚測定法 135 |
4.1.2 非接触式膜厚測定法:電子顕微鏡 135 |
4.1.3 非接触式膜厚測定法:光学顕微鏡 136 |
4.1.4 非接触式膜厚測定法:光学スペクトル 137 |
4.1.5 非接触式膜厚測定法:エリプソメトリー 138 |
4.1.6 非接触式膜厚測定法:X線反射率スペクトルと薄膜の密度 140 |
4.1.7 その場測定法 140 |
4.2 構造評価 141 |
4.2.1 XRD:長距離秩序,格子ひずみ,結晶子径 143 |
4.2.2 X線散乱,EXAFS:短距離秩序,中距離秩序 146 |
4.2.3 その他の回折による構造評価 147 |
4.2.4 顕微鏡による微構造評価 148 |
4.3 組成分析 151 |
4.3.1 水素の分析 154 |
4.3.2 欠陥評価 156 |
4.4 光学評価 158 |
4.4.1 エリプソメトリー 158 |
4.4.2 赤外分光 161 |
4.4.3 ラマン散乱分光 164 |
4.5 電気特性 168 |
4.5.1 四端子法と四探針法 168 |
4.5.2 ホール効果測定 169 |
4.5.3 深いエネルギー準位の電気的評価法 173 |
5. TFTの劣化現象と信頼性評価技術 |
5.1 非晶質シリコンTFTにおける劣化現象 176 |
5.1.1 しきい値電圧のシフト 176 |
5.1.2 光劣化現象 178 |
5.2 低温多結晶シリコンTFTにおける劣化現象 179 |
5.2.1 ホットキャリア劣化 179 |
5.2.2 発熱による劣化 182 |
5.2.3 信頼性向上技術 186 |
5.3 酸化物TFTにおける劣化現象 186 |
6. TFTの応用技術 |
6.1 TFTのディスプレイ応用 188 |
6.1.1 液晶ディスプレイ(LCD) 189 |
6.1.2 有機EL(OLED)ディスプレイ 196 |
6.1.3 電子ペーパー 199 |
6.2 TFTのセンサ応用 203 |
6.2.1 フォトセンサ 203 |
6.2.2 X線センサ 205 |
6.2.3 撮像デバイス 206 |
6.2.4 その他のセンサ 209 |
7. TFTの将来技術 |
7.1 映像ディスプレイ用TFT技術の将来 211 |
7.2 フレキシブルディスプレイ用TFT技術の将来 214 |
引用・参考文献 215 |
索引 225 |