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| 第1章 緒論 |
| 1.1 エレクトロニクスと電子デバイス 1 |
| 1.2 電子デバイスの発達 2 |
| 1.3 電子デバイスの分類 7 |
| 1.4 電子デバイスの産業における位置づけ 11 |
| 第2章 半導体の物理 |
| 2.1 固体内電子 13 |
| 2.2 金属・絶縁体および半導体 20 |
| 2.3 Ⅳ族半導体とキャリア 22 |
| 2.4 電気伝導 29 |
| 2.5 キャリヤの分布と流れ 38 |
| 2.6 キャリヤのエネルギー分布 47 |
| 演習問題 52 |
| 第3章 pn接合ダイオードとショットキーバリアダイオード |
| 3.1 熱平衡状態のpn接合 56 |
| 3.2 pn接合ダイオードの静的特性 62 |
| 3.3 pn接合ダイオードの動的特性 73 |
| 3.4 pn接合ダイオードのモデル 80 |
| 3.5 ホットエレクトロンによる現象 83 |
| 3.6 pn接合ダイオードの応用 89 |
| 3.7 金属-半導体接触 94 |
| 演習問題 101 |
| 第4章 バイポーラトランジスタ |
| 4.1 動作原理 105 |
| 4.2 トランジスタモデル 118 |
| 4.3 バイポーラトランジスタの諸現象 131 |
| 4.4 各種バイポーラトランジスタ 136 |
| 演習問題 142 |
| 第5章 MOS トランジスタ |
| 5.1 半導体表面の物理 144 |
| 5.2 MOS トランジスタの特性 156 |
| 5.3 MOS トランジスタとバイポーラトランジスタとの対応 164 |
| 5.4 MOS トランジスタの諸現象とその応用 166 |
| 5.5 MOS トランジスタ回路 171 |
| 演習問題 173 |
| 第6章 サイリスタ |
| 6.1 ショックレイダイオード 176 |
| 6.2 SCRにおけるトリガー機構 179 |
| 6.3 サイリスタの回路と応用 183 |
| 演習問題 189 |
| 演習問題略解 191 |
| 索引 200 |
| VOL.II |
| 第7章 半導体集積回路 |
| 7.1 集積回路の概念 1 |
| 7.2 IC製造技術 6 |
| 7.3 アナログIC 17 |
| 7.4 ディジタル論理IC 21 |
| 7.5 メモリIC 40 |
| 7.6 電荷転送デバイス 45 |
| 演習問題 49 |
| 第8章 電子管 |
| 8.1 電子放出 52 |
| 8.2 電界,磁界と電子の流れ 59 |
| 8.3 空間電荷制御管 67 |
| 8.4 マイクロ波電子管 79 |
| 演習問題 90 |
| 第9章 電気-光変換デバイス |
| 9.1 受光-発光デバイス 93 |
| 9.2 太陽電池 105 |
| 9.3 レーザ 107 |
| 9.4 受像および撮像デバイス 125 |
| 演習問題 144 |
| 第10章 その他の電子デバイス |
| 10.1 放電管 147 |
| 10.2 接合形およびショットキーバリア形電界効果トランジスタ 157 |
| 10.3 マイクロ波負性抵抗ダイオード 164 |
| 10.4 サーミスタとバリスタ 169 |
| 演習問題 170 |
| 第11章 新しいデバイス |
| 11.1 ジョセフソン素子 171 |
| 11.2 バブル・ドメインデバイス 176 |
| 11.3 アモルファス半導体デバイス 180 |
| 演習問題略解 188 |
| 索引 191 |
| 電子デバイス〔I〕目次概要 |
| 第1章 緒論 |
| 第2章 半導体の物理 |
| 第3章 pn接合ダイオードとショットキーバリアダイオード |
| 第4章 バイポーラトランジスタ |
| 第5章 MOSトランジスタ |
| 第6章 サイリスタ |
