| 第1章 はじめに |
| 1・1 光エレクトロニクスと半導体レーザ 3 |
| 1・2 面発光レーザの構造と特徴 4 |
| 1・3 積層光集積回路 11 |
| 第2章 面発光レーザ動作特性の基礎 |
| 2・1 発振しきい値と効率 15 |
| 2・2 面発光レーザの連続(CW)動作条件 22 |
| 2・3 単一縦モード動作 29 |
| 2・4 単一横モード条件 30 |
| 2・5 出射ビーム角 33 |
| 2・6 変調周波数帯域 33 |
| 2・7 スペクトル線幅 35 |
| 第3章 面発光レーザのための結晶成長法 |
| 3・1 液相成長法(LPE:Liquid Phase Epitaxy) 41 |
| 3・2 有機金属気相成長法(MOCVD:Metalorganic Chemical Vapor Deposition) 49 |
| 3・3 化学ビーム成長法(CBE:Chemical Beam Epitaxy) 56 |
| 第4章 極微プロセル技術 |
| 4・1 反応性イオンビームエッチング(RIBE)の特徴とエッチング機構 81 |
| 4・2 高真空ECRエッチング装置によるRIBE 84 |
| 4・3 エッチング機構の分類 89 |
| 4・4 エッチング条件の最適化 91 |
| 4・5 埋込みレーザへの応用 96 |
| 4・6 45゜反射鏡の形成 100 |
| 第5章 面発光レーザ用反射鏡とその形成 |
| 5・1 反射鏡の種類と特徴 105 |
| 5・2 多層膜反射鏡の設計 107 |
| 5・3 SiO2/TiO2多層膜反射鏡 109 |
| 5・4 Si/SiO2多層膜反射鏡 114 |
| 5・5 半導体多層膜反射鏡 118 |
| 第6章 LPE法による埋込み型GaAlAs系面発光レーザ |
| 6・1 構造と製作工程 123 |
| 6・2 発振特性 134 |
| 第7章 MOCVD法によるGaAiAs系面発光レーザ |
| 7・1 構造と製作工程 143 |
| 7・2 室温連続発振特性 145 |
| 7・3 発振スペクトル線幅 149 |
| 7・4 強度雑音特性 151 |
| 7・5 変調特性 153 |
| 7・6 偏波特性 154 |
| 第8章 GaInAsP/InP系面発光レーザ |
| 8・1 埋込み型面発光レーザ 161 |
| 8・2 高反射率化による低しきい値化 168 |
| 第9章 分布反射型面発光レーザ |
| 9・1 半導体多層膜反射鏡の成長 181 |
| 9・2 メサキャップ構造のDBR面発光レーザ 184 |
| 9・3 電流狭窄構造のDBR面発光レーザ 188 |
| 9・4 DBR面発光レーザの縦モード特性 191 |
| 9・5 いろいろなDBR面発光レーザ 192 |
| 第10章 量子井戸面発光レーザ |
| 10・1 発振しきい値 199 |
| 10・2 多重量子井戸構造の成長と評価 207 |
| 10・3 量子井戸構造面発光レーザの製作と特性 215 |
| 10・4 電流注入法 217 |
| 第11章 面発光型機能デバイスとフォトニック集積 |
| 11・1 光しきい値素子 223 |
| 11・2 光強度変調器 228 |
| 11・3 波長制御素子の集積 234 |
| 第12章 2次元レーザアレー |
| 12・1 2次元アレーの試作と発振特性 241 |
| 12・2 発光遠視野像と位相同期 246 |
| 第13章 積層光集積回路と応用光波システム |
| 13・1 平板マイクロレンズ 253 |
| 13・2 マイクロレンズアレーの応用 259 |
| 13・3 面発光レーザの応用範囲 265 |
| 面発光レーザ関係文献 275 |
| 索引 287 |
