| 1章 ULSI基礎技術の展望 (徳山 魏) |
| 1-1 ULSI技術の展望 1 |
| 1-1-1 ULSIの開発動向 1 |
| 1-1-2 ULSIプロセス技術に求められるもの 4 |
| 1-2 ULSIプロセス基礎技術の課題と方向付け 16 |
| 1-2-1 パターン形成 16 |
| 1-2-2 薄膜成長と界面制御 20 |
| 1-2-3 不純物のドーピング 24 |
| 1-2-4 環境制御 30 |
| 1-2-5 CAD 31 |
| 1-2-6 評価と分析 32 |
| 文献 33 |
| 2章 光リソグラフィー (石原 健) |
| 2-1 はじめに 35 |
| 2-2 光リソグラフィーの変遷 37 |
| 2-3 光リソグラフィーの解像度 38 |
| 2-3-1 レンズ開口度 39 |
| 2-3-2 プロセスファクタ 40 |
| 2-3-3 短波長化とシミュレーション 44 |
| 2-3-4 エキシマレーザーリソグラフィーの研究動向 47 |
| 2-4 エキシマレーザーリソグラフィー 52 |
| 2-4-1 発振波長 52 |
| 2-4-2 投影レンズ 53 |
| 2-4-3 エキシマレーザーステッパー 56 |
| 2-5 まとめ 62 |
| 文献 63 |
| 3章 X線リソグラフィー (鳳 紘一郎) |
| 3-1 はじめに 65 |
| 3-2 X線リソグラフィーの要素技術 66 |
| 3-2-1 X線源 66 |
| 3-2-2 X線マスク 72 |
| 3-2-3 レジスト 75 |
| 3-3 X線リソグラフィーシステム 76 |
| 3-3-1 総合性能とその支配要因 76 |
| 3-3-2 放射光露光システム 80 |
| 3-3-3 装置の小型化 81 |
| 3-4 X線投影露光の可能性 83 |
| 3-5 むすび 84 |
| 文献 84 |
| 4章 ドライエッチング (堀池靖浩) |
| 4-1 はじめに 89 |
| 4-2 低温プラズマの基礎 90 |
| 4-2-1 プラズマの発生 90 |
| 4-2-2 電子衝撃プラズマ反応過程 92 |
| 4-2-3 プラズマ電位と浮遊電位 94 |
| 4-3 プラズマ発生とドライエッチング装置 95 |
| 4-3-1 直流放電 95 |
| 4-3-2 高周波放電 95 |
| 4-4 エッチング反応機構 99 |
| 4-4-1 エッチング5要素と形状の種類 99 |
| 4-4-2 自発反応とイオン支援反応 100 |
| 4-4-3 ガス添加効果とSiO2選択エッチング 104 |
| 4-4-4 側壁保護膜反応 107 |
| 4-4-5 マクロ/マイクロローディング効果 111 |
| 4-4-6 低温エッチング 113 |
| 4-4-7 入射角度依存性 115 |
| 4-5 ダウンストリーム法 116 |
| 4-6 高速エッチング 119 |
| 4-7 イオン衝撃による諸副作用 123 |
| 4-7-1 照射損傷 123 |
| 4-7-2 側壁再付着 127 |
| 4-7-3 AI後腐食 128 |
| 4-8 次世代高密度デバイス製作のためのエッチング技術 128 |
| 4-8-1 エッチングの低エネルギー化と問題点 128 |
| 4-8-2 低エネルギーエッチング 130 |
| 4-9 結語 135 |
| 文献 135 |
| 5章 薄膜形成技術 (大見忠弘・森田瑞穂) |
| 5-1 酸化の重要性と展望 139 |
| 5-2 酸化前処理 141 |
| 5-2-1 ウェーハの品質 141 |
| 5-2-2 ウェーハの洗浄 142 |
| 5-2-3 ウェーハの乾燥 146 |
| 5-2-4 自然酸化膜の除去 148 |
| 5-2-5 ウェーハ表面の平坦化 149 |
| 5-3 酸化システム 151 |
| 5-3-1 実際の酸化炉 151 |
| 5-3-2 超清浄酸化システム 153 |
| 5-4 酸化機構 155 |
| 5-4-1 洗浄Siの表面状態 155 |
| 5-4-2 熱酸化過程 156 |
| 5-4-3 自然酸化膜形成過程 157 |
| 5-5 酸化膜の評価 161 |
| 5-5-1 薄い酸化膜厚の測定 161 |
| 5-5-2 酸化膜の構造 162 |
| 5-5-3 酸化膜の電気的特性 164 |
| 5-6 あとがき 166 |
| 文献 166 |
| 6章 集束イオンビーム技術 (蒲生健次) |
| 6-1 はじめに 171 |
| 6-2 集束イオンビーム装置 172 |
| 6-2-1 高輝度イオン源 172 |
| 6-2-2 集束イオンビーム装置 174 |
| 6-3 集束イオンビーム加工の特長の限界 177 |
| 6-4 イオンビーム誘起効果とマスクレス加工 179 |
| 6-5 集束イオンビームによる加工 181 |
| 6-5-1 イオンビーム露光 181 |
| 6-5-2 エッチングとデポジション 186 |
| 6-5-3 マスクレスイオン注入 193 |
| 6-6 デバイスプロセスへの応用 194 |
| 6-7 集束イオンビーム技術の将来 196 |
| 6-7-1 低エネルギー集束イオンビームと加工損傷の低減 197 |
| 6-7-2 その場プロセス 198 |
| 文献 200 |
| 7章 SOI技術 (石原 宏) |
| 7-1 SOI技術の特徴 203 |
| 7-2 横方向成長法 204 |
| 7-2-1 帯域溶融再結晶化法 205 |
| 7-2-2 ビーム再結晶化法 206 |
| 7-2-3 気相・液相・固相成長法 209 |
| 7-3 エピタキシャル成長法 212 |
| 7-3-1 バルク絶縁物基板 212 |
| 7-3-2 絶縁物薄膜構造 214 |
| 7-4 絶縁膜埋め込み法 217 |
| 7-4-1 SIMOX法 217 |
| 7-4-2 FIPOS法および関連技術 219 |
| 7-5 帖り付け法 221 |
| 文献 222 |
| 8章 ULSIプロセシングにおける欠陥制御 (高野幸男) |
| 8-1 はじめに 225 |
| 8-2 ULSIの基板に用いられるSiウェーハ 226 |
| 8-3 結晶欠陥とその影響 227 |
| 8-4 結晶欠陥の発生とその制御 229 |
| 8-4-1 微小欠陥 229 |
| 8-4-2 不純物拡散層の欠陥 236 |
| 8-4-3 転位 239 |
| 8-4-4 汚染不純物とその制御 247 |
| 8-5 ゲッタリング技術 249 |
| 8-5-1 エキシトリンシックゲッタリング 250 |
| 8-5-2 イントリンシックゲッタリング 251 |
| 8-6 今後の課題 253 |
| 文献 254 |
| 索引 257 |
| 1章 ULSI基礎技術の展望 (徳山 魏) |
| 1-1 ULSI技術の展望 1 |
| 1-1-1 ULSIの開発動向 1 |
| 1-1-2 ULSIプロセス技術に求められるもの 4 |
| 1-2 ULSIプロセス基礎技術の課題と方向付け 16 |
| 1-2-1 パターン形成 16 |
