| 1章 量子論入門 1 |
| 1・1 粒子と波動 1 |
| 1・2 波束および群速度 5 |
| 1・3 ド・ブロイの関係式 7 |
| 1・4 シュレーディンガーの波動方程式 9 |
| 1・5 束縛粒子 15 |
| 1・6 フェルミエネルギー 19 |
| 1・7 状態密度関数 24 |
| 1・8 トンネル効果 25 |
| 2章 固体の帯理論 32 |
| 2・1 帯理論の定性的な説明 32 |
| 2・2 導体・半導体・絶縁体のエネルギー帯構造 35 |
| 2・3 波動方程式による帯理論の導出 37 |
| 3章 統計力学の基礎 57 |
| 3・1 エネルギー分布則の種類 57 |
| 3・2 フェルミ・ディラックの分布関数 58 |
| 4章 半導体の電導機構 63 |
| 4・1 半導体の歴史的経緯 63 |
| 4・2 半導体の電気伝導現象 67 |
| 4・3 真性半導体中のキャリア濃度 73 |
| 4・4 外因性半導体中のキャリア濃度 79 |
| 4・5 キャリアの再結合 86 |
| 4・6 連続の方程式 89 |
| 4・7 ギャリアの移動度 91 |
| 4・8 格子散乱 94 |
| 4・9 アインシュタインの関係式 97 |
| 5章 p-n接合 100 |
| 5・1 p-n接合のエネルギー準位図 100 |
| 5・2 p-n接合の電圧-電流特性 102 |
| 5・3 p-n接合の逆方向降伏現象 108 |
| 5・4 p-n接合の接合容量 112 |
| 5・5 トンネル(エサキ)ダイオード 119 |
| 6章 金属-半導体接触 124 |
| 6・1 金属-半導体接触のエネルギー準位図 124 |
| 6・2 ウイルソンの整流理論 128 |
| 6・3 ショットキー障壁 131 |
| 6・4 ベーテのダイオード理論 132 |
| 6・5 鏡像力による障壁の低下 133 |
| 7章 ヘテロ接合 137 |
| 7・1 ヘテロ接合のエネルギー準位図 137 |
| 7・2 ヘテロ接合の電流輸送機構 143 |
| 7・3 ヘテロ接合の電子素子への応用 152 |
| 8章 トランジスタ 154 |
| 8・1 接合形トランジスタの基礎動作 154 |
| 8・2 トランジスタの周波数特性 161 |
| 8・3 ドリフトトランジスタ 163 |
| 8・4 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT) 164 |
| 8・5 高移動度トランジスタ(FET) 165 |
| 8・6 高移動度トランジスタ(HEMT) 170 |
| 8・7 ホットエレクトロントランジスタ 171 |
| 8・8 静電誘導トランジスタ 172 |
| 8・9 薄膜トランジスタ 173 |
| 8・10 スイッチング用トランジスタ 173 |
| 8・11 電荷結合素子(CCD) 176 |
| 9章 半導体の光学的性質 182 |
| 9・1 光と物質との相互作用 182 |
| 9・2 外部光電効果(光電子放出効果) 190 |
| 9・3 内部光電効果(光導電効果) 193 |
| 9・4 光起電力効果(障壁形) 197 |
| 9・5 その他の光起電力効果 203 |
| 9・6 固有電界発光 205 |
| 9・7 発光ダイオード 206 |
| 9・8 半導体レーザダイオード 208 |
| 9・9 外部作用による光学効果 215 |
| 9・10 光エレクトロニクス 217 |
| 10章 半導体の熱電的性質 223 |
| 10・1 熱電現象の歴史的展望 223 |
| 10・2 ゼーベック効果 226 |
| 10・3 ペルチエ効果 231 |
| 10・4 トムソン効果 233 |
| 10・5 ケルビンの関係式 234 |
| 10・6 半導体の熱伝導率 235 |
| 10・7 半導体熱電効果の応用 237 |
| 11章 磁電効果 240 |
| 11・1 ホール効果 240 |
| 11・2 磁気抵抗効果 246 |
| 11・3 エッチングスハウゼン効果 249 |
| 11・4 熱磁気効果 250 |
| 12章 量子効果デバイス 253 |
| 12・1 超格子 253 |
| 12・2 人工格子 259 |
| 12・3 量子井戸 261 |
| 12・4 量子面から量子細線,量子箱,さらには量子点へ 263 |
| 12・5 エニオン(Anyon) 266 |
| 12・6 電子の粒子性から波動性へ 267 |
| 12・7 量子効果デバイスの特徴 268 |
| 12・8 インコヒーレント電子波からコヒーレント電子波へ 269 |
| 12・9 AB効果 271 |
| 12・10 共鳴トンネルトランジスタ 273 |
| 12・11 キャリアからプロパゲータヘ 274 |
| 13章 その他の半導体素子 276 |
| 13・1 ひずみ抵抗効果 276 |
| 13・2 音波とキャリアとの相互作用効果 282 |
| 14章 半導体材料技術 289 |
| 14・1 半導体材料の種類 289 |
| 14・2 半導体材料の精製 292 |
| 14・3 p形,n形への変換 293 |
| 14・4 単結晶の製作法 295 |
| 14・5 薄膜単結晶の製作法 297 |
| 14・6 p-n接合の形成法 304 |
| 14・7 量子化プロセス 304 |
| 15章 集積回路 307 |
| 15・1 集積回路の沿革 307 |
| 15・2 集積化の意義 309 |
| 15・3 超小形化の限界 310 |
| エピローグ 312 |
| 付録 |
| 1.各種半導体の物性定数表 314 |
| 2.物理定数表 315 |
| 3.単位(SI)の接頭語 316 |
| 演習問題解答 317 |
| さくいん 319 |
