序文 |
第1章 低温プラズマによる物質創製の意義(長田義仁) |
第2章 プラズマの化学(長田義仁,入山 裕,鏡 好晴) |
2.1 はじめに 5 |
2.2 プラズマ反応の特性 6 |
2.3 プラズマ反応過程 9 |
2.4 プラズマ化学の分類と応用 11 |
2.4.1 プラズマ化学反応の分類 11 |
2.4.2 材料合成への応用 14 |
2.4.3 プラズマ還元 16 |
2.5 量子化学計算によるプラズマ反応制御の試み 18 |
2.6 プラズマ診断 23 |
2.6.1 探針法 23 |
2.6.2 分光法 24 |
2.6.3 質量分析法 26 |
2.6.4 その他 27 |
2.7 地球環境とプラズマ化学 27 |
参考文献 30 |
第3章 プラズマCVD(山田勝幸) |
3.1 はじめに 35 |
3.2 装置と方法 36 |
3.3 プラズマCVD膜の作製,構造,特性,および応用 41 |
3.3.1 アモルファスシリコン膜 41 |
3.3.2 シリコン化合物膜 52 |
3.3.3 金属および金属化合物膜 57 |
3.3.4 ダイヤモンド膜 60 |
3.3.5 ダイヤモンド状炭素膜 75 |
3.4 今後の展開 81 |
参考文献 82 |
第4章 イオンプレーティング(高瀬三男) |
4.1 はじめに 91 |
4.2 装置と方法 94 |
4.2.1 プラズマ法 95 |
4.2.2 イオンピーム法 98 |
4.3 特性と応用 103 |
4.3.1 薄膜 103 |
4.3.2 超微粒子 120 |
4.3.3 バックミンスターフラーレン 121 |
4.4 今後の展開 122 |
参考文献 123 |
第5章 スパッタリング(高瀬三男) |
5.1 はじめに 125 |
5.2 スパッタ率 127 |
5.3 機構 129 |
5.4 薄膜形成 130 |
5.5 装置と方法 132 |
5.5.1 2極直流スパッタリング 132 |
5.5.2 3極,4極スパッタリング 135 |
5.5.3 高周波(RF)スパッタリング 135 |
5.5.4 マグネトロンスパッタリング 136 |
5.5.5 対向ターゲット式スパッタリング 139 |
5.5.6 イオンピームスパッタリング 140 |
5.5.7 ECRスパッタリング 141 |
5.6 特性と応用 144 |
5.6.1 メタライゼーション 144 |
5.6.2 薄膜抵抗器 145 |
5.6.3 弾性表面波素子 146 |
5.6.4 透明導電性膜 148 |
5.6.5 選択光線透過膜 149 |
5.6.6 酸化物高温超伝導体薄膜 151 |
5.6.7 有機薄膜 151 |
5.6.8 歯科材料 154 |
5.6.9 記録材料 154 |
5.7 大型装置 155 |
5.8 今後の展開 156 |
参考文献 157 |
第6章 プラズマ重合(鏡 好晴) |
6.1 はじめに 159 |
6.2 装置と方法 160 |
6.3 プラズマ重合体の構造 165 |
6.4 プラズマ重合機構 169 |
6.5 プラズマ重合膜の特性と応用 172 |
6.5.1 電子材料 172 |
6.5.2 分離膜 179 |
6.5.3 表面保護膜 182 |
6.5.4 医用材料 184 |
6.5.5 レプリカ膜 185 |
6.6 今後の展開 186 |
参考文献 186 |
第7章 プラズマ表面処理(入山 裕) |
7.1 はじめに 191 |
7.2 非重合性プラズマによる表面処理 192 |
7.2.1 不活性ガスプラズマによる表面処理 192 |
7.2.2 反応性ガスプラズマによる表面処理 197 |
7.2.3 フッ化炭素プラズマによる表面処理 200 |
7.3 重合性プラズマによる表面改質 203 |
7.4 プラズマ表面処理の応用 207 |
7.4.1 繊維 207 |
7.4.2 粉体 211 |
7.5 プラズマ表面処理装置 215 |
7.5.1 単純(二次元)形状物処理装置 216 |
7.5.2 三次元成形物処理装置 219 |
7.5.3 粉体処理装置 222 |
7.6 今後の展開 226 |
参考文献 227 |
第8章 プラズマエッチング(山田勝幸) |
8.1 はじめに 233 |
8.2 装置と方法 234 |
8.3 機構 238 |
8.3.1 物理的エッチング 239 |
8.3.2 化学的エッチング 241 |
8.3.3 イオンアシストエッチング 249 |
8.4 特性 254 |
8.4.1 方向性 255 |
8.4.2 選択性 260 |
8.4.3 速度 262 |
8.4.4 形状 263 |
8.4.5 均一性 267 |
8.4.6 損傷と汚染 269 |
8.5 技術展開 271 |
8.5.1 化合物半導体のエッチング 271 |
8.5.2 Mo,W,Ta,Tiおよびシリサイドのエッチング 273 |
8.5.3 レジストのアッシングおよびエッチング 274 |
8.5.4 平坦化プロセシング 276 |
8.5.5 ITOのエッチング 276 |
8.5.6 マイクロマシーニング 278 |
8.6 今後の展開 281 |
参考文献 282 |
事項索引 289 |
序文 |
第1章 低温プラズマによる物質創製の意義(長田義仁) |
第2章 プラズマの化学(長田義仁,入山 裕,鏡 好晴) |
2.1 はじめに 5 |
2.2 プラズマ反応の特性 6 |
2.3 プラズマ反応過程 9 |