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酸化物積層構造を用いた強誘導体ゲートトランジスタの基礎特性解明と応用技術に関する研究 / 金子幸広

資料種別:
学位論文
出版情報:
東京 : 東京工業大学, 2012
著者名:
金子, 幸広  
書誌ID:
TT00013757
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