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1.

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東工大
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東工大
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阿留多伎明良編著 ; 電子情報通信学会編
出版情報: 東京 : 電子情報通信学会 , 東京 : コロナ社 (発売), 2005.6  vii, 191p ; 26cm
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1 イーサネットの基礎
    1.1 イーサネットの歴史 1
     1.1.1 伝送速度の高速化 2
     1.1.2 ネットワークトポロジーの変遷 2
     1.1.3 全二重通信(スイッチ化) 2
    1.2 ギガビットイーサネット標準 3
     1.2.1 IEEE802.3z 1000BASE-X規格 3
     1.2.2 IEEE802.3ab 1000BASE-T規格 5
    1.3 10ギガビットイーサネット規格 7
     1.3.1 IEEE802.3ae 10ギガビットイーサネット規格 7
     1.3.2 新しい10ギガビットイーサネット規格 11
    1.4 スイッチング技術 12
     1.4.1 レイヤ2スイッチ 12
     1.4.2 レイヤ3スイッチ 14
2 広域イーサネットサービスの概要
    2.1 広域イーサネットサービスの基礎 18
     2.1.1 広域イーサネットサービスとは 18
     2.1.2 広域イーサネットサービスの誕生と発展 18
     2.1.3 広域イーサネットサービスの意義 20
    2.2 広域イーサネットサービスの実際 20
     2.2.1 サービス品目 20
     2.2.2 ISP向け広域イーサネットサービス 21
     2.2.3 アクセス綱接続方式とその多様化 23
     2.2.4 他サービス網との接続によるサービスの多様化 24
    2.3 広域イーサネットサービス網構成 26
     2.3.1 バックボーンネットワーク構成 26
     2.3.2 アクセスネットワーク構成 27
    2.4 広域イーサネットサービスの今後 29
     2.4.1 10ギガビットイーサネット 29
     2.4.2 中間帯域イーサネットアクセス 29
     2.4.3 優先制御サービス 31
3 広域イーサネットアクセスネットワーク基礎技術
    3.1 FTTH 32
    3.2 メディアコンバータ方式 33
    3.3 PON方式 33
     3.3.1 PON方式の基礎
     3.3.2 EPON 35
     3.3.3 EPONを利用したサービス 37
     3.3.4 EPONの保守機能 37
4 広域イーサネットVPN実現基礎技術
    4.1 VLANタグスタック技術 38
    4.2 Ethernet over MPLS技術 40
     4.2.1 EoMPLSのカプセル化方式 41
     4.2.2 EoMPLSのLSPシグナリング方式 41
     4.2.3 EoMPLSのVPNシグナリング方式 41
     4.2.4 EoMPLSとVLANスタッキング 42
     4.2.5 マルチポイント型のEoMPLS 42
     4.2.6 VPLSのメリットと今後 43
    4.3 長距離伝送技術 44
     4.3.1 長距離トランシーバ 44
     4.3.2 10ギガビットイーサネットWANPHY 45
     4.3.3 EoMPLSによる長距離転送 46
5 広域イーサネット信頼性実現基礎技術
    5.1 リンク冗長技術 47
     5.1.1 リンク障害検知方式 47
     5.1.2 リンク冗長方式 50
    5.2 ノード冗長技術 51
     5.2.1 ESRP 51
     5.2.2 EAPS 53
    5.3 高速障害回復技術 55
     5.3.1 STP 55
     5.3.2 RSTP 56
    5.4 負荷分散 60
     5.4.1 スイッチ間の複数リンクヘの負荷分散 60
     5.4.2 スイッチ間の複数パスへの負荷分散 62
6 広域イーサネットQoS基礎技術
    6.1 イーサネットでのQoS技術 65
    6.2 イーサネットでのQoS制御概要 67
     6.2.1 クラシフィケーション 67
     6.2.2 輻輳制御 68
     6.2.3 ポリシング 69
     6.2.4 マーキング 69
     6.2.5 スケジューリングとシェービング 71
    6.3 イーサネットサービスヘの適用方法 73
     6.3.1 UNIでのQoSの実現 73
     6.3.2 NNIでのQoSの実現 75
     6.3.3 コアネットワークでのQoS制御 75
    6.4 階層型帯域制御 75
7 関連技術の標準化動向
    7.1 IEEE802 78
     7.1.1 IEEE802.3ah(EFM) 79
     7.1.2 IEEE802.1ad(仮想プライベートネットワーク技術) 86
     7.1.3 IEEE802.1AB(隣接ディスカバリプロトコル) 88
     7.1.4 IEEE802.17(RPRリングプロトコル) 90
    7.2 メトロイーサネットフォーラム 95
    7.3 IETF 97
     7.3.1 L2VPN 97
     7.3.2 MPLS 104
8 広域イーサネットの運用と課題
    8.1 広域イーサネットのモデル 111
    8.2 広域イーサネットの運用上の課題 112
    8.3 VPN設定方式 112
    8.4 故障検出 113
    8.5 ループ対策 114
     8.5.1 ループの弊害 114
     8.5.2 ループの発生要因 114
     8.5.3 ループ検出機構 116
     8.5.4 ループ位置検出 118
     8.5.5 ループ防止機構 118
     8.5.6 イーサネットにおけるTELの導入 120
    8.6 ネットワーク正常性確認方法 124
     8.6.1 ping 124
     8.6.2 主信号試験(フレーム負荷試験) 124
     8.6.3 FDB確認 124
     8.6.4 様々なカウンタ 125
     8.6.5 ミラーリングとキャプチャ 125
     8.6.6 隣接Link管理プロトコル 125
     8.6.7 リンクダウン転送 125
    8.7 広域イーサネットの運用上の課題 126
     8.7.1 信頼性 126
     8.7.2 保守性と運用性 126
9 広域イーサネット実現拡張技術
    9.1 MACinMAC技術 129
     9.1.1 MACinMAC技術の概要 129
     9.1.2 MACinMAC技術の方式分類 130
     9.1.3 EoEの基本概念 133
     9.1.4 EoEの動作原理 136
     9.1.5 EoE ControI Protocol(ECP)機能 142
     9.1.6 ループ防止機能 150
     9.1.7 トラヒック分析 151
     9.1.8 EoEの拡張と課題 151
    9.2 グローバルオープンイーサネット技術 153
     9.2.1 GOEフレームフォーマット 153
     9.2.2 高速化方式(高速タグスイッチング技術) 158
     9.2.3 高信頼化方式(高信頼経路制御技術) 160
     9.2.4 運用容易化方式(無瞬断網再構成技術) 164
     9.2.5 MACアドレス学習機能 165
     9.2.6 試作システムと性能評価 168
10 次世代広域ネットワークの展望
    10.1 広域ネットワークの現状 172
    10.2 要求条件の時代変化 173
     10.2.1 階層化ネットワーク 174
     10.2.2 ジオデシックネットワーク 175
     10.2.3 自己進化論的ネットワーク 176
    10.3 新技術の方向性 177
     10.3.1 技術革新の役割 179
     10.3.2 パラメータチューン 179
     10.3.3 完全二重化構成の自動化 179
     10.3.4 最適接続コンフィギュレーション 180
     10.3.4 広域イーサネットの役割と次世代広域ネットワークに向けて 181
付録 184
索引 188
1 イーサネットの基礎
    1.1 イーサネットの歴史 1
     1.1.1 伝送速度の高速化 2
2.

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東工大
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角南英夫著
出版情報: 東京 : コロナ社, 2006.8  xii, 189p ; 26cm
シリーズ名: 電子情報通信レクチャーシリーズ / 電子情報通信学会編 ; D-27 . VLSI工学||VLSI コウガク
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第1章 LSI製造プロセスとその課題
   1.1 集積回路の大規模化 2
    1.1.1 高集積化トレンド 2
    1.1.2 微細加工 3
   1.2 歩留まりと信頼性 4
    1.2.1 歩留まりとスループット 4
    1.2.2 欠陥発生防止 6
    1.2.3 欠陥救済 6
    1.2.4 信頼性 7
    1.2.5 ソフトエラー 7
   1.3 メモリの課題 8
    1.3.1 DRAMの課題 10
    1.3.2 フラッシュメモリの課題 12
   1.4 マイクロプロセッサの課題 12
    1.4.1 チップ当りの機能向上 13
    1.4.2 動作周波数の向上 14
    1.4.3 サブスレッショルド電流の抑制 16
   1.5 MOSトランジスタの課題 16
    1.5.1 トランジスタのスケーリング則 16
    1.5.2 配線のスケーリング則 19
   1.6 将来のLSI 21
   本章のまとめ 22
   理解度の確認 22
第2章 集積化プロセス
   2.1 集積化プロセスモジュール 24
   2.2 基本の集積化プロセス 27
   2.3 基板構造 29
    2.3.1 ウェル構造 29
    2.3.2 SOI基板 30
   2.4 素子分離構造 32
    2.4.1 LOCOS法 32
    2.4.2 トレンチ分離 33
   2.5 トランジスタ構造 34
    2.5.1 ソース-ドレイン構造 34
    2.5.2 ゲート構造 35
    2.5.3 ひずみトランジスタ 36
   2.6 メモリセル構造 37
    2.6.1 DRAMセル 38
    2.6.2 SRAMセル 39
    2.6.3 フラッシュEEPROMセル 40
    2.6.4 FeRAMセル 42
    2.6.5 その他のメモリセル 42
   2.7 ロジックゲート 43
   2.8 多層配線 44
   2.9 集積化総合技術 45
    2.9.1 MOS集積回路 45
    2.9.2 BiCMOS集積回路 45
    2.9.3 バイポーラ集積回路 46
   2.10 集積化プロセスの課題と対策 46
    2.10.1 デバイス特性 47
    2.10.2 微細加工 47
    2.10.3 自己整合技術 49
    2.10.4 ボーダーレス配線 50
    2.10.5 平坦化 51
   2.11 集積化プロセスの将来 52
   本章のまとめ 54
   理解度の確認 54
第3章 リソグラフィ
   3.1 リソグラフィの概略 56
    3.1.1 フォトエッチング工程 56
    3.1.2 露光装置の種類 57
    3.1.3 エッチング 58
   3.2 露光方式 59
    3.2.1 光露光方式の歴史 59
    3.2.2 超解像技術 61
    3.2.3 近接効果補正 63
    3.2.4 液浸露光 63
    3.2.5 電子線描画 64
    3.2.6 X線描画 65
    3.2.7 EUV(X線縮小投影法) 66
    3.2.8 イオンビーム法 66
    3.2.9 マスク合わせ 66
   3.3 フォトレジスト 67
    3.3.1 レジストの特性 67
    3.3.2 ネガ型フォトレジスト 69
    3.3.3 ポジ型フォトレジスト 70
    3.3.4 電子線レジスト 71
    3.3.5 X線レジスト 72
    3.3.6 遠紫外線(DeepUV)レジスト 72
    3.3.7 イオンビーム用レジスト 72
    3.3.8 無機質レジスト材料 73
    3.3.9 化学増幅型レジスト 73
    3.3.10 多層レジストとシリル化プロセス 74
    3.3.11 反射防止膜 76
   本章のまとめ 76
   理解度の確認 76
第4章 エッチング
   4.1 エッチングの概略 78
   4.2 ウェットエッチング 78
   4.3 ドライエッチング 80
    4.3.1 エッチングの原理 80
    4.3.2 エッチング機構 83
    4.3.3 反応過程 84
   4.4 ドライエッチング装置 87
    4.4.1 円筒型プラズマエッチング 87
    4.4.2 マイクロ波プラズマエッチング 88
    4.4.3 反応性イオンエッチング 88
    4.4.4 低温エッチング 90
   4.5 反応ガス 91
    4.5.1 各種材料のエッチングガス 91
    4.5.2 反応ガスの設計 92
   4.6 ドライエッチングの課題 95
    4.6.1 選択性 95
    4.6.2 加工形状の制御 96
    4.6.3 レジストの影響 96
    4.6.4 高アスペクト比加工 97
    4.6.5 有害不純物の除去 98
    4.6.6 損傷 98
   4.7 将来のドライエッチング技術 99
   本章のまとめ 99
   理解度の確認 100
第5章 酸化
   5.1 シリコン酸化法 102
    5.1.1 酸化炉 102
    5.1.2 酸化データ 103
   5.2 シリコン酸化膜の成長則 103
    5.2.1 Deal-Groveのモデル 103
    5.2.2 Mott-Cabreraのモデル 105
   5.3 薄い酸化膜の形成 107
   5.4 Si-SiO2界面状態 108
    5.4.1 Si-SiO2界面モデル 108
    5.4.2 Si-SiO2界面状態の観察 108
   5.5 不純物濃度依存酸化 109
    5.5.1 多結晶Siの酸化・面方位依存性 109
    5.5.2 不純物増速酸化 110
   5.6 不純物偏析 111
   5.7 直接窒化膜 112
   5.8 その他の課題 113
   本章のまとめ 114
   理解度の確認 114
第6章 不純物導入
   6.1 不純物導入方法 116
   6.2 不純物拡散の原理 118
    6.2.1 拡散の原理 118
    6.2.2 増速・減速拡散 120
   6.3 イオン注入の原理 122
    6.3.1 基本原理 122
    6.3.2 LSS理論 123
    6.3.3 チャネリング 126
   6.4  高濃度イオン注入 127
    6.4.1 課題 127
    6.4.2 クラスタリング 128
   6.5  イオン注入の応用 129
    6.5.1 チャネルドープ 129
    6.5.2 チャネルストッパ 129
    6.5.3 ソース-ドレーン形成 130
    6.5.4 SOI基板形成 130
   本章のまとめ 130
   理解度の確認 130
第7章 絶縁膜堆積
   7.1 絶縁膜堆積法の種類 132
   7.2 PVD 132
    7.2.1 真空蒸着 132
    7.2.2 スパッタ堆積法 132
    7.2.3 反応性蒸着・反応性スパッタ堆積法 134
    7.2.4 レーザアブレーション法 134
   7.3 CVD 135
    7.3.1 CVD法による絶縁膜とその反応ガス 135
    7.3.2 常圧・減圧CVD 136
   7.4 プラズマCVD 136
    7.4.1 プラズマCVDにおける反応 136
    7.4.2 プラズマCVD-SiN膜の性質 138
   7.5 CVD堆積膜の性質 139
    7.5.1 段差被覆性 139
    7.5.2 CVD-PSG膜 140
    7.5.3 CVD-Si3N4膜 140
    7.5.4 多結晶シリコン 141
    7.5.5 CVD膜の応力 142
    7.5.6 リフロー 144
   7.6 塗布膜 145
    7.6.1 SOG及びSOD 145
    7.6.2 ゾル・ゲル法 145
    7.6.3 ミスト成膜法 146
   本章のまとめ 146
   理解度の確認 146
第8章 電極・配線
   8.1 電極・配線の役割 148
   8.2 電極・配線の材料 148
   8.3 電極・配線の堆積法 149
    8.3.1 真空蒸着 150
    8.3.2 スパッタ法 150
    8.3.3 MOCVD法 152
    8.3.4 めっき法 155
   8.4 電極構造 156
    8.4.1 構造の変遷 156
    8.4.2 デバイス形成プロセスとの整合性 157
   8.5 バリアメタル技術 158
    8.5.1 Al配線のコンタクト部の耐熱性 158
    8.5.2 バリアメタルによる耐熱性向上 159
   8.6 ダマシン配線 160
   8.7 多層配線と平坦化 161
    8.7.1 バイアススパッタ法 162
    8.7.2 CMP 163
    8.7.3 塗布膜による平坦化 165
   8.8 配線の信頼性 167
    8.8.1 エレクトロマイグレーション 167
    8.8.2 ストレスマイグレーション 169
171
172
第9章 後工程・パッケージング
   9.1 前工程と後工程 174
   9.2 パッケージング 174
   9.3 3次元実装 176
   本章のまとめ 176
   理解度の確認 176
引用・参考文献 177
索引 187
第1章 LSI製造プロセスとその課題
   1.1 集積回路の大規模化 2
    1.1.1 高集積化トレンド 2
3.

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東工大
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東工大
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堀口勝治編著 ; 電子情報通信学会編
出版情報: 東京 : 電子情報通信学会 , 東京 : コロナ社 (販売), 1993.8  vii, 378p ; 22cm
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第1章 ULSI設計技術総論
   1.1 はじめに 1
   1.2 ULSIへの道のり 2
   1.3 システムULSIの展望 12
   1.4 ULSI時代の設計技術の課題 17
第2章 ASIC設計技術
   2.1 ASICの回路技術 24
   2.1.1 CMOS回路 24
   2.1.2 ECL(CML)回路 31
   2.1.3 BiCMOS回路 34
   2.1.4 回路技術の選択 37
   2.2 ASICの分類と発展の歴史 38
   2.2.1 ASICの分類 38
   2.2.2 ASIC発展の歴史 40
   2.3 ASIC実現方式の種類と特長 42
   2.3.1 ASIC設計の流れ 42
   2.3.2 ゲートアレー 43
   2.3.3 セルベース(スタンダードセル)方式 50
   2.3.4 フルカスタム方式 55
   2.3.5 フィールドプログラマブルデバイス 55
   2.3.6 その他の設計方式 57
   2.4 ASIC設計の最新技術と今後の展望 58
   2.4.1 性能追求設計技術 58
   2.4.2 設計TAT短縮技術 62
第3章 メモリ設計技術
   3.1 DRAM 67
   3.1.1 概要 67
   3.1.2 メモリセル 68
   3.1.3 回路構成 69
   3.1.4 DRAMの課題とその対策 73
   3.2 スタティックRAM 77
   3.2.1 スタティックRAMの特長と用途 77
   3.2.2 CMOS SRAMの基本動作、および回路技術 78
   3.2.3 BiCMOS SRAMの回路技術 86
   3.2.4 今後の展望 89
   3.3 不揮発性メモリ 91
   3.3.1 データの読出し 91
   3.3.2 各不揮発性メモリの構造 93
   3.3.3 各不揮発性メモリの特長と高集積化への課題 98
   3.4 ASM 100
   3.4.1 マルチポートDRAM 100
   3.4.2 擬似SRAM 107
   3.4.3 フィールドメモリ 108
   3.4.4 ラインメモリ 109
   3.4.5 その他のASM 109
第4章 マイクロプロセッサ設計技術
   4.1 マイクロプロセッサの動作の概要 114
   4.2 マイクロプロセッサの技術動向 115
   4.3 アーキテクチャの設計 117
   4.4 機能設計技術 123
   4.5 並列処理技術 126
   4.6 RISC 128
   4.6.1 コンピュータ技術とVLSI技術 128
   4.6.2 RISCのアーキテチャ 129
   4.6.3 RISCの構成例 130
   4.7 TRON仕様マイクロプロセッサ 131
   4.7.1 アーキテクチャ 132
   4.7.2 TRON仕様マイクロプロセッサチップ実現例 134
第5章 DSP設計技術
   5.1 はじめに 139
   5.2 汎用DSPと専用DSP 140
   5.2.1 DSPの概要 140
   5.2.2 DSPの構成 141
   5.2.3 DSPの動作タイミング 144
   5.2.4 DSPの非巡回形ディジタルフィルタへの応用 145
   5.2.5 プログラム開発 147
   5.2.6 16タップ非巡回形ディジタルフィルタの実現 148
   5.3 DSPの設計 155
   5.3.1 アーキテクチャ設計 155
   5.3.2 回路設計 157
   5.4 おわりに 183
第6章 アナログ回路設計技術
   6.1 集積回路におけるアナログ回路の制限 186
   6.2 アナログ集積回路の基本回路 189
   6.2.1 直流電流源とカレントミラー 190
   6.2.2 差動増幅回路 193
   6.2.3 能動負荷回路 196
   6.2.4 レベルシフト回路 197
   6.3 演算増幅器 199
   6.3.1 演算増幅器の基本構成 199
   6.3.2 汎用演算増幅器の回路技術 200
   6.3.3 演算増幅器の応用 203
   6.4 アナログ集積回路の発振防止対策 206
   6.4.1 増幅回路の周波数特性 206
   6.4.2 帰還回路の安定性 207
   6.4.3 アナログ回路の発振防止対策 209
   6.5 集積化アナログフィルタ 210
   6.5.1 集積化能動RCフィルタ 210
   6.5.2 スイッチトキャパシタフィスタ 213
   6.6 A/D,D/A変換器 216
   6.6.1 高速型A/D,D/A変換器 216
   6.6.2 オーバーサンプルÅ/D,D/A変換器 218
   6.7 ULSI時代以降のアナログ回路技術 221
第7章 ULSI用CAD技術
   7.1 LSIのCAD技術 225
   7.2 設計言語 230
   7.3 シミュレータ 233
   7.4 配置配線ツール 243
   7.5 論理合成とコンパイラ 253
第8章 ULSIテスト評価技術
   8.1 テスト・評価の考え方 269
   8.1.1 テスト・評価とは 269
   8.1.2 従来のテスト・評価の考え方 273
   8.1.3 テスト容易性 283
   8.1.4 故障の原因とモデル化 284
   8.1.5 ULSIのテスト・評価の考え方 298
   8.2 テスト容易化設計の各手法 306
   8.2.1 テスト容易化設計の基本的な分類 306
   8.2.2 分割手法 309
   8.2.3 スキャンデザイン 310
   8.2.4 組込み自己テスト 314
   8.2.5 メモリのテスト容易化設計手法 323
   8.2.6 PLAのテスト容易化設計手法 327
   8.2.7 クロスチェック技術 333
   8.2.8 IDD・gテスト 335
   8.2.9 バウンダリスキャンデザイン 338
   8.3 テスト容易化設計のストラテジー 344
   8.3.1 ASIC-ULSIとフルカスタムULSIのテスト容易化設計 344
   8.3.2 マイクロプロセッサノテスト容易化設計のストラテジー 350
   8.4 CAT 354
   8.4.1 テストデータ自動発生 355
   8.4.2 故障シミュレーション 360
   8.5 ULSIテスト・評価技術の今後の展望 364
索引 371
第1章 ULSI設計技術総論
   1.1 はじめに 1
   1.2 ULSIへの道のり 2
4.

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小川英光編著 ; 電子情報通信学会編
出版情報: 東京 : 電子情報通信学会 , 東京 : コロナ社 (発売), 1994.2  vi, 185p ; 22cm
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第1章 序論
   1.1 はじめに 1
   1.2 良い問題とは 3
   1.3 良い問題を作るために 5
第2章 パターン認識・理解の基礎
   2.1 はじめに 11
   2.2 パターン認識とそのモデル 12
    2.2.1 統一的認識モデル 12
    2.2.2 多重分解能原理と状況依存型位相 14
    2.2.3 柔らかな情報処理 15
    2.2.4 認識・理解のモデルに関する問題 18
    2.2.5 不完全設定問題の科学的取扱い 20
   2.3 統計的パターン認識 21
    2.3.1 ベイズ推定によるパターン認識 21
    2.3.2 統計的パターン認識と多変量解析 24
   2.4 識別機械 26
    2.4.1 識別関数族の構造解明 26
    2.4.2 識別関数族の近似問題 28
   2.5 学習 29
    2.5.1 学習のパラダイム 29
    2.5.2 不良設定問題の正則化と学習モデル 32
    2.5.3 最適学習教材の設計法 36
    2.5.4 逐次学習法における極小値問題 37
    2.5.5 相互結合型神経回路網の学習問題 38
    2.5.6 自己組織化問題 40
    2.5.7 機械学習と学習意欲 41
   2.6 識別対象そのものに関する問題 42
    2.6.1 エッジ特徴の優位性問題 42
    2.6.2 文字らしさ・音声らしさの特徴づけ 43
    2.6.3 階層的2次元ラベル付け問題 46
    2.6.4 視覚の理論 47
第3章 音声の認識・理解
   3.1 はじめに 54
   3.2 現在の研究のアプローチの発展としての課題 55
   3.3 今後の新しい発想に基づく課題 59
    3.3.1 対話音声の認識・理解 59
    3.3.2 学習方式 61
    3.3.3 音声処理と言語処理の統合モデル 61
    3.3.4 音声認識・理解システムのアーキテクチャ 62
    3.3.5 音声認識・理解システムの評価法 62
    3.3.6 人間に学ぶ 63
   3.4 今後挑戦すべき個別課題の例 67
    3.4.1 音声と雑音の分離 67
    3.4.2 音声現象と識別学習の利用 71
    3.4.3 ディクテーションマシンの実現法 74
    3.4.4 実時間音声会話娯楽システムの構築 78
    3.4.5 音声認識と自然言語処理との融合 80
    3.4.6 話者認識技術 83
    3.4.7 音声言語の識別 85
    3.4.8 感性情報の認識と処理 88
   3.5 むすび 90
第4章 文字・文書の認識.理解
   4.1 はじめに 92
   4.2 現状の認識と課題 93
    4.2.1 従来技術の到達点と問題点 93
    4.2.2 挑戦すべき課題 96
   4.3 視覚心理から見た文字認識 97
    4.3.1 背景 97
    4.3.2 問題 99
   4.4 文字概念の獲得 100
    4.4.1 背景 100
    4.4.2 問題 101
    4.4.3 意義 103
   4.5 文字変形モデル 104
    4.5.1 背景 104
    4.5.2 問題 106
    4.5.3 意義 109
   4.6 確実な棄却 110
    4.6.1 背景 110
    4.6.2 問題 113
    4.6.3 意義 113
   4.7 文字分離 115
    4.7.1 背景 115
    4.7.2 問題 116
    4.7.3 意義 118
   4.8 文字品質および認識系の評価 118
    4.8.1 背景 118
    4.8.2 問題 119
    4.8.3 意義 122
   4.9 認識カテゴリーの拡大と辞書作成 122
    4.9.1 背景 122
    4.9.2 問題 127
    4.9.3 意義 127
第5章 画像の認識・理解
   5.1 はじめに 130
   5.2 画像の認識・理解における課題 131
    5.2.1 パターン認識全体に関わる問題 131
    5.2.2 画像の認識・理解-定義と特色 132
   論点1 画像処理と知識と意味 136
    5.2.3 「パターン」および「パターン理解」のモデル 139
    5.2.4 セグメンテーション 140
   論点2 セグメンテーション 142
    5.2.5 パターンの記述 148
   論点3 画像認識におけるアルファベット 150
    5.2.6 知識・情報の計量および手法の評価 152
   論点4 アルゴリズム評価,知識評価 153
    5.2.7 問題点の統合 157
   5.3 具体的な問題の例 158
    5.3.1 顔画像の認識-統合型問題の例 158
    5.3.2 2次元パターンの部分マッチング-機能固定型の問題の例 162
   5.4 補足的解説 164
    5.4.1 画像メディアの性質と認識・理解のモデル 164
    5.4.2 ヒューマンマシン協調における認識 167
    5.4.3 認識手法 168
    5.4.4 画像情報における次元の格差 171
   5.5 むすび 172
付録 パターン認識・理解の諸問題研究会委員一覧 176
人名索引 178
事項索引 179
第1章 序論
   1.1 はじめに 1
   1.2 良い問題とは 3
5.

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野島俊雄, 山尾泰編著 ; 電子情報通信学会編
出版情報: 東京 : 電子情報通信学会 , 東京 : コロナ社 (発売), 2007.9  vi, 264p ; 22cm
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第1章 モバイル通信システム
   1.1 概要 1
   1.2 無線信号 4
    1.2.1 無線周波数 4
    1.2.2 変調方式 5
   1.3 電波伝搬環境 13
    1.3.1 時間変動特性 13
    1.3.2 チャネル特性 16
    1.3.3 改善技術 16
   1.4 無線アクセス方式 16
    1.4.1 PDC方式 20
    1.4.2 IMT-2000DS-CDMA(W-CDMA)方式 28
   1.5 基地局及び端末 32
    1.5.1 基地局装置 32
    1.5.2 端末 33
第2章 無線回路の基本と要求条件
   2.1 変調器 37
    2.1.1 信号処理から見た変調操作 37
    2.1.2 乗算器の構成 39
    2.1.3 直交変調器における変調誤差の要因 42
    2.1.4 直交変調器における変調精度の評価 47
   2.2 電力増幅器 49
    2.2.1 役割と機能 49
    2.2.2 送信信号の性質と増幅器の非線形ひずみの関係 50
    2.2.3 要求特性例 61
   2.3 受信回路 65
    2.3.1 受信回路の基本構成と動作 65
    2.3.2 無線回路の性能指標 73
    2.3.3 受信回路への要求性能 89
    2.3.4 受信回路の構成例 94
   2.4 周波数シンセサイザ 100
    2.4.1 構成と基本動作 100
    2.4.2 周波数切換速度 101
    2.4.3 周波数切換えの高速化 103
    2.4.4 位相雑音 105
    2.4.5 電圧制御発振器 109
    2.4.6 PLL周波数シンセサイザを集積化したRF-IC 109
   2.5 非線形の解析手法と線形性の評価方法 111
    2.5.1 電力増幅器の非線形 111
    2.5.2 非線形解析法 112
    2.5.3 複素べき級数表示の導出 114
    2.5.4 入出力応答 116
    2.5.5 線形性の評価方法 119
第3章 電力増幅器とその線形化技術
   3.1 電力増幅器の効率 128
    3.1.1 流通角による電力増幅器の分類 128
    3.1.2 スイッチングモード増幅器 132
    3.1.3 ドハティ増幅器 134
   3.2 線形化技術 135
    3.2.1 個別増幅と共通増幅 135
    3.2.2 フィードフォワード(FF)増幅器 139
    3.2.3 プリディストーション 146
   3.3 その他の線形化技術 155
    3.3.1 LINC 155
    3.3.2 負帰還法 156
第4章 超伝導受信技術
   4.1 超伝導受信フロントエンド 162
    4.1.1 基本構成 163
    4.1.2 高温超伝導フィルタ(HTSF) 165
    4.1.3 極低温低雑音増幅器(CLNA) 166
    4.1.4 冷凍機 168
    4.1.5 2GHz帯小形・高信頼CRFE 172
   4.2 高感度化 173
    4.2.1 雑音指数と等価雑音温度 173
    4.2.2 CRFEによる受信感度改善効果 177
   4.3 都市雑音(人工雑音) 179
   4.4 高選択性の効果 181
   4.5 CRFEのモバイル通信基地局への適用効果 183
   4.6 CRFEのフェイルセイフ化 185
    4.6.1 基地局受信系構成の工夫 185
    4.6.2 HTSFと常温動作フィルタの切換え 186
第5章 受信フロントエンドとダイレクトコンバージョン受信機
   5.1 受信フロントエンドの基本コンポーネント 190
    5.1.1 課題 190
    5.1.2 高周波フィルタ 191
    5.1.3 高周波半導体素子 197
    5.1.4 低雑音増幅器(LNA) 200
    5.1.5 ミクサ 203
    5.1.6 直交ミクサ 207
   5.2 ダイレクトコンバージョン受信機の構成と課題 218
    5.2.1 開発の経緯 218
    5.2.2 システム構成上の課題 219
    5.2.3 アナログベースバンド回路 224
   5.3 開発例 228
    5.3.1 GaAs受信フロントエンドモジュール 228
    5.3.2 W-CDMA方式端末用偶高調波形ダイレクトコンバージョン受信機 229
    5.3.3 GSM方式端末用ダイレクトコンバージョン受信機 234
第6章 無線回路のマルチバンド化技術
   6.1 構成法 242
   6.2 可変整合回路によるマルチバンド化 245
   6.3 マルチバンド電力増幅器 248
    6.3.1 RF-MEMSスイッチ 248
    6.3.2 可変帯域電力増幅器 249
   6.4 帯域可変RFフィルタ 252
索引 255
第1章 モバイル通信システム
   1.1 概要 1
   1.2 無線信号 4
6.

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電子情報通信学会編
出版情報: 東京 : オーム社, 1988.3  2冊 ; 27cm
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7.

図書

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東工大
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電子情報通信学会編 ; 内藤喜之執筆
出版情報: 東京 : コロナ社, 1986.6  vii, 204p ; 22cm
シリーズ名: 電子情報通信学会大学シリーズ / 電子情報通信学会編 ; F-9
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1. 分布定数回路
   1.1 交流現象の複素表現 1
   1.2 分布定数回路の基礎 3
   1.3 定在波分布 7
   1.4 入力インピーダンス 11
   1.5 4分の1波長線路と整合回路 14
   1.6 スミスチャート 17
   1.7 集中定数回路と分布定数回路 21
   演習問題 23
2. 電磁波の伝送
   2.1 マクスウェルの方程式 26
   2.2 平面波 27
   2.3 電磁波の分類 32
   2.4 2導体系伝送路 33
   2.5 中空導波管伝送路 41
   2.5.1 長方形導波管 41
   2.5.2 円形導波管 48
   2.5.3 伝搬特性 54
   2.6 表面波伝送路 79
   2.6.1 全反射 79
   2.6.2 対称3層スラブ導波路 80
   演習問題 85
3. マイクロ波・ミリ波回路I
   3.1 回路表現 89
   3.1.1 考え方 89
   3.1.2 散乱行列の定義 91
   3.1.3 散乱行列の求め方 93
   3.1.4 無損失回路の散乱行列 97
   3.1.5 参照面の変更 98
   3.2 可逆回路 100
   3.2.1 整合回路 100
   3.2.2 共振回路 106
   3.2.3 方向性結合回路 124
   3.2.4 電波吸収素子 145
   演習問題 150
4. マイクロ波・ミリ波回路II
   4.1 材料のマイクロ波・ミリ波特性 153
   4.2 非可逆回路 159
   演習問題 171
5. マイクロ波・ミリ波の応用
   5.1 通信・放送 173
   5.1.1 大気圏空間の伝搬特性 174
   5.1.2 国際規格 175
   5.1.3 無線周波数配置,多重度 176
   5.1.4 変調方式 180
   5.1.5 衛星通信 182
   5.1.6 放送 182
   5.2 センサ 183
   5.2.1 レーダ 183
   5.2.2 速度計 184
   5.2.3 水分量の測定 185
   5.3 電力 186
   5.3.1 電子レンジ 187
   5.3.2 塗料乾燥,コンクリートの破砕,殺虫効果など 187
   5.3.3 生体への影響 188
   5.4 その他 190
文献 191
演習問題解答 192
索引 201
1. 分布定数回路
   1.1 交流現象の複素表現 1
   1.2 分布定数回路の基礎 3
8.

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酒井善則, 金井敦, 荒金陽助共著 ; 電子情報通信学会編
出版情報: 東京 : 電子情報通信学会 , 東京 : コロナ社 (発売), 2009.4  ix, 178p ; 21cm
所蔵情報: loading…
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第1章 はじめに 1
第2章 情報の価値と情報セキュリティ 6
   2-1 情報セキュリティの歴史と脅威 8
    2-1-1 自給自足の村社会 9
    2-1-2 遠隔地との交流 11
    2-1-3 電気通信技術の発達 15
    2-1-4 コンピュータの発達 19
   2-2 情報の価値とそれに対する脅威 25
    2-2-1 情報量 25
    2-2-2 情報の価値と脅威 26
    2-2-3 情報を持つことのリスク 29
   2-3 情報を活用するための情報セキュリティ 32
第3章 情報通信社会における情報セキュリティの必要性 35
   3-1 情報の特性 35
    3-1-1 存在の視点 38
    3-1-2 処理の視点 40
    3-1-3 表現の視点 43
    3-1-4 情報の特性と情報セキュリティのニーズ 45
   3-2 攻撃に対する防御 47
   3-3 利便性 53
    3-3-1 価値と情報の流通 54
    3-3-2 バーチャルネットワーク 59
    3-3-3 プライバシー情報流通 60
   3-4 法律・規範・倫理・技術発展に基づく脅威の変化 61
    3-4-1 法律による変化 64
    3-4-2 規範・倫理による変化 64
    3-4-3 技術発展による変化 65
   3-5 セキュリティ技術の発展と安全なシステム 66
第4章 脅威とその分類 71
   4-1 攻撃者の目的 71
    4-1-1 片方向的攻撃 72
    4-1-2 双方向的攻撃 73
    4-1-3 情報の流れと技術レベル 76
   4-2 特定少数と不特定多数 77
   4-3 攻撃者の立場 82
    4-3-1 外部からの脅威 83
    4-3-2 内部からの脅威 84
   4-4 まとめ 85
第5章 攻撃手法と対策 87
   5-1 ソーシャルエンジニアリング攻撃 88
    5-1-1 電話によるソーシャルエンジニアリング攻撃 89
    5-1-2 物理的な侵入と窃盗(ごみ箱あさり) 91
    5-1-3 ソーシャルエンジニアリング攻撃対策 92
   5-2 サイバーネットワークアタック 93
    5-2-1 DoS 攻撃 93
    5-2-2 DDoS 攻撃 95
    5-2-3 サイバーネットワークアタックへの対策 97
   5-3 コンピュータリソース窃盗 97
    5-3-1 トロイの木馬(バックドア型) 98
    5-3-2 バッファオーバラン攻撃 98
    5-3-3 コンピュータリソース窃盗に対する対策 100
   5-4 盗聴,情報窃盗・暴露ウイルスなど 100
    5-4-1 盗聴・情報窃盗 101
    5-4-2 トロイの木馬(情報収集型)・スパイウェア 103
    5-4-3 盗聴や情報窃盗などに対する対策 104
   5-5 情報改ざん 105
    5-5-1 アカウント情報の改ざん 105
    5-5-2 Webサイトの改ざん 106
    5-5-3 改ざんに対する対策 107
   5-6 プライバシー情報盗難・漏えい 109
    5-6-1 SQLインジェクション攻撃 109
    5-6-2 フィッシング 111
    5-6-3 個人情報搾取攻撃への対策 115
   5-7 実装攻撃 116
    5-7-1 テンペスト 116
    5-7-2 実装攻撃 117
    5-7-3 実装攻撃への対策 118
   5-8 暗号危殆化 118
   5-9 コンピュータウイルス 121
    5-9-1 狭義のコンピュータウイルス 121
    5-9-2 ファイルに感染しないコンピュータウイルス 122
    5-9-3 コンピュータウイルスの分類 123
    5-9-4 コンピュータウイルスへの対策 124
   5-10 対策の分類 126
    5-10-1 事前対策と事後対策 126
    5-10-2 実装対策と運用対策 128
第6章 情報活用のための攻めの情報セキュリティ 131
   6-1 流通における価値交換 132
    6-1-1 物々交換から貨幣の利用へ 133
    6-1-2 貨幣の流通促進と信用 134
    6-1-3 情報通信社会の価値交換 135
    6-1-4 電子商取引 137
    6-1-5 電子現金 142
    6-1-6 債権・債務・株券の電子化 145
   6-2 CGMや企業におけるコミュニティのダイナミズム 149
    6-2-1 コミュニティとは 150
    6-2-2 コミュニティとコミュニケーション 151
    6-2-3 利益社会のコミュニケーションと情報通信技術 153
    6-2-4 インターネットを利用した情報発信 155
    6-2-5 CGM におけるコミュニケーション 157
    6-2-6 コミュニティと情報セキュリティ 160
   6-3 バーチャル空間における人,情報の保証 162
    6-3-1 インターネットショッピング 162
    6-3-2 オークションとRMT 166
    6-3-3 確かさの証明 169
第7章 おわりに 172
索引 175
第1章 はじめに 1
第2章 情報の価値と情報セキュリティ 6
   2-1 情報セキュリティの歴史と脅威 8
9.

図書

東工大
目次DB

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東工大
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中村徹, 三島友義共著 ; 電子情報通信学会編
出版情報: 東京 : コロナ社, 2003.11  viii, 146p ; 26cm
シリーズ名: 電子情報通信レクチャーシリーズ / 電子情報通信学会編 ; D-18
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1.超高速デバイスと応用分野
   1.1 超高速動作電子機器とエレクトロニクス 2
   1.2 超高速デバイスの種類と進歩 4
   1.3 半導体デバイスの応用分野と集積度 5
   本章のまとめ 8
   理解度の確認 8
2.超高速デバイスの構造とその特徴
   2.1 トランジスタの動作と飽和速度 10
    2.1.1 移動度と飽和速度 10
    2.1.2 超高速デバイスに印加される電界 11
   2.2 真性トランジスタと寄生デバイス 13
   2.3 超高速デバイスの構造 14
   談話室 抵抗を下げる 15
   2.4 高速デバイス設計の指針 16
   本章のまとめ 17
   理解度の確認 18
3.超高速デバイス用材料と製造技術
   3.1 III-V族化合物半導体の物性とヘテロ接合 20
    3.1.1 III-V族化合物半導体の物性 20
    3.1.2 ヘテロ接合 25
   3.2 結晶成長技術と評価技術 29
    3.2.1 結晶成長技術 30
    3.2.2 半導体結晶評価技術 34
   3.3 シリコン基板への浅接合構造と形成技術 37
    3.3.1 p形及びn形散層の浅接合化 37
    3.3.2 浅接合化技術 38
   本章のまとめ 43
   理解度の確認 44
4.シリコンバイポーラトランジスタ
   4.1 バイポーラトランジスタの動作原理 46
    4.1.1 一次元バイポーラトランジスタの直流電流と電流増幅率 46
   談話室 ガンメルプロット 49
    4.1.2 バイポーラトランジスタのベース電流 49
    4.1.3 コレクタ領域の電荷 53
    4.1.4 寄生領域のトランジスタ性能への影響 55
   4.2 シリコンバイポーラトランジスタ 57
    4.2.1 トランジスタ構造と不純物ドーピングプロファイル 57
    4.2.2 ベース抵抗 59
    4.2.3 多結晶シリコン技術の応用 60
   談話室 容量を下げる 62
    4.2.4 多結晶シリコン応用微細化バイポーラトランジスタ 63
    4.2.5 超高速シリコンバイポーラトランジスタ特有の高速化構造 71
   談話室 真性トランジスタ領域とコレクタ電流の流れる領域 71
   4.3 SiGeバイポーラトランジスタ 73
    4.3.1 SiGe混晶組成比と不純物ドーピングプロファイル 73
    4.3.2 SiGeバイポーラトランジスタの構造 75
    4.3.3 電流成分と電流増幅率 76
    4.3.4 トランジスタ性能と高周波パラメータ 76
   談話室 シングルへテロ接合とダブルへテロ接合の遮断周波数特性の比較 77
   本章のまとめ 78
   理解度の確認 78
5.化合物半導体電界効果トランジスタ
   5.1 MESFETとHEMT 80
    5.1.1 MESFETとHEMTの構造の比較 80
   談話室 電子の速度オーバシュート 84
    5.1.2 HEMTの小信号等価回路解析 85
   談話室 yパラメータの復習 86
   談話室 低雑音化の推移 88
   5.2 InP HEMT 89
    5.2.1 InPを基板とする高In組成HEMT 89
    5.2.2 各種HEMTの特性 93
   5.3 高出力PHEMT 94
    5.3.1 高出力PHEMTの構造 94
    5.3.2 高出力PHEMTの特性 96
   本章のまとめ 97
   理解度の確認 98
6.化合物バイポーラトランジスタ
   6.1 GaAsHBT 100
    6.1.1 HBTの構造と電流成分 100
    6.1.2 HBTの小信号等価回路解析 103
    6.1.3 AlGaAs/GaAsHBTとInGaP/GaAsHBT 106
   6.2 その他のHBT 108
    6.2.1 InP HBT 109
    6.2.2 ダブルへテロ接合バイポーラトランジスタ 109
    6.2.3 グレーデッド・ベースHBT 111
   6.3 HEMTとHBTの比較 112
    6.3.1 高周波雑音と1/f雑音 112
    6.3.2 投入電力密度とチップサイズ 113
    6.3.3 その他の総合的比較 114
   本章のまとめ 115
   理解度の確認 116
7.超高速デバイスの基本回路とシステム応用
   7.1 ディジタル基本回路と性能 118
    7.1.1 ECL回路 118
    7.1.2 DCFL回路とSCFL回路 121
   7.2 超高速デバイスの性能比較 123
   7.3 超高速伝送用システムと回路 124
   7.4 ミリ波を用いたシステムと回路 125
   本章のまとめ 128
8.その他の超高速デバイス
   8.1 SiLDMOSFET 130
    8.1.1 LDMOSFETの構造 130
   談話室 地殻の構成元素 131
    8.1.2 LDMOSFETのマイクロ波出力特性 132
   談話室 LDMOSFETがGSMで用いられる理由 133
   8.2 ワイドギャップ高出力デバイス 134
    8.2.1 GaNとSiCの物性 134
   談話室 GaN 136
    8.2.2 ワイドギャップ高出力デバイスの特性 137
   本章のまとめ 140
   理解度の確認 140
引用・参考文献 141
理解度の確認;解説 143
索引 145
1.超高速デバイスと応用分野
   1.1 超高速動作電子機器とエレクトロニクス 2
   1.2 超高速デバイスの種類と進歩 4
10.

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林正博, 阿部威郎共著 ; 電子情報通信学会編
出版情報: 東京 : 電子情報通信学会, 2010.5  vi, 177p ; 22cm
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第1章. 信頼性評価に基づく通信ネットワークの設計
第2章. 通信ネットワークの信頼性評価
   2.1 通信ネットワークの信頼性モデル 4
   2.2 信頼性評価尺度 12
第3章. グラフモデルの信頼度評価法
   3.1 グラフモデルの定式化 19
    3.1.1 用語 19
    3.1.2 モデルの定義 25
    3.1.3 連結性を考慮した故障状態の定義 25
   3.2 信頼度の計算方法 26
    3.2.1 節点が故障しない場合 26
    3.2.2 節点が故障する場合 82
   3.3 近似計算法 96
第4章. 通信経路に着目したモデルの信頼度評価法
   4.1 通信経路に着目したモデルの定式化 111
    4.1.1 用語 112
    4.1.2 モデルの定義 112
    4.1.3 通信容量を考慮した故障状態の定義 115
   4.2 通信容量を考慮した信頼度の計算法 117
   4.3 近似計算法 126
第5章. 通信ネットワークの故障頻度評価法
   5.1 設計における故障頻度評価の意義 135
   5.2 故障頻度評価における信頼性モデルの定式化 136
    5.2.1 用語 136
    5.2.2 モデルの定義 136
    5.2.3 故障の臨界状態の定義 139
   5.3 故障頻度の計算方法 141
   5.4 近似法 152
第6章. まとめ
付録
   1. 確率に関する基礎的性質 157
   2. ポリゴン‐トゥ‐チェイン縮退 158
   3. BDDアルゴリズムにおける枝の番号付け 162
   4. MFP法について 166
   5. 故障頻度評価式について 170
索引 175
第1章. 信頼性評価に基づく通信ネットワークの設計
第2章. 通信ネットワークの信頼性評価
   2.1 通信ネットワークの信頼性モデル 4
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