| 第1章 光技術［編集委員 : 本田捷夫，山口一郎，西田信夫，畑田豊彦］ |
| 1.1 電磁波のスペクトル（山口一郎）3 |
| 1.2 ホログラムの種類（本田捷夫）3 |
| 1.3 太陽の主な定数（林左絵子）3 |
| 1.4 主な天文台一覧（ 〃 ）3 |
| 1.5 既存の主な光学赤外線大望遠鏡リスト（ 〃 ）3 |
| 1.6 建設中・計画中の主な光学赤外線大望遠鏡リスト（ 〃 ）3 |
| 1.7 光学ガラス・アッベ数一覧（泉谷徹郎）3 |
| 1.8 光学ガラスの熱膨張率，硬さ（ 〃 ）3 |
| 1.9 光学ガラスの加工法（ 〃 ）10 |
| 1.10 光学ガラスの研磨剤（ 〃 ）11 |
| 1.11 光学用プラスチックの種類・性質（ 〃 ）11 |
| 1.12 光学薄膜の材料・加工法（横田英嗣）11 |
| 1.13 内視鏡装置（山本公明）12 |
| 1.14 カメラ（ 〃 ）14 |
| 1.15 顕微鏡（ 〃 ）14 |
| 1.16 光学測定器（鈴木正根）15 |
| 1.17 測量用光学系（鶴田匡夫）15 |
| 1.18 高速度カメラの種類・性能（山本芳孝）15 |
| 1.19 光学結晶の複屈折（鶴田匡夫）21 |
| 1.20 カメラ用レンズの基本タイプ（小島忠）21 |
| 1.21 顕微鏡用対物レンズ（山本公明）24 |
| 1.22 接眼鏡（ 〃 ）24 |
| 1.23 単レンズの形と主要点の位置（鶴田匡夫）24 |
| 1.24 光学レンズの基本公式（ 〃 ）25 |
| 1.25 レンズ設計の基本（小島忠）25 |
| 1.26 収差の分類（ 〃 ）28 |
| 1.27 偏光光学部品（鶴田匡夫）28 |
| 1.28 電気光学・音響光学光変調器用結晶（西田信夫）31 |
| 1.29 光学フィルター（高岡隆）33 |
| 1.30 プリズムの種類と役割（松居吉哉）36 |
| 1.31 位相子（岡村満）37 |
| 1.32 短距離用光ファイバー（山本公明）38 |
| 1.33 赤外用光学部品（阪井清美）38 |
| 1.34 （極）紫外用光学部品（永田浩）40 |
| 1.35 リソグラフィ用投影法・照明法（鶴田匡夫）40 |
| 1.36 分光器（後藤克也）41 |
| 1.37 回折格子（ 〃 ）41 |
| 1.38 回折格子のマウンティング（ 〃 ）42 |
| 1.39 偏光解析の基本と装置（横田英嗣）44 |
| 1.40 銀塩フィルム（白黒）（三位信夫）45 |
| 1.41 フォトレジスト（小門 宏）45 |
| 1.42 感光性樹脂（ 〃 ）49 |
| 1.43 カラーフィルム（三位信夫）49 |
| 1.44 写真濃度（ 〃 ）49 |
| 1.45 ホログラム用感材（久保田敏弘）49 |
| 1.46 電子写真用感材，ドラム（小門 宏）51 |
| 1.47 光メモリ用材料（三橋慶喜）52 |
| 1.48 干渉計の種類と特徴（山口一郎）54 |
| 1.49 粗面干渉法（ 〃 ）54 |
| 1.50 ファイバセンサの種類と対象（ 〃 ）55 |
| 1.51 干渉縞の自動解析法（ 〃 ）55 |
| 1.52 光制御素子（滝沢園治）55 |
| 1.53 光演算光学素子（ 〃 ）55 |
| 1.54 光電検出器（木内雄二）66 |
| 1.55 リニアセンサー（ 〃 ）66 |
| 1.56 撮像デバイス（ 〃 ）66 |
| 1.57 II，MCP，PSD（ 〃 ）66 |
| 1.58 表示用発光デバイス（伊吹順章）72 |
| 1.59 液晶材料の種類と特性（小林駿介）72 |
| 1.60 空間光変調素子（間多 均）72 |
| 1.61 写真測量の原理（本田捷夫）74 |
| 1.62 画像処理手法およびフィルタの種類（ 〃 ）76 |
| 1.63 CTの原理，人体内部組織のCT値（ 〃 ）78 |
| 1.64 測光上の用語と定義（重松征史）80 |
| 1.65 測光・測色のためのデータ表（ 〃 ）81 |
| 1.66 表色系の関係式（ 〃 ）81 |
| 1.67 右眼水平断面図と光学定数（畑田豊彦）87 |
| 1.68 調節と屈折状態（ 〃 ）87 |
| 1.69 代表的な気体，液体，固体の分光透過率，分散，輝線スペクトル（鶴田匡夫）87 |
| 第2章 量子エレクトロニクス［編集委員 : 伊賀健一，永井治男，狩野 覚］ |
| 2.1 レーザの特徴と応用分野（伊賀健一）91 |
| 2.2 マトリックス要素（山本喜久）91 |
| 2.3 利得定数（ 〃 ）92 |
| 2.4 レーザの諸元（ 〃 ）93 |
| 2.5 光混合過程（ 〃 ）94 |
| 2.6 非線形光学定数の大きさ（ 〃 ）94 |
| 2.7 波長変換の方法（ 〃 ）95 |
| 2.8 パラメトリック増幅（ 〃 ）95 |
| 2.9 ラマン散乱過程（ 〃 ）96 |
| 2.10 誘導ブリルアン散乱（ 〃 ）97 |
| 2.11 誘導レイリー散乱（ 〃 ）97 |
| 2.12 自己集束（ 〃 ）98 |
| 2.13 ビームパラメータ表（伝搬ガウスモード）（古屋一仁）98 |
| 2.14 波面係数変換行列（Fマトリックス，光線マトリックス）（ 〃 ）99 |
| 2.15 レーザ用共振器（ 〃 ）100 |
| 2.16 ファブリー－ペロー共振器の種類（ 〃 ）100 |
| 2.17 安定性ダイヤグラム（ 〃 ）100 |
| 2.18 ファブリー－ペロー共振器におけるスポットサイズ（ 〃 ）100 |
| 2.19 ファブリー－ペロー共振器の回折損失（ 〃 ）100 |
| 2.20 ファブリー－ペロー共振器の位相シフト（ 〃 ）100 |
| 2.21 共振器のモード（エルミート-ガウス・モード，ラゲール-ガウス・モード）（ 〃 ）101 |
| 2.22 誘電体光導波路の固有モード‐（ 〃 ）101 2.53 |
| 2.23 誘電体光導波路の閉じ込め係数（ 〃 ）101 |
| 2.24 DFB共振器のしきい値利得（ 〃 ）101 |
| 2.25 利得媒質を含むファブリー－ペロー共振器の透過特性（ 〃 ）103 |
| 2.26 円形開口からの放射パターン（ 〃 ）103 |
| 2.27 各種レーザの特性（佐藤卓蔵）103 |
| 2.28 各種固体レーザの特性（ 〃 ）103 |
| 2.29 ルビーのエネルギー準位（ 〃 ）103 |
| 2.30 ルビーの吸収スペクトル（ 〃 ）103 |
| 2.31 ルビーの光学定数（ 〃 ）105 |
| 2.32 Nd^3＋ : YAGレーザのエネルギー準位（ 〃 ）105 |
| 2.33 Nd^3＋ : YAGの吸収スペクトル（ 〃 ）105 |
| 2.34 Nd^3＋ : YAGの光学定数（ 〃 ）105 |
| 2.35 Nd^3＋ : YAGレーザによる加工例（ 〃 ）106 |
| 2.36 レーザガラスのエネルギー準位（ 〃 ）106 |
| 2.37 レーザガラスの吸収スペクトル（ 〃 ）107 |
| 2.38 レーザガラスの光学定数（ 〃 ）107 |
| 2.39 希土類イオンのエネルギー準位（ 〃 ）107 |
| 2.40 カラーセンターレーザの特性（ 〃 ）107 |
| 2.41 色素のエネルギー準位の模式図と吸収スペクトル（ローダミン6G）（ 〃 ）107 |
| 2.42 各種色素のスペクトル（ 〃 ）107 |
| 2.43 希ガスのエネルギー準位（小原 實）111 |
| 2.44 各種の励起方法（ 〃 ）111 |
| 2.45 レーザ出力の取出方法（ 〃 ）111 |
| 2.46 最適カップリング（ 〃 ）111 |
| 2.47 ガスレーザ励起プラズマ中のエネルギー移乗（ 〃 ）111 |
| 2.48 Neレーザのエネルギー準位図（ 〃 ）111 |
| 2.49 Arレーザのエネルギー準位（ 〃 ）111 |
| 2.50 Krレーザのエネルギー準位（ 〃 ）118 |
| 2.51 N2のエネルギー準位（ 〃 ）118 |
| 2.52 CO2レーザに関与した振動準位図（ 〃 ）118 |
| 2.53 各種気体レーザの特性（ 〃 ）118 |
| 2.54 エキシマレーザのエネルギー状態とレーザ発振（植田憲一）118 |
| 2.55 ラマン媒質と波長シフト（ 〃 ）118 |
| 2.56 半導体レーザの基礎特性（小笠原長篤・伊藤良一）118 |
| 2.57 半導体レーザの材料（ 〃 . 〃 ）118 |
| 2.58 化合物半導体と波長（ 〃 . 〃 ）118 |
| 2.59 DH構造のエネルギー図（ 〃 . 〃 ）118 |
| 2.60 ダイオードレーザの構造と発光機構（ 〃 . 〃 ）128 |
| 2.61 半導体の光学型フォノンエネルギー（ 〃 . 〃 ）128 |
| 2.62 スピンフリップ・ラマン・レーザ（ 〃 . 〃 ）128 |
| 2.63 各種結晶成長法（レーザ用）（ 〃 . 〃 ）128 |
| 2.64 ドーピング材料（レーザ用）（ 〃 . 〃 ）128 |
| 2.65 各種量子井戸構造（山腰茂伸）133 |
| 2.66 量子井戸レーザの利得スペクトル（ 〃 ）133 |
| 2.67 各種の埋込み構造および長波長帯埋込み構造レーザの基本形（永井治男）134 |
| 2.68 InPに格子整合するIn1-xGaxAsyP1-yの屈折率（ 〃 ）134 |
| 2.69 InPに格子整合するIn1-xGaxAsyP1-yのバンドギャップ（ 〃 ）134 |
| 2-70 1.3および1.55μm帯のヘテロ構造の等価屈折率（ 〃 ）135 |
| 2.71 1.3μmレーザの高出力動作例（ 〃 ）135 |
| 2.72 直接変調時のDFBレーザのモード特性（ 〃 ）135 |
| 2.73 波長可変DBRレーザの特性例（ 〃 ）136 |
| 2.74 各種ストライプ構造（GaAlAs系）（土方俊樹）136 |
| 2.75 レーザ構造と特性（ 〃 ）136 |
| 2.76 I-L特性（ 〃 ）136 |
| 2.77 GaAlAsのバンドギャップと屈折率（ 〃 ）136 |
| 2.78 反射ノイズ（ 〃 ）136 |
| 2.79 可視レーザの構成例（ 〃 ）136 |
| 2.80 可視レーザの波長と閥値（ 〃 ）136 |
| 2.81 0EICの比較表（梶原孝生）136 |
| 2.82 半導体レーザ用の化学エッチング液（ 〃 ）140 |
| 2.83 集積レーザの種類と特徴（ 〃 ）140 |
| 2.84 光ファイバ用材料（稲垣伸夫）142 |
| 2.85 光ファイバ製造法（ 〃 ）145 |
| 2.86 光導波路用材料（西原 浩）145 |
| 2.87 導波路の基本素子（ 〃 ）145 |
| 2.88 分子吸収線（大津元一）150 |
| 2.89 レーザ周波数安定度（ 〃 ）150 |
| 2.90 アラン分散とパワースペクトル密度との関係（ 〃 ）151 |
| 2.91 レーザ発振スペクトル線幅（ 〃 ）151 |
| 2.92 レーザパワー（およびレーザ）の測定方法（梅野正義）151 |
| 2.93 各種光検出器（ 〃 ）152 |
| 2.94 自己相関波形とパルス波形（ 〃 ）152 |
| 2.95 各種フォトダイオード（PD）～（ 〃 ）154 |
| 2.96 光検出器の特性表（ 〃 ）156 |
| 2.97 光電面材料と波長範囲（小林喬郎）157 |
| 2.98 光電面の分光感度と量子効率（ 〃 ）157 |
| 2.99 世界の核融合研究用ガラスレーザ装置（中井貞雄）157 |
| 2.100 大出力レーザ用反射防止膜（ 〃 ）160 |
| 2.101 光損傷（ 〃 ）160 |
| 2.102 レーザ同位体分離法（ 〃 ）160 |
| 2.103 光通信システムの種類（橋本国生）160 |
| 2.104 大気および水中での電磁波減衰特性（ 〃 ）161 |
| 2.105 光ファイバの帯域と伝送距離（ 〃 ）162 |
| 2.106 ビットレートと伝送距離（ 〃 ）163 |
| 2.107 損失の割当て例（ 〃 ）164 |
| 2.108 伝送距離とシステム例（ 〃 ）165 |
| 2.109 基幹伝送システムの例（ 〃 ）165 |
| 2.110 海底光通信システムの例（ 〃 ）166 |
| 2.111 光加入者系システムの例（ 〃 ）168 |
| 2.112 各種光ディスクシステムの特性（角田義人）168 |
| 2.113 光ディスク用記録材料（ 〃 ）168 |
| 2.114 各種半導体レーザの雑音特性（ 〃 ）168 |
| 2.115 バーコードリーダ仕様一覧（稲垣雄史）168 |
| 2.116 加工用レーザの種類と特性（末永直行）171 |
| 2.117 レーザ加工データ（ 〃 ）171 |
| 第3章 クライオエレクトロニクス［編集委員 : 北澤宏一，伊原英雄］ |
| 3.1 超伝導体の種類（伊原英雄）175 |
| 3.2 超伝導体の結晶構造（ 〃 ）175 |
| 3.3 代表的な超伝導体物質の物性パラメータ（ 〃 ）178 |
| 3.4 超伝導体の電子構造（ 〃 ）178 |
| 3.5 フォノンスペクトル（ 〃 ）181 |
| 3.6 トンネルスペクトルおよびエネルギーギャップ（ 〃 ）181 |
| 3.7 Jc-Hc2塑曲線（ 〃 ）196 |
| 3.8 ジョセフソン素子（篠木藤敏）196 |
| 3.9 SQUID（ 〃 ）203 |
| 3.10 ジョセフソン素子の計測への応用（ 〃 ）204 |
| 第4章 物理分析技術［編集委員 : 小野雅敏，岡山重夫，市ノ川竹男］ |
| 4.1 各種電子銃の特性比較（岡山重夫）211 |
| 4.2 各種イオン源の特性比較（田村一二三）212 |
| 4.3 電界レンズの基本特性（古室昌徳）214 |
| 4.4 磁界レンズの基本特性（岡山重夫）214 |
| 4.5 多極子レンズの基本特性（ 〃 ）215 |
| 4.6 各種偏向器の構造（小間 篤）217 |
| 4.7 各種エネルギー分析器の構造と特性（ 〃 ）217 |
| 4.8 質量分析器の特性（田村一二三）217 |
| 4.9 各元素の同位体比（ 〃 ）218 |
| 4.10 質量スペクトルのパターン係数（ 〃 ）218 |
| 4.11 2次電子放出のエネルギーおよび原子番号依存性（志水隆一）221 |
| 4.12 蛍光収率（岡下英男）222 |
| 4.13 電子ビームのブローブ径と収束角（菰田 孜）222 |
| 4.14 特性X線の波長と原子番号（岡下英男）223 |
| 4.15 特性X線の名称と電子遷移（ 〃 ）223 |
| 4.16 X線の吸収の波長依存性（大柳宏之）223 |
| 4.17 超軽元素と主なX線管ターゲットのX線の質量吸収係数（岡下英男）224 |
| 4.18 吸収端の波長（大柳宏之）224 |
| 4.19 X線発生関数（志水隆一）227 |
| 4.20 X線の発生領域に関する定数（ 〃 ）227 |
| 4.21 後方散乱因子（ 〃 ）228 |
| 4.22 蛍光励起補正因子（ 〃 ）228 |
| 4.23 イオンのエネルギーと飛程・ばらつき（平尾 孝）229 |
| 4.24 チャンネリング臨界角（青野正和）229 |
| 4.25 デイチャンネリング関数（ 〃 ）233 |
| 4.26 2次イオン放出確率のZ依存性（田村一二三）233 |
| 4.27 プロトンによるK，L殻の電離断面積（中島尚男）233 |
| 4.28 イオンの散乱収率（青野正和）234 |
| 4.29 共鳴光イオン化パワーの波長依存性（田代英夫）234 |
| 4.30 共鳴イオン化用レーザ一覧（ 〃 ）235 |
| 4.31 放射化分析に利用される核反応（小林健二）235 |
| 4.32 元素の核外電子構造（原口紘蒸）241 |
| 4.33 各電子軌道の電子数（ 〃 ）241 |
| 4.34 水素原子のエネルギー準位図とスペクトル線（ 〃 ）241 |
| 4.35 発光分析で観測される主なスペクトル線の波長（ 〃 ）241 |
| 4.36 原子吸光分析法の検出感度（ 〃 ）243 |
| 4.37 発光分光分析法の検出感度と定量範囲（ 〃 ）243 |
| 4.38 ICP質量分析法の検出感度（ 〃 ）243 |
| 4.39 化合物半導体の発光スペクトル（別府達郎）243 |
| 4.40 シンクロトロン放射（冨増多喜夫・淡路直樹）243 |
| 4.41 EXAFSのスペクトル例（大柳宏之）246 |
| 4.42 核磁気共鳴法が利用できる核種（亀井裕孟）248 |
| 4.43 電子スピン共鳴法が有効な物質（樋口治郎・八木幹雄）248 |
| 4.44 メスバウアー法（伊藤厚子）253 |
| 4.45 アコーステイックエミッションの応用（新妻弘明）253 |
| 第5章 表面［編集委員 : 宇佐美誠二，山本恵彦］ |
| 5.1 清浄表面ならびに吸着層の超格子構造（河津 瞳）261 |
| 5.2 表面超構造の相転移（村田好正）261 |
| 5.3 表面デバイ温度（大島忠平）261 |
| 5.4 表面フォノンの分散関係（測定代表例）（ 〃 ）261 |
| 5.5 半導体・化合物の表面準位（河野省三）261 |
| 5.6 金属の表面準位（匂坂康男）264 |
| 5.7 仕事関数（金属，半導体，化合物）（山本恵彦）264 |
| 5.8 吸着層の表面電位（ 〃 ）264 |
| 5.9 オージェ電子分光（小間 篤）267 |
| 5.10 オージェ電子ピーク，光電子ピークの感度比較（中沢正敏）272 |
| 5.11 電子エネルギー損失分光（小間 篤）272 |
| 5.12 プラズマ損失エネルギー （ 〃 ）273 |
| 5.13 内殻電子結合エネルギー（中沢正敏）273 |
| 5.14 イオンの中性化確率（青野正和）273 |
| 5.15 表面ラマン散乱観測一覧（仁木克己）276 |
| 5.16 反射赤外分光観測代表例（末高 治）276 |
| 5.17 原子線回折観測（代表列）（酒井 明）277 |
| 5.18 物理吸着熱 （宇佐美誠二・荒川一郎）277 |
| 5.19 化学吸着熱（西嶋光昭）277 |
| 5.20 表面拡散エネルギー（中村勝吾）277 |
| 5.21 熱脱離スペクトル（川崎弘司）277 |
| 5.22 脱離エネルギー（ 〃 ）277 |
| 5.23 電子刺激脱離断面積（永井士郎）282 |
| 5.24 光刺激脱離断面積（村田好正）288 |
| 5.25 表面比面積（河野彰夫）289 |
| 5.26 凹凸と仕上げ（ 〃 ）289 |
| 5.27 表面エネルギーと硬さ（ 〃 ）289 |
| 5.28 表面張力（ 〃 ）289 |
| 5.29 反発係数（ 〃 ）289 |
| 5.30 摩擦係数（ 〃 ）290 |
| 5.31 低摩擦物質の摩携靴系数（ 〃 ）290 |
| 5.32 帖度（ 〃 ）290 |
| 5.33 耐摩耗性（ 〃 ）290 |
| 5.34 エキソ電子放出スペクトル（藤村亮一郎）291 |
| 5.35 エキソ電子放出能（ 〃 ）292 |
| 第6章 薄膜［編集委員 : 金原 黎，魚住清彦］ |
| 6.1 薄膜形成法一覧（細川直吉）299 |
| 6.2 固体の蒸気圧-温度特性（ 〃 ）299 |
| 6.3 スパッタリング率（ 〃 ）299 |
| 6.4 スパッタリングによる反応生成物（ 〃 ）299 |
| 6.5 イオンプレーティングによる反応生成物（柏木邦宏）301 |
| 6.6 気相成長法分類表（前田和夫）301 |
| 6.7 気相成長法生成物（松波弘之）301 |
| 6.8 金属薄膜の構造電顕写真－不一致転位（八木克道）302 |
| 6.9 化合物半導体の構造電顕写真－不一致転位（ 〃 ）302 |
| 6.10 半導体表面の構造電顕写真（安田幸夫）304 |
| 6.11 LB膜種類一覧（宮野健次郎）304 |
| 6.12 内部応力（馬場 茂）310 |
| 6.13 付着力（金原 黎）311 |
| 6.14 弾性率（魚住清彦）318 |
| 6.15 内部摩擦（ 〃 ）318 |
| 6.16 引張り強さ（ 〃 ）318 |
| 6.17 硬さ（馬場 茂）318 |
| 6.18 電気伝導度（ 〃 ）319 |
| 6.19 ホール係数と移動度（ 〃 ）320 |
| 6.20 薄膜の磁気抵抗（ 〃 ）321 |
| 6.21 熱起電力（ 〃 ）321 |
| 6.22 光学定数，反射率，吸収係数（山口十六夫）321 |
| 6.23 光学薄膜材料と多層膜コ（ 〃 ）321 |
| 6.24 炭素薄膜の製法一覧（犬塚直夫・澤邊厚仁）325 |
| 6.25 炭素薄膜の硬さ（ 〃 ・ 〃 ）330 |
| 6.26 炭素薄膜のラマン・スペクトル（ 〃 ・ 〃 ）331 |
| 6.27 炭素薄膜の電子線回折（ 〃・ ・ 〃 ）331 |
| 第7章 結晶成長，評価技術［編集委員 : 芦田佐吉，守矢一男］ |
| 7.1 バルク単結晶作成法（古畑芳男）335 |
| 7.2 薄膜単結晶作成法（ 〃 ）335 |
| 7.3 融点における固体の物性（小林信之）336 |
| 7.4 融点における液体の物性（ 〃 ）336 |
| 7.5 各種半導体に対する不純物元素の平衡偏析係数（ 〃 ）336 |
| 7.6 引上げ法による各種結晶の成長条件（ 〃 ）336 |
| 7.7 浮遊帯法による各種結晶の成長条件（ 〃 ）336 |
| 78 溶液成長法による各種結晶の成長条件（ 〃 ）336 |
| 7.9 気相エピタキシー法による各種結晶の成長条件（ 〃 ）337 |
| 7.10 液相エピタキシー法による各種結晶の成長条件（ 〃 ）337 |
| 7.11 るつぼ材料の特性（ 〃 ）337 |
| 7.12 周期表（原子番号，原子量，波長，質量吸収係数）（芦田佐吉）337 |
| 7.13 周期表（原子番号，原子量，融点，沸点，融解熱，蒸気熱密度）（ 〃 ）338 |
| 7.14 周期表（原子番号，原子量，原子有効半径，イオン半径）（ 〃 ）338 |
| 7.15 結晶の対称性（大隅一政）339 |
| 7.16 シリコンの物理的性質（干川圭吾）352 |
| 7.17 シリコンに対する各種不純物の性質（ 〃 ）353 |
| 7.18 MOVPEに用いられる有機化合物と性質（高橋 清・寺口信明）356 |
| 7.19 MOVPE GaAs中の深いトラップ（ 〃 ・ 〃 ）356 |
| 7.20 GaAs成長相の性質・V/III比依存性（ 〃 ・ 〃 ）356 |
| 7.21 各種物質のMBE成長条件（ 〃 ・ 〃 ）356 |
| 7.22 各種物質の光吸収端波長（ 〃 ・ 〃 ）356 |
| 7.23 光CVDの特徴（ 〃 ・ 〃 ）357 |
| 7.24 光CVDによる薄膜形成例（ 〃 ・ 〃 ）359 |
| 7.25 MOVPE，MBE，MOMBE，光CVD，光MOMBEの特徴比較（ 〃 ・ 〃 ）359 |
| 7.26 化合物半導体の蒸気圧（吉田政次）359 |
| 7.27 化合物半導体の熱力学データ（ 〃 ）359 |
| 7.28 半導体の密度・融点・熱伝導率・熱膨張係数（ 〃 ）361 |
| 7.29 電気光学定数rおよびRのマトリックス（古畑芳男）361 |
| 7.30 gマトリックス，rマトリックス，Γマトリックス（ 〃 ）361 |
| 7.31 光弾性定数＝トリックス（ 〃 ）361 |
| 7.32 ラーン活性および赤外活性振動の規約表現（ 〃 ）361 |
| 7.33 SHGテンソル（ 〃 ）363 |
| 7.34 圧電定数の出し方（ 〃 ）364 |
| 7.35 ラング写真（高野幸男）364 |
| 7.36 光学欠陥写真（守矢一男）368 |
| 7.37 水熱合成用溶解度（滝 貞男）370 |
| 7.38 気相成長で使用する元素の原子容（吉田政次）370 |
| 7.39 水溶性結晶の溶解度曲線（古畑芳男）370 |
| 7.40 六方晶系のX，Y，Z軸と結晶軸（芦田佐吉）373 |
| 7.41 水晶の右手系，左手系のとり方（ 〃 ）373 |
| 7.42 超音波用結晶の角度表示（ 〃 ）373 |
| 7.43 オイラ－角と結晶面（ 〃 ）375 |
| 7.44 ニオブ酸リチウム単結晶の128°Y近傍の弾性表面波速度図（X方向伝搬）（ 〃 ）375 |
| 7.45 ニオブ酸リチウム単結晶の圧電弾性定数（ 〃 ）375 |
| 7.46 代表的弾性表面波用材料の諸特性（ 〃 ）375 |
| 7.47 金属の表面エネルギー（ 〃 ）375 |
| 7.48 金属の表面張力（ 〃 ）375 |
| 7.49 表面自由エネルギーと表面エネルギー（ 〃 ）377 |
| 7.50 表面エネルギー（ 〃 ）377 |
| 7.51 表面エネルギーの異方性（ 〃 ）377 |
| 7.52 光学結晶の透過率の波長依存性（古畑芳男）377 |
| 7.53 固体の屈折率（ 〃 ）377 |
| 7.54 強誘電体・強弾性体の一覧（ 〃 ）377 |
| 第8章 半導体の基礎物性［編集委員 : 菅田孝之兼，河東田隆］ |
| 8.1 半導体の分類と特徴（河東田隆）401 |
| 8.2 結晶構造とエネルギー帯（奥村次徳）401 |
| 8.2.1 半導体の禁制帯幅と分子量 401 |
| 8.2.2 半導体の禁制帯幅と格子定数 401 |
| 8.2.3 半導体の基本結晶構造 401 |
| 8.2.4 半導体のバンド構造 401 |
| 8.2.5 伝導帯などの温度依存性 401 |
| 8.2.6 伝導帯などの圧力依存性 401 |
| 8.2.7 混晶の組成とバンドギャップおよび格子定数 401 |
| 8.3 電子物性（大泊 巌・尾崎 肇・鈴木克生）401 |
| 8.3.1 不純物準位（大泊 巌）401 |
| 8.3.2 不純物濃度と比抵抗（ 〃 ）401 |
| 8.3.3 キャリア密度の温度変化（ 〃 ）402 |
| 8.3.4 導電率の温度変化（ 〃 ）402 |
| 8.3.5 フェルミ準位の温度変化（ 〃 ）403 |
| 8.3.6 電子移動度の温度依存性（鈴木克生）403 |
| 8.3.7 正孔移動度の温度依存性（ 〃 ）415 |
| 8.3.8 電子移動度の不純物濃度依存性（ 〃 ）415 |
| 8.3.9 正孔移動度の不純物濃度依存性（ 〃 ）415 |
| 8.3.10 ドリフト速度－電界特性（ 〃 ）415 |
| 8.3.11 キャリア寿命の温度依存性（大泊 巌）419 |
| 8.3.12 電子，正孔の衝突電離係数の電界依存性（尾崎 肇）419 |
| 8.3.13 電子，正孔の衝突電離係数の温度依存性（ 〃 ）419 |
| 8.4 光物性（神谷武志）419 |
| 8.4.1 光吸収スペクトル 419 |
| 8.4.2 光ルミネッセンススペクトル 420 |
| 8.4.3 光伝導体の分光特性 420 |
| 8.4.4 ラマン・スペクトル 420 |
| 8.4.5 反射スペクトル 421 |
| 8.4.6 フォノンスペクトル 422 |
| 8.4.7 透過スペクトル 422 |
| 8.5 超格子物性（松末俊夫・榊 裕之）422 |
| 8.5.1 ヘテロ接合における伝導帯，価電子帯のバンド不連続量および格子整合性 423 |
| 8.5.2 ヘテロ接合のバンド構造例 425 |
| 8.5.3 ヘテロ接合の電流－電圧特性 425 |
| 8.5.4 超格子の周期とバンド構造 425 |
| 8.5.5 変調ドープ超格子の電子移動度と温度 429 |
| 8.5.6 変調ドープ超格子の電子移動度と濃度 430 |
| 8.5.7 変調ドープ超格子の正孔移動度と温度 431 |
| 8.5.8 変調ドープ超格子における磁気抵抗の磁場依存性 432 |
| 8.5.9 超格子の光ルミネッセンススペクトル 432 |
| 8.5.10 超格子の光吸収スペクトル 432 |
| 8.5.11 超格子の屈折率スペクトル（ 〃 ）433 |
| 8.6 表面物性（長谷川英機）433 |
| 8.6.1 表面酸化法と膜および界面の性質 433 |
| 8.6.2 界面準位密度 433 |
| 8.6.3 仕事関数とショットキー障壁高さ 433 |
| 8.6.4 半導体－金属接触のショットキー障壁高さ 434 |
| 8.7 熱電効果と圧電効果 434 |
| 8.7.1 熱伝導率の温度依存性（鈴木克生）434 |
| 8.7.2 ゼーペック係数，ペルチェ係数，圧電係数（尾崎 肇）435 |
| 8.7.3 熱電子放出材料と特徴（ 〃 ）436 |
| 8.8 半導体評価技術 438 |
| 8.8.1 ホール測定用素子構造と特徴（河東田隆）438 |
| 8.8.2 ホール測定装置（ 〃 ）438 |
| 8.8.3 電界－電子速度特性測定装置（ 〃 ）438 |
| 8.8.4 DLTS測定回路例（奥村次徳）442 |
| 8.8.5 DLTS信号例（ 〃 ）442 |
| 8.8.6 寿命測定装置（ 〃 ）442 |
| 8.8.7 光ルミネッセンス光学測定系（神谷武志）442 |
| 8.8.8 透過光学測定系（ 〃 ）442 |
| 8.8.9 光反射測定系（ 〃 ）445 |
| 8.8.10 光吸収測定系（ 〃 ）445 |
| 8.8.11 光伝導測定系（ 〃 ）446 |
| 8.8.12 非線形光学応答測定系（ 〃 ）446 |
| 8.8.13 光学的評価法の分類と特徴（ 〃 ）447 |
| 第9章 半導体デバイス［編集委員 : 笠見昭信，水谷嘉久］ |
| 9.1 半導体デバイスの応用分野（水谷嘉久）481 |
| 9.2 各種ダイオードの基本構造（ 〃 ）481 |
| 9.3 pn接合部に生じるビルトインポテンシャルと不純物濃度との関係（ 〃 ）483 |
| 9.4 階段型pn接合のブレークダウン電圧と不純物濃度との関係（ 〃 ）483 |
| 9.5 階段型pn接合のブレークダウン空乏層幅と不純物濃度との関係（ 〃 ）484 |
| 9.6 直線傾斜型pn接合のブレークダウン電圧と不純物濃度との関係（ 〃 ）484 |
| 9.7 直線傾斜型pn接合のブレークダウン空乏層幅と不純物濃度との関係（ 〃 ）486 |
| 9.8 曲面部を含む階段型pn接合（Si）のブレークダウン電圧（ 〃 ）486 |
| 9.9 各種、型半導体と金属間のショットキー障壁値（ 〃 ）486 |
| 9.10 Siに対する各種金属のショットキー障壁値（ 〃 ）486 |
| 9.11 各種サイリスタの基本構造および電圧－電流特性（ 〃 ）487 |
| 9.12 逆阻止3端子サイリスタの逆方向耐圧と不純物濃度との関係（ 〃 ）487 |
| 9.13 高耐圧大電流用ダイオードおよびサイリスタの断面構造（ 〃 ）487 |
| 9.14 ガン・ダイオードの断面図（木村親夫）488 |
| 9.15 ガン・ダイオードの出力電力-周波数特性図（ 〃 ）488 |
| 9.16 インパットダイオードの断面構造（井野正行）488 |
| 9.17 デバイス性能表（ 〃 ）488 |
| 9.18 超格子応用素子の構造断面（松末俊夫・榊 裕之）488 |
| 9.19 デバイス性能とその特徴（ 〃 ）490 |
| 9.20 バイポーラトランジスタの具体的構造断面図（酒井徹志）490 |
| 9.21 種々の不純物に対する遮断周波数のシミュレーション結果（ 〃 ）490 |
| 9.22 種々の高速トランジスタの構造断面図（ 〃 ）490 |
| 9.23 高速トランジスタのデバイス性能（ 〃 ）490 |
| 9.24 パワートランジスタの構造断面図（ 〃 ）491 |
| 9.25 パワートランジスタの性能（ 〃 ）491 |
| 9.26 接合型電界効果トランジスタの構造断面図（御手洗五郎）491 |
| 9.27 ショットキー・ゲート電界効果トランジスタの構造断面図（亀井清雄）491 |
| 9.28 MOS電界峡力果トランジスタの構造断面図（名取研二）491 |
| 9.29 各種金属および金属ケイ化物の仕事関数（ 〃 ）492 |
| 9.30 半導体中の最大空乏層幅と不純物濃度との関係（ 〃 ）494 |
| 9.31 電子の電界効果移動度の面方位依存性（ 〃 ）494 |
| 9.32 電子の電界効果移動度の温度依存性（Nチャネル）（ 〃 ）494 |
| 9.33 MOSFETの相似定理/相似係数（ 〃 ）495 |
| 9.34 半導体中の電子－正孔対生成率と電界との関係（ 〃 ）495 |
| 9.35 絶縁膜中の電荷移動機構の関係式（大路 譲）496 |
| 9.36 MOS構造における捕獲電荷，捕獲準位などの名称（ 〃 ・ 〃 ）496 |
| 9.37 MOSキャパシタの構造断面図（ 〃 ・ 〃 ）497 |
| 9.38 SiO2の誘電率，バンドギャップ（ 〃 ・ 〃 ）497 |
| 9.39 Si3N4の誘電率，バンドギャップ（ 〃 ・ 〃 ）497 |
| 9.40 A1203の誘電率，バンドギャップ（ 〃 ・ 〃 ）497 |
| 9.41 Ta205の誘電率，バンドギャップ（ 〃 ・ 〃 ）497 |
| 9.42 CCDの構造断面図（ 〃 ・ 〃 ）497 |
| 9.43 DRAMのビットあたりの単価と集積度の推移（山本庸介）497 |
| 9.44 各種ゲート回路の電力・遅延時間（ 〃 ）500 |
| 9.45 デバイスサイズと性能の相関（ 〃 ）500 |
| 9.46 マイクロプロセッサの性能の推移（ 〃 ）501 |
| 9.47 SRAMの性能の推移（ 〃 ）502 |
| 9.48 カスタムICの種類別市場予測（ 〃 ）502 |
| 9.49 セミカスタムICの性能（ 〃 ）502 |
| 9.50 GaAs LSI性能の推移（平山昌宏）502 |
| 9.51 ヘテロ接合バイポーラトランジスタの構造断面（菅田孝之）503 |
| 9.52 ヘテロ接合バイポーラトランジスタのデバイス性能（ 〃 ）503 |
| 9.53 ヘテロ接合FETの構造断面（三村高志）506 |
| 9.54 ヘテロ接合FETのデバイス性能（ 〃 ）506 |
| 9.55 発光ダイオードの構造断面（別府達郎）506 |
| 9.56 発光ダイオードの性能（ 〃 ）506 |
| 9.57 太陽電池の構造断面（小長井誠）506 |
| 9.58 太陽電池のデバイス性能（ 〃 ）506 |
| 9.59 固体撮像デバイスの構造断面図（鈴木信雄）506 |
| 9.60 固体撮像デバイスの性能（ 〃 ）506 |
| 9.61 イメージセンサの画素数の推移（ 〃 ）509 |
| 9.62 半導体デバイス関連略語（山本庸介）509 |
| 第10章 半導体プロセス［有田睦信］ |
| 10.1 メモリLSIの最小加工寸法，合せ精度，ウェーハ口径と集積度の関係（荒井英輔）515 |
| 10.2 クリーンルームの方式と特徴（ 〃 ）515 |
| 10.3 プロセス環境要素一覧（ 〃 ）515 |
| 10.4 プロセス廃液，廃ガスとその処理法（ 〃 ）515 |
| 10.5 可燃性ガス，その他の特殊ガスの性質（ 〃 ）516 |
| 10.6 水素－空気－窒素（または炭酸ガス）系混合ガスの爆発限界（ 〃 ）516 |
| 10.7 水素－塩素－空気系および関連する混合ガスの爆発限界（ 〃 ）516 |
| 10.8 各プロセスにおける管理項目とその評価法（ 〃 ）516 |
| 10.9 プロセスシミュレーション（橋本哲一）518 |
| 10.10 個別プロセスとモデル（ 〃 ）519 |
| 10.11 バイポーラICパターン例（ 〃 ）521 |
| 10.12 NMOS，CMOS ICパターン例（ 〃 ）521 |
| 10.13 バイポーラIC製造プロセス（ 〃 ）521 |
| 10.14 NMOS IC製造プロセス（ 〃 ）521 |
| 10.15 CMOS IC製造プロセス（ 〃 ）521 |
| 10.16 Bi-CMOS IC製造プロセス（ 〃 ）521 |
| 10.17 バイポーラ各種分離構造（石川 元）524 |
| 10.18 MOS各種分離構造（ 〃 ）527 |
| 10.19 選択酸化膜厚とバーズビークの関係（ 〃 ）527 |
| 10.20 選択酸化の平坦化法（ 〃 ）527 |
| 10.21 偏析係数の酸化温度依存性（ホウ素）（ 〃 ）527 |
| 10.22 選択酸化条件と転位発生の関係（ 〃 ）527 |
| 10.23 酸化誘起結晶欠陥と酸化条件（ 〃 ）528 |
| 10.24 酸化膜の粘性係数（ 〃 ）528 |
| 10.25 シリコン窒化膜の酸化特性（ 〃 ）529 |
| 10.26 シリコン窒化膜の応力（ 〃 ）529 |
| 10.27 各種金属薄膜の諸性質（豊蔵信夫）529 |
| 10.28 Al-Si相状態図（ 〃 ）529 |
| 10.29 A1中のSiの拡散係数の温度依存性（ 〃 ）529 |
| 10.30 コンタクト抵抗の表面濃度依存性（計算値）（ 〃 ）529 |
| 10.31 不純物濃度と比抵抗の関係（計算値）（ 〃 ）531 |
| 10.32 シリサイド膜の諸性質（ 〃 ）531 |
| 10.33 シリサイド化に伴うシリコンの消費（ 〃 ）531 |
| 10.34 酸化物の標準生成自由エネルギーの温度依存性（ 〃 ）531 |
| 10.35 シリサイド膜中の不純物の拡散（ 〃 ）532 |
| 10.36 Si中の金属の拡散係数の温度依存性（ 〃 ）532 |
| 10.37 金属の自己拡散データ（バルクの値）（ 〃 ）533 |
| 10.38 金属の自己拡散活性化エネルギーと融点の関係（ 〃 ）534 |
| 10.39 金属配線の電流密度上限と微細化に伴う電流密度設計値（ 〃 ）534 |
| 10.40 配線のエレクトロマイグレーション平均寿命を予測する一般式（ 〃 ）535 |
| 10.41 ウェーハ表面の各種クリーニング法の特徴（荒井英輔）535 |
| 10.42 洗浄液によるSiおよび溶融石英の洗浄効果（ 〃 ）535 |
| 10.43 Siのエッチング速度と基板不純物濃度との関係（ ， ）535 |
| 10.44 Si，ボリSi，ドープポリSiのエッチング液（ 〃 ）535 |
| 10.45 絶縁膜材料のエッチング液（ 〃 ）536 |
| 10.46 金属，シリサイドのエッチング液とその特性（ 〃 ）538 |
| 10.47 エピタキシャルSi，SiGeおよび多結晶Si膜の形成法（有田睦信）538 |
| 10.48 CVD Si膜の成長速度の温度依存性（ 〃 ）538 |
| 10.49 エピタキシャルSi膜のオートドーピング（ 〃 ）538 |
| 10.50 オートドーピングおよび固相外方拡散の抑制（ 〃 ）539 |
| 10.51 ヒ素添加多結晶Si膜の抵抗率とヒ素濃度との関係（ 〃 ）539 |
| 10.52 酸化膜厚の大気中放置時間依存性（ 〃 ）539 |
| 10.53 酸化膜厚の水中放置時間依存性（ 〃 ）540 |
| 10.54 加圧雰囲気中の酸化膜厚の時間依存性（ 〃 ）540 |
| 10.55 酸化膜の成長膜厚と圧力・時間積との関係（ 〃 ）540 |
| 10.56 ヒ素イオン注入されたた多結晶Si膜の熱酸化特性（ 〃 ）540 |
| 10.57 Pドープ多結晶Si膜の熱酸化特性（ 〃 ）541 |
| 10.58 Siの酸化速度に及ぼす不純物濃度効果（ 〃 ）541 |
| 10.59 酸化膜厚の曲率依存性（ 〃 ）541 |
| 10.60 CVD法による絶縁膜形成法（ 〃 ）542 |
| 10.61 不純物添加したTEOS-SiO2膜の形成法とその応用例（ 〃 ）542 |
| 10.62 PSG，BSG，BPSG膜形成用不純物ソースの蒸気圧－温度曲線（ 〃 ）542 |
| 10.63 CVD SiO2膜の成長速度の温度依存性（ 〃 ）542 |
| 10.64 TEOSをペースとしたCVD SiO2膜の成長速度の温度依存性（ 〃 ）544 |
| 10.65 TEOSをペースとしたSiO2膜およびBPSG膜の湿式エッチング速度の焼なまし温度依存性（ 〃 ）544 |
| 10.66 TEOSをペースとしたアンドープSiO2，PSG，BSG，BPSGの典型的な赤外吸収スペクトル（ 〃 ）544 |
| 10.67 SiO2，SiN，SiON膜の湿式エッチンク速度の比較（ 〃 ）544 |
| 10.68 選択およびブランケットCVDによる金属およびシリサイド膜の形成例（ 〃 ）547 |
| 10.69 Si，Ti，W，Mo，Taのフッ化物，塩化物の蒸気圧－温度曲線（ 〃 ）547 |
| 10.70 アルキルアルミニウムの蒸気圧－温度曲線（ 〃 ）547 |
| 10.71 DMAHをソースに用いたAl膜のCVD速度の温度依存性（ 〃 ）548 |
| 10.72 水素還元およびシラン還元法によるCVDW膜の成長速度の温度依存性（ 〃 ）548 |
| 10.73 スパッタリング方式（ 〃 ）548 |
| 10.74 元素のAr＋イオンに対するスパッタ率と閾値（ 〃 ）548 |
| 10.75 スパッタ法による金属膜構造に与えるAr圧力と基板温度の影響（ 〃 ）550 |
| 10.76 N2-Ar混合ガス中で形成した反応性TiNスパッタ膜の抵抗率の窒素分圧依存性（ 〃 ）550 |
| 10.77 直流反応性スパッタ法によるTiNx膜の抵抗率および組成の窒素，Ar流量比依存性（ 〃 ）550 |
| 10.78 露光エネルギーとその特性（森 克己）550 |
| 10.79 光露光装置分類と特性（ 〃 ）550 |
| 10.80 電子ビーム露光装置用電子銃の種類と特性（ 〃 ）550 |
| 10.81 電子ビーム露光装置と性能（ 〃 ）553 |
| 10.82 X線，SR露光線源の特性（ 〃 ）553 |
| 10.83 レジストの特性と構造式（ 〃 ）553 |
| 10.84 各種光源スペクトル分布（ 〃 ）553 |
| 10.85 X線露光用マスク材質の吸収特性（ 〃 ）553 |
| 10.86 フォトレジストの分光透過率（ 〃 ）553 |
| 10.87 高周波放電におけるプラズマポテンシャル，自己バイアス電位の電極形状や高周波電力結合方式依存性（有田睦信）553 |
| 10.88 プラズマ中で生じる基本反応（ 〃 ）553 |
| 10.89 CnFm/02，CnFm/H2，CF4およびC2F6プラズマ中での反応（ 〃 ）556 |
| 10.90 Ar+イオンビーム照射による増速エッチングおよび誘起エッチング（ 〃 ）557 |
| 10.91 CxFy分子，CF3H分子の解離断面積の電子エネルギー依存性（ 〃 ）557 |
| 10.92 Siの反応性イオンエッチング速度の励起周波数依存性（ 〃 ）557 |
| 10.93 放電中のCI2+とCl+のイオンエネルギー分布（ 〃 ）557 |
| 10.94 反応性イオンビームエッチング速度のイオンビーム入射角依存性（ 〃 ）558 |
| 10.95 各種反応性ガスの高周波放電プラズマ中での相対的CFxラジカルとF原子密度（ 〃 ）558 |
| 10.96 化学的反応種のフッ素と炭素の比と基板のイオンシース電圧によって影響を受ける重合とエッチングの領域を示す説明図（ 〃 ）558 |
| 10.97 イオンビームエッチングの進行とともにマスクが後退する状況（ 〃 ）558 |
| 10.98 ドライエッチング用反応性ガスの蒸気圧（ 〃 ）559 |
| 10.99 2原子分子の結合強度（ 〃 ）559 |
| 10.100 多原子分子の結合強度（ 〃 ）559 |
| 10.101 フリーラジカルの生成熱（ 〃 ）559 |
| 10.102 発光スペクトルの波長と質量分析スペクトルのm/e値（ 〃 ）559 |
| 10.103 CF4グロー放電中の正イオンの代表的質量分析スペクトル（ 〃 ）560 |
| 10.104 Si，SiO2の相対的エッチング速度および相対的F原子濃度のO2添加量依存性（ 〃 ）560 |
| 10.105 高真空中でCF4＋O2，Cl2プラズマビームの照射によるAl，Siのエッチング生成物による質量分析スペクトル強度の照射イオンエネルギー依存性（ 〃 ）560 |
| 10.106 ECRプラズマエッチングにおけるエッチング速度のイオン電流密度依存性（ 〃 ）561 |
| 10.107 Alの反応性イオンエッチング速度の高周波電力密度依存性（ 〃 ）562 |
| 10.108 CF4+H2ガスを用いた反応性イオンエッチングにおけるレジスト，SiO2，ポリSiのエッチング速度の％水素濃度依存性（ 〃 ）562 |
| 10.109 半導体プロセスで用いる高エネルギー粒子による損傷（ 〃 ）563 |
| 10.110 イオン，中性粒子，真空紫外線をSiO2/Siに照射したときのΔVFBの照射量依存性（ 〃 ）564 |
| 10.111 Siの損傷に与えるイオンドーズ量とセルフバイアス電圧との関係（ 〃 ）564 |
| 10.112 不純物分布の評価法とその特徴（谷口研二）564 |
| 10.113 シリコン中における不純物元素の固溶限（ 〃 ）565 |
| 10.114 シリコン中の低濃度不純物原子の拡散係数（ 〃 ）568 |
| 10.115 1000℃におけるリン原子の拡散係数とキャリア濃度との関係（ 〃 ）569 |
| 10.116 1000℃におけるAs原子の拡散係数の濃度依存性（ 〃 ）569 |
| 10.117 真性キャリア濃度で規格化したキャリア濃度下のホウ素原子の拡散係数（ 〃 ）569 |
| 10.118 ドライ酸素雰囲気におけるホウ素原子の拡散係数の面方位依存性（ 〃 ）570 |
| 10.119 0Kにおけるシリコン中の空孔のエネルギー準位（ 〃 ）570 |
| 10.120 不純物原子拡散に与える内部電界効果の影響（ 〃 ）570 |
| 10.121 二重拡散における接合深さとペース押し出し量との関係（ 〃 ）571 |
| 10.122 窒素ガス雰囲気における酸化膜中のリン原子の拡散係数（ 〃 ）571 |
| 10.123 As原子拡散係数の拡散雰囲気依存性（ 〃 ）571 |
| 10.124 ホウ素原子の拡散係数の温度依存性（ 〃 ）571 |
| 10.125 100keVでSbイオンを注入した場合の結晶損傷率とドーズ量との関係（ 〃 ）571 |
| 10.126 40keVのリン原子をシリコン基板に斜め注入した場合の原子分布（ 〃 ）572 |
| 10.127 等温熱処理によるAs原子の活性化率の変化（ 〃 ）573 |
| 10.128 マスクを通して注入した場合のイオン分布（ 〃 ）573 |
| 10.129 各種イオン種と射影飛程（ 〃 ）573 |
| 10.130 GaAsにおける自己拡散係数と不純物拡散係数の温度依存性（辻 力）573 |
| 10.131 Ar+注入したSドープエピタキシャルGaAsにおけるSの増速拡散（ 〃 ）573 |
| 10.132 GaAs中の注入イオンの平均飛程距離とその標準偏差（ 〃 ）574 |
| 10.133 Si+注入GaAsにおけるキャリア分布のウェーハ回転角の依存性（ 〃 ）574 |
| 10.134 GaAsウェーハ面内におけるしきい電圧とウェーハ回転角の関係（ 〃 ）574 |
| 10.135 GaAs FETのしきい電圧VthのSi+注入ドース依存性と加速エネルギーとの関係（ 〃 ）574 |
| 10.136 Si+注入したGaAsの活性化率，移動度の焼なまし保護膜膜質依存性（ 〃 ）575 |
| 10.137 Si+注入GaAsのキャリア濃度分布と焼なまし保護膜との関係（ 〃 ）576 |
| 10.138 Si+注入GaAsにおけるシートキャリア濃度とドースとの関係（ 〃 ）576 |
| 10.139 P，As と共注入したBe+注入InGaAsのキャリア濃度分布（ 〃 ）576 |
| 10.140 急速焼なましにおけるSi+注入GaAsの活性化率の温度依存性と保護膜膜種との関係（ 〃 ）576 |
| 10.141 急速焼なまししたS+注入GaAsの電子濃度，移動度分布と温度との関係（ 〃 ）576 |
| 10.142 化合物半導体へのショットキー金属一覧（ 〃 ）576 |
| 10.143 InGaAsPのショットキー障壁高さと表面処理，界面酸化膜との関係（ 〃 ）577 |
| 10.144 GaAsのショットキー・ゲート金属の障壁高さ，n値，耐熱温度（ 〃 ）577 |
| 10.145 化合物半導体のショットキー障壁高さとn値（ 〃 ）577 |
| 10.146 化合物半導体への合金オーム性材料と合金条件（ 〃 ）577 |
| 10.147 GaAsの合金オーム性における接触抵抗rcの基板不純物濃度依存性（ 〃 ）577 |
| 10.148 化合物半導体の非合金オーム性電極と接触抵抗（ 〃 ）577 |
| 10.149 GaAsの非合金オーム性接触抵抗の基板キャリア濃度依存性（ 〃 ）579 |
| 10.150 化合物半導体ウェーハへの絶縁膜の形成方法と膜質（ 〃 ）579 |
| 10.151 化合物半導体のウェットエッチング液とエッチング速度（ 〃 ）579 |
| 10.152 化合物半導体のドライエッチングガス種（ 〃 ）579 |
| 10.153 イオンミリングにおけるエッチング速度のビーム入射角依存性と材料との関係（ 〃 ）580 |
| 10.154 各種半導体，絶縁膜，金属，合金のドライエッチング特性（ 〃 ）580 |
| 10.155 ダイボンデイングに使用されるペーストの物理的特性（長尾工司）580 |
| 10.156 アルミニウム－金の金属間化合物の物理的性質（ 〃 ）585 |
| 10.157 アルミニウム－金の2元状態図（ 〃 ）585 |
| 10.158 金－シリコンの2元状態図（ 〃 ）585 |
| 10.159 主なはんだ合金とその特性例（ 〃 ）585 |
| 10.160 封止ガラス材料の諸特性（ 〃 ）586 |
| 10.161 封止樹脂材料の諸特性（ 〃 ）586 |
| 第11章 アモルファス半導体［編集委員 : 田中一宜，清水立生，松田彰久］ |
| 11.1 作製法（松田彰久・豊島安健・田中啓司）593 |
| 11.2 代表的作製装置（松田彰久）593 |
| 11.3 プラズマ診断のための基礎データ（ 〃 ）596 |
| 11.4 診断技術（ 〃 ）596 |
| 11.5 ガラス形成相図（カルコゲナイド系材料）（田中啓司）596 |
| 11.6 各種ガラスの作製例（ 〃 ）601 |
| 11.7 動径分布関数（清水立生・久米田稔・森本章治）602 |
| 11.8 各種アモルファスの密度（ 〃 ・ 〃 ・ 〃 ）602 |
| 11.9 赤外吸収，ラマン散乱（ 〃 ・ 〃 ・ 〃 ）602 |
| 11.10 水素量，フッ素量の作製条件依存性（ 〃 ・ 〃 ・ 〃 ）602 |
| 11.11 水素の熱離脱（Si，SiGe）（松田彰久）602 |
| 11.12 単原子系と化学量論比組成物質のガラス転移温度，結晶化温度，融点（田中唇司）605 |
| 11.13 2元系のガラス転移温度の組成依存性（ 〃 ）605 |
| 11.14 比熱，熱伝導度，熱膨張係数（山崎 聡・田中啓司）606 |
| 11.15 光電子分光，逆光電子分光（XPS，UPS，BIS）－テトラヘドラル系（清水立生・久米田稔・森本章治）608 |
| 11.16 光電子分光（XPS）－カルコゲナイド系（ 〃 ・ 〃 ・ 〃 ）608 |
| 11.17 屈折率（ 〃 ・ 〃 ・ 〃 ）608 |
| 11.18 光吸収端 〃 ・ 〃 ・ 〃 ）611 |
| 11.19 テイルの構造（ 〃 ・ 〃 ・ 〃 ）611 |
| 11.20 赤外透過特性（ 〃 ・ 〃 ・ 〃 ）613 |
| 11.21 電気伝導（村山和郎）613 |
| 11.22 熱起電能（ 〃 ）613 |
| 11.23 移動度（ 〃 ）613 |
| 11.24 拡散長（ 〃 ）617 |
| 11.25 ギャップ状態密度スペクトル（清水立生・久米田稔・森本章治）617 |
| 11.26 ESR，光誘起ESR，光誘起吸収（ 〃 ・ 〃 ・ 〃 ）617 |
| 11.27 熱平衡欠陥（ 〃 ・ 〃 ・ 〃 ）618 |
| 11.28 光ルミネッセンス（PL）（ 〃 ・ 〃 ・ 〃 ）618 |
| 11.29 ドープ量－電気伝導度（大串秀世）622 |
| 11.30 不純物原子の拡散係数（ 〃 ）624 |
| 11.31 ドーピングによる諸性質の変化（山崎 聡）624 |
| 11.32 光構造変化（田中一宜）624 |
| 11.33 光劣化現象（山崎 聡）629 |
| 11.34 量子サイズ効果（大枝秀俊）629 |
| 11.35 長距離構造（田中啓司）629 |
| 第12章 磁性材料［編集委員 : 権藤靖夫，能勢 宏，末澤慶孝］ |
| 12.1 反磁界係数（末澤慶孝）633 |
| 12.2 地磁気要素（ 〃 ）633 |
| 12.3 人体より発する磁気信号（ 〃 ）633 |
| 12.4 元素単体の常温磁化率（能勢 宏）633 |
| 12.5 強磁性体の諸特性（ 〃 ）634 |
| 12.6 フェリ磁性体の諸特性（ 〃 ）634 |
| 12.7 ｇ因子（ 〃 ）634 |
| 12.8 強磁性金属の自発磁化の温度変化（ 〃 ）634 |
| 12.9 スピネルフェライトの自発磁化の温度変化（ 〃 ）634 |
| 12.10 磁性ガーネットの自発磁化の温度変化（ 〃 ）634 |
| 12.11 磁気異方性定数（ 〃 ）634 |
| 12.12 磁気異方性定数の温度変化（能勢 宏）635 |
| 12.13 各種Fe合金の磁気異方性定数の組成依存性（ 〃 ）635 |
| 12.14 各種Ni合金の磁気異方性定数の組成依存性（ 〃 ）637 |
| 12.15 磁気ひずみ定数の温度変化（角野圭一）637 |
| 12.16 鉄合金の磁気ひずみ定数の組成依存性（ 〃 ）639 |
| 12.17 ニッケル合金の磁気ひずみ定数の組成依存性（ 〃 ）639 |
| 12.18 高透磁率材料発展の歴史（村上雄悦）639 |
| 12.19 電気鉄板特性改善の歴史（佐藤 酸）639 |
| 12.20 現用電気鉄板の種類・特性（ 〃 ）639 |
| 12.21 高透磁率材料の特性（村上雄悦）639 |
| 12.22 鉄損の磁束密度依存性（佐藤 駿）639 |
| 12.23 各種フェライトの磁気特性（能勢 宏）639 |
| 12.24 マイクロ波フェライトの特性（ 〃 ）643 |
| 12.25 フェライトの透磁率の周波数依存性（ 〃 ）643 |
| 12.26 フェライトの初透磁率の温度変化（ 〃 ）643 |
| 12.27 フェライトの相対損失係数（ 〃 ）643 |
| 12.28 トレンドカーブ（岩間義郎）647 |
| 12.29 永久磁石特性（ 〃 ）647 |
| 12.30 各種磁石の減磁曲線（ 〃 ）647 |
| 12.31 六方晶フェライトの磁性（室温）（ 〃 ）647 |
| 12.32 カルコゲナイドスピネルの磁性（能勢 宏）647 |
| 12.33 磁気ひずみ材料特性（角野圭一）648 |
| 12.34 高透磁率アモルファス材料の特性（藤森啓安）648 |
| 12.35 アモルファス材料のヤング率の温度依存性（深道和明・岸田紀雄）648 |
| 12.36 アモルファス材料の熱膨張（ 〃 ・ 〃 ）650 |
| 12.37 アモルファス軟磁性合金の飽和磁気ひずみの組成依存性（藤森啓安）650 |
| 12.38 ナノ結晶粒磁性材料の特性（ 〃 ）651 |
| 12.39 磁性ガーネットの光磁気回転/吸収係数（対馬国郎）651 |
| 12.40 YIGの吸収スペクトル（ 〃 ）652 |
| 12.41 磁性ガーネットのファラデー回転能の波長分散（ 〃 ）653 |
| 12.42 YIGのファラデー回転能のBi添加効果（ 〃 ）653 |
| 12.43 光磁気記録媒体の静的特性（今村修武）654 |
| 12.44 光磁気記録媒体の動的特性（ 〃 ）654 |
| 12.45 光磁気ディスクの性能（ 〃 ）654 |
| 12.46 各種光磁気材料のカー回転角の波長依存性（ 〃 ）654 |
| 12.47 磁気記録密度（線記録密度）の進歩（中村慶久）654 |
| 12.48 磁気記録密度（面記録密度）の進歩（ 〃 ）655 |
| 12.49 磁気記録における記録再生損失（ 〃 ）655 |
| 12.50 磁気ディスク装置の進歩（ 〃 ）659 |
| 12.51 磁気ディスク装置の諸元（ 〃 ）659 |
| 12.52 磁気テープ用磁性材料の特性（ 〃 ）661 |
| 12.53 磁気テープ用磁性材料の磁気特性（ 〃 ）661 |
| 12.54 各種磁気記録媒詐本の記録再生実測特性（ 〃 ）661 |
| 12.55 各種磁気記録媒体の記録再生シミュレーション特性（ 〃 ）662 |
| 12.56 磁気ヘッド材料の特性（ 〃 ）662 |
| 12.57 垂直磁気記録・記録密度の変化（ 〃 ）662 |
| 12.58 華盾記録媒体の磁気シミュレーション特性（ 〃 ）662 |
| 12.59 磁気センサの種類と特性（原田耕介・笹田一郎）663 |
| 12.60 室温における各種合金の異方性磁気抵抗効果（牧野好美）663 |
| 12.61 異方性磁気抵抗効果の温度依存性（ 〃 ）664 |
| 12.62 感温磁性材料の種類と特性（山沢清人）665 |
| 12.63 リニアモータの分類と応用例（藤井信男）666 |
| 12.64 リニアモータの特性比較（ 〃 ）666 |
| 12.65 各種磁性流体の特性（中塚勝人）666 |
| 12.66 磁気分離（岡本祥一）666 |
| 第13章 計測技術[森村正直，岡路正博］ |
| 13.1 標準正規分布表（岡路正博）671 |
| 13.2 t分布（ 〃 ）671 |
| 13.3 X^2分布（ 〃 ）671 |
| 13.4 F分布（ 〃 ）671 |
| 13.5 長さの単位の換算表（ 〃 ）671 |
| 13.6 面積・体積の単位の換算表（ 〃 ）671 |
| 13.7 速度・角度・角速度の単位の換算表（ 〃 ）674 |
| 13.8 質量・密度の単位の換算表（ 〃 ）674 |
| 13.9 力・圧力・応力の換算表（ 〃 ）675 |
| 13.10 エネルギー・熱量・動力・熱伝導率の単位の換算表（ 〃 ）675 |
| 13.11 物理量の値の変換表/記号・式の変換表（三木幸信）675 |
| 13.12 基礎物理定数表（ 〃 ）675 |
| 13.13 温度定点（櫻井弘久）679 |
| 13.14 水の蒸気圧表（稲松照子）679 |
| 13.15 熱電対の規準熱起電力（櫻井弘久）679 |
| 13.16 測温抵抗体R1/R0（ 〃 ）675 |
| 13.17 固体・液体の密度標準（増井良平）680 |
| 13.18 粘度標準液（倉野恭充）683 |
| 13.19 固体の弾性率（中野英俊）686 |
| 13.20 液体の圧縮率（増井良平）686 |
| 13.21 固体の定点圧力（大岩 彰）687 |
| 13.22 固体の硬さ（石田 一）687 |
| 13.23 音速（固体・液体・気体）（中野英俊）687 |
| 13.24 熱膨張率（岡路正博）688 |
| 13.25 熱伝導率，比熱（固体・液体・気体）（新井照男）688 |
| 13.26 屈折率，反射率，放射率（ 〃 ）691 |
| 13.27 絶縁体の抵抗率と誘電率（田中 充）691 |
| 13.28 磁性体の最大透磁率と保磁力（ 〃 ）691 |
| 13.29 重力加速度（黒田和明）691 |
| 13.30 結晶の格子定数（田中 充）694 |
| 13.31 計測用センサー（初沢 毅）694 |
| 第14章 極端環境技術[生嶋 明，三浦 登，辻 泰］ |
| 14.1 低温度生成の歴史（生嶋 明）703 |
| 14.2 低温で用いられる材料の比熱（奥田雄一・鈴木 勝）703 |
| 14.3 低温で用いられる材料の熱収縮率（ 〃 ・ 〃 ）703 |
| 14.4 低温で用いられる材料の帯磁率（ 〃 ・ 〃 ）703 |
| 14.5 断熱材料・伝熱材料の熱伝導度（鈴木 勝）703 |
| 14.6 低温用材料強度（ 〃 ）706 |
| 14.7 はんだ，銀ろう（ 〃 ）706 |
| 14.8 代表的気体の性質（生嶋 明）706 |
| 14.9 ヘリウムの状態図（ 〃 ）706 |
| 1410 代表的常磁性塩（奥田雄一）710 |
| 14.11 代表的常磁性塩のエントロピー対温度（ 〃 ）712 |
| 14.12 核断熱材科（ 〃 ）712 |
| 14.13 主なNO温度計（石本英彦）712 |
| 14.14 ヘリウム蒸気圧温度計（奈良広一）712 |
| 14.15 超伝導転移温度定点（ 〃 ）714 |
| 14.16 3He融解圧温度計のP-T表（石本英彦）712 |
| 14.17 カピッツァ抵抗の温度依存性（ 〃 ）714 |
| 14.18 絶縁性耐熱材（鈴木賢次郎）715 |
| 14.19 耐熱金属・合金の特性（ 〃 ）715 |
| 14.20 いろいろな物質の高温での物性（遠藤裕久・八尾 誠）715 |
| 14.21 熱電対の特性（鈴木賢次郎）715 |
| 14.22 熱電対用保護管（ 〃 ）717 |
| 14.23 シース熱電対（ 〃 ）717 |
| 14.24 放射温度計（ 〃 ）717 |
| 14.25 世界の主要強磁場施設（中川康昭）717 |
| 14.26 世界のパルス強磁場施設（三浦 登）717 |
| 14.27 パルス磁場に対する金属の諸性質（ 〃 ）717 |
| 14.28 強磁界用超電導線材特性（太刀川恭治）717 |
| 14.29 マグネット用特殊銅線の特性（木戸義勇）723 |
| 14.30 マグネット補強用細線の特性（ 〃 ）723 |
| 14.31 絶縁材料の特性表（ 〃 ）723 |
| 14.32 含浸用エポキシ材料（ 〃 ）723 |
| 14.33 パルス磁場用電源のエネルギー密度（ 〃 ）724 |
| 14.34 超強磁場の印加によって金属中に発生する衝撃波（後藤恒昭）724 |
| 14.35 磁場発生に必要な電磁気公式（中川康昭）728 |
| 14.36 いろいろなコイルによる磁場とインダクタンス（ 〃 ）729 |
| 14.37 マグネットコイルの応力分布（ 〃 ）730 |
| 14.38 マグネットの発生磁場分布（ 〃 ）731 |
| 14.39 元素の体積弾性率（毛利信男）732 |
| 14.40 合金化合物の体積弾性率（ 〃 ）733 |
| 14.41 圧力標準物質の圧力－体積－温度関係（秋本俊一）733 |
| 14.42 ルビー蛍光のスペクトル（ 〃 ）733 |
| 14.43 元素の相転移と結晶構造（毛利信男）733 |
| 14.44 化合物，合金の相図（秋本俊一・毛利信男）733 |
| 14.45 気体の基礎データ（岡野達雄）739 |
| 14.46 蒸気圧曲線（気体，拡散ポンプ油）（ 〃 ）739 |
| 14.47 円管のクラウジング係数（ 〃 ）739 |
| 14.48 円管のコンダクタンス（ 〃 ）7391 |
| 14.49 配管要素の通過確率（ 〃 ）739 |
| 14.50 電離真空計の比感度（辻 泰）739 |
| 14.51 電離真空計用電子源の熱電子放射（ 〃 ）739 |
| 14.52 凝縮係数（小林正典）742 |
| 14.53 初期付着確率，初期吸着確率（ 〃 ）743 |
| 14.54 吸着等温線（ 〃 ）745 |
| 14.55 吸着気体分子の置換（辻 泰）747 |
| 14.56 残留気体（小林正典）749 |
| 14.57 構造材料の諸性質（本間禎一）749 |
| 14.58 真空材料の組成（ 〃 ）751 |
| 14.59 点溶接，溶接（ 〃 ）753 |
| 14.60 光，電子，励起脱離（小林正典）753 |
| 14.61 フランジ規格（岡野達雄）753 |
| 14.62 ガラス温度計（奥田雄一・鈴木 勝）755 |
| 14.63 構造材の電気抵抗（ 〃 ）755 |
| 14.64 真空関係JIS一覧（岡野達雄）755 |
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