close
1.

図書

図書
西尾功編集発行
出版情報: 東京 : 産業タイムズ社, 1999.6-  冊 ; 28cm
所蔵情報: loading…
2.

図書

図書
中原紀著
出版情報: 東京 : 日刊工業新聞社, 1999.6  vii, 238p ; 19cm
シリーズ名: Science and technology
所蔵情報: loading…
3.

図書

図書
三輪晴治著
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1999.4  282p ; 20cm
所蔵情報: loading…
4.

図書

図書
川西剛著
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1999.4  220p ; 18cm
所蔵情報: loading…
5.

図書

図書
大野英男編著
出版情報: 東京 : コロナ社, 1999.2  ix, 265p ; 22cm
所蔵情報: loading…
6.

図書

図書
春木弘編著
出版情報: 東京 : オーム社, 1999.2  xii, 202p ; 21cm
シリーズ名: アルテ21
所蔵情報: loading…
7.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
前田和夫著
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1999.3  254p ; 21cm
シリーズ名: ビギナーズブックス ; 3
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
第0章 半導体製造装置という世界
 0.1 半導体製造装置とは何か 10
 0.2 なぜ半導体製造装置なのか 13
 0.3 半導体産業のなかの半導体製造装置 14
 0.4 半導体製造装置産業の誕生 17
 0.5 ウエハープロセスの半導体製造装置 19
 0.6 半導体製造装置の技術要素 20
 1.7 半導体製造装置のビジネス要素 22
 0.8 半導体製造装置の世界へ 25
第1章 半導体デバイスの製造工程
 1.1 半導体デバイスの製造とその特色 28
 1.2 半導体デバイスの製造工程 30
 1.3 半導体デバイスの基本構造 31
 1.4 デバイス製造工程の基本的流れ 34
 1.5 基本プロセス技術 37
   1.5.1 洗浄技術(Cleaning) 38
   1.5.2 熱処理(Thermal Treatment) 39
   1.5.3 不純物導入(Impurity Doping) 39
   1.5.4 薄膜形成(Thin Film Deposition) 40
   1.5.5 リソグラフィー技術(Lithography) 40
   1.5.6 平坦化技術(Planarization) 41
 1.6 複合プロセス技術 41
 1.7 半導体デバイス製造の3要素 44
第2章 半導体製造装置の技術史
 2.1 半導体デバイスの進歩と製造装置 48
 2.2 技術からみた半世紀 52
 2.3 製造装置からみた半世紀 54
   2.3.1 半導体製造装置の黎明期(1950~1960) 56
   2.3.2 半導体製造装置の内製化(1960~1970) 57
   2.3.3 半導体製造装置産業の成立(1970~1980) 59
   2.3.4 装置における多様化と標準化(1980~1990) 60
   2.3.5 装置の複合化とプロセスインテグレーション(1990~2000) 61
 2.4 技術史の到達点 64
第3章 半導体製造装置の種類と役割
 3.1 半導体製造装置の範囲 66
 3.2 半導体製造装置の分類 67
   3.2.1 ホトマスク基板の製造装置 67
   3.2.2 シリコン単結晶ウエハーの製造装置 69
   3.2.3 ウエハープロセス用製造装置 71
   3.2.4 組立用装置 72
   3.2.5 試験用装置 73
   3.2.6 半導体工場と環境制御関連の装置 74
   3.2.7 分析評価と検査・測定装置 75
 3.3 ウエハープロセス用製造装置の概要 77
   3.3.1 熱処理装置 77
   3.3.2 不純物導入装置 77
   3.3.3 薄膜形成装置 78
   3.3.4 リソグラフィー装置 78
   3.3.5 洗浄装置 79
   3.3.6 平坦化装置 79
 3.4 プロセスインテグレーションのインパクト 79
第4章 半導体製造装置の構成と方式
 4.1 半導体製造装置の基本構成 82
 4.2 半導体製造装置の諸方式 85
   4.2.1 チャンバー方式の推移 85
   4.2.2 バッチ方式 88
   4.2.3 シングルウエハー方式 89
   4.2.4 連続方式 91
 4.3 プロセスインテグレーションに対応した方式 92
 4.4 ウエハー大口径化への対応 94
 4.5 半導体製造装置の標準化 95
 4.6 半導体工場の自動化への対応 97
 4.7 牛産形態への対応 99
 4.8 半導体製造装置の将来の方式 99
第5章 各種半導体製造装置の概要
 5.1 ウエハープロセス用半導体製造装置 102
 5.2 洗浄装置 106
   5.2.1 洗浄技術の概要 106
   5.2.2 洗浄技術の応用 110
   5.2.3 洗浄方法の分類 112
   5.2.4 洗浄装置の実際例 114
   5.2.5 今後の展望 116
 5.3 熱処理装置 118
   5.3.1 熱処理技術の概要 118
   5.3.2 熱処理技術の応用 120
   5.3.3 熱処理装置の分類 123
   5.3.4 熱処理装置の実際例 125
   5.3.5 今後の展望 127
 5.4 不純物導入装置 128
   5.4.1 不純物導入技術の概要 128
   5.4.2 不純物導入技術の応用 130
   5.4.3 不純物導入装置の分類 132
   5.4.4 不純物導入装置の実際例 133
   5.4.5 今後の展望 136
 5.5 薄膜形成装置 137
   5.5.1 薄膜形成技術の概要 137
   5.5.2 薄膜形成技術の応用 140
   5.5.3 薄膜形成装置の分類 142
   5.5.4 薄膜形成装置の実際例 144
   5.5.5 今後の展望 147
 5.6 リソグラフィー装置 148
   5.6.1 リソグラフィー技術の概要 148
   5.6.2 リソグラフィー技術の応用 151
   5.6.3 リソグラフィー装置の分類 153
   5.6.4 リソグラフィー装置の実際例 157
   5.6.5 今後の展望 163
 5.7 平坦化装置 165
   5.7.1 平坦化技術の概要 165
   5.7.2 平坦化技術の応用 168
   5.7.3 平坦化装置の分類 170
   5.7.4 平坦化装置の実際例 173
   5.7.5 今後の展望 174
第6章 半導体製造装置の現場
 6.1 半導体製造装置の現実 176
   6.1.1 現実の稼働率は100%ではない 176
   6.1.2 現実には再現性・機差・個体差がある 176
 6.2 半導体製造装置の導入と立上げ 179
   6.21 半導体製造装置の導入 180
 6.3 納入初期の半導体製造装置 183
 6.4 装置の稼働率 184
 6.5 装置のメンテナンス 188
 6.6 コストオブオーナーシツブ(COO) 191
 6.7 半導体製造装置の現場 192
第7章 半導体製造装置の技術要素
 7.1 総合技術的産物としての半導体製造装置 196
 7.2 材料技術 196
 7.3 真空技術 200
 7.4 光応用技術 202
 7.5 ビーム応用技術 204
 7.6 化学反応の応用 207
 7.7 環境制御技術 209
 7.8 コンピュータ応用技術 210
第8章 半導体製造装置技術のロードマップ
 8.1 技術ロードマップの重要性 214
 8.2 半導体デバイス技術のロードマップ 219
 8.3 半導体製造技術のロードマップ 216
 8.4 半導体製造装置の技術ロードマップ 222
 8.5 半導体製造装置の課題 225
 8.6 デバイスとプロセスのシンプル化 229
第9章 21世紀の半導体製造装置―半導体製造装置進化論―
 9.1 半導体製造装置は“進歩”してきたのか 234
 9.2 半導体技術における日本とアメリカの関係は、どのように推移してきたのか 235
 9.3 プロセス技術者と装置はどのように関わってきたか 236
 9.4 半導体製造装置の絶対評価は可能か 237
 9.5 半導体製造装置の独自性 239
 9.6 半導体製造装置の重要課題 240
 9.7 半導体製造装置のチャレンジとブレークスルー 241
 9.8 21世紀の半導体製造装置 243
コラム
   半導体ゴールドラッシュ 12
   半導体プロセスのすき間技術 26
   専門用語と方言 46
   古い技術の復活 51
   バッチ方式と枚葉方式(1) 113
   バッチ方式と枚葉方式(2) 174
   装置開発と試行錯誤 194
   材料の持っている“わな 212”
   ヘイテクと宝さがし 229
   エキゾチックプロセスとエキゾチック材料 232
   日本とアメリカの技術力比較 244
第0章 半導体製造装置という世界
 0.1 半導体製造装置とは何か 10
 0.2 なぜ半導体製造装置なのか 13
8.

図書

図書
松波弘之著
出版情報: 東京 : 昭晃堂, 1999.11  ii, ii, iv, 238p ; 22cm
所蔵情報: loading…
9.

図書

図書
P.Y. ユー, M. カルドナ著 ; 末元徹 [ほか] 訳
出版情報: 東京 : シュプリンガー・フェアラーク東京, 1999.5  xvi, 691p ; 25cm
所蔵情報: loading…
10.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
筒井一生著
出版情報: 東京 : オーム社, 1999.3  xi, 198p ; 21cm
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
1章 半導体の基礎
   1.1 エネルギーバンド構造 1
   1.2 電子と正孔 3
   1.3 p形半導体とn形半導体 5
   1.4 キャリヤ濃度 6
   [1] フェルミ・ディラック分布 6
   [2] 不純物濃度との関係 9
   1・5 キャリヤの運動と電流成分 12
   1・6 少数キャリヤの挙動と連続の方程式 17
   演習問題 19
2章 接合
   2・1 半導体接合の意義と分類 21
   2・2 pn接合のエネルギーバンド構造 22
   [1] 接合のモデル 22
   [2] 熱平衡状態のキャリヤ分布 25
   2・3 pn接合の電流-電圧特性 26
   [1] pn接合ダイオードの整流特性 26
   [2] 理想電流-電圧特性 28
   2・4 pn接合の空乏層幅 33
   2・5 pn接合の静電容量 37
   [1] 接合容量 37
   [2] 拡散容量 40
   2・6 金属-半導体接合 42
   [1] ショットキー接合 43
   [2] オーミック接合 46
   2・7 接合における諸現象 47
   [1] ブレークダウン 47
   [2] 少数キャリヤの蓄積効果 48
   演習問題 51
3章 バイポーラトランジスタ
   3・1 トランジスタとは 53
   3・2 バイポーラトランジスタの構造と動作 55
   3・3 薄いp層を持つnpp+ダイオードの考察 59
   3・4ベース接地回路による電圧増幅動作 62
   3・5 電流伝送率α 64
   [1] エミッタ注入効率αE 65
   [2] ベース輸送効率αr 66
   [3] コレクタ効率αc 67
   3・6 αを1に近づける条件 67
   3・7 エミッタ接地と電流増幅率β 68
   3・8 キャリヤ分布と電流制御機構 70
   [1] トランジスタ内部のキャリヤの分布 70
   [2] 電流駆動のメカニズム 72
   3・9 等価回路 74
   3・10 4端子パラメータ 78
   3・11 高周波特性 80
   [1] α遮断周波数:fα 80
   [2] β遮断周波数:fβ 82
   [3] 遮断周波数:fT 83
   [4] 最大発振周波数:fmax 84
   [5] fα,fβ,fT,fmaxの相互関係 84
   [6] 少数キャリヤの蓄積効果 85
   3・12 サイリスタ 87
   [1] サイリスタの構造と動作原理 87
   [2] サイリスタの応用と種類 91
   演習問題 93
4章 MOSデバイス
   4・1 MOS構造とは 95
   4・2 バイアス電圧によるMOS構造の状態変化 96
   4・3 電界効果トランジスタ(FET)の概念 98
   4・4 MOSダイオードの空乏・反転特性の解析 100
   [1] バンドの曲がりと反転層の形成 100
   [2] 最大空乏層幅としきい値電圧 103
   [3] 実際のMOS構造におけるしきい値電圧の変化と制御 105
   4・5 MOS構造の容量-電圧特性 107
   [1] 基本的な特性 107
   [2] 反転層の電圧変化に対する応答性 109
   4・6 MOS-FETの電流-電圧特性 110
   [1] 反転層チャネルの電流特性 110
   [2] ピンチオフ 113
   [3] キャリヤの速度飽和の影響 116
   4・7 小信号増幅特性と等価回路 116
   [1] 相互コンダクタンス 116
   [2] 等価回路 117
   [3] 高周波特性 118
   4・8 MOS FETの種類 119
   [1] 伝導形としきい値 119
   [2] 相補形MOS(C-MOS) 120
   演習問題 122
5章 光電変換デバイス
   5・1 光による半導体中のキャリヤの励起 123
   5・2 半導体からの発光 127
   5・3 受光デバイス 128
   [1] 光導電効果 128
   [2] 接合における光起電力効果 130
   [3] 光起電力効果を用いた受光デバイス 132
   5・4 発光デバイス 136
   [1] 発光ダイオード 137
   [2] 半導体レーザ 138
   演習問題 141
6章 デバイス製作プロセス
   6・1 プレーナプロセスの概念 143
   6・2 成膜 146
   [1] 酸化法 146
   [2] 堆積法 148
   6・3 露光 151
   6・4 エッチング 154
   6・5 不純物ドーピング 157
   [1] 拡散法 157
   [2] イオン注入法 158
   6・6 化合物半導体デバイスの製作プロセス 161
   演習問題 164
7章 集積回路
   7・1 集積回路の概念 165
   7・2 集積回路の種類 169
   7・3 集積回路における受動素子 171
   7・4 バイポーラ集積路回 171
   7・5 MOS集積回路 174
   [1] C-MOS 174
   [2] メモリ 177
   演習問題 180
   付録1 181
   付録2 182
   付録3 184
   付録4 186
   演習問題解答 187
   索引 193
1章 半導体の基礎
   1.1 エネルギーバンド構造 1
   1.2 電子と正孔 3
文献の複写および貸借の依頼を行う
 文献複写・貸借依頼