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1. FACTOR/AIMによる生産・物流シミュレーション入門
N. Thomson著 ; 福田好朗, 錦戸和久, 野本真輔共訳
出版情報: 東京 : 構造計画研究所 , 東京 : 共立出版 (発売), 1998.4  xiv, 117p ; 22cm
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編集者序文
序
訳者序文
1. 生産シュミレーションの基本
   1.1 歴史的背景 1
   1.2 シュミレーションソフトウェアの必須要件 2
   1.3 用語と表現方法 3
   1.4 プロジェクトと代替案 4
   　1.4.1 実例 5
   1.5 高度な概念 7
   1.6 分析すべき問題の指定 9
   1.7 デマンド 11
   1.8 AIMを使う 11
   　1.8.1 練習用データベースの代替案 12
   　1.8.2 AIMの起動 13
   　1.8.3 データベースの新規作成とオープン 13
   　1.8.4 代替案の作成、選択、開く 13
   　1.8.5 シュミレーシタウィンド 14
   　1.8.6 構築オプションの設定 14
   　1.8.7 グラフィック要素の追加 15
   　1.8.8 Transport Segments (搬送セグメント)の定義 17
   　1.8.9 Time Persistent Vahue （経時変化統計量)の定義 17
   　1.8.10 非グラフィック構成要素の生成 18
   　1.8.11 要素の編集 19
   　1.8.12 要素の消去 19
   　1.8.13 デマンド 19
   　1.8.14 代替案の保存 20
2. プロセスプラン
   2.1 プロセスプランについて 21
   2.2 練習問題 22
   　2.2.1 練習問題の１ジョブステップ 22
   　2.2.2 時間の単位 23
   　2.2.3 最初のジョブステップの定義 23
   　2.2.4 オペレーションジョブステップの定義 25
   　2.2.5 割り付け 26
   　2.2.6 後続ジョブステップの挿入 26
   　2.2.7 モデルのチェック 29
3. 確率分布
   3.1 確率分布の選択 31
   3.2 指数分布、ワイブル分布、ガンマ分布 32
   3.3 正規分布と対数正規分布 35
   3.4 分布とパラメタの評価 37
   3.5 乱数生成40
   　3.5.1 乱数列の数値演算 41
4. シュミレーションの実行
   4.1 実行条件 43
   　4.1.1 AIMシミュレーションオプション 44
   　4.1.2 シュミレーションのスタートとストップ 45
   4.2 データ出力 46
   　4.2.1 レポート 47
   　4.2.2 グラフ 47
   　4.2.3 ロードステータス 48
   4.3 モデルの保存 48
   4.4 基本ケースの検討 49
   4.5 基本ケースの改善 55
   4.6 故障と保全 60
   　4.6.1 MTBFとMTR 61
   4.7 シフトとシフト例外 62
   4.8 対応表 62
   4.9 新規代替案の構築 66
5. 高度なモデル化
   5.1 プル(引き取り型生産 ) 67
   5.2 ジャスト・イン・タイム 71
   　5.2.1 AIMによるカンバンシステムのモデル化 72
   5.3 段取り 74
   5.4 分岐 74
   5.5 検査 76
6. 待ち行列理論
   6.1 分析方法論 77
   6.2 ケンドールの記法 77
   6.3 M/M/I型待ち行列モデル 80
   6.4 M/M/I/K型待ち行列モデル 81
   6.5 M/G/I型待ち行列モデル 82
   6.6 分散係数 83
   6.7 分析の例 83
   6.8 感度分析例 84
7. 複雑なモデル化
   7.1 工程を複雑にする要因 86
   7.2 荷姿変換 86
   　7.2.1 ロードサイズ変更 87
   　7.2.2 生成とリリース 87
   　7.2.3 組み立て 88
   　7.2.4 統合/分割 89
   　7.2.5 パッチ化 92
   7.3 搬送 95
   　7.3.1 マテハン機器 95
   　7.3.2 システム、セグメント、コントロールポイント 96
   　7.3.3 コンベア 99
   　7.3.4 搬送車 101
   　7.3.5 AGV 101
   　7.3.6 搬送車およびAGVの車両選択ルール 102
   7.4 シーケンスルール、選択ルール、干渉ルール 102
   　7.4.1 シーケンスと選択 102
   　7.4.2 シーケンスルー ル103
   　7.4.3 選択ルール 105
   　7.4.4 オーダ投入ルール 105
   　7.4.5 干渉ルール 106
   　7.4.6 コントロールポイントグループ 107
8. 実験方法
   8.1 依頼者と担当者の関係 108
   8.2 実験計画 110
   8.3 分散最小化と制御変数 111
   　8.3.1 制御変数の数値例 112
参考文献 114
索引 115
編集者序文
序
訳者序文
2.

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2. 仕事と自己実現のいい関係のつくり方 : 大競争時代を勝ち抜く技術者・管理者のための : 成功体験を捨てる勇気を持つ
浜田尚夫著
出版情報: 東京 : ダイヤモンド社, 1998.6  164p ; 19cm
シリーズ名: Life & business series
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まえがき
第1章 見方が変われば世界が変わる 1
   1 誰でもパラダイム(思考体系)を持っている 2
   成功体験は両刃の剣 2
   ものの見方を変えた「人」「出来事」 4
   パラダイムの転換が変化の原動力となる 7
   危機意識がものの見方を変える 9
   2 成功体験が役に立たないから面白い 13
   成功体験が変革を阻み覇者は没落した 13
   成功体験を捨てた米国は復活できた 16
   日本は成功体験を捨てられるか 19
   3 大競争時代の勝者になる 23
   勝利と敗北の分かれ目を知る 23
   意識改革した人と企業が勝つ 23
   仕事にも生き方にも個性と創造性が求められる 28
   すべての基本となるパラダイムは何か 29
第2章 仕事と自己表現のいい関係をつくろう 35
   1 自分を大事にして生きたい 36
   個性とは生きる力そのものだ 36
   自分らしく生き抜く 40
   自己啓発が自立を助ける 44
   創造性を高める 46
   2 心の持ち方を変えて広く生きる 50
   仕事の参加意識がやる気を高める 50
   心の持ち方で意欲や脳の働きまで変わる 52
   感謝する気持ちが心を前向きに変える 54
   3 仕事を楽しみ自己実現をはかる 56
   仕事に満足と幸せを感じられるか 56
   プロは仕事を生きがいにして自己実現を目指す 58
   4 組織とのうまい付き合い方 61
   会社依存から自立、個を確立する 61
   仕事のプロにならなければやっていけない 64
   人材流動化の時代を生かす 66
第3章 個性と変化を求める企業が躍進できる 69
   1 企業の存在価値を個性で示せ 70
   企業は個性を持とう 70
   「どうありたいか」のビジョンの役割 73
   ビジョンや理念を皆で共有しよう 75
   「どこをどう変えるのか」の戦略を生かす 78
   2 個人を生かす制度と組織 82
   専門性と多様性を重視しよう 82
   小さな組織が大きな役割を果たす 87
   「何かできる」社員を育成する 90
   3 ナンバーワンではくオンリーワンを目指せ 94
   製造業に競争力をつける 94
   企業力を競う 96
   オンリーワンの大きな力 98
   4 会社が浮くも沈むもトップ次第 100
   変化を起こせる力 100
   目先主義を改めよう 103
第4章 挑戦が新しい価値を生み出す 107
   1 「イノベーション・カンパニー」の時代 108
   “モノ”中心から“ヒト”中心に 108
   顧客は価値と満足を買う 111
   研究開発を経営の中心に 112
   2 挑戦と創造が価値を生み出す 117
   フロントランナーを目指そう 117
   独自技術で競争に勝つ 121
   目標は高く、的は小さく 123
   指導者の重要性を認識しよう 124
   3 研究開発は将来への期待で成り立つ 127
   競争優位を創り出す 127
   研究開発は企業トップ自らの仕事 130
   期待される研究開発へ変身しよう 131
第5章 成功体験を捨てる勇気が未来を拓く 137
   1 既存事業にも新規事業にも創造が求められる 138
   本業でさえ変える勇気を持つ 138
   既存事業を強化しよう 140
   やらないリスクは、やるリスクより大きい 144
   新規事業に成功体験は通用しない 145
   2 起業家精神が事業を成功させる 150
   エジソンは起業家の草分け 150
   ベンチャービジネス成功の条件 152
   日本にはベンチャービジネスが育たないか 154
   3 「個の尊重と創造の重視」が成功につながる 157
   良い習慣をつけ人生の成功を意識しよう 157
   成功への夢と志を持つ 159
   自己実現と技術革新を達成する 160
参考文献 163
まえがき
第1章 見方が変われば世界が変わる 1
   1 誰でもパラダイム(思考体系)を持っている 2
3.

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3. 熱処理炉の設計と実際
原泰三著
出版情報: 神戸 : 六甲出版, 1998.3  244p ; 27cm
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1. 熱処理炉の設計と特性
   1.1 熱処理炉の設計 1
   (1) 熱処理炉の特性と形式 1
   (2) バッチ炉と連続炉 1
   (3) 設計仕様 2
   (4) 設計方法の概要 2
   1.2 温度の均一性 3
   (1) 制御動作の方式 3
   (2) 制御動作の応答 5
   (3) 加熱装置の適性 5
   (4) MIL仕様の温度均一性試験 10
   1.3 加熱と冷却方法 13
   (1) 直接加熱 13
   (2) 間接加熱 14
   (3) 強制対流伝熱 16
   (4) 冷却方法 17
2. 処理材の運搬方法
   2.1 処理材のハンドリング 20
   (1) 部品の保持方法 20
   (2) 運搬方法 20
   (3) 装入および抽出装置 20
   2.2 プッシャ装置 21
   2.3 コンベア装置 22
   2.4 ストランド装置 25
   2.5 台車装置 26
3. 加熱容量
   3.1 加熱容量と炉寸法、 [例3・1]、[例3・2]、[例3・3] 28
   3.2 薄肉材料の加熱速度の計算、 [例3・4]、[例3・5]、[例3・6] 32
   3.3 厚肉材料の加熱速度の計算(Heislerの線図)、[例3・7]、[例3・8]、[例3・9] 37
   3.4 炉床負荷と総括熱伝達率 45
   3.5 熔融金属浴における熱伝達、[例3・10]、[例3・11] 48
   3.6 非鉄金属における熱伝達 (Wagenerの論文) 53
   3.7 強制対流伝熱、[例3・12] 62
4. 燃焼容量・電気容量
   4.1 熱勘定と熱効率 68
   4.2 熱焼容量の計算 71
   (1) 燃料の有効熱量 71
   (2) 加熱材料の吸収熱量 72
   (3) ふく射伝熱による損失熱量、[例4・1] 72
   4.3 定常時における炉壁損失熱量、[例4・2]、[例4・3] 74
   4.4 非定常時における炉壁損失熱量、[例4・4]、[例4・5] 77
   4.5 炉昇温時間の計算、[例4・6]、[例4・7]、[例4・8] 86
5. 冷却容量
   5.1 冷却方法と冷却率 95
   (1) 開放冷却 95
   (2) 密閉冷却 95
   (3) 水噴霧のフォグによる冷却、[例5・1]、[例5・2]、[例5・3]、[例5・4] 97
   5.2 焼入方法 102
   5.3 焼入装置、 [例5・5]、[例5・6] 105
6. 炉気制御
   6.1 開発の歴史 111
   6.2 制御炉気の形式と用途 114
   (1) 発熱型炉気 116
   (2) 吸熱型炉気 118
   (3) アンモニアガスを原料として炉気 120
   6.3 金属とガス間の化学反応 (Harrisの論文) 123
   (1) 一酸化炭素の分解反応 123
   (2) 水性ガス反応 125
   (3) CO2またはH2Oによる酸化鉄の生成反応 126
   (4) 浸炭反応、[例6・1]、[例6・2]、[例6・3]、[例6・4] 129
   6.4 制御炉気の炭素ポテンシャル (鋼の炭素活量度)、[例6・5] 131
   6.5 露点およびCO2と炭素ポテンシャルの関係 140
   6.6 水蒸気による金属の酸化平衡反応 145
   6.7 非鉄金属の光輝熱処理 148
7. 炉気流量
   7.1 燃焼炉の炉内圧 154
   7.2 炉気流量 155
   (1) 開口部からの炉気流量、[例7・1]、[例7・2] 156
   (2) 炉の換気流量 159
   (3) スーパパージ 160
   (4)炉の密閉部から漏れる流量 161
   (5) 炉気のかくはん流量 (Harrisによる浸炭深さ) 164
   7.3 熱処理炉の流量制御 169
   (1) ガス浸炭路 169
   (2) コイル焼鈍炉 174
   (3) 可鍛鋳鉄焼鈍炉 180
   (4) ガス窒化炉、 [例7・3]、[例7・4] 185
8. 測定方法
   8.1 ガス分析 189
   8.2 露点測定 194
   8.3 流量測定、[例8・1]、[例8・2]、[例8・3] 199
9. 安全対策
   9.1 F.M.Engineering Div.による災害防止 203
   (1) 可燃性液体およびガス、固体の性質 203
   (2) ガスおよびオイル焚き工業炉における燃料爆発の防止(ボイラを除く) 204
   (3) F.M.コックとガス安全制御システム 214
   (4) 特殊雰囲気炉における可燃性炉気の危険 217
   (5) 焼入油槽の安全対策 228
   9.2 NFPAによる災害防止 231
   9.3 ASMによる安全対策 232
   (1) ガス浸炭の安全対策 232
   (2) ガス浸炭窒化の安全対策 236
   (3) ガス窒化の安全対策 236
単位換算表 239
温度換算表 240
索引 243
1. 熱処理炉の設計と特性
   1.1 熱処理炉の設計 1
   (1) 熱処理炉の特性と形式 1
4.

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4. 薄膜工学ハンドブック
真下正夫, 吉田政次編
出版情報: 東京 : 講談社, 1998.10  xiv, 528p ; 22cm
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はじめに
第1章 序論 1
   1.1 薄膜の特徴 1
   1.2 薄膜作製法の分類 3
   1.3 本書の構成 7
第2章 薄膜物性の基礎 9
   2.1 導電体薄膜 9
   2.1.1 導電体薄膜の電気特性 9
   A.不連続膜 12
   B.連続膜 17
   2.1.2 薄膜導電材料 23
   2.1.3 電流による拡散効果;エレクトロマイグレーション 25
   2.2 半導体薄膜 27
   2.2.1 半導体の基本特性 27
   A.電気特性 27
   B.光学特性 34
   2.2.2 半導体へテロ接合 43
   2.2.3 超格子 46
   A.超格子の種類 46
   B.多次元閉じ込め超格子 47
   C.超格子の光学特性 49
   2.2.4 半導体多結晶薄膜 52
   A.化合物半導体多結晶薄膜 53
   B.元素半導体多結晶薄膜 56
   2.2.5 アモルファス半導体 60
   2.2.6 薄膜半導体材料 64
   2.3 誘電体薄膜 66
   2.3.1 電気絶縁性 66
   A.オーミック伝導 66
   B.バルク制限型伝導 67
   C.注入制限型伝導 68
   2.3.2 常誘電性 73
   A.誘電分極 73
   B.誘電率の複素数表示 74
   C.誘電緩和 76
   D.調和振動子モデル 78
   E.誘電分極の電界・.温度依存性 79
   2.3.3 強誘電性 80
   A.強誘電性 80
   B.キュリー-ワイス則 82
   C.強誘電性発現の機構 82
   2.3.4 光学的性質 83
   2.4 磁性体薄膜 85
   2.4.1 常磁性 85
   A.磁化と磁性 85
   B.磁気モーメント 86
   C.磁界と磁気モーメントの相互作用 87
   2.4.2 強磁性 89
   A.分子磁場理論 89
   B.磁気モーメントの相互作用 90
   C.磁化の履歴現象と磁区構造 92
   2.4.3 強磁性体薄膜 93
   A.磁気異方性 93
   B.軟磁性体 95
   C.硬磁性体 95
   2.4.4 磁気抵抗効果 96
   A.磁気抵抗効果 96
   B.異方性磁気抵抗効果 96
   C.巨大磁気抵抗効果 97
   D.超巨大磁気抵抗効果 100
   2.4.5 磁気光学効果 100
   A.カー効果 100
   2.5 超伝導体薄膜 101
   2.5.1 超伝導 101
   A.超伝導転移 101
   B.エネルギーギャップ 102
   C.コヒーレンス長 104
   D.完全導電性 104
   E.マイスナー効果 105
   F.磁束の侵入深さ 106
   G.磁束の量子化 107
   H.臨界磁界 108
   I.臨界電流 109
   J.表面(境界)エネルギー 110
   2.5.2 薄膜効果 111
   A.超伝導体の薄膜化 111
   B.超伝導体の薄膜効果 111
   C.臨界磁場と臨界電流 113
   2.5.3 ジョセフソン効果 113
   A.ジョセフソン接合 113
   B. 直流ジョセフソン効果 114
   C.ジョセフソン電流の磁界依存性 115
   D.ジョセフソン侵入深さ 117
   E.交流ジョセフソン効果 118
   F.トンネル接合のI-V特性 119
   参考文献 120
第3章 薄膜成長の基礎 125
   3.1 気相中の物質輸送 125
   3.1.1 分子運動論 125
   A.気体分子の平均速度 125
   B.衝突頻度 126
   C.平均自由行程 127
   D.無衝突で分子が移動する平均面間隔 127
   E.分子の拡散 128
   F.粘性係数 130
   G.分子流と粘性流 131
   3.1.2 原料分子の流束 131
   A.分子流条件下の原料輸送 132
   B.粘性流条件下の原料輸送 134
   3.2 原料分子の分解と反応 136
   3.2.1 反応速度と反応次数 136
   3.2.2 複合反応 137
   3.2.3 気相素反応 140
   A.遷移状態理論 140
   B.単分子反応 142
   3.2.4 原料分子の熱分解 146
   A.熱分解速度の測定 147
   B.熱分解の素過程解析 151
   3.2.5 原料間反応 154
   A.低温反応 154
   B.高温反応 157
   3.2.6 H2キャリアガスとの反応 160
   3.3 原子・分子の表面過程 162
   3.3.1 表面構造 163
   A.Si 164
   B.GaAs 167
   3.3.2 表面構造と吸着・拡散 172
   3.3.3 表面反応 180
   3.4 薄膜成長過程 188
   3.4.1 薄膜成長様式 188
   3.4.2 非晶質、多結晶、単結晶 195
   3.4.3 ヘテロエピタキシー 200
   A.格子定数の不整合 202
   B.極性/無極性の不整合 204
   C.熱膨張係数の不整合 205
   3.5 多結晶薄膜の構造 205
   3.5.1 多結晶薄膜の形成 205
   3.5.2 結晶粒界 206
   A.粒界の構造 206
   B.界面エネルギー 208
   3.5.3 多結晶薄膜の微細構造 209
   A.多結晶薄膜の配向性 209
   B.柱状構造と球状構造 209
   C.Thorntonの分類 211
   D.膜厚の効果 213
   3.5.4 多結晶薄膜の応力 213
   A.内部応力の大きさ 213
   B.内部応力の原因 215
   C.密着性 215
   3.6 固相拡散 216
   3.6.1 固相拡散の一般論 216
   A.固相拡散 216
   B.拡散深さ 216
   C.固相拡散の微視的モデル 218
   D.点欠陥が媒介する拡散 218
   3.6.2 Siの熱酸化 220
   A.表面酸化 220
   B.Si表面酸化のモデル 221
   参考文献 222
第4章 薄膜成長のシミュレーション 229
   4.1 シミュレーションの基礎理論 229
   4.1.1 計算物質科学の概要 229
   4.1.2 分子軌道法 234
   A.ボルン-オッペンハイマー近似 234
   B.平均場近似(1電子近似) 235
   C.基底関数展開 235
   4.1.3 密度汎関数法 236
   4.1.4 量子分子動力学法 238
   4.1.5 古典分子動力学法 239
   4.1.6 モンテカルロ法 244
   4.2 シミュレーション技術 245
   4.2.1 分子動力学法の理論体系 245
   4.2.2 拡張系の分子動力学法 247
   A.温度・圧力一定の分子動力学法 247
   B.化学ポテンシャル一定の分子動力学法 251
   4.2.3 周期境界条件 253
   A.薄膜の境界条件(二次元週奇異境界条件) 253
   B.表面の境界条件 254
   C.薄膜成長シミュレーションの境界条件 254
   4.2.4 数値積分法 255
   A.ベルレ法 257
   B.ギア法 258
   C.多重時間刻み法 259
   4.3 ポテンシャル関数 260
   4.3.1 ポテンシャル関数の分類 261
   A.原子間ポテンシャル関数 261
   B.分子間ポテンシャル関数 262
   C.微粒子間モデルポテンシャル関数 262
   4.3.2 ペアポテンシャル関数 263
   A.レナード・ジョーンズポテンシャル 263
   B.BMHポテンシャル 264
   4.3.3 ペア汎関数ポテンシャル関数 265
   4.3.4 クラスターポテンシャル関数 268
   A.SWポテンシャル 268
   B.有機分子の力場 269
   4.3.5 クラスター汎関数ポテンシャル 270
   4.4 薄膜成長・表面再構成のシミュレーションの実例 272
   4.4.1 分子軌道法.密度汎関数法の実例 272
   4.4.2 量子分子動力学法の実例 274
   4.4.3 古典分子動力学法の実例 276
   A.LJモデル物質系のMBEシミューレーション 277
   B.金属表面と金属クラスターの衝突への応用 283
   C.その他の適用例 286
   4.4.4 モンテカルロ法の実例 287
   参考文献 291
第5章 薄膜成長技術 294
   5.1 原料供給技術 294
   5.1.1 はじめに 294
   5.1.2 ターゲットからの原料供給 294
   5.1.3 固体原料の融解蒸発あるいは昇華 297
   5.1.4 気体原料の導入 300
   5.1.5 液体原料・溶液原料の輸送と気化 303
   5.1.6 溶液の散布・塗布 304
   5.1.7 有機薄膜 306
   5.2 励起活性化成長技術 306
   5.2.1 光励起 307
   A.光励起の原理 307
   B.光分解 309
   C.光励起による薄膜成長 311
   5.2.2 プラズマ励起 319
   A.プラズマの発生 319
   B.プラズマ励起による反応過程 322
   C.プラズマ励起薄膜成長 325
   5.3 超薄膜成長技術 326
   5.3.1 原子層エピタキシー(ALE) 326
   A.ALEの原理 326
   B.ALEの成長機構 328
   C.ALEによる薄膜成長 333
   5.3.2 モニターを用いる方法 336
   5.3.3 単原子ステップを用いる方法 337
   5.4 選択成長技術 338
   5.4.1 マスクを用いる方法 339
   5.4.2 マスクを用いない方法 343
   5.5 コンフォーマル成長と埋め込め成長 346
   5.5.1 はじめに 346
   5.5.2 コンフォーマル成長 347
   A.段差被覆性 347
   B.原料分子の付着確率 348
   C.コンフォーマル成長の実例 349
   5.5.3 埋め込み成長 351
   A.コンフォーマル成長による埋め込み 351
   B.選択成長による埋め込み 352
   C.原料分子流束の方向制御による埋め込み 352
   D.流動化による埋め込み 353
   5.6 熱処理技術 354
   5.6.1 はじめに 354
   5.6.2 固相成長 355
   A.絶縁膜上の単結晶成長 355
   B.バッファー層の形成 356
   C.低温相からの高温相形成 357
   5.6.3 結晶欠陥の低減 358
   5.6.4 熱処理装置 359
   5.7 モニタリングおよびその場観察 362
   5.7.1 モニタリング 367
   5.7.2 その場観察 367
   A.気相観察 368
   B.表面観察 369
   参考文献 374
第6章 主要材料の薄膜成長 379
   6.1 金属薄膜 379
   6.1.1 はじめに 379
   6.1.2 金属薄膜応用の指針 379
   6.1.3 代表的な金属薄膜の成膜技術 383
   A.スパッタリング法を用いた金属成膜-AlとTiNを中心に 383
   B.CVD法 392
   6.1.4 まとめ 400
   6.2 SiGe-Si IV族半導体材料 401
   6.2.1 Si低温成長 401
   6.2.2 UHV-CVD装置 402
   6.2.3 成長速度制御と画内均一性 402
   6.2.4 選択成長 404
   6.2.5 表面上水素のサーファクタント効果 408
   6.2.6 不純物のドーピング 411
   6.2.7 SiGeのデバイス応用 415
   6.3 SiC 416
   6.3.1 SiCの性質 416
   6.3.2 SiC単結晶の成長技術と応用 417
   A.LPE法 417
   B.CVD法 418
   C.分子線エピタキシー法 420
   6.3.3 SiCの多結晶の成膜技術と応用 421
   6.3.4 まとめ 421
   6.4 ダイヤモンド 422
   6.4.1 ダイヤモンドの成膜方法とその比較 422
   A.熱フィラメントCVD法 422
   B.マイクロ波プラズマCVD法 423
   C.直流プラズマジェット法 423
   D.燃焼炎法 424
   6.4.2 ダイヤモンド状硬質炭素膜(DLC膜) 426
   6.4.3 ダイヤモンドとDLCの特性と評価 427
   6.4.4 ヘテロエピタキシー 427
   A.Si(001)基板上のヘテロエピタキシャル核形成と高配向膜の成長 428
   B.Pt(111)基板上へのヘテロエピタキシャル成長 429
   6.5 Ⅲ-V族化合物 429
   6.5.1 ヒ素系、リン系化合物 429
   A.ヒ素系、リン系化合物デバイスと成長技術 429
   B.MOVPEにおけるヒ素系、リン系混晶成長機構 434
   C.MOVPE成長におけるAs/P界面の形成過程 437
   6.5.2 窒化物系 438
   A.はじめに 438
   B.GaN結晶成長 440
   C.p型GaNの正孔補償機構 442
   D.InGaN 結晶成長 445
   E.InGaN 単一量子井戸構造LED 446
   F.InGaN 多重量子井戸構造レーザーダイオード 447
   6.6 Ⅱ-VI族化合物 454
   6.6.1 特性と製法 455
   6.6.2 応用 460
   6.6.3 まとめ 462
   6.7 酸化物 462
   6.7.1 強誘電体薄膜 462
   A.はじめに 462
   B.強誘電体薄膜のデバイス応用 463
   C.ペロブスカイト型複合酸化物の結晶構造と物性 473
   D.強誘電体薄膜の作製方法と薄膜構造 477
   E.強誘電体薄膜の課題 480
   6.7.2 光学薄膜 483
   A.光学部品への応用 483
   B.機能性光デバイスへの応用 483
   6.7.3 透明導電性薄膜 486
   A.透明導電膜の物性 488
   B.透明導電膜材料開発 489
   C.成膜技術 490
   6.7.4 高温超伝導薄膜 493
   A.はじめに 493
   B.超伝導薄膜材料 494
   C.基本形成プロセス 497
   D.エピタキシャル成長 500
   E.基板材料 500
   F.原子層制御蒸着 502
   G.実用化薄膜技術 504
   H.まとめ 506
   参考文献 507
付録 517
索引 520
はじめに
第1章 序論 1
   1.1 薄膜の特徴 1
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