| 0.序の章 1 |
| 0.1 半導体技術の進展 1 |
| 0.2 半導体表面の電子化学 4 |
| 0.2.1 水素原子模型と分子結合 6 |
| 0.2.2 Si表面吸着分子の挙動:SiH4系分子を例として 10 |
| 0.2.3 電気陰性度とエネルギ準位～終端原子による表面電子状態の変化 16 |
| 0.2.4 酸化還元電位とエネルギ準位-Si表面の自然酸化膜形成と水溶液による金属汚染洗浄 29 |
| 1.4端子デバイスエレクトロニクス 37 |
| 1.1 コンピュータのハードウェアに知的な機能を持たせる 38 |
| 1.1.1 人間VSスーパーコンピュータ 38 |
| 1.1.2 ニューハードウェア 40 |
| 1.2 4端子デバイスのコンセプト 40 |
| 1.2.1 4端子デバイスとは 40 |
| 1.2.2 3端子デバイスVS4端子デバイス 42 |
| 1.2.3 3端子デバイスと真空エレクトロニクスの発展 43 |
| 1.2.4 半導体エレクトロニクス、そして集積回路へ 45 |
| 1.2.5 ニューロンMOSトランジスタ 47 |
| 1.3 4端子デバイスで実現する＂しなやかな”情報処理電子回路 49 |
| 1.3.1 やわらかいハードウェア論理回路(flexware) 49 |
| 1.3.2 ウィナーテークオール回路と連想メモリ 52 |
| 1.3.3 低消費電力・自己学習機能装備のvMOSニューラルネットワーク 55 |
| 1.3.4 人工知能システム実現への道 56 |
| 1.4 アンチヒューズ技術とフレキシブル電子システム 57 |
| 1.4.1 効率の良いLSI開発を可能にするしなやかなハードウェア 57 |
| 1.4.2 設計回路を瞬時にLSI化できるアンチヒューズ技術 57 |
| 1.4.3 LSIの新しい可能性を拓くフレキシブル電子システム 60 |
| 1.5 知的電子システムが要求する超高精度プロセス技術 61 |
| 1.6 21世紀への課題 64 |
| 2.高精度トータル低温化プロセス 67 |
| 2.1 低エネルギイオン照射プロセス 68 |
| 2.1.1 プラズマプロセス技術の現状と開発の方向 68 |
| 2.1.2 イオン照射エネルギの制御方法 70 |
| 2.1.3 RF-DC結合プラズマプロセス装置 74 |
| 2.1.4 2周波励起プラズマプロセス装置 76 |
| 2.1.5 直流磁場の導入 79 |
| 2.2 プローブを用いたプラズマの高精度計測技術 85 |
| 2.2.1 シングルプローブ法の原理 85 |
| 2.2.2 シングルプローブによる高周波放電プラズマの計測技術 87 |
| 2.3 高密度プラズマを用いたセルフチャンバクリーニング技術 91 |
| 2.3.1 反応副生成物の付着が与える影響 91 |
| 2.3.2 セルフチャンバクリーニングに適したガス種・チャンバ内壁材 91 |
| 2.3.3 セルフチャンバクリーニング 96 |
| 2.4 超低温でのSiエピタキシャル成長 99 |
| 2.4.1 低エネルギイオン照射プロセスを用いた低温結晶成長 99 |
| 2.4.2 イオンの照射エネルギと照射量 101 |
| 2.4.3 ウルトラクリーンなプロセス雰囲気とウェハ表面 106 |
| 2.4.4 重くて大きいイオン(Xe)の照射 107 |
| 2.5 メタライゼーション 109 |
| 2.5.1 配線材料の変遷 109 |
| 2.5.2 低エネルギイオン照射プロセスによる金属薄膜の形成 110 |
| 2.5.3 大電流ストレスエレクトロマイグレーション加速劣化試験方法と各種配線材料のエレクトロマイグレーション耐性 112 |
| 2.5.4 21世紀へ向けての配線技術 116 |
| 2.5.5 超低抵抗金属/半導体コンタクト形成技術 118 |
| 2.6 超低温ゲート酸化膜形成技術 122 |
| 2.6.1 従来の酸化膜形成方法 122 |
| 2.6.2 イオンアシスト低温酸化法 123 |
| 2.7 低温アニールを可能にするウルトラクリーンイオン注入技術 128 |
| 2.7.1 イオン注入層の低温アニール 128 |
| 2.7.2 酸化膜スルーイオン注入は使えない 131 |
| 2.7.3 ウルトラクリーンイオン注入 132 |
| 2.7.4 打ち込みフロント部に残るダメージと基板ドーパント濃度 135 |
| 2.8 超微細パターン加工を実現するリソグラフィ技術 136 |
| 2.8.1 露光技術 137 |
| 2.8.2 レジスト材料技術 139 |
| 2.8.3 現像技術 141 |
| 2.8.4 脱ガスフリーレジストプロセス 145 |
| 2.8.5 レジスト剥離技術 147 |
| 3.表面・界面のウルトラクリーン化技術 155 |
| 3.1 極限のクリーン表面を創る 156 |
| 3.1.1 シリコンのウルトラクリーン表面とは 156 |
| 3.1.2 粒子汚染と除去技術 157 |
| 3.1.3 金属汚染とその除去 182 |
| 3.1.4 有機物汚染とその除去 195 |
| 3.1.5 固体表面への水分吸着 203 |
| 3.1.6 自然酸化膜とケミカル酸化膜 208 |
| 3.1.7 マイクロラフネス制御 217 |
| 3.1.8 シリコン表面を不活性化する(水素終端表面) 223 |
| 3.1.9 新しい概念の表面洗浄 226 |
| 3.2 F2・HFプロセス 233 |
| 3.2.1 フッ素・フッ素化水素とシリコン化合物の反応の特徴 234 |
| 3.2.2 エッチングプロセスに現われる諸現象 242 |
| 3.2.3 フッ素の回収-地球にやさしい化学技術を求めて 250 |
| 3.3 高信頼性極薄酸化膜形成技術 261 |
| 3.3.1 表面精密制御酸化 261 |
| 3.3.2 酸化膜特性の基板面方位依存性 266 |
| 3.3.3 高信頼性極薄酸化膜形成 269 |
| 3.4 化学反応機構の電子物理 271 |
| 3.4.1 電気陰性度の電子物理 272 |
| 3.4.2 酸化還元電位の電子物理 278 |
| 3.4.3 ゼータ電位の電子物理 282 |
| 3.5 静電気障害とその防止 285 |
| 3.5.1 超LSI製造環境における静電気 285 |
| 3.5.2 静電気の発生 286 |
| 3.5.3 静電気障害 288 |
| 3.5.4 帯電防止技術 291 |
| 4.クリーン表面とガス分子の相互作用 320 |
| 4.1 ステンレス表面の新しい不働態化処理 320 |
| 4.1.1 はじめに 320 |
| 4.1.2 ステンレス表面へのCr2O3不働態膜の形成方法 321 |
| 4.1.3 フェライト系ステンレス鋼の不働態処理 324 |
| 4.1.4 オーステナイト系ステンレス鋼の不働態処理 326 |
| 4.1.5 Cr2O3不働態膜形成のメカニズム 333 |
| 4.2 腐食の表面電気化学反応 335 |
| 4.2.1 現在のガス供給系がかかえる問題点 335 |
| 4.2.2 金属表面性状の影響 336 |
| 4.2.3 溶接部の腐食 342 |
| 4.3 クリーン表面とガス分子の相互作用 349 |
| 4.3.1 評価システムのウルトラクリーン化 349 |
| 4.3.2 ウルトラクリーンがなぜ必要なのか 350 |
| 4.3.3 固体表面とSiH4分子の相互作用 353 |
| 4.4 新しいガス供給システム 356 |
| 索引 361 |
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