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1.

図書
図書
1. Future integrated systems : a five-year view in 2005
S. Oda, D.F. Moore
出版情報: Cambridge : MTP, 2005  vi, 66 p. ; 30 cm
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2.

図書
図書
2. Integration of advanced micro- and nanoelectronic devices - critical issues and solutions : symposium held April 13-16, 2004, San Francisco, California, U.S.A.
editors, J. Morais ... [et al.]
出版情報: Warrendale, Pa. : Materials Research Society, c2004  xv, 471 p. ; 24 cm
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings ; v. 811
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3.

図書
図書
3. 電気・電子の基礎
宮田孝博編著
出版情報: 東京 : 科学図書出版 , 東京 : 技術評論社 (発売), 2001.5  262p ; 21cm
シリーズ名: 電気・電子ベーシックブックス
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4.

図書
図書
4. 基礎電気・電子工学. 第2版
片野義雄 [ほか] 著
出版情報: 東京 : 東京電機大学出版局, 2000.4  vii, 292p ; 22cm
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5.

図書
図書
5. 情報工学のためのエレクトロニクス (1 ; 2)
宮川浹, 中川修三共著
出版情報: 東京 : 森北出版, 2000.6-  冊 ; 22cm
シリーズ名: 情報工学入門シリーズ / 城戸健一, 三井田惇郎監修 ; 8, 9
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6.

図書
図書
6. 電気・電子なぜなぜおもしろ読本
中村次男, 山本実著
出版情報: 東京 : 山海堂, 2000.8  8, 222p ; 21cm
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7.

視聴覚資料
ＡＶ
7. 光通信研究論文 : Optical communications 2004-04/ [末松安晴著]
出版情報: [東京] : [国立情報学研究所], [2004.4]  ビデオディスク1枚
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8.

図書

東工大
目次DB
図書
東工大
目次DB
8. Korea's electronics industry. 2004 edition
Soon-Bok Lee, Mikyoung Lee, Michael Pecht
出版情報: College Park, Md. : CALCE EPSC Press, c2004  xiii, 215 p. ; 24 cm
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1 General Information 1
   1.1 Korean People 1
   1.2 Geography 2
   1.3 History 3
   1.4 Korean War 4
   1.5 Population 7
   1.6 Language 8
   1.7 Korean Belief and Religion 9
   1.7.1 Buddhism 10
   1.7.2 Protestantism and Catholicism 10
   1.7.3 Confucianism 10
   1.7.4 Shamanism 11
   1.8 Education in Korea 11
   1.9 Judicial Organization 12
   1.10 Political Structure 12
   1.11 Current Economic Conditions and Policy 15
   1.11.1 Enforcement of the Free Economic Zone Act 17
   1.11.2 Financial and Corporate Restructuring 18
   1.11.3 Social Welfare System 21
2 Science and Technology in Korea 25
   2.1 1900 - 1960 26
   2.2 1960s 27
   2.2.1 1961: The Beginning of Modern South Korea 27
   2.2.2 1966: The Korea Institute of Science and Technology 27
   2.2.3 1967: The Ministry of Science and Technology 27
   2.2.4 1967: The Atomic Energy Research Institute/Korea Advanced Energy Research Institute 28
   2.2.5 By 1969 28
   2.3. 1970s: Beginning of Growth 29
   2.3.1 1971: KAIS/KAIST 29
   2.3.2 Mid 1970s Recruitment of Overseas Koreans 30
   2.3.3 1976: The Electronics and Telecommunications Research Institute 30
   2.3.4 1977: The Korea Science and Engineering Foundation 30
   2.3.5 By 1979 31
   2.4 1980s: Korea Inc. Comes of Age 31
   2.4.1 1982: The National R＆D Program 32
   2.4.2 1983: Daeduck Science Town 32
   2.4.3 1986: POSTECH 33
   2.5 1990S: Aimless Excess and Rude Awakening 33
   2.5.1 1996: OECD 34
   2.5.2 1996: The Korea Institute of Advanced Study (KIAS) 34
   2.5.3 1996: The National Fusion Research (KSTAR) 34
   2.5.4 Economy Overview of 2001 35
   2.5.5 Science and Technology Policy for the 21st Century 35
3 Development of the Korean Electronics Industry 37
   3.1 Korean Industry 38
   3.1.1 Korean Industrial Development Stages 38
   3.1.2 Jaebols 41
   3.1.3 Foreign Trade 42
   3.1.4 China, Korea and the World Trade Organization 43
   3.2 Overview of the Korean Electronics Industry 49
   3.2.1 Market Trends in the Korean Electronics Industry 50
   3.2.2 Imported vs. Domestic Technology Capabilities 51
   3.2.3 The Semiconductor Industry 52
   3.2.4 The Display Industry 54
   3.3 The Role of Government in Science and Technology 59
   3.3.1 Outline for Technological Development 59
   3.3.2 Legislative Interaction 60
   3.3.3 Government Sponsorship of R＆D 61
   3.3.4 Government Support of Equipment Development 63
   3.3.5 Major S＆T Policies for the Twenty-first Century 64
   3.3.6 International Cooperation and Recruitment of Foreign Nationals 66
   3.3.7 Government Assistance to Small and Emerging Businesses 67
   3.3.8 Science Parks 67
   3.4 The Role of the University 67
   3.4.1 Facilities that Support Science and Technology 68
   3.4.2 Industrial Connections 70
   3.4.3 Educational Goals of University S＆T Programs 72
   3.5 Industry/Government/University Interactions 73
   3.6 Summary 74
4 The Korean Semiconductor Industry 75
   4.1 Memory Industry 75
   4.1.1 DRAM 76
   4.1.2 SRAM 77
   4.1.3 EPROM, EEPROM, Flash Memory and FRAM 78
   4.2 Additional Semiconductor Technologies 79
   4.3 Process Technology 80
   4.4 Strength and Weaknesses 81
   4.5 Strategy for Competitiveness 83
   4.6 Industrial Coordination- The KSIA 85
   4.7 Summary 86
5 Packaging and Assembly Industry 87
   5.1 Substrate and Leadframe Technology 87
   5.1.1 Leadframe Technology and Capacity 87
   5.1.2 Packaging and Wafer Foundry Business 88
   5.2 Printed Circuit Board Technology 91
   5.2.1 Business Status in PCB Industry 92
   5.2.2 Korean PCB Manufacturers 92
   5.2.3 PCB Business Prospect 92
   5.3 Connectors 92
6 The Korean Display Industry 95
   6.1 Government Planning and Support 95
   6.2 Electronics Display Industrial Research Association of Korea 96
   6.3 Significant Developments 97
   6.3.1 Samsung SDI 97
   6.3.2 LG Electronics 100
   6.3.3 Orion Electric 102
   6.3.4 Hyundai 104
   6.4 Significant Research Efforts 105
   6.4.1 Project for Development of a 25-29'' High-quality TFT LCD 105
   6.4.2 Project for Development of a Low-electric-power TFT LCD 105
   6.4.3 Project for Development of a 70-55'' Full-color HDTV 105
   6.5 Flat Panel Display Application in Korea 106
   6.5.1 Flat Panel Display Production in Korea 107
   6.5.2 Rapid Growth of PCs and the Internet 109
   6.6 Summary 110
7 Products and Systems for IT Services 111
   7.1 Computer Systems 111
   7.2 Data Communication Technology 112
   7.2.1 Data Transmission Technologies 112
   7.2.2 Digital Network Technologies 113
   7.2.3 Multimedia Communications System 117
   7.3 The Informational Technology Industry 117
   7.3.1 Production, Domestic Sales and Import/Exports 118
   7.3.2 Factors Contributing to the Growth of the IT Industry 119
   7.3.3 IT Industry and Korean Economy 121
   7.4 E-business in Korea 122
   7.4.1 E-business Environment 122
   7.4.2 Government Policies 124
   7.4.3 Connecting the Globe 125
   7.5 Telecommunications Systems 126
   7.5.1 Personal Communication Services (PCS) 127
   7.5.2 Satellite Communications Technology 127
   7.5.3 Digital Mobile Communications Companies 128
   7.6 Summary 131
8 Key Korean Electronics Companies 133
   8.1 Samsung Corporation 133
   8.1.1 Current Organization 133
   8.1.2 Products (by Affiliate) 134
   8.1.3 Research and Development 139
   8.1.4 Alliances 141
   8.1.5 Other Overseas Activities 141
   8.1.6 Strengths 141
   8.1.7 Corporate Culture and Management Philosophy 142
   8.1.8 Vision and Strategy for Growth 143
   8.1.9 The Samsung Way 144
   8.2 Hynix Semicon 147
   8.2.1 Main History 147
   8.2.2 Organization 149
   8.2.3 Compliance and Business Ethics 149
   8.2.4 Business Scope 150
   8.3 LG Electronics 150
   8.3.1 History 151
   8.3.2 Business Area and Main Products 152
   8.3.3 Research and Development Organization 152
   8.3.4 Business Technology 153
   8.4 LG Philips Liquid Crystal Display 154
   8.4.1 Management Philosophy 154
   8.4.2 Vision 154
   8.5 Daewoo Electronics Co.Ltd 156
   8.5.1 Overseas Activities 156
   8.5.2 Technology 157
   8.5.3 Marketing 157
   8.5.4 Vision 157
   8.5.5 Technology for the Future 158
   8.6 Anam Semiconductor 160
   8.6.1 Strategic Alliance 160
   8.6.2 Global Network 160
   8.6.3 Business Model 161
   8.6.4 Technology Capability 161
   8.6.5 Quality and Reliability 163
   8.6.6 University and Government Interactions 163
   8.6.7 Alliances 163
   8.6.8 Technical Road Map 164
   8.7 Orion Electric 164
   8.7.1 Business Line 165
   8.7.2 Global Standard 166
   8.7.3 Twenty-first Century Vision 166
   8.7.4 R＆D 166
   8.8 MK Electron 166
   8.8.1 Business and Products 167
   8.8.2 Summary 168
   8.9 KEC Corporation 168
   8.9.1 Products and Quality 170
   8.9.2 Overseas Activities 170
   8.9.3 Research and Development 171
   8.9.4 Vision and Strategies for Growth 172
   8.10 Signetics KP Co., Ltd 172
   8.10.1 Brief Introduction 173
   8.10.2 Major Customers and Competitors 173
   8.10.3 Reliability and Failure Analysis 174
   8.10.4 Quality 174
   8.10.5 Electrical Function Testing Service 174
   8.11 Cheil Industry 174
   8.11.1 History 175
   8.11.2 Business Strategies and Sales Revenue 175
   8.12 SK Telecom 178
   8.12.1 Overview 178
   8.12.2 Strategy for Worldwide Marketing 179
   8.12.3 Financial Information 179
   8.12.4 Products and Services 181
   8.12.5 Network R＆D History in Brief 182
   8.13 KT 182
   8.13.1 KT Vision 185
   8.13.2 Subsidiaries 185
   8.13.3 R＆D 187
   8.13.4 Globalization of R＆D 187
   8.14 Summary 190
9 Key Institutes and Universities Supporting Electronics 191
   9.1 Electronics and Telecommunications Research Institute 191
   9.1.1 Major R＆D Areas 191
   9.1.2 R＆D Strategy 192
   9.1.3 Basic and Advanced Research 192
   9.2 Korea Institute of Science and Technology (KIST) 193
   9.3 Korean Electronics Technology Institute 194
   9.3.1 R＆D 195
   9.4 Korea Advanced Institute of Science and Technology 197
   9.4.1 Branches 197
   9.4.2 Electrical Engineering Department 197
   9.4.3 Research Centers Supporting the Electronics Industry 198
   9.5 Seoul National University 200
   9.6 Pohang University of Science and Technology (Postech) 201
   9.7 Summary 202
References 205
Index 211
1 General Information 1
   1.1 Korean People 1
   1.2 Geography 2
9.

図書
図書
9. なっとくする電気の法則
橋本尚, 橋本岳著
出版情報: 東京 : 講談社, 2001.12  vi, 232p ; 21cm
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10.

図書
図書
10. 電子スピンを見る操る
十倉好紀編著
出版情報: 東京 : 日経BP社, 2001.11  201p ; 26cm
シリーズ名: アトムテクノロジーへの挑戦 : ナノテクノロジーの最前線 / 田中一宜監修 ; 2
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11.

図書
図書
11. ナノテクで原子分子を見る触る操る
市川昌和編著
出版情報: 東京 : 日経BP社, 2001.11  285p ; 26cm
シリーズ名: アトムテクノロジーへの挑戦 : ナノテクノロジーの最前線 / 田中一宜監修 ; 1
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12.

図書
図書
12. 図解電子工学入門
佐藤一郎著
出版情報: 東京 : 日本理工出版会, 2002.10  vi, 282p ; 21cm
所蔵情報: loading…
13.

図書
図書
13. The Third CREST Symposium on "Function Evolusion of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena", FEMD, CREST : program and abstracts, October 25, 2002 Kokuyo Hall (Shinagawa)
CREST Symposium ; FEMD Symposium ; Japan Science and Technology Corporation
出版情報: Tokyo : Japan Science and Technology Corporation (JST), CREST, FEMD Research Office, [2002]  181 p. ; 30 cm
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14.

図書
図書
14. Micromechatronics
Kenji Uchino, Jayne R. Giniewicz
出版情報: New York : Marcel Dekker, c2003  xiv, 489 p. ; 24 cm
シリーズ名: Materials engineering ; 22
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Preface
Prerequisite Knowledge
Suggested Teaching Schedule
Symbols
Current Trends for Actuators and Micromechatronics / 1：
The Need for New Actuators / 1.1：
Conventional Methods for Micropositioning / 1.2：
An Overview of Solid-State Actuators / 1.3：
Critical Design Concepts and the Structure of the Text / 1.4：
A Theoretical Description of Field-Induced Strains / 2：
Ferroelectricity / 2.1：
Microscopic Origins of Electric Field Induced Strains / 2.2：
Tensor/Matrix Description of Piezoelectricity / 2.3：
Theoretical Description of Ferroelectric and Antiferroelectric Phenomena / 2.4：
Phenomenology of Magnetostriction / 2.5：
Ferroelectric Domain Reorientation / 2.6：
Grain Size and Electric Field-Induced Strain in Ferroelectrics / 2.7：
Actuator Materials / 3：
Practical Actuator Materials / 3.1：
Figures of Merit for Piezoelectric Transducers / 3.2：
The Temperature Dependence of the Electrostrictive Strain / 3.3：
Response Speed / 3.4：
Mechanical Properties of Actuators / 3.5：
Ceramic Actuator Structures and Fabrication Methods / 4：
Fabrication of Ceramics and Single Crystals / 4.1：
Device Design / 4.2：
Electrode Materials / 4.3：
Commercially Available Piezoelectric and Electrostrictive Actuators / 4.4：
Drive / Control Techniques for Piezoelectric Actuators / 5：
Classification of Piezoelectric Actuators / 5.1：
Feedback Control / 5.2：
Pulse Drive / 5.3：
Resonance Drive / 5.4：
Sensors and Specialized Components for Micromechatronic Systems / 5.5：
Loss Mechanisms and Heat Generation / 6：
Hysteresis and Loss in Piezoelectrics / 6.1：
Heat Generation in Piezoelectrics / 6.2：
Hard and Soft Piezoelectrics / 6.3：
Introduction to the Finite Element Method for Piezoelectric Structures / 7：
Background Information / 7.1：
Defining the Equations for the Problem / 7.2：
Application of the Finite Element Method / 7.3：
Servo Displacement Transducer Applications / 8：
Deformable Mirrors / 8.1：
Microscope Stages / 8.2：
High Precision Linear Displacement Devices / 8.3：
Servo Systems / 8.4：
VCR Head Tracking Actuators / 8.5：
Vibration Suppression and Noise Elimination Systems / 8.6：
Pulse Drive Motor Applications / 9：
Imaging System Applications / 9.1：
Inchworm Devices / 9.2：
Dot Matrix Printer Heads / 9.3：
Inkjet Printers / 9.4：
Piezoelectric Relays / 9.5：
Adaptive Suspension Systems / 9.6：
Ultrasonic Motor Applications / 10：
General Description and Classification of Ultrasonic Motors / 10.1：
Standing Wave Motors / 10.2：
Mixed-Mode Motors / 10.3：
Traveling Wave Motors / 10.4：
Mode Rotation Motors / 10.5：
Performance Comparison Among Various Ultrasonic Motors / 10.6：
Microscale Walking Machines / 10.7：
Calculations for the Speed and Thrust of Ultrasonic Motors / 10.8：
Elements of Designing an Ultrasonic Motor / 10.9：
Other Ultrasonic Motor Applications / 10.10：
Magnetic Motors / 10.11：
Reliability of Ultrasonic Motors / 10.12：
The Future of Ceramic Actuators in Micromechatronic Systems / 11：
Development Trends as Viewed from Patent Statistics / 11.1：
The Piezoelectric Actuator/Ultrasonic Motor Market / 11.2：
Future Trends in Actuator Design / 11.3：
Index
Preface
Prerequisite Knowledge
Suggested Teaching Schedule
15.

図書
図書
15. トコトンやさしい超微細加工の本
麻蒔立男著
出版情報: 東京 : 日刊工業新聞社, 2004.1  159p ; 21cm
シリーズ名: B&Tブックス ; . 今日からモノ知りシリーズ||キョウ カラ モノシリ シリーズ
所蔵情報: loading…
16.

図書
図書
16. 図解やさしくできる電子工作
谷腰欣司著
出版情報: 東京 : 日本実業出版社, 2001.2  126p ; 21cm
所蔵情報: loading…
17.

図書
図書
17. 電子工学概論 : 工学基礎. 改訂版
相田貞蔵, 釘澤秀雄共著
出版情報: 東京 : 培風館, 2000.10  vi, 214p ; 22cm
所蔵情報: loading…
18.

図書
図書
18. 電子工業関連会社一覧 (2002 - 2009)
電波新聞社編
出版情報: 東京 : 電波新聞社, 2002.4-  冊 ; 26cm
シリーズ名: 電子工業年鑑 / 電波新聞社編 ; 別冊
所蔵情報: loading…
19.

図書
図書
19. 身近な電気・電子
福田務, 田中洋一郎著
出版情報: 東京 : ナツメ社, 2002.10  227p ; 19cm
シリーズ名: 図解雑学 : 絵と文章でわかりやすい!
所蔵情報: loading…
20.

図書

東工大
目次DB
図書
東工大
目次DB
20. EMAP 2005 : 2005 International Symposium on Electronics Materials and Packaging : December 11-14, 2005, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan
International Symposium on Electronics Materials and Packaging ; 岸本, 喜久雄
出版情報: Piscataway, NJ : IEEE, c2005  vi, 301 p. ; 30 cm
所蔵情報: loading…
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KEYNOTE LECTURES
   The Story Behind the Red Phosphorus Mold Compound Device Failures / prof.Michael Pecht,University of Maryland,USA 1
   Semiconductor Integrated Circuit Packaging Technology Challenges-Next Five Years / Dr. Mario A. Bolanos, Texas Instruments Inc., USA 6
   Gbps Signal Transmission on Si CMOS ULSI / Prof.Kazuya Masu, Tokyo Institute of Technology,Japan 10
   A Study of Hygro-Thermal Deformations and Stresses in FCPBGA / Prof.Sung Yi, Portland State University,USA 15
GENERAL SESSIONS
Quality ＆ Reliability(1)
   Development of an Automated X-Ray Inspection Method for Microsolder Bumps / Atsushi Teramoto (Nagoya Electric Works Co., Ltd.),Takayuki Murakoshi, Masatoshi Tsuzaka (Nagoya University) and Hiroshi Fujita (Gifu University) 21
   Reliability Assessment of BGA Solder Joints under Cyclic Bending Loads / Ilho Kim(KAIST, Korea) and Soon-Bok Lee 27
   Case Studies of Reliability Analysis by Stochastic Methodology in BGA Creep Analysis / Shoji Sasaki(MSV,Software Ltd.) Motoharu Tateishi, Isamu Ishikawa and Paul Vanderwalt(MSC.Software Corporation,USA) 33
   Fatigue Crack Propagation Analysis for Micro Solder Joints with Void / Takeshi Terasaki(Hitachi,Ltd) and Hisashi Tanie 37
Quality ＆Reliability(2)
   Reliability Analysis of Embedded Chip Technique with Design of Experiment Methods / Xiuzhen Lu(Shanghai University,China), Liu Chen(Chalmers University of Technology,Sweden) Zhaonian Cheng and Johan Liu(Shanghai University,China/Chaimers University of Technology,Sweden) 43
   A Role of Ti-Sn Diffusion Layer Formed at the Interface between Pb Free Solder and TiNiAu Multi-Layer / Kimiharu Kayukawa(Denso Corporation) and Akira Tanahashi 50
   In Situ Observation of Interfacial Fracture in Low-Dimensional Nano Structures / Yoshimasa Takahashi(Kyoto University),Hiroyuki Hirakata and Takayuki Kitamura 55
   Effect of Frequency of Fatigue Crace Growth along Interface between Copper Film and Silicon Substrate / Do Van Truong(Kyoto University),Hiroyuki Hirakata and Takayuki Kitamura 61
Quality ＆ Reliability(3)
   Effect of Lead and Cadmium Free Glasses on Reliability of the Siver End Termination for MLCC Application / Masyood Akhtar(LORD Corporation,USA) 67
   The Study of Silicon Die Stress In Stacked Die Packages / Eiichi Yamada(Texas Instruments Japan Limited),Kenji Abe,Yutaka Suzuki and Masazumi Amagai 74
   A Multifunctional Test Chip for Microelectronic Packaging and Its Application on RF Property Measurements / Kun-Fu Tseng(Chin-Min Institute of Technology,Taiwan),Yi-Hsun Hsion,Ben-Je Lwo and Chin-Hsing Kao(National Defense University,Taiwan) 78
   Strain Measurement in the Microstructure of Advanced Electronic Packages Using Digital Image Correlation / Nobuyuki Shishido(Kyoto University),Toru Ikeda and Noriyuki Miyazaki 83
   Effect of Au and Ni Layer Thicknesses on the Reliability of BGA Solder Joints / M.O.Alam(City University of Hong Kong,Hong Kong), Y.C.Chan and L.Rufer(TIMA Lab,France) 88
   Interconnection Technologies Studies on Double-Layered Metal Bumps for Fine Pitch Flip Chip Applications / Ho-Young Son(KAIST,Korea),Yong-Woon Yeo(Nepes Corperation,Korea), Gi-Jo Jung,Jun-Kyu Lee,Joon-Young Choi,Chang-Joon Park(Hynix Semiconductor,Korea), Min-Suk Suh, Soon-Jin Cho(Samsung Electro-Mechanics,Korea),and Kyung-Wook Paik(KAIST,Korea) 95
   Dynamic Characterization Study of Flip Chip Ball Grid Array(FCBGA) on Periphearl Component Interconnect(PCI) Board Application / Wong Shaw Fong(Intel Technology,Malaysia), Loh Wei Keat, Lee Yung Hsiang, Yap Eng Hooi(Intel Product,Malaysia),Wong Siang Woen,Hin Tze Yang(Intel Technology,Malaysia) and Martin Tay Tiong We 101
   Stability of Ni3p and Its Effect on the Interfacial Reaction between Electroless Ni-P and Molten Tin / K.Chen(Loughborough University,UK),C.Liu, D.C. Whalley and D.A. Hutt 107
   Investigation of void-free Electroplating Method on Copper Column based Solder Bump for Flip-Chip Interconnections / Hiroshi Yamada(Toshiba Corporation) 112
Optoelectronics/Photonics
   Characterization of Au-Sn Eutectic Die Attach Process for Optoelectronics Device / Thang Tak-Seng(Lumileds Lighting(M)Sdn Bhd,Malaysia),Decai Sun,Huck-Khim Koay, Mohd-Fezley Sabudin,Jim Thompson,Paul Martin, Pradeep Rajkomar and Shatil Haque 118
   Propagation Loss Evaluation of Optical Transmission/Interconnect System with Grating Structure / Akiya Kimura(Osaka University),Kiyokazu Yasuda,Michiya Matsushima and Kozo Fujimoto 125
   A New Method of Birefringence Measurement to Obtain Stress Field Using Photoclasticity / Kenji Gomi(Tokyo Denki University),Kengo Shimizu,Hayato Suzuki, Shinichi Gohira,Yasushi Niitsu and Kensuke Ichinose 129
   Optimization of Epoxy Flow for Passive Alignment of Optical Fiber Arrays / Jeffery C.C.Lo(Hong Kong University of Science ＆ Technology,Hong kong), Chung Yeung Li, Chung Leung Tai and S.W.Ricky Lee 132
Polymer Materials
   Study on Long Life Large-Deflective Hinges in Molded Pantograph Mechanisms based on Cyclic Load-Bending Fatigue Test / Mikio Horie(Tokyo Institute of Technology), Yudai Okabe, Masahiro Yamamoto and Daiki Kamiya 137
   Warpages of ACF-bonded COG Packages Induced from Manufacturing and Thermal Cycling / M.Y.Tsai(Chang Gung University,Taiwan), C.Y.Huang,C.Y.Chiang, W.C.Chen(ERSO/ITRI,Taiwan) and S.S. Yang 143
   Simulation of Tensile Deformation Behavior of Polymer by Chain Network Model / Akira Shinozaki(Tokyo Institute of Technology),Kikuo Kishimoto and Hirotsugu Inoue 150
   Effects of the Functional Groups of Non-Conductive Films(NCFs) on Materials Properties and Reliability of NCF Flip-Chip-On-Organic Boards / Chany-kyu Chung(KAIST,Korer),Woon-Seong Kwon,Jin-Hyoung Park, Soon-Bok Lee and Kyung-Wook Paik 156
   Effects of Low-modulus Die Attach Adhesive on Warpage and Damage of BGA / Sung Yi(Portland State University,USA), Paresh D.Daharwal(Intel Corporation,USA), Yeong.J.Lee(Motorola,USA)and Brian R.Harkness(Dow Corning,USA) 162
Thick ＆ Thin Film Materials
   Hardness and Elastic Modulus of ZnO Deposited materials by PLD Method / Han-Ki Yoon(Dong-Eui University,Korea) and Yun-Sik Yu 169
   Mechanical properties of ITO/PET Thin Film Deposited by DC MG Method / Do-Hyoung Kim(Dong-Eui University,Korea),Han-ki Yoon, Do-Hoon Shin(University of Tokushima) and Riichi Murakami 174
   Formation and Characterization of Sputtered Thin Film for Optimizing Multilayered Interconnection Structure / Wataru Sashida(Kogakuin University) and Yuji Kimura 179
Packaging(1)
   Development of The Embedded LST Technology in PALAP / H.Kamiya(DENSO Corportion),T.Miyake, H.Kobasyashi, and K,Kondo 183
   Wafer-Scale BCB Resist-Processing Technologies for High density Intergration and Electronic Packaging / Rainer Pelzer(EV Group,Austria),Viorel Dragoi,Bart Swinnen(IMEC,Belgium),Philippe Soussan and Thorsten Matthias(EV Group,Austria) 187
   Microscale Magnetic Components for the Application of DC-DC Converters Operating in the 1-10 MHz Range / David Flynn(Heriot-Watt University,UK),Anthony Toon and Marc Desmulliez 192
   Low-Cost Active-Allignment of Single-Mode Fiber-Arrays / D. Weiland(Heriot Watt Universtity,UK), M.Luetzelschwab, M.P.Y.Desmulliez, A.Missoffe and C.Beck(TWI Ltd,UK) 199
   SAW Chemical Sensors based on AlGan/GaN Piezoelectric Material System: Acoustic Design and Packaging Considerations / L.Rufer(TIMA Lab,France), A.Torres, S.Mir, M.O.Alam(City University of Hong Kong, Hong Kong),T.Lalinsky(Slovak Academy of Sciences, Slovak Republic) and Y.C.Chan(City University of Hong Kong,Hong Kong) 204
Packaging(2)
   Evaluation of Thermal Deformation Behavior in Electronic Package using UV Moire Interferometry / Jin-Hyoung Park(KAIST,Korea)and Soon-Bok Lee 209
   Evaluation of Fatigue Strength for Solder Joints after Thermal Aging / Takeshi Miyazaki(Tokyo Institute of Technology), Masaki Omiya,Hirotsugu Inoue, Kikuo Kishimoto and Masazumi Amagai(Texas Instruments) 215
   Local Thermal Deformation and Residual Stress of a Thin Si Chip Mounted on a Substrate Using An Area-Arrayed Flip Chip Structure / Hideo Miura(Tohoku University),Nobuki Ueta and Yuhki Sato 220
   The Novel Flip Chip Ball Grid Array Design and Challenges to Enable Higher Routing Density and Power Requirement / Chee Wai Wong(Intel Technology,Malaysia),Chee Kheong Yoon and Seng Hooi Ong 226
   Fatigue Crack Growth in Lead-free Solder Joints / Masaki Omiya(Tokyo Institute of Technology), Kikuo Kishimoto and Masazumi Amagai(Texas Instrument) 232
Modeling ＆ Simulation(1)
   A Study of Hot Spot in Silicon Device for Stacked Die Packages / Jotaro Akiyama(Texas Instruments Japan Limited),Masanobu Naeshiro and Masazumi Amagagai 238
   Modeling the Lamination Process for Ruggedised Displays / Yek Bing Lee(University of Greenwich, UK), Chris Bailey, Hua lu, Steve Riches,Martin Bartholomew and Nigel Tebbit 243
   Modeling and Simulation of a Fluid-driven Microturbine / Chanwut Sriphung(Heriot-Watt University,UK) and Resh Dhariwal 247
Modeling ＆ Simulation(2)
   Stress Intensity Factors of Interface Corners / Chyanbin Hwu(National Cheng Kung University,Taiwan) and T.L.Kuo 252
   The Impact of Capacitors Selection and Placement to the ESL and ESR / Huang Jimmy Huat Since(Intel Microelectronic,Malaysia), Sijher Taninder S and Beh Jiun Kai 258
   Evaluation of Drop Impact Load for Portable Electronic Components / Takahiro Omori(Toshiba Corporation), Hirotsugu Inoue(Tokyo Institute of Technology), Noriyasu Kawamura(Toshiba Corporation), Minoru Mukai,Kikuo Kishimoto(Tokyo Institute of Technology) and Takashi Kawakami(Toshiba Corporation) 262
   Nonlinear Dynamic Behavior of Thin PCB Board for Solder Joint Reliability Study under Shock Loading / Loh Wei Keat(Intel Technology,Malaysia), Lee Yung Hsiang. Ajay A/I Murugayah and Tay,Tiong We 268
Thermal Management
   Turbulence Modelling for Electronic Cooling: A Review / K.Dhinsa(University of Greenwich,UK), C.Bailey and K.Pericleous 275
   Heat Conduction in Composites of Thermally Dissimilar Materials-A Methodology to Economize Numerical Heat Transfer Analysis of Electronic Components / Wataru Nakayama(ThermTech International) 282
   Critical Appraisal of Thermo-Mechanical Reliability of Medium-Power Heterojunction Bipolar Transistors for Base Station and Military Applications Mounted in SOIC-8 Leadframe Based Plastic Overmold Packages with Conductive Silver Epoxy / Satbir Madra(WJ Communications,Inc,USA) 288
   A Study in Establishing Flip-Chip Ball Grid Array(FCBGA) Second Level Interconnect(SLI)Reliability Requirement by CFD Simulation / Lee Eng Kwong(Intel Technology, Malaysia) and Tan wool Aun 292
   Electro-Themal Analysis of Device Interactions in Si CMOS Structure / Tomoyuki Hatakeyama(Tokyo institute of Technology), Kazuyoshi Fushinobu and Ken 296
KEYNOTE LECTURES
   The Story Behind the Red Phosphorus Mold Compound Device Failures / prof.Michael Pecht,University of Maryland,USA 1
   Semiconductor Integrated Circuit Packaging Technology Challenges-Next Five Years / Dr. Mario A. Bolanos, Texas Instruments Inc., USA 6
21.

図書

東工大
目次DB
図書
東工大
目次DB
21. 分子デバイスおよび分子マシン : ナノワールドへの誘い
V. Balzani, A. Credi, M. Venturi原書編 ; 廣瀬千秋翻訳
出版情報: 東京 : エヌ・ティー・エス, 2006.10  vi, ix, 470, viip ; 27cm
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
監訳者まえがき i
翻訳にあたって ii
監訳者・翻訳者のプロフィール iii
序言 iv
Chapter1 概論 1
   1 分子レベルのデバイス(素子)とマシン(機械) 1
   2 素子と機械の小型化(ミニチュア化) 2
   3 トップダウンアプローチ 3
   4 ボトムアップアプローチ 4
   4.1 原子からのボトムアップ 5
   4.2 分子からのボトムアップ 6
   5 (多元)超分子の化学 7
   5.1 巨大分子と(多元)超分子系の比較 9
   5.2 自己組織化と共有結合性合成設計 11
   5.3 超分子化学、芸術、ナノテクノロジー 13
   参考・引用文献 15
PART1 電子および電子エネルギーのプロセシングを行うためのデバイス 19
Chapter2 電子移動およびエネルギー移動の基本原理 19
   1 はじめに 20
   2 光誘起型の電子移動過程とエネルギー移動過程 20
   2.1 電子移動 20
   2.1.1 電子因子 21
   2.1.2 原子核因子 23
   2.2 エネルギー移動 23
   2.2.1 クーロンメカニズム 24
   2.2.2 交換機構 26
   2.3 架橋の役割 29
   参考・引用文献 29
Chapter3 分子導線および関連系 31
   1 はじめに 31
   2 伝導率測定 33
   3 電極における電子移動過程 34
   4 光誘起電子移動 35
   4.1 金属錯体を含む共有結合連結系 38
   4.2 有機化合物をベースにした共有結合連結系 38
   4.3 ポルフィリンを含む共有結合連結系 41
   4.4 DNA系および関連系 42
   5 不均一型光誘起電子移動 45
   6 エネルギー移動 46
   6.1 金属錯体を含む共有結合連結系 46
   6.2 有機化合物をベースにした共有結合連結系 49
   6.3 ポルフィリンを含む共有結合連結系 53
   6.4 DNA系および関連系 53
   参考・引用文献 55
Chapter4 電子移動過程およびエネルギー移動過程のスイッチング 61
   1 はじめに 61
   2 電子移動過程のスイッチング 62
   2.1 光子入力 62
   2.1.1 長寿命スイッチング 63
   2.1.2 高速および超高速スイッチング 67
   2.2 酸化還元入力 72
   2.3 酸塩基入力 75
   2.4 その他の因子 78
   3 エネルギー移動過程のスイッチング 79
   3.1 光子入力 79
   3.2 酸化還元入力 82
   3.3 酸塩基入力 84
   3.4 その他の因子 85
   参考・引用文献 87
Chapter5 光捕集アンテナ 91
   1 はじめに 91
   2 天然のアンテナ系 92
   3 ポルフィリンをベースにした配列 94
   4 多重発色団型のシクロデキストリン 98
   5 デンドリマー 99
   5.1 金属錯体を含むデンドリマー 100
   5.1.1 コアとしての金属錯体 100
   5.1.2 分岐中心ごとの金属錯体 103
   5.2 有機化合物ベースのデンドリマー 105
   5.3 ポルフィリンを含むデンドリマー 108
   5.4 ホストーゲスト系 112
   5.5 光誘起電子移動 117
   6 その他の系 117
   6.1 高分子電解質 117
   6.2 ポリマー 117
   6.3 ロタキサン 118
   6.4 ゼオライト 119
   参考・引用文献 121
Chapter6 光誘起電荷分離と太陽エネルギーの変換 126
   1 はじめに 126
   2 自然界の反応中心 127
   2.1 序論 127
   2.2 バクテリアによる光合成 128
   2.3 光化学系Ⅱ 131
   3 人工の反応中心 132
   3.1 序論 132
   3.2 2分子連結系 133
   3.3 3分子連結系 133
   3.4 4分子および5分子連結系 140
   3.5 アンテナ-反応中心系 144
   3.5.1 ポリフィリンをベースとする配列 144
   3.5.2 2層膜 147
   3.5.3 自己組織化単層膜 149
   3.5.4 層状集合体およびゼオライト 149
   3.6 酸素発生系 150
   4 ハイブリッド型の反応系 153
   4.1 光りからプロトン駆動力への変換 153
   4.2 光駆動によるATP生成 155
   5 太陽エネルギーの人工変換 156
   5.1 光から燃料への変換 156
   5.2 光から電力への変換 158
   参考・引用文献 161
PART2 メモリ、論理ゲート、および関連系 168
Chapter7 双安定システム 168
   1 はじめに 168
   2 フォトクロミックシステム 170
   3 ホスト－ゲスト相互作用の変調 173
   4 蛍光スイッチ 174
   5 キロオプティカルスイッチ 175
   5.1 立体的に過密なアルケン分子 177
   5.2 ジアリールエテン分子 178
   6 光化学反応を用いる生体分子スイッチ 179
   7 エレクトロクロミックシステム 183
   8 酸素還元スイッチ 184
   9 他のシステム 185
   参考・引用文献 186
Chapter8 多状態 多機能システム 191
   1 はじめに 191
   2 双フォトクロミック超分子システム 192
   3 光化学的入力と他の刺激の組み合わせ 194
   3.1 3-状態システム。書き込み-ロック-読み出し-アンロック-消去サイクル 194
   3.2 直交型の光化学刺激-電気化学刺激 196
   3.3 直交型の光化学刺激-(酸塩基)刺激 199
   3.4 分子シフトレジスタ 204
   4 多電子型酸化還元過程 209
   4.1 等価な酸化還元ユニットをもつシステム 210
   4.2 非等価な酸化還元ユニットをもつシステム 214
   5 電気化学的入力と化学的入力の組み合わせ 218
   6 多重化学入力 220
   参考・引用文献 221
Chapter9 論理ゲート 226
   1 はじめに 226
   2 論理ゲートの基本概念 227
   3 分子スイッチによる論理ゲート 229
   4 基本的な論理ゲート 230
   4.1 YESゲート 231
   4.2 NOTゲート 231
   4.3 ORゲート 232
   4.4 ANDゲート 233
   4.5 NORゲート 234
   4.6 NANDゲート 234
   4.7 XORゲート 235
   4.8 XNORゲート 237
   5 組み合わせ型論理 238
   5.1 INH機能 238
   5.2 EnOR機能 238
   5.3 半加算器 239
   5.4 3-状態3-入力2-出力型分子スイッチ 242
   6 ニューラル型システム 243
   6.1 内因性関値メカニズムで制御するXOR論理システム 243
   6.2 パーセプトロン型システム 245
   7 分子スイッチ間の通信 247
   8 オリゴヌクレオチドをベースにした計算 249
   9 分子ベースの電気回路 251
   10 むすび 251
   参考・引用文献 253
PART3 分子スケールのマシン 256
Chapter10 分子マシンの基本原理 256
   1 はじめに 256
   2 分子マシンのコンセプト 257
   3 エネルギー源 259
   3.1 化学的エネルギー 259
   3.2 光エネルギー 261
   3.3 電気化学的エネルギー 261
   4 その他の要請 262
   4.1 運動のタイプ 262
   4.2 制御とモニタリング 262
   4.3 リセット 262
   4.4 時間スケール 262
   4.5 機能 263
   参考・引用文献 263
Chapter11 自発的なマシン型運動 265
   1 はじめに 265
   2 ローター(回転子) 265
   3 はめば歯車(コグホイール) 266
   4 歯車(ギア) 268
   5 水かき車(パドルホイール) 269
   6 回転腕木(ターンスタイル) 269
   7 ブレーキ(制動装置) 270
   8 ラチェット(歯止め装置) 271
   9 分子回転儀(ジャイロスケーン)と回転儀(ジャイロスコープ) 273
   参考・引用文献 274
Chapter12 開閉および転位に関連する運動 276
   1 はじめに 276
   2 アロステリック(活性部位移動)運動 277
   2.1 アロステリック酵素 277
   2.2 人口のアロステリックシステム 278
   3 ピンセットと銛(ハルプーン) 281
   3.1 ピンセット 281
   3.2 ハルプーンおよび関連システム 284
   4 ホスト－ゲストシステムの組織化－解組織化の制御 285
   4.1 序論 285
   4.2 光誘超過程 287
   4.2.1 包接錯体 287
   4.2.2 金属イオンの放出 290
   4.3 酸化還元誘起プロセス 291
   5 タンパク質およびDNAにおける立体配座変化 294
   5.1 タンパク質における折りたたみと解きほぐれの過程 294
   5.2 DNAをベースとする分子マシン 295
   6 分子ロック 297
   7 金属イオンの転座 299
   7.1 酸化還元駆動プロセス 299
   7.2 (酸塩基)駆動プロセス 300
   8 イオンチャネル 302
   8.1 自然界の金属イオンチャネル 302
   8.2 天然プロトンポンプ 304
   8.3 人口のイオンチャネル 305
   8.3.1 序論 305
   8.3.2 天然チャネル形成体の修飾 306
   8.3.3 生体高分子をベースとするイオンチャネル 306
   8.3.4 合成イオンチャネルモデル 308
   参考・引用文献 309
Chapter13 回転運動 317
   1 はじめに 317
   2 自然界の回転モーター 318
   3 ハイブリッド型回転モーター 319
   4 人工系における回転運動 321
   4.1 化学駆動型のプロセス 322
   4.2 光化学駆動型のプロセス 327
   4.3 電気化学駆動型のプロセス 331
   4.4 その他の効果 333
   参考・引用文献 333
Chapter14 輪通し(スレッド)・輪抜き(アンスレッド)運動 336
   1 はじめに 336
   2 化学駆動型の運動 339
   2.1 金属-配位子配合をベースにしたシステム 339
   2.2 水素結合および静電相互作用をベースにしたシステム 339
   2.3 供与体-受容体相互作用をベースにしたシステム 344
   3 電気化学駆動型の運動 352
   4 光化学駆動型の運動 358
   5 不均一システム 363
   参考・引用文献 367
Chapter15 直線運動 374
   1 はじめに 374
   2 自然界のリニアモーター 374
   3 ロタキサンにおける直線運動 378
   3.1 序論 378
   3.2 化学的に駆動されるシステム 382
   3.2.1 金属錯体をベースにするロタキサン 382
   3.2.2 水素結合および供与体-受容体相互作用をベースにするロタキサン 384
   3.2.3 ククルビトウリルをベースにするロタキサン 388
   3.2.4 シクロデキストリンをベースにするロタキサン 390
   3.3 電気化学的に駆動されるシステム 392
   3.4 光化学的に駆動されるシステム 396
   3.5 今後の展望 403
   3.5.1 3-状態ロタキサン 403
   3.5.2 キャリアとしてのロタキサン 403
   4 表面および固体担持体への ロタキサン連結 405
   4.1 光スイッチ能をもつ表面結合ロタキサン 405
   4.2 ロタキサンをベースとする電子デバイス 407
   参考・引用文献 408
Chapter16 知恵の輪分子カテナンにおける運動 413
   1 はじめに 413
   1.1 合成 413
   1.2 輪転過程 416
   1.3 機能性カテナン 418
   2 化学的に駆動された運動 422
   3 電気化学的に駆動された運動 426
   4 光化学的に駆動された運動 432
   5 今後の展望 434
   5.1 カテナンにおける単方向円周運動 434
   5.2 ロタカテナン分子のギア 434
   6 表面および固体担持体へのカテナンの連結 436
   6.1 カテナンの2次元配列 436
   6.2 カテナンをベースとする固体デバイス 437
参考・引用文献 441
用語集 445
略記表 466
監訳者まえがき i
翻訳にあたって ii
監訳者・翻訳者のプロフィール iii
22.

図書
図書
22. 電気・電子の基礎
毛塚博史編著 ; 中野善明, 光井俊治 [執筆]
出版情報: 東京 : 実教出版, 2006.4  172p ; 21cm
シリーズ名: 専門基礎ライブラリー
所蔵情報: loading…
23.

図書
図書
23. ハンディブック電子. 改訂2版
藤井信生監修
出版情報: 東京 : オーム社, 2006.1  xiv, 539p ; 21cm
所蔵情報: loading…
24.

図書

東工大
目次DB
図書
東工大
目次DB
24. 二十年の進歩 : レーザー総研
山中千代衛編
出版情報: 大阪 : レーザー技術総合研究所, 2007.11  464p ; 21cm
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
1　創立の周年に寄せて
   レーザーは太ったフォトン［宮島　龍興］ 1
   進化する光科学技術［霜田　光一］ 2
   持続的成長の鍵［石田　寛人］ 5
   光科学とレーザー［宅間 宏］ 6
   研究と山勘［田幸　敏治］ 8
   財団法人レーザー技術総合研究所の立ち上げに参加して［結城　章夫］11
   レーザー総研二十周年に寄せて［西津　潤一］ 12
   高速点火核融合炉実現への期侍［苫米地　顯］ 13
   ILTと光議連［坂田　東一］ 17
   レーザー総研二十周年に寄せて［中原　恒雄］ 18
   レーザー技術やレーザー技術総合研究所に対する思い出、エピソード［晝馬　輝夫］ 21
   阪大レーザー研四半世紀前の思い［尾崎　正直］ 22
   レーザー総研二十周年に寄せて［内田岱二郎］ 25
   レーザー総研二十周年に寄せて［北田　幹夫］ 27
   レーザー総研への期侍［尾形　仁士］ 29
   レーザー核融合研究への参加の想い出［西川　恭治］ 31
   手作りのレーザーが発振した日［櫛田　孝司］34
   社会とのむすびつき［田島　俊樹］ 35
   レーザー技術総合研究所の萌芽時代［藤岡　知夫］ 36
   プラズマ診断とレーザー［藤田　順治］ 38
   小さいレーザ、大きいレーザ［伊賀　健一］ 41
   レーザー総研二十周年に寄せて［佐々木三郎］ 44
   光科学の意識改革［山内 薫］ 48
   人工網膜LSIの着想と事業化まで［久間　和生］ 49
   私の進学分野を変えたレーザーと光表面改質［村原　正隆］ 52
   最新レーザ利用生産システムの発展［沓名　宗春］ 53
   レーザー干渉計測定の進歩［永井　達二］ 56
－海外からの祝辞－
   Jean-Paul Watrau 58
   Siegbert Witkowski 59
   Michael Key 60
   Guillermo Velarde 62
   Zhizhan Xu 63
   Heinrich Hora 64
   Allan Offenberger 66
2　レーザーと共に
   レーザー・光技術による新産業創成へ向けて［中井　貞雄］ 67
   財団法人レーザー技術総合研究所創立二十周年を祝して［豊田　浩一］ 70
   高エネルギー密度状態とレーザー核融合の研究と高出力レーザー科学［三間　圀興］ 72
   レーザー核融合の波及効果開発［山中　正宣］ 75
   レーザーEUV光源開発共同研究と今後のILTへの期待［西原　功修］ 76
   太陽光励起レーザーが拓くマグネシウム社会［矢部 孝］ 79
   非線形光学結晶CLBOからタンパク質結晶化への展開［森　勇介・佐々木孝友］ 82
   ますます重要な環境問題［中島　信昭］ 86
   FIREX計画［疇地 宏］ 88
   レーザー総研二十周年に寄せて［田中　和夫］ 93
   創立二十周年に寄せて［乗松　孝好］ 96
   レーザー研の一員となって［萩行　正憲］ 98
   レーザープラズマ極端紫外（EUV）光源開発研究［西村　博明］ 102
   レーザー同位体分離の研究から思う基礎研究の重要性［阪部　周二］ 105
   レーザー総研と阪大レーザー研について思うこと［猿倉　信彦］ 110
   レーザー総研二十周年に寄せて［實野　孝久］ 112
   原子法レーザー同位体分離［藤田　尚徳］ 114
   原子力とレーザー同位体分離［仁木　秀明］117
   レーザー利用技術普及のさきがけ［河村　良行］ 120
   光力［阪上　幸男］ 123
   レーザー総研二十周年に寄せて［藤原　閲夫］ 125
   粒子ビーム技術とレーザー技術［宮本　修治］ 128
   私にとってのCO2レーザー［北嶋　巌］ 130
   固体レーザーのルネサンス［金邉　忠］ 132
   世界最大から最小まで［横谷　篤至］ 135
   レーザー総研二十周年に寄せて［村上　匡且］ 138
   活用したいバブルの遺産［吉田 実］ 140
   レーザー同位体分離とレーザービーム伝播［陳　延偉］ 143
   レーザー総研二十周年に寄せて［池田　直昭］ 146
   レーザー総研二十周年に寄せて［遠藤　琢磨］ 148
   核融合実験屋と光科学［中井　光男］ 151
   レーザー総研二十周年に寄せて［陳　基忠］ 153
   誘雷から太陽エネルギーサイクルへ［内田　成明］ 154
   レーザー総研でお世話になった二年半［出口　博史］ 156
   レーザー総研二十周年に寄せて［足立　智］ 159
   レーザー総研での研究の思い出［草場　光博］ 162
   レーザー総研での自由電子レーザー開発研究［浅川 誠］ 165
   レーザー総研二十周年に寄せて［柴田 穣］ 168
   レーザー総研二十周年に寄せて［橋田　昌樹］ 170
3　レーザー総研の誕生［山中千代衛］ 172
4　レーザー総研の構成
   レーザー総研の構成［山中千代衛］ 187
   総研二十周年に寄せて［中塚　正大］ 190
   自由電子レーザーを求めて［今崎　一夫］ 192
   太陽光励起レーザーの開発［佐伯　拓］ 195
   レーザーγ線による原子炉核変換消滅処理［今崎　一夫］ 202
   超短パルスレーザーの開発［藤田　雅之］ 205
   レーザー超音波リモートセンシング［島田　義則］ 213
   白色光ライダーの開発［藤田　雅之］ 216
   レーザー誘雷研究者の武勇伝［島田　義則］ 221
   カーボンナノチューブの新応用研究（CNTを用いた化学有害物質の無害化処理）［山浦　道照］ 225
   超短パルスレーザー加工［藤田　雅之］ 228
   極端紫外（EUV）光源開発［砂原　淳］ 234
   レーザー核融合炉設計研究［古河　裕之］ 240
   結晶は呼吸する？［本越　伸二］ 244
   溶液及び光活性蛋白質の超高遠光反応のダイナミクスとメカニズムの解明［又賀　曻］ 247
   レーザー総研創立二十周年に寄せて［谷口　誠治］ 249
   Ultrafast Fluorescence Dynamics of Proto-recptor Proteins: Early Studies Recent Developments［Haik Chosrowian］ 253
   新しいニーズを求めて［本越　伸二］ 256
5　光と蔭のはざま
   年々歳々花相似たり、歳々年々人同じからず 259
   教師の冥利 261
   夢か希望か 263
   大学のビッグバーン 264
   森理事長への感謝 266
   終戦六十年に際して 268
   中空的権力構造とリーダーシップ 270
   IFSA2005とテラー賞 272
   今年のノーベル科学賞決定に際して 274
   求めよ　さらば与えられん 276
   規律の崩壊とその対策 278
   わが国のありすがた 280
   又賀　曻教授の日本学士院賞受章を祝う 282
   わが国の科学技術開発への願い 284
   人はパンのみにて生きるものにあらず 286
   世界に出て戦うには 288
   人脈について 290
   ILEとILTとOEL 292
   科学技術の未来予測 294
   ハイパワーレーザー研究四十年と今後の展望 297
   Seven Stars 299
   精神一到何事か成らざらん 301
   レーザー総研諮問会議 303
   IFE（慣性核融合エネルギー）フォーラム 305
   電気学会元会長会に出席して 307
   伏見康治先生白寿のお祝い 309
   リーダーの権限と能力 311
   レーザー学会年次大会に思う 313
   第三次科学技術基本計画に向けて 315
   (財)レーザー技術総合研究所の諮問会議発足 317
   IFE（Intertial Fusion Energy）フォーラムの会合について 320
   研究への導き 322
   科学技術立国と大学の現場 324
   池谷元伺教授の急逝を悼む 326
   日本の再生 328
   ILE参与会開催される 330
   (財)レーザー技術総合研究所の現況 333
   第二十九回ECLIMについて 335
   Spectrum誌について 337
   Allan Offenbergerの抱負 339
   研究ネットワークの価値 342
   慣性核融合研究開発史－レーザー核融合研究パイオニア物語－上梓決まる 344
   Entropia Laser Initiative 346
   大学の危機 348
   成果報告会を終えて 350
   修身斉家治国平天下 352
   レーザー研シンポジウム2006にて 354
   お盆の八月十五日 357
   夏の終わり 359
   三つ子の魂百まで 361
   「レーザークロス」 363
   潮の目は変るか 365
   戦術（Tactics）と戦略（Strategy） 367
   教育再生会議に期待すること 370
   大阪大学レーザーエネルギー学研究センター全国共同利用施設発足の祝典に当って 373
   団塊の世代とその前後 376
   本音と建前 378
   Velardeの悲願達成 380
   研究所作戦要務令 382
   教育再生会議に望む 384
   歴史の伝承 386
   改正教育基本法の成立 388
   新年会ILFメンバーに向けての餞 390
   阪大電気系新年交礼会スピーチ 393
   レーザー学会年次大会に出席して 395
   ポスト石油エネルギーをどうするか 398
   いつも浮ぶ三月の感想 400
   レーザー総研役員会開催 403
   レーザートライアングル 406
   (社)レーザー学会第三十五回通常総会にて 408
   レーザー技術総合研究所創立二十周年記念座談会 411
   攻めと守りとお手上げと 415
   8月に思う 417
   レーザーエネルギー統合研究戦略 419
   原子力ルネッサンス 422
   レーザー総研諮問会議 424
   第五回慣性核融合科学とその応用国際会議開催（IFSA 2007、 Kobe） 424
   第五回慣性核融合科学と応用国際会議（IFSA2007）を終えて（一） 430
   第五回慣性核融合科学と応用国際会議（IFSA2007）を終えて（二） 432
   慣性核融合研究（ICF）はどこまできたか 435
おわりに
編集後記
レーザー技術総合研究所所長　研究暦年表
1　創立の周年に寄せて
   レーザーは太ったフォトン［宮島　龍興］ 1
   進化する光科学技術［霜田　光一］ 2
25.

コンピュータファイル
コンピュータファイル
25. 光通信研究論文 : Optical communications
末松安晴
出版情報: [出版地不明] : [末松安晴], 2004.4  DVD-ROM1枚 ; 12cm
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26.

図書
図書
26. 鉄道模型と電子工作 : 華麗な列車走行と光・サウンドで飾る
智田聡丞著
出版情報: 東京 : CQ出版, 2009.9  215p ; 24cm
シリーズ名: 電子工作hi-techシリーズ
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27.

図書
図書
27. 電気電子工学概論
磯村滋宏 [ほか] 著
出版情報: 東京 : 朝倉書店, 2000.9  iv, 154p ; 21cm
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28.

図書

東工大
目次DB
図書
東工大
目次DB
28. 基礎からのメカトロニクス
岩田哲郎 [ほか] 共著
出版情報: 東京 : 日新出版, 2007.4  ix, 145p ; 21cm
シリーズ名: 実用理工学入門講座
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第1章　電子回路の基本
   1・1　初歩的事項 1
   　1・1・1　計量単位の接頭語 1
   　1・1・2　電圧と電流 1
   　1・1・3　アースの考え方 2
   　1・1・4　合成抵抗 3
   　1・1・5　交流の実効値 4
   　1・1・6　インピーダンス 4
   　1・1・7　インダクタンスとキャパシタンス 4
   1・2　電圧信号と伝送 5
   　1・2・1　定電圧源と定電流源 5
   　1・2・2　信号源抵抗と負荷抵抗 6
   　1・2・3　テブナンとノートンの等価回路 6
   　1・2・4　入力インピーダンスと出力インピーダンス 9
   1・3　周波数特性 9
   　1・3・1　インピーダンスの周波数特性 9
   　1・3・2　積分回路と微分回路 10
   　1・3・3　電流共振回路と電圧共振回路 11
   1・4　半導体素子 12
   　1・4・1　ダイオード 12
   　1・4・2　トランジスタ 13
   　1・4・3　FET 14
   　1・4・4　サイリスタ 15
   1・5　負帰還増幅器 16
   　1・5・1　負帰還増幅器 16
   　1・5・2　負帰還増幅器の特性 17
   　1・5・3　多段フィードバック系 19
   1・6　増幅器の分類と等価回路 20
   　1・6・1　増幅器の分類 20
   　1・6・2　4種類の理想的な増幅器 21
   　1・6・3　フィードバックの実施方法 21
   　1・6・4　4種類の理想的フィードバック回路 22
   　1・6・5　オペアンプを用いた4種類のフィードバックアンプ 23
   　1・6・6　入力インピーダンスに対するフィードバックの影響 24
   　1・6・7　出力インピーダンスに対するフィードバックの影響 25
   　1・6・8　4種類の増幅器のまとめ 26
   　1・6・9　負帰還回路の入出力インピーダンスの影響 26
   　1・6・10　信号源インピーダンスと負荷インピーダンスの影響 27
   1・7　オペアンプ回路 27
   　1・7・1　理想オペアンプ 27
   　1・7・2　反転増幅器・非反転増幅器・差動増幅器・コンパレータ 28
   　1・7・3　反転増幅器の解析 28
   　1・7・4　オペアンプ回路の簡便な設計法 29
   　1・7・5　周波数特性 30
   　1・7・6　ボルテージフォロアとバッファアンプ 31
   　1・7・7　加算器と積分器 32
   　1・7・8　オペアンプの周波数応答 32
   　1・7・9　インスツルメンテーションアンプ 33
   　1・7・10　ホイートストーンブリッジとインピーダンスブリッジ 33
   　1・7・11　ウイーンブリッジ発振器 34
   　1・7・12　対数増幅器 35
   演習問題1 37
第2章　センサーと回路
   2・1　基本的事項 38
   　2・1・1　センサーの選択 38
   　2・1・2　感度とダイナミックレンジ 39
   　2・1・3　直線性 39
   　2・1・4　SN 比 39
   　2・1・5　ダイナミックレンジ 40
   　2・1・6　非直線性の問題 40
   　2・1・7　レスポンス 40
   　2・1・8　オフセットとドリフト 41
   　2・1・9　再現性 41
   　2・1・10　互換性 41
   　2・1・11　精度と正確度 41
   2・2　センサーの種類について 42
   　2・2・1　人間の五感とセンサー 42
   　2・2・2　コンピュータの役割 42
   　2・2・3　センサーと配線抵抗の問題 43
   2・3　光センサー 44
   　2・3・1　光検出器の分類 44
   　2・3・2　フォトダイオード 46
   　2・3・3　簡易型照度計 47
   　2・3・4　フォトトランジスター 47
   　2・3・5　フォトカプラー 48
   　2・3・6　光電増倍管 48
   　2・3・7　発光ダイオード 49
   　2・3・8　プランクの黒体輻射 50
   　2・3・9　放射単位系と測光単位系 52
   　2・3・10　UV トロンガスセンサー 53
   　2・3・11　放射能 53
   2・4　温度センサー 53
   　2・4・1　熱電対 54
   　2・4・2　熱電対の基本回路 55
   　2・4・3　リニアライザー回路 56
   　2・4・4　冷接点補償回路 56
   　2・4・5　IC 化温度センサー 57
   　2・4・6　サーミスター 57
   　2・4・7　白金測温抵抗体 58
   　2・4・8　放射温度計 60
   2・5　圧力センサー 61
   　2・5・1　ストレインゲージ 61
   　2・5・2　ストレインゲージの定電流駆動 62
   　2・5・3　ストレインゲージの定電圧駆動 63
   　2・5・4　加速度センサー 64
   2・6　磁気センサー 64
   　2・6・1　磁場の測定 64
   　2・6・2　ホール素子 65
   　2・6・3　ホール素子の基本駆動回路 66
   　2・6・4　磁気抵抗素子 67
   2・7　電流センサー 67
   　2・7・1　基準抵抗 67
   　2・7・2　電流トランス 68
   　2・7・3　ホール素子を利用した電流センサー 69
   2・8　超音波センサー 70
   　2・8・1　超音波の性質 70
   　2・8・2　圧電素子の等価回路 71
   　2・8・3　超音波厚さ計 72
   2・9　その他のセンサー 72
   　2・9・1　臭い・味覚センサー 72
   　2・9・2　ジャイロ 73
   　2・9・3　MEMS 74
   演習問題2 75
第3章　モーターと駆動回路
   3・1　電気と磁気に関する基礎知識 76
   　3・1・1　磁気回路と電気回路 76
   　3・1・2　電流と磁束の関係，フレミングの法則 78
   　3・1・3　DCモータの原理 79
   3・2　モータの駆動方法とその特性 81
   　3・2・1　トランジスタ 81
   　3・2・2　オンオフ制御 83
   　3・2・3　PWM 駆動 84
   　3・2・4　H ブリッジ回路によるモータの正転，逆転 85
   　3・2・5　リニア駆動 86
   　（1）電圧制御 86
   　（2）電流制御 87
   　3・2・6　DC モータの特性 88
   　（1）TN特性 88
   　（2）TI特性 88
   　3・2・7　ダンパ （ブレーキ） としてのDC モータ 89
   3・3　インダクションモータ 89
   　3・3・1　アラゴの円盤と過電流 89
   　3・3・2　誘導モータの構造 90
   　3・3・3　磁界を回す 91
   　3・3・4　誘導モータの特性と制御方法 94
   　3・3・5　駆動法 94
   3・4　ステッピングモータ 95
   　3・4・1　ステッピングモータの動作原理 95
   　（1）VR型 95
   　（2）PM型 96
   　（3）HB型 97
   　3・4・2　駆動方式と励磁方式 99
   　3・4・3　マイクロステップ駆動 101
   　3・4・4　ステッピングモータの特性 102
   　3・4・5　速度トルク特性の改善 104
   3・5　位相同期ループ 105
   　3・5・1　モータの駆動情報から回転数を求める 105
   　3・5・2　センサを用いて回転数を求める 107
   　3・5・3　PLL 制御 110
   演習問題3 113
第4章　　生体とメカトロニクス工学
   4・1　精密機械としての生体 114
   　4・1・1　エネルギー利用率 114
   　4・1・2　生体と制御 118
   4・2　フィードバックとサーボ 118
   　4・2・1　ネガティブ・フィードバックとポジティブ・フィードバック 118
   　4・2・2　治療とサーボ 121
   4・3　感覚とセンサー 121
   　4・3・1　深部感覚 121
   　4・3・2　平衡感覚 122
   　4・3・3　聴覚 123
   　4・3・4　視覚 127
   　（1）眼球の構造 127
   　（2）遠近感覚 128
   　（3）色覚と明暗覚 129
   　（4）空間分解能 129
   　（5）視力 131
   演習問題4 133
演習問題解答 135
参考文献 137
索引 139
第1章　電子回路の基本
   1・1　初歩的事項 1
   　1・1・1　計量単位の接頭語 1
29.

図書

東工大
目次DB
図書
東工大
目次DB
29. 超波及度で世界を変えたイノベーター : 電子・情報分野の開拓者8人
垂井康夫編
出版情報: 東京 : オーム社, 2007.7  267p ; 20cm
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まえがき
1　リーナス・トーバルズ : リナックス開発リーダーのプロファイル 1
   リナックスファウンデーション
   執筆・赤城三男
2　リチャード・ストールマン : フリーソフトウェアGNUのグル 39
   フリーソフトウェア財団
3　久多良木健 : 「プレイステーション」市場創出と次世代エンタテインメント機器開発への挑戦 67
   （株）ソニー・コンピュータエンタテインメント名誉会長
   執筆・横渕裕三
4　榎　啓一 : 新大陸iモードの発見 103
   （株）エヌ・ティ・ティ・ドコモ東海代表取締役社長
5　廣瀬真人 : 「ＡＳＩＭＯ」の生みの親 137
   (株）本多技研研究所基礎技術研究センター上席研究員
   執筆・禿節史
6　飯島澄男 : ナノスケール構造の解明に人生を賭けた電子顕微鏡のスーパースぺシャリスト 171
   名城大学教授／NEC特別主席研究員／（独）産業技術総合研究所ナノカーボン研究センター長
   執筆・相﨑尚昭
7　松波弘之 : SiC半導体・デバイス実用化に貢献 203
   （独）科学技術振興機構（JST）JSTイノベーションプラザ京都館長
8　三村高志 : HEMTを開発し、ITに多大な貢献 241
   （株）富士通研究所フェロー
   執筆・三浦義男
あとがき 268
執筆者照会 270
まえがき
1　リーナス・トーバルズ : リナックス開発リーダーのプロファイル 1
   リナックスファウンデーション
30.

図書

東工大
目次DB
図書
東工大
目次DB
30. 独習電気/電子工学
スタン ギビリスコ著 ; 日向俊二訳
出版情報: [東京] : 翔泳社, 2007.8  xiv, 585p ; 23cm
所蔵情報: loading…
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はじめに xii
第1部　直流 1
第1章　基本的な物理学の概念 3
   1.1　原子 4
   1.2　陽子、中性子、原子番号 4
   1.3　アイソトープと原子量 5
   1.4　電子 5
   1.5　イオン 6
   1.6　化合物 7
   1.7　分子 7
   1.8　導体 8
   1.9　絶縁体 9
   1.10　抵抗器 9
   1.11　半導体 10
   1.12　電流 11
   1.13　静電気 11
   1.14　起電力 12
   1.15　非電気的エネルギー 13
   理解度チェック 15
第2章　電気の単位 17
   2.1　ボルト18
   2.2　電流 19
   2.3　電流の単位 20
   2.4　抵抗の単位 20
   2.5　コンダクタンスの単位 22
   2.6　電力の単位 23
   2.7　表記について 25
   2.8　エネルギーの単位 26
   2.9　エネルギーのその他の単位 27
   2.10　交流 28
   2.11　整流とパルス状の直流 29
   2.12　電気と安全性 30
   2.13　磁気 30
   2.14　磁気の単位 31
   理解度チェック 32
第3章　計測器 35
   3.1　電磁気の検出 36
   3.2　静電気の測定 37
   3.3　熱と電流 38
   3.4　電流計 38
   3.5　電圧計 40
   3.6　抵抗計 41
   3.7　マルチメーター 42
   3.8　FET電圧計 42
   3.9　ワットメーター 43
   3.10　ワット時メーター 44
   3.11　デジタル測定器 44
   3.12　周波数カウンター 45
   3.13　そのほかの種類のメーター 46
   理解度チェック49
第4章　直流回路の基礎 51
   4.1　回路の記号 52
   4.2　概略図と配線図 53
   4.3　回路の電圧、電流、抵抗 53
   4.4　オームの法則 54
   4.5　電流の計算 55
   4.6　電圧の計算 56
   4.7　抵抗の計算 57
   4.8　電力の計算 58
   4.9　直列抵抗 59
   4.10　並列抵抗 60
   4.11　電力の分割 61
   4.12　直列並列ネットワークの抵抗 61
   理解度チェック 63
第5章　直流回路の分析 65
   5.1　直列抵抗を流れる電流 66
   5.2　直列抵抗の両端の電圧 66
   5.3　並列抵抗の両端の電圧 68
   5.4　並列抵抗を流れる電流 69
   5.5　直列回路における電力の分配 70
   5.6　並列回路における電力の分配 71
   5.7　キルヒホッフの第一法則 72
   5.8　キルヒホッフの第二法則 74
   5.9　電圧分割ネットワーク 75
   理解度チェック 77
第6章　抵抗器 79
   6.1　抵抗器の目的 80
   6.2　固定抵抗器 82
   6.3　ポテンショメーター 84
   6.4　デシベル 86
   6.5　抵抗器の仕様 87
   理解度チェック 91
第7章　電池とバッテリー 93
   7.1　電気化学エネルギー 94
   7.2　市販の電池とバッテリー 96
   7.3　小型電池とバッテリー 97
   7.4　鉛蓄電池 99
   7.5　ニッケルベースの電池とバッテリー 99
   7.6　光電池とバッテリー 100
   7.7　燃料電池 102
   理解度チェック 103
第8章　磁気 107
   8.1　地磁気 108
   8.2　原因と効果 109
   8.3　磁界の強さ 111
   8.4　電磁石 112
   8.5　物質の磁気的な特性 113
   8.6　磁気の応用例 115
   理解度チェック 119
   第1部のテスト 121
第2部　交流 127
第9章　交流の基礎 129
   9.1　交流の定義 130
   9.2　周期と周波数 130
   9.3　サイン波 131
   9.4　矩形波 131
   9.5　鋸波 132
   9.6　複雑な波形と不規則な波形 133
   9.7　周波数スペクトル 133
   9.8　サイクルの分割 134
   9.9　AC波の強さの表現 136
   9.10　発電機 138
   9.11　直流ではなく交流である理由 139
   理解度チェック 139
第10章　インダクタンス 143
   10.1　インダクタンスの特性 144
   10.2　実用的なインダクタ 144
   10.3　インダクタンスの単位 145
   10.4　直列インダクタ 145
   10.5　並列インダクタ 146
   10.6　インダクタの相互作用 147
   10.7　空芯コイル 149
   10.8　強磁性のコア 150
   10.9　無線周波数とインダクタ 152
   10.10　望ましくないインダクタンス 154
   理解度チェック 154
第11章　静電容量 157
   11.1　静電容量の特性 158
   11.2　実用的なコンデンサ 158
   11.3　静電容量の単位 159
   11.4　直列コンデンサ 159
   11.5　並列コンデンサ 160
   11.6　固定コンデンサ 161
   11.7　可変コンデンサ 164
   11.8　コンデンサの仕様 165
   11.9　相互キャパシタンス1 67
   理解度チェック 167
第12章　位相 169
   12.1　瞬間値 170
   12.2　電圧の変化率 170
   12.3　円とベクトル 171
   12.4　位相差の表現 172
   12.5　位相差のベクトル図 174
   理解度チェック 175
第13章　誘導リアクタンス 179
   13.1　コイルと直流 180
   13.2　コイルと交流 180
   13.3　リアクタンスと周波数 181
   13.4　RL平面の点 182
   13.5　RL平面でのベクトル 183
   13.6　電流の遅延 184
   13.7　遅延の程度 155
   理解度チェック 188
第14章　容量性リアクタンス 191
   14.1　コンデンサと直流 192
   14.2　コンデンサと交流 192
   14.3　容量性リアクタンスと周波数 193
   14.4　RC平面の点 194
   14.5　RC平面でのベクトル 195
   14.6　電圧の遅延 196
   14.7　遅延の程度 198
   理解度チェック 200
第15章　インピーダンスとアドミッタンス 203
   15.1　虚数 204
   15.2　複素数 204
   15.3　RX平面 207
   15.4　特性インピーダンス 209
   15.5　コンダクタンス 210
   15.6　サセプタンス 210
   15.7　アドミッタンス 212
   15.5　GB平面 213
   理解度チェック 214
第16章　RLC回路とGLC回路 217
   16.1　直列の複素インピーダンス 218
   16.2　直列RLC回路 220
   16.3　並列の複素アドミッタンス 222
   16.4　並列GLC回路 225
   16.5　GLC回路のまとめ 228
   16.6　複雑なRLC回路の短縮化 230
   16.7　AC回路のためのオームの法則 231
   理解度チェック 234
第17章　交流回路における力と共振 237
   17.1　力の形式 238
   17.2　実電力、VA電力、無効電力 240
   17.3　電力の伝送 245
   17.4　共振 248
   17.5　共振を起こす装置 252
   理解度チェック 254
第18章　変圧器とインピーダンスマッチング 257
   18.1　変圧器の原理 258
   18.2　変圧器の種類 260
   18.3　パワートランス 263
   18.4　絶縁とインピーダンスの整合 265
   18.5　無線周波数変圧器 267
   理解度チェック 270
   第2部のテスト 273
第3部　電子工学の基礎 279
第19章　半導体の概要 281
   19.1　半導体革命 282
   19.2　半導体の材料 282
   19.3　ドーピングと電荷のキャリア 284
   19.4　PN接合 285
   理解度チェック 288
第20章　ダイオード 291
   20.1　整流 292
   20.2　検波 292
   20.3　周波数逓倍 293
   20.4　信号ミキシング 294
   20.5　スイッチング 294
   20.6　電圧安定器 295
   20.7　振幅制限 295
   20.8　周波数制御 296
   20.9　発振と増幅 296
   20.10　エネルギー放出 297
   20.11　感光性ダイオード 299
   理解度チェック 300
第21章　電源 303
   21.1　電源トランス 304
   21.2　整流ダイオード 305
   21.3　半波整流回路 306
   21.4　全波センタータップ整流回路 306
   21.5　全波ブリッジ回路 307
   21.6　倍電圧回路 307
   21.7　フィルタリング 308
   21.8　定電圧回路 309
   21.9　装置の保護 310
   理解度チェック 313
第22章　バイポーラトランジスタ 317
   22.1　NPNとPNP 318
   22.2　バイアス 318
   22.3　増幅のためのバイアス電圧 320
   22.4　ゲインと周波数 322
   22.5　エミッタ接地回路 323
   22.6　ベース接地回路 323
   22.7　コレクタ接地回路 324
   理解度チェック 325
第23章　FET 327
   23.1　JFETの原理 328
   23.2　増幅 330
   23.3　MOSFET 331
   23.4　ソース接地回路 333
   23.5　ゲート接地回路 334
   23.6　ドレイン接地回路 334
   理解度チェック 335
第24章　アンプと発振器 337
   24.1　デシベル 338
   24.2　基本的なバイポーラトランジスタアンプ 341
   24.3　基本的なJFETアンプ 341
   24.4　アンプのクラス 342
   24.5　パワーアンプの効率 344
   24.6　ドライブとオーバードライブ 347
   24.7　音声の増幅 348
   24.8　無線周波数の増幅 349
   24.9　発振器 351
   24.10　一般的な発振器回路 352
   24.11　発振器の安定性 356
   24.12　音声発振器 357
   理解度チェック 359
第25章　無線送信機と無線受信機 363
   25.1　発振と増幅 364
   25.2　変調 364
   25.3　パルス変調 368
   25.4　A／D変換 370
   25.5　画像の伝送 370
   25.6　電磁場 373
   25.7　波の伝播 375
   25.8　伝送媒体 378
   25.9　基本的な受信機 380
   25.10　検波前のステージ 382
   25.11　検波器 384
   25.12　音声ステージ 386
   25.12　TVの受信 387
   25.14　特別な無線モード 388
   理解度チェック 391
第26章　デジタル回路の基礎 393
   26.1　N進法 394
   26.2　ロジック 395
   26.3　デジタル回路 399
   26.4　バイナリデジタル通信 400
   26.5　RGBカラーモデル 404
   理解度チェック 405
   第3部のテスト 407
第4部　さまざまなデバイスとシステム 413
第27章　アンテナ 415
   27.1　輻射抵抗 416
   27.2　半波長アンテナ 417
   27.3　四分の一波長バーチカルアンテナ 419
   27.4　ループアンテナ 420
   27.5　接地 421
   27.6　ゲインと指向性 422
   27.7　フェーズドアレイ 424
   27.8　パラスティックアレイ 425
   27.9　UHFと極超短波周波数のためのアンテナ 427
   27.10　安全性 429
   理解度チェック 430
第28章　IC 433
   28.1　IC技術の利点 434
   28.2　IC技術の限界 435
   28.3　リニアIC 435
   28.4　デジタルIC 438
   28.5　ICの集積度 440
   28.6　ICメモリ 441
   理解度チェック 442
第29章　電子管 445
   29.1　管の形式 446
   29.2　真空管の中の電極 446
   29.3　真空管回路の形式 449
   29.4　CRT 450
   29.5　撮像管 452
   29.6　300MHz以上で使う真空管 454
   理解度チェック 455
第30章　トランスデューサー、センサー、ロケーション、ナビゲーション 457
   30.1　ウェイブトランスデューサー 458
   30.2　変位トランスデューサー 460
   30.3　検出と測定 463
   30.4　ロケーションシステム 466
   30.5　ナビゲーションの方法 469
   理解度チェック 472
第31章　音響とオーディオ 475
   31.1　音響効果 476
   31.2　ラウドネスと位相 477
   31.3　Hi-Fiサウンドシステムの特性 478
   31.4　コンポーネントシステム 479
   31.5　特別なシステム 484
   31.6　録音メディア 485
   31.7　電磁気の干渉 488
   理解度チェック 488
第32章　パーソナル無線と趣味の無線 491
   32.1　セルラー通信 492
   32.2　衛星とネットワーク 493
   32.3　アマチュア無線と短波ラジオ 496
   32.4　セキュリティとプライバシー 498
   理解度チェック 501
第33章　コンピュータとインターネットの基礎 505
   33.1　CPU 506
   33.2　デジタルデータの単位 506
   33.3　ハードディスク 508
   33.4　外部記憶 509
   33.5　メモリ 510
   33.6　ディスプレイ 512
   33.7　プリンタ 514
   33.8　スキャナ 516
   33.9　モデム 518
   33.10　インターネット 520
   理解度チェック 523
第34章　モニタリング、ロボティックス、人工知能 525
   34.1　連続監視 526
   34.2　ロボットの世代と原則 529
   34.3　ロボットアーム 531
   34.4　ロボットの視覚と聴覚 534
   34.5　ロボットナビゲーション 537
   34.6　テレプレゼンス 540
   34.7　機械の心 542
   理解度チェック 544
   第4部のテスト 546
最終試験 552
参考文献 563
付録A : 解答編 564
付録B : 記号 566
索引 569
著者紹介 586
はじめに xii
第1部　直流 1
第1章　基本的な物理学の概念 3
31.

図書
図書
31. Current at the nanoscale : an introduction to nanoelectronics
Colm Durkan
出版情報: London : Imperial College Press, c2007  xii, 211 p. ; 24 cm
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
Preface
Macroscopic Current Flow / 1：
The Classical (Drude) Model of Electronic Conduction and Ohm's Law / 1.1：
The Quantum (Free-Electron) Model of Electronic Conduction / 1.2：
The Nearly-Free Electron Model of Electronic Conduction and Band Structure / 1.3：
Effective Mass / 1.4：
The Origins of Electrical Resistance / 1.5：
Size Effects on Electrical Resistance / 1.6：
Overview of Transistors / 1.7：
Surface Effects / 1.8：
Quantum Current Flow / 2：
Why Shrink Devices? / 2.1：
Point Contacts: From Mesoscopic to Atomic / 2.2：
Conductance from Transmission / 2.3：
Calculation of Transmission Probability and Current Flow in Quantum Systems / 2.4：
Introduction to the concept of transmission probability / 2.4.1：
Single potential step / 2.4.2：
Single potential barrier / 2.4.3：
Symmetric barrier: No applied voltage / 2.4.3.1：
Asymmetric barrier: Current flow due to applied bias / 2.4.3.2：
Double potential barrier / 2.4.4：
Symmetric barriers: No applied voltage / 2.4.4.1：
Tunnelling through multiple barriers with no phase coherence / 2.4.4.2：
Asymmetric barriers: Applied voltage / 2.4.4.3：
Resonant tunnelling devices: Further details / 2.4.4.4：
A more realistic calculation for a single potential barrier: The WKB approximation / 2.4.5：
Techniques for the Fabrication of Quantum Nanostructures / 2.5：
Mesoscopic Transport: Between the Nanoscale and the Macroscale / 3：
Introduction / 3.1：
Boltzmann Transport Equation / 3.2：
Resistivity of Thin Films and Wires: Surface Scattering / 3.3：
General principles / 3.3.1：
1D confinement: Thin film / 3.3.2：
2D confinement: Rectangular wire / 3.3.3：
2D confinement: Cylindrical wires / 3.3.4：
Resistivity of Thin Films and Wires: Grain-Boundary Scattering / 3.4：
Experimental Aspects: How to Measure the Resistance of a Thin Film / 3.5：
Scanning-Probe Multimeters / 4：
Scanning-Probe Microscopy: An Introduction / 4.1：
Scanning Tunnelling Microscopy / 4.2：
Basic principles / 4.2.1：
Scanning tunnelling microscopy in practise / 4.2.2：
Atomic Force Microscopy / 4.3：
Modes of operation of AFM / 4.3.1：
Kelvin-probe force microscopy / 4.3.2：
Conducting mode AFM / 4.3.3：
Electromigration: How Currents Move Atoms, and Implications for Nanoelectronics / 5：
Introduction to Electromigration, Wire Morphology / 5.1：
Fundamentals of Electromigration - The Electron Wind / 5.2：
Electromigration-Induced Stress in a Nanowire Device / 5.3：
Current-Induced Heating in a Nanowire Device / 5.4：
Diffusion of Material, Importance of Surfaces, Failure of Wires / 5.5：
Experimental Observations of Electromigration and Heating in Nanowires / 5.6：
Failure as a function of wire length / 5.6.1：
Failure as a function of wire width / 5.6.2：
Experimental Observations of Electromigration in Micron-Scale Wires / 5.7：
Wire Heating - Additional Considerations / 5.8：
Consequences for Nanoelectronics / 5.9：
Elements of Single-Electron and Molecular Electronics / 6：
Single-Electron Transport and Coulomb Blockade / 6.1：
Molecular Electronics: Why Bother? / 6.2：
Mechanisms of Electron Transport Through Molecules / 6.3：
Visualising Transport Through Molecules / 6.4：
The Contact Resistance Problem / 6.5：
Contacting Molecules / 6.6：
Nanogaps formed by electron-beam lithography / 6.6.1：
Nanogaps formed by electromigration / 6.6.2：
Mechanically-controlled break junctions / 6.6.3：
Molecular sandwiches / 6.6.4：
STM probing of molecules / 6.6.5：
The Future / 6.7：
Solutions to Problems in Chapter 2
Index
Preface
Macroscopic Current Flow / 1：
The Classical (Drude) Model of Electronic Conduction and Ohm's Law / 1.1：
32.

図書

東工大
目次DB
図書
東工大
目次DB
32. 電子工作ツールブック : 電子工作用工具の種類と上手な使い方
MJ無線と実験編集部編
出版情報: 東京 : 誠文堂新光社, 2008.12  139p ; 26cm
所蔵情報: loading…
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豊かな電子工作趣味のために 2
ハンダ 8
   ハンダごて
   ハンダ周辺機器
   ハンダ
切るツール 16
   カッター
   金ノコ
   電工ナイフ
   ハサミ
   ニッパー
   ワイヤーストリッパー
   ワイヤーカッター
   ジグソー
   テーブル丸ノコ
   バンドソー
穴をあけるツール 24
   ケガキ針
   ポンチ
   ゲンノウ
   ハンドドリル
   リーマー
   ピンバイス
   シャシーパンチ
   ニブラー
   ボール盤
   ドリルドライバー
   ドリルビット
締めるツール 30
   ドライバー
   精密ドライバー
   スクリュードライバー
   ソケットレンチ
   ナットドライバー
   トルクスレンチ
   ボールポイントレンチ
   六角レンチ
   ボックスレンチ
   モンキーレンチ
   ダイス・タップ
   スパナ
削るツール 38
   ヤスリ
   バリ取りナイフ
   ラバー砥石
   ルーター
   サンダー
   グラインダー
挟むツール 44
   ピンセット
   ペンチ
   ベンダー
   ラジオペンチ
   圧着工具
   ベンチバイス
   その他の道具
測るツール 52
   直定規
   曲尺
   スコヤ
   巻き尺
   ノギス
その他ツール 58
   パーツ整理箱
   工具箱
   インスタントレタリング
   ルーペ
   調整ドライバー
   工具セット
   ミラー
   ピックアップツール
   ヒートガン
   かばん
   ブラシ
   電源キット
   ゴーグル
   メンテナンス用スプレーなど
   手袋
プリント基板をつくるツール 68
   プリント基板
   基板カッター
   アートワーク用ペン
   フレキシブルテープ
   インクジェットフィルム
   方眼下敷
   アートワークフィルム
   感光用ライト
   現像液
   エッチング液
   バット
   エッチング用ヒーター
   噴流式エッチング槽
   基板用ドリル
   スルピンキット
   フラックス
   エッチング用キット
工具を使ってみよう 78
プリント基板への実装 79
プリント基板の製作 83
電材の加工 92
   空中配線の基礎
   布巻線処理
   ハンダ付けに失敗したら
   線をつなぐ
   標準プラグの配線
   ステレオミニプラグの配線
   ピンプラグの配線
   キャノンコネクターの配線
   圧着で2本の線をつなぐ
   ファストン端子に圧着する
ケーブルの加工 105
   コンセントへの結線
   ケーブルの処理1、2
   スピーカーケーブル
   同軸ケーブル
   テーブルタップ
   プラグ
電気工事士の資格 118
アルミ・プラスチック加工の基礎 119
   プラスチックケースの加工
   ボリュームシャフトの延長
   アルミ板の曲げ加工
   電源トランスに角穴をあける
   ハンドニブラーを使った角穴あけ
   シャシーパンチを使った穴あけ
   ホットボンド
真空管アンプのシャシー加工 129
豊かな電子工作趣味のために 2
ハンダ 8
   ハンダごて
33.

視聴覚資料
ＡＶ
33. ナノ空間の電子 : その魅力と威力 (: set ; Disc1 ; Disc2)
榊裕之[講演]
出版情報: [東京] : 平成基礎科学財団, c2009  ビデオディスク2枚(190分) ; 12cm
シリーズ名: 楽しむ科学教室 / 平成基礎科学財団制作・著作 ; 第46回
所蔵情報: loading…
34.

図書
図書
34. 誰にでも手軽にできる電子工作入門
後閑哲也著
出版情報: 東京 : 技術評論社, 2001.1  376p ; 23cm
所蔵情報: loading…
35.

図書
図書
35. 電気・電子の基礎マスター
飯高成男著
出版情報: 東京 : 電気書院, 2006.10  ix, 227p ; 21cm
シリーズ名: 基礎マスターシリーズ
所蔵情報: loading…
36.

図書
図書
36. 電子技術と社会
後藤尚久編著
出版情報: 東京 : 放送大学教育振興会, 2000.3  203p ; 21cm
シリーズ名: 放送大学教材 ; 84801-1-0011
所蔵情報: loading…
37.

図書
図書
37. 身近な電子回路
井上誠一著
出版情報: 東京 : ナツメ社, 2003.2  235p ; 19cm
シリーズ名: 図解雑学 : 絵と文章でわかりやすい!
所蔵情報: loading…
38.

図書

東工大
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図書
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38. 分子エレクトロニクスの話
齋藤軍治編著
出版情報: 京都 : ケイ・ディー・ネオブック , 京都 : 化学同人 (発売), 2008.9  v, 118p ; 19cm
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
   注 : C[60]の[60]は下つき文字
   
1章　多彩な分子エレクトロニクスの世界 1
   1　分子エレクトロニクスとは 1
   　1.1　エレクトロニクス・デバイス 1
   　1.2　分子エレクトロニクス 2
   　1.3　単分子素子,ナノエレクトロニクス 3
   　1.4　有機・分子材料の利点と難点 4
   2　様々なデバイス 6
   　2.1　分子性機能材科の展開図 6
   　2.2　分子性機能材料 8
   3　機能材料開発と基礎学問 11
   4　有機半導体の展開 12
2章　分子エレクトロニクスの基礎 17
   1　有機半導体・導電体・超伝導体 19
   　1.1　有機半導体・導電体の誕生 19
   　1.2　電気伝導の機構,金属であること 20
   　1.3　金属的有機物と低次元性 23
   　1.4　有機（分子性）超伝導体 25
   　1.5　スイッチング・メモリー・整流・クロミズム 26
   2　有機強誘電体 31
   　2.1　強誘電体の発展 31
   　2.2　強誘電体の特性と発現機構 32
   　2.3　有機強誘電体の新しい展開 38
3章　分子で電気を貯める 42
   1　有機導電体コンデンサ 42
   　1.1　電解コンデンサとは 42
   　1.2　電解コンデンサの固体化 43
   　1.3　TCNQ錯体の応用 44
   　1.4　導電性ポリマーの応用 45
   　1.5　電解重合法 46
   　1.6　化学重合法 48
   　1.7　電解コンデンサの陰極材料に求められる性能 49
   　1.8　今後の展開 52
   2　ポリマー二次電池 53
   　2.1　ポリマーリチウム二次電池 53
   　2.2　電気二重層キャパシタ 62
4章　分子でエネルギーを変換し制御する 65
   1　有機FET 66
   　1.1　デバイス構造・動作原理・FET特性 68
   　1.2　有機半導体（チャネル）の種類 71
   　1.3　絶縁層と有機－絶縁体界面 75
   　1.4　有機－金属界面 76
   　1.5　有機導電体を電極に使う 77
   2　色素増感太陽電池 79
   　2.1　有機太陽電池 79
   　2.2　色素増感太陽電池の発電原理 81
   　2.3　色素分子の設計指針 83
   　2.4　今後の課題 88
5章　分子エレクトロニクスの展開 90
   1　注目の単分子素子 90
   　1.1　微少サイズ化と機能の開発 90
   　1.2　ナノワールドと分子機械 92
   　1.3　単分子エレクトロニクスは可能か 95
   　1.4　ナノとマクロをつなぐ単分子－電極接合 96
   　1.5　単分子または小数分子系の伝導特性 98
   　1.6　古典的な分子エレクトロニクスからの脱却 99
   2　カーボン機能材料 102
   　2.1　カーボン一族の新種 102
   　2.2　C[60]分子の超伝導体 105
   　2.3　C[60]分子の複合機能 106
   　2.4　ナノチューブ 107
   　2.5　入れ子構造体など 111
   　2.6　摩擦を減らす 112
   　2.7　強くて軽い構造材料 113
参考図書＆URL 114
索引 115
   注 : C[60]の[60]は下つき文字
   
1章　多彩な分子エレクトロニクスの世界 1
39.

図書

東工大
目次DB
図書
東工大
目次DB
39. ナノエレクトロニクス (上巻 ; 下巻)
Rainer Waser編 ; 木村達也訳
出版情報: 東京 : オーム社, 2006.11  2冊 ; 21cm
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
まえがき i
第2版のまえがき ix
訳者まえがき xi
総論 1
   0 総論 3
   0.1 情報の性質 3
   0.2 情報の数学的定義 7
   0.3 情報の処理 11
   　0.3.1 Boole代数とスイッチ回路 11
   　0.3.2 スイッチング代数とスイッチ回路 13
   　0.3.3 多値論理 16
   　0.3.4 非可逆論理と可逆論理 18
   0.4 情報技術の領域 20
第I部 基礎 25
   第I部のまえがき 27
   1.1 境界領域 27
   1.2 予備知識 28
   1.3 材料の性質と種類 29
第1章 誘電体 35
   1.1 序論 35
   1.2 凝縮物質の分極 37
   　1.2.1 誘電体の静電方程式 37
   　1.2.2 微視的アプローチと局部電界 39
   　1.2.3 分極のメカニズム 39
   1.3 分極メカニズムの周波数依存性 41
   　1.3.1 複素誘電関数 41
   　1.3.2 誘電関数の周波数依存性 42
   　1.3.3 共鳴現象 43
   　1.3.4 緩和現象 45
   1.4 イオン結晶の分極波 50
   　1.4.1 音響フォノンと光学フォノン 51
   　1.4.2 極性光学フォノン 54
   　1.4.3 ポラトリン 55
   　1.4.4 ペロブスカイト形酸化物の特性振動 65
   　1.4.5 チタン酸化合物の誘電率の温度依存性 67
   　1.4.6 イオン結晶誘電率の電圧依存性 68
   1.5 誘電体の光学的性質 68
   　1.5.1 平面電磁波 68
   　1.5.2 共振器と導波モード 69
   　1.5.3 吸収 70
   　1.5.4 偏光、反射および屈折 72
   　1.5.5 電気光学効果 75
   1.6 むすび 77
第2章 強誘電体 79
   2.1 序論 79
   2.2 自発分極 81
   　2.2.1 対称性 81
   　2.2.2 強誘電体の現象論 81
   　2.2.3 反強誘電体 85
   　2.2.4 焦電性 86
   　2.2.5 圧電性 86
   2.3 強誘電体相転移の理論 88
   　2.3.1 Ginzburg-Landauの理論 88
   　2.3.2 変位性相転移のソフトモードによるアプローチ 93
   2.4 強誘電体材料 95
   2.5 強誘電体分域 101
   　2.5.1 分域の起源 101
   　2.5.2 バルクシステムの静的分域配置 102
   　2.5.3 薄膜の静的分域配置 105
   　2.5.4 誘電体の小信号に対する振る舞い 108
   　2.5.5 可逆および非可逆分極の寄与 109
   　2.5.6 強誘電体分域の反転 111
   2.6 まとめ 113
第3章 電子的性質と量子効果 117
   3.1 序論 117
   3.2 結晶中の電子の性質 118
   　3.2.1 量子力学の基礎 118
   　3.2.2 周期的結晶格子と電子のバンド構造:金属と半導体 122
   　3.2.3 金属と半導体のFermi統計 130
   3.3 損失を伴う電子輸送:電気抵抗 135
   3.4 界面とヘテロ構造 139
   3.5 低次元構造 145
   　3.5.1 閉じ込められた電子状態 145
   　3.5.2 量子輸送 148
   3.6 超伝導 152
   3.7 むすび 159
第4章 磁気エレクトロニクス-層構造の磁性と磁気輸送 161
   4.1 まえがき 161
   4.2 表面と界面の特殊な異方性 162
   　4.2.1 界面(表面)の異方性 164
   　4.2.2 交換異方性 166
   4.3 層間交換結合(IEC) 170
   　4.3.1 現象論的記述 170
   　4.3.2 メソスコピック描像:量子井戸状態 173
   4.4 巨大磁気抵抗(GMR) 179
   　4.4.1 現象論的記述 179
   　4.4.2 微視的描像:スピンに依存する散乱 180
   　4.4.3 巨大磁気抵抗効果の改善法 182
   4.5 トンネル磁気抵抗(TMR) 183
   　4.5.1 現象論的記述:スピンに依存するトンネル効果 183
   　4.5.2 界面と障壁材料の影響 184
   　4.5.3 中間層と障壁材料の影響 186
   4.6 電流誘起の磁気スイッチング 187
   　4.6.1 現象論的な記述 187
   　4.6.2 微視的描像:スピンの蓄積 188
   4.7 まとめ 190
第5章 有機分子-電子構造、性質と反応 195
   5.1 まえがき 195
   5.2 炭化水素 195
   5.3 π共役システムの電子構造 201
   　5.3.1 LCAO理論 201
   　5.3.2 Huckelの近似 204
   5.4 官能基と分子構造 210
   　5.4.1 官能基の種類と双極子モーメント 210
   　5.4.2 らせん中心と立体異性体 215
   5.5 化学合成の原理 215
   　5.5.1 置換反応 217
   　5.5.2 付加反応 220
   　5.5.3 脱離反応 223
   　5.5.4 骨格転位反応 224
   5.6 まとめ 225
第6章 神経細胞-電気励起の分子的基礎 229
   6.1 神経細胞の構造と基礎的信号機能 229
   6.2 膜電位 235
   6.3 静止膜電位の決定要因 237
   6.4 活動電位の発生 242
   6.5 神経細胞の電気信号の記録 243
   　6.5.1 電圧クランプ法 244
   　6.5.2 パッチクランプ法 247
   6.6 軸索に沿った信号伝搬 248
   6.7 活動電位による神経伝達物質放出の誘発 251
   6.8 イオンチャンネルの分子構造と機能 253
   6.9 学習と記憶の生化学的側面 256
第7章 回路とシステムの設計 261
   7.1 まえがき 261
   7.2 MOSFET 262
   7.3 CMOS回路 263
   　7.3.1 インバータ 263
   　7.3.2 NANDゲート 265
   　7.3.3 NORゲート 266
   　7.3.4 組み合わせゲート 266
   　7.3.5 3状態出力 268
   　7.3.6 SRAMセル 268
   7.4 ディジタル回路 269
   　7.4.1 フリップフロップ 269
   　7.4.2 マルチプレクサ 271
   　7.4.3 デマルチプレクサ 272
   　7.4.4 バレルシフタ 272
   　7.4.5 加算器 273
   7.5 論理アレイ 274
   7.6 回路シミュレーション 276
   　7.6.1 回路モデル 277
   　7.6.2 DC解析 277
   　7.6.3 過渡解析 278
   　7.6.4 AC解析 278
   7.7 マイクロプロセッサ 279
   　7.7.1 マイクロプロセッサ・システム 279
   　7.7.2 基本原理 280
   　7.7.3 パイプライン化 281
   　7.7.4 命令セット 282
   　7.7.5 アドレス指定モード 283
   　7.7.6 マイクロコントローラの例 284
   7.8 ディジタル信号プロセッサ 285
   　7.8.1 DSPプロセッサの分類 286
   　7.8.2 DSPプロセッサの特徴 286
   　7.8.3 ディジタル信号プロセッサの例 289
   7.9 性能とアーキテクチャ 290
第II部 技術と分析 295
   第II部のまえがき 297
   II.1 技術の基本概念 297
   II.2 CMOS技術 299
   II.3 ナノテクノロジーのアプローチ 302
   II.4 分析法 309
第8章 薄膜堆積法 313
   8.1 まえがき 313
   8.2 薄膜堆積の基礎 314
   　8.2.1 気体運動論 314
   　8.2.2 熱力学 316
   　8.2.3 薄膜成長モード 317
   　8.2.4 連続薄膜における歪み緩和 321
   8.3 物理堆積法 322
   　8.3.1 熱蒸着/分子線エピタキシ 322
   　8.3.2 パルスレーザ堆積 327
   　8.3.3 スパッタ堆積法 329
   8.4 化学堆積法 334
   　8.4.1 化学蒸気堆積 335
   　8.4.2 化学溶液堆積345
   　8.4.3 Langmuir-Blodgett薄膜 347
   8.5 まとめ 350
第9章 露光法 355
   9.1 概観 355
   9.2 光露光 358
   　9.2.1 照射法と解像限界 358
   　9.2.2 露光波長と光源 366
   　9.2.3 マスク材料と光学系 369
   9.3 極紫外露光 372
   9.4 X線露光 374
   9.5 電子ビーム露光 376
   　9.5.1 電子ビーム直接描画 376
   　9.5.2 SCALPEL 379
   9.6 イオンビーム露光 380
   　9.6.1 集束イオンビーム 380
   　9.6.2 イオン投影露光 381
   9.7 フォトレジスト 382
   9.8 複数枚のマスク合わせ 388
   9.9 ナノインプリント露光 390
   9.10 むすび 392
第10章 材料除去技術－エッチングと化学機械研磨 397
   10.1 まえがき 397
   10.2 エッチング法 398
   　10.2.1 全体の状況 398
   　10.2.2 ウェットエッチング 399
   　10.2.3 ドライエッチング－基本的方法 401
   　10.2.4 プラズマ発生 404
   　10.2.5 反応器の種類 405
   　10.2.6 ドライエッチングの典型的応用 410
   　10.2.7 プラズマ診断法 417
   　10.2.8 ドライエッチングの挑戦課題 420
   　10.2.9 将来の動向 422
   10.3 CMP－化学機械研磨 425
   　10.3.1 化学機械研磨のメカニズム 426
   　10.3.2 誘電体の化学機械研磨 426
   　10.3.3 金属の化学機械研磨 428
   　10.3.4 市販化学機械研磨装置の構成 430
   　10.3.5 終了点検出 431
   　10.3.6 パッド 433
   　10.3.7 スラリー 434
   　10.3.8 化学機械研磨用後の清浄化 434
   　10.3.9 化学機械研磨の問題点 435
   　10.3.10 欠陥 436
   　10.3.11 将来技術の動向と挑戦課題 436
第11章 回折法と蛍光法による分析 441
   11.1 まえがき 441
   11.2 X線分析法 444
   　11.2.1 まえがき 444
   　11.2.2 X線散乱実験の原理 447
   　11.2.3 結晶のX線散乱 448
   　11.2.4 例 : Si基板に埋め込まれたCoSi₂層 452
   　11.2.5 小さなqにおけるX線散乱 456
   　11.2.6 例 : 金属薄膜 458
   　11.2.7 X線蛍光および吸収分光 458
   11.3 電子ビーム分析法 462
   　11.3.1 まえがき 462
   　11.3.2 電子光学系 462
   　11.3.3 透過電子顕微鏡（TEM） 465
   　11.3.4 走査電子顕微鏡（SEM) 468
   　11.3.5 電子エネルギー損失分光（EELS） 472
   11.4 表面分析法 477
   　11.4.1 まえがき 447
   　11.4.2 2次イオン質量分析（SIMS) 478
   　11.4.3 X線光電子分光（XPS)とAuger電子分光（AES) 480
   　11.4.4 低エネルギー電子顕微鏡とその関連技術 483
   11.5 その他の方法 485
第12章 走査プローブ技術 489
   12.1 まえがき 489
   12.2 走査トンネル顕微鏡 491
   　12.2.1 走査トンネル顕微鏡の理論的基礎 491
   　12.2.2 走査トンネル顕微鏡の動作モード 497
   　12.2.3 走査トンネル顕微鏡の作製 497
   　12.2.4 走査トンネル顕微鏡の応用 499
   12.3 原子間力顕微鏡 502
   　12.3.1 原子間力顕微鏡の理論的原理 503
   　12.3.1 原子間力顕微鏡の動作原理 506
   　12.3.3 原子間力顕微鏡の応用 509
   12.4 柔らかい有機あるいは生物試料の像形成 516
   12.5 原子と分子の操作 520
   　12.5.1 横方向操作 520
   　12.5.2 縦方向の操作 524
   　12.5.3 トンネル電流の効果 526
   　12.5.4 STMによる複雑な化学反応 528
第III部 論理デバイス 533
   第III部のまえがき 535
   III.1 論理デバイスの基礎 535
   　III.1.1 論理デバイスへの要求条件 535
   　III.1.2 論理ゲートの動的性質 541
   　III.1.3 しきい値ゲート 541
   III.2 計算に対する物理的限界 543
   III.3 論理デバイスの概念 551
   　III.3.1 分類 551
   　III.3.2 2端子デバイス 553
   　III.3.3 電界効果デバイス 554
   　III.3.4 Coulombブロッケードデバイス 556
   　III.3.5 スピントロニクス 559
   　III.3.6 量子セルオートマトン 562
   　III.3.7 量子計算 566
   　III.3.8 DNAコンピュータ 568
   III.4 アーキテクチャ 569
   　III.4.1 情報処理システムの柔軟性 570
   　III.4.2 並列処理と粒度 574
   　III.4.3 Teramac－ケーススタディ 577
   III.5 情報処理システムの性能 579
   　III.5.1 基本的な2進演算 579
   　III.5.2 性能の尺度 583
   　III.5.3 生態神経細胞の処理能力 585
   　III.5.4 人間の脳の性能推定 590
   III.6 究極の計算 592
   　III.6.1 電力消費限界 592
   　III.6.2 可逆計算における電力消費 596
第13章 シリコンMOSFET－新材料と新概念 605
   13.1 まえがき 605
   13.2 MOSFETデバイスの基礎 607
   　13.2.1 MOSキャパシタ 607
   　13.2.2 MOSFET 612
   13.3 スケーリング則 615
   13.4 2酸化シリコン系のゲート誘電体 619
   　13.4.1 CMOSのための高誘電率材料 622
   　13.4.2 誘電体特性 623
   　13.4.3 熱力学 624
   　13.4.4 電子的性質 625
   　13.4.5 微細構造の安定性 626
   　13.4.6 高誘電率材料の堆積法と化学 628
   　13.4.7 処理の適用性 631
   　13.4.8 高誘電率積層ゲート絶縁膜の例 632
   13.5 金属ゲート 635
   　13.5.1 ポリシリコンと金属ゲート 635
   　13.5.2 金属ゲートの材料選択 636
   13.6 接合とコンタクト 638
   　13.6.1 浅い接合 638
   　13.6.2 接合コンタクト 642
   13.7 先端的なMOSFETの概念 644
   13.8 まとめ 649
第14章 強誘電体電界効果トランジスタ 655
   14.1 まえがき 655
   14.2 強誘電体電界効果トランジスタの原理 656
   　14.2.1 強誘電体電界効果トランジスタの構造設計と材料特性 659
   　14.2.2 シリコン直上の強誘電体 660
   　14.2.3 強誘電材料とシリコンの間のバッファ層 662
   　14.2.4 金属・強誘電体・金属浮遊ゲート構造 663
   　14.2.5 導電性酸化物上の金属・強誘電体 664
   14.3 強誘電体FETの電気特性 664
   　14.3.1 MFIS構造 666
   　14.3.2 MFMIS構造 669
   　14.3.3 強誘電体FETの最適化 673
   14.4 強誘電体FETセルの設計とデバイスのモデル化 676
   　14.4.1 強誘電体FETのデバイスシミュレーション 676
   　14.4.2 強誘電体FETに対する1T2Cセル設計 679
   　14.4.3 擾乱のない動作が可能な強誘電体FETメモリの概念 680
   14.5 強誘電体FETを用いた神経回路網 682
   14.6 まとめと展望 683
第15章 共鳴トンネリングに基づく量子輸送デバイス 687
   15.1 まえがき 687
   15.2 電子のトンネル現象 688
   　15.2.1 伝達行列法 688
   15.3 共鳴トンネルダイオード 693
   　15.3.1 共鳴特性 693
   　15.3.2 電量電圧特性 694
   　15.3.3 界面と成長温度 697
   15.4 共鳴トンネルデバイス 699
   　15.4.1 共鳴トンネルダイオードの動作速度 699
   　15.4.2 共鳴トンネルダイオードの応用 702
   15.5 まとめと展望 715
第16章 論理応用のための単電子デバイス 719
   16.1 まえがき 719
   16.2 単電子デバイス 720
   　16.2.1 単電子ボックス 720
   　16.2.2 単電子トランジスタ 724
   　16.2.3 他の単電子デバイス 731
   　16.2.4 単電子デバイスの作製 731
   16.3 単電子デバイスの論理回路への応用 734
   　16.3.1 まえがき 734
   　16.3.2 回路シミュレーションのための単電子トランジスタの解析モデル 735
   　16.3.3 単電子トランジスタを有する論理回路 741
   16.4 将来の方向 747
第17章 超伝導ディジタルエレクトロニクス 751
   17.1 まえがき 751
   17.2 Josephson接合 752
   　17.2.1 Josephson効果 : 基礎 752
   　17.2.2 RSJモデル 754
   　17.2.3 接合パラメータ 755
   17.3 電圧状態論理 756
   　17.3.1 スイッチング特性 756
   　17.3.2 論理ゲート 757
   　17.3.3 メモリ素子 758
   17.4 単一磁束量子論理 759
   　17.4.1 単一磁束量子の基礎 759
   　17.4.2 単一磁束量子論理ゲート 761
   17.5 超伝導集積回路技術 765
   　17.5.1 低温超伝導体技術 765
   　17.5.2 高温超伝導体技術 767
   17.6 高速単一磁束量子論理の現状 769
   　17.6.1 直近の応用 769
   　17.6.2 将来の応用の展望 771
   　17.6.3 高温超伝導による高速単一磁束量子の実装 772
   17.7 まとめ 773
第18章 超伝導による量子計算 777
   18.1 量子計算の原理 777
   18.2 qビットによる計算 779
   18.3 qビット : その実現法 781
   18.4 なぜ超伝導体か？ 783
   18.5 電荷qビット 784
   18.6 磁束qビット 788
   18.7 他のqビット 791
   18.8 コヒーレンス劣化のメカニズム 792
   18.9 展望 793
第19章 データ処理のためのカーボンナノチューブ 797
   19.1 まえがき 797
   19.2 電子的性質 799
   　19.2.1 幾何学的構造 799
   　19.2.2 グランフェンの電子構造 800
   　19.2.3 カーボンナノチューブの電子構造 801
   　19.2.4 輸送特性 805
   　19.2.5 コンタクト 810
   19.3 カーボンナノチューブの合成 812
   　19.3.1 合成法 812
   　19.3.2 成長メカニズム 815
   　19.3.3 加工と官能化 817
   　19.3.4 ナノチューブ列の実装とナノ回路 818
   19.4 カーボンナノチューブ配線 820
   　19.4.1 ビアにおけるナノチューブ 822
   　19.4.2 最大電流密度と信頼性 823
   　19.4.3 ナノチューブ中の信号伝搬
   19.5 カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ（CNTFET） 824
   　19.5.1 MOSFETとの比較 824
   　19.5.2 ナノチューブの調整 825
   　19.5.3 バックゲート付きカーボンナノチューブ電界効果トランジスタ 828
   　19.5.4 相補形カーボンナノチューブデバイス 829
   　19.5.5 孤立バックゲートデバイス 831
   　19.5.6 孤立トップゲートデバイス 832
   　19.5.7 Si MOSFETと拡大カーボンナノチューブFETの比較 833
   　19.5.8 カーボンナノチューブ回路 835
   19.6 メモリ応用のためのナノチューブ 837
   　19.6.1 カーボンナノチューブSRAM 837
   　19.6.2 他のメモリー概念 837
   19.7 全カーボンナノチューブナノエレクトロニクスの展望 841
第20章 分子エレクトロニクス 847
   20.1 まえがき 847
   20.2 電極とコンタクト 850
   20.3 機能 852
   　20.3.1 分子ワイヤ，絶縁体，および配線 853
   　20.3.2 ダイオード 855
   　20.3.3 スイッチと記憶素子 858
   　20.3.4 3端子デバイス 862
   20.4 分子エレクトロニクスデバイス－最初のテストシステム 864
   　20.4.1 走査プローブ法 864
   　20.4.2 単分子膜デバイス 867
   　20.4.3 ナノポアの概念 871
   　20.4.4 機械的に制御された破壊接合 872
   　20.4.5 エレクトロマイグレーション法 876
   20.5 シミュレーションと回路設計 877
   　20.5.1 理論的側面 877
   　20.5.2 分子ナノ回路の設計ルール 881
   20.6 作製 883
   　20.6.1 化学合成 883
   　20.6.2 集積化プロセス 887
   20.7 まとめと展望 887
著者紹介 895
略語集 901
索引 913
第 IV 部 ランダムアクセスメモリー 1
第IV 部のまえがき 3
   IV.1 ランダムアクセスデバイスの定義 3
   IV.2 記憶の物理的原理 6
   IV.3 タイミング方式 10
   IV.4 スケーリングの一般傾向と将来のメモリ世代 12
第21章 DRAM のための高誘電率材料 19
   21.1 まえがき 19
   21.2 DRAM セルの基本動作 21
   21.3 Gb DARM キャパシタへの挑戦 24
   21.4 高誘電率誘電体の性質 26
   　21.4.1 DARM に対する要求条件 27
   　21.4.2 電界依存症 28
   　21.4.3 温度依存症 29
   　21.4.4 微細構造依存症 30
   　21.4.5 厚さ依存症 31
   　21.4.6 周波数依存症 35
   21.5 キャパシタ電荷の安定性とセルの信頼性 36
   　21.5.1 緩和電流 37
   　21.5.2 漏れ電流のメカニズム 39
   　21.5.3 抵抗劣化と絶縁破壊 42
   21.6 集積化の側面 43
   21.7 DARM における高誘電率材料 48
   　21.7.1 新誘電材料実装の状況 48
   　21.7.2 ロードマップの目標に向けた傾向 53
   　21.7.3 別の高誘電体材料 56
第22章 強誘電体ランダムアクセスメモリ 63
   22.1 まえがき 63
   　22.1.1 強誘電体不揮発生メモリ 65
   　22.1.2 最新技術 66
   22.2 FeRAM の回路設計 68
   　22.2.1 書き込み法 69
   　22.2.2 読み出し法 70
   　22.2.3 参照電圧 73
   　22.2.4 メモリ構成 74
   22.3 強誘電体薄膜の性質 78
   　22.3.1 一般論 78
   　22.3.2 強誘電性のスイッチング 79
   　22.3.3 厚さの効果 83
   22.4 薄膜の集積化 85
   　22.4.1 一般的側面 85
   　22.4.2 電極 88
   　22.4.3 集積化の特別な話題 89
   22.5 劣化メカニズム 94
   　22.5.1 分極疲労 94
   　22.5.2 保持特性劣化 96
   　22.5.3 刷り込み 97
   22.6 新たな挑戦課題 101
   　22.6.1 高分子強誘電体 RAM 101
   　22.6.2 将来のトレンド 103
   22.7 まとめ 105
第23章 磁気抵抗 RAM 109
   23.1 まえがき 109
   23.2 磁気 RAM デバイスの実装 111
   　23.2.1 単一トランジスタ・単一TMR 磁気 RAM デバイス 113
   　23.2.2 他の磁気 RAM セル構造 115
   　23.2.3 磁気 RAM メモリ回路構成 117
   23.3 磁気 RAM デバイスの磁気的安定性 119
   　23.3.1 磁気素子の熱活性反転 120
   　23.3.2 スイッチングで誘起される減磁 125
   23.4 超高速磁化反転 133
   23.5 まとめの展望 135
第 V 部 大容量記憶デバイス 139
   第 V 部のまえがき 141
   V.1 定義 141
   V.2 記憶の物理的原理 143
   　V.2.1 分類 143
   　V.2.2 次元性 145
   　V.2.3 初期の機械式記憶媒体 145
   　V.2.4 磁気テープとディスク 147
   　V.2.5 コンパクトディスク系のシステム 148
   V.3 分散記憶 153
第24章 ハードディスク 155
   24.1 まえがき 155
   24.2 磁気ハードディスクドライブ 156
   24.3 電磁誘導書き込みヘッド 158
   　24.3.1 構成 158
   　24.3.2 書き込み磁界の計算 158
   　24.3.3 書き込みヘッド材料 162
   24.4 磁気記録媒体 162
   　24.4.1 薄膜ディスク 162
   　24.4.2 巨視的性質 163
   　24.4.3 微視的性質 165
   　24.4.4 熱的安定性 166
   　24.4.5 反強磁性結合 (AFC) 媒体 167
   24.5 磁気読み出しヘッド 168
   24.6 ヘッド・ディスクインタフェース 172
   24.7 将来の動向 174
   　24.7.1 垂直記録 175
   　24.7.2 パターン化媒体 175
   　24.7.3 自己組織化粒子媒体 177
   　24.7.4 熱アシストによる記録 177
   　24.7.5 トンネル磁気抵抗センサ 178
   　24.7.6 コンタクト記録 178
   　24.7.7 小形ドライブ 178
   24.8 まとめ 179
第25章 磁気光学ディスク 181
   25.1 まえがき 181
   25.2 磁気光学データ記憶の原理 182
   25.3 材料特性 185
   25.4 交換結合層の適応 188
   　25.4.1 基本原理 188
   　25.4.2 光変調オーバライト (LIM-DOW) 190
   　25.4.3 磁気超解像 (MSR) 191
   25.5 まとめ展望 193
第26章 相変化材料系も書き換え可能 DVD 195
   26.1 まえがきと相変化材料の原理 195
   26.2 相転移の速度 198
   　26.2.1 相転移の駆動力 198
   　26.2.2 核形成と成長 199
   26.3 相変化媒体への要求条件 203
   26.4 相変化材料の現状 206
   　26.4.1 書き込みプロセス 206
   　26.4.2 消去プロセス 207
   26.5 記憶密度の向上 209
   26.6 相変化ランダムアクセスメモリ 211
   26.7 まとめ 214
第27章 ホログラフィックデータ記憶 217
   27.1 まえがき 217
   27.2 ホログラフィック情報記憶の基礎 218
   27.3 光プロセス 224
   　27.3.1 ホログラフィック回折格子の書き込み 224
   　27.3.2 ホログラフィック回折格子の読み出し 225
   　27.3.3 Bragg 入射の不整合 227
   　27.3.4 多重化の概念 229
   　27.3.5 書き込みの配置 232
   　27.3.6 ビット誤り率 234
   　27.3.7 M#数 236
   27.4 無機材料 237
   　27.4.1 基礎 237
   　27.4.2 鉄添加ニオブ酸リチウム 238
   　27.4.3 光誘起屈折率効果 239
   　27.4.4 展望 : パルスホログラフィ 247
   27.5 光アドレス形高分子 248
   　27.5.1 まえがき 248
   　27.5.2 アゾペンゼンの光化学 250
   　27.5.3 アゾペンゼンを含む高分子 251
   　27.5.4 液晶側鎖高分子 251
   　27.5.5 光記憶用の光アドレス形高分子 252
   　27.5.6 光アドレス形高分子のホログラフィック測定 258
   27.6 展望 260
第28章 AFM による大容量記憶- 「ミリピード」 の構想 267
   28.1 まえがき、動機、目的 267
   28.2 ミリピード構想 269
   28.3 熱機械的 AFM データ記憶 271
   28.4 高分子媒体 274
   28.5 アレイの設計・技術・製作 279
   28.6 アレイの特性評価 283
   28.7 32×32 アレイチップを用いた最初の書き込み・読み出し実験 286
   28.8 データ記憶へのミリピードの応用の可能性 288
   28.9 まとめ展望 290
第 VI 部 データ伝送とインタフェース 295
   第 VI 部のまえがき 297
   VI.1 信号伝送 297
   VI.2 信号の種類と伝送の限界 298
   VI.3 ベースバンド伝送 - 伝送線路 301
   VI.4 キャリア伝送 - 伝送システム 304
   　VI.4.1 Shannon の通信モデル 304
   　VI.4.2 チャンネル容量とキャリア変調 305
   　VI.4.3 情報源符号化 307
   　VI.4.4 チャンネル符号化 308
   　VI.4.5 線路符号化と変調 309
第29章 チップとボードレベルの伝送 315
   29.1 まえがき 315
   29.2 オンチップ配線技術 317
   29.3 チップと基板の配線 321
   　29.3.1 チップ配線技術 321
   　29.3.2 フリップチップボンディング 326
   　29.3.3 テープオートメーテッドボンディング 328
   　29.3.4 比較 329
   29.4 ボールグリッドアレイ 330
   29.5 マルチチップモジュール 331
   29.6 3次元パッケージ 332
   29.7 まとめ 334
第30章 光ネットワーク 337
   30.1 まえがき 337
   　30.1.1 全体のあらまし 337
   　30.1.2 光波システムに使う材料 340
   30.2 光ファイバ中の光の伝搬 342
   　30.2.1 光導波路 342
   　30.2.2 光ファイバ 346
   　30.2.3 波長分割多重化 349
   30.3 光源 353
   30.4 光検出器 358
   30.5 光増幅器 363
   30.6 スイッチと変調器 366
   　30.6.1 スイッチングデバイスの2つの基本機能 366
   　30.6.2 MEMS - 微小電気機械システム 367
   　30.6.3 光強誘電体 367
   　30.6.4 音響光学デバイス 371
   30.7 まとめ 375
第31章 マイクロ波通信システム - 受動デバイスの新動向 379
   31.1 まえがき 379
   31.2 マイクロ波通信システムの重要な特性 380
   　31.2.1セルラ通信 381
   　31.2.2 衛星通信と固定通信 383
   31.3 マイクロ波共振デバイスの基本的性質 385
   　31.3.1 電磁波共振器 385
   　31.3.2 有極形フィルタ 390
   31.4 金属、超伝導体、誘電体材料のマイクロ波特性 392
   　31.4.1 通常金属の表面インピーダンス 393
   　31.4.2 高温超伝導薄膜の表面インピーダンス 394
   　31.4.3 誘電体単結晶、セラミックおよび薄膜のマイクロ波特性 396
   31.5 マイクロ波通信システムの新受動デバイス 403
   　31.5.1 誘電体フィルタ 403
   　31.5.2 高温超伝導平面フィルタとサブシステム 406
   31.6 マイクロ波用の微小機械 : RF MEMS とFBAR 408
   31.7 フォトニックバンドギャップ構造 411
   31.8 まとめ 415
第32章 神経電子インタフェース - イオンチャンネル、神経細胞、および脳を有する半導体チップ 419
   32.1 まえがき 419
   32.2 イオン・電子インタフェース 421
   　32.2.1 平面コア・コート伝導体 423
   　32.2.2 細胞・シリコン接合の間隙 427
   　32.2.3 間隙の伝導度 430
   　32.2.4 細胞・シリコン接合におけるイオンチャンネル 439
   32.3 神経細胞・シリコン回路 443
   　32.3.1 神経細胞活動のトランジスタ記録 444
   　32.3.2 神経細胞活動の容量性刺激 449
   　32.3.3 シリコンチップ上の2神経細胞回路 454
   　32.3.4 規定された神経細胞ネットワークに向けて 461
   32.4 脳・シリコンチップ 465
   　32.4.1 組織・シート伝導体 466
   　32.4.2 脳スライスのトランジスタ記録 468
   　32.4.3 脳スライスの容量性刺激 470
   32.5 まとめと展望 472
第 VII 部 センサアレイと画像システム 475
   第 VII 部のまえがき 477
   VII.1 センサの分類と物理的原理 477
   VII.2 電子センサアレイ 480
   VII.3 生物センサアレイ 483
   　VII.3.1 視覚 483
   　VII.3.2 嗅覚 485
   　VII.3.3 触覚 456
第33章 光3次元飛行時間形画像化システム 489
   33.1 まえがき 489
   33.2 3次元光技術の分類 490
   33.3 CMOS 画像化 492
   33.4 CMOS 3次元飛行時間画像センサ 495
   33.5 応用例 501
   33.6 まとめ 501
第34章 赤外画像化のための焦電検出器アレイ 505
   34.1 まえがき 505
   34.2 焦電赤外検出器の動作原理 507
   　34.2.1 焦電応答 507
   　34.2.2 雑音と検出能 511
   　34.2.3 数値例 514
   　34.2.4 熱波長効果 514
   　34.2.5 熱画像のための焦点面アレイの特性 516
   34.3 焦電材料 517
   34.4 デバイス製作、評価とプロセスの問題 520
   　34.4.1 製作技術 520
   　34.4.2 読み出し集積回路 526
   34.5 まとめ 529
第35章 電子嗅覚 533
   35.1 まえがき 533
   35.2 ガスセンサ素子の動作原理 533
   　35.2.1 熱量測定センサ 534
   　35.2.2 電気化学セル 535
   　53.2.3 表面およびバルク弾性波デバイス 536
   　35.2.4 ガス感受性 FET 538
   　35.2.5 半導体抵抗ガスセンサ 539
   35.3 電子嗅覚 542
   35.4 信号評価 543
   35.5 実現例 544
   　35.5.1 有害溶剤やガスの同定 544
   　35.5.2 半導体センサアレイ - KAMINA 546
   　35.5.3 食品の香りの検出 547
   　35.5.4 食品のローストプロセスの監視 548
   35.6 まとめと展望 551
第36章 2次元触覚センサと触覚センサアレイ 555
   36.1 まえがき 555
   36.2 定義と分類 556
   36.3 抵抗形タッチスクリーン 560
   36.4 超音波形タッチスクリーン 563
   36.5 ロボット触覚センサ 566
   36.6 指紋センサ 568
   　36.6.1 まえがき 568
   　36.6.2 容量形指紋センサの原理 570
   　36.6.3 指紋照合処理を統合化した単一チップ指紋センサアレイ 570
   　36.6.4 センサ構造と製作プロセス 572
   36.7 まとめと展望 576
第VIII 部 ディスプレイ 581
   第 VIII 部のまえがき 583
   VIII.1 定義 583
   VIII.2 測光 585
   VIII.3 人間の視感度 586
   VIII.4 色彩理論 588
   VIII.5 ディスプレイの概念とアドレス法 590
   VIII.6 3次元ディスプレイの概念 591
   　VIII.6.1 眼鏡を使う立体視 592
   　VIII.6.2 裸眼立体視 593
   　VIII.6.3 今後のアプローチ 594
第37章 液晶ディスプレイ 597
   37.1 まえがき 597
   37.2 液晶材料 599
   　37.2.1 液晶の物理的性質 599
   　37.2.2 液晶の化学 605
   37.3 ねじれネマティックセル 607
   37.4 液晶ディスプレイのアドレス指定 611
   　37.4.1動的 (多重化) アドレス指定 611
   　37.4.2 グレイスケールとカラーの発生 615
   37.5 高解像度ディスプレイのためのセル 616
   　37.5.1 超ねじれネマティックセル 616
   　37.5.2 能動マトリクスディスプレイ 619
   37.6 バックライト 622
   37.7 反射形液晶ディスプレイ 623
   　37.7.1 2偏光子反射形液晶ディスプレイ 625
   　37.7.2 偏光子のない反射形液晶ディスプレイ 625
   　37.7.3 単一偏光子反射形液晶ディスプレイ 626
   　37.7.4 反射板 627
   37.8 半透過形ディスプレイ 629
   37.9 投影形ディスプレイ 630
   　37.9.1 透過形ディスプレイ 630
   　37.9.2 反射形ディスプレイ 631
   37.10 新しい液晶ディスプレイの原理 633
   　37.10.1 強誘電性液晶 633
   37.11 まとめ 638
第38章 有機発光デバイス 643
   38.1 まえがき 643
   38.2 有機半導体 646
   　38.2.1 独立分子と van der Waals 分子結晶 646
   　38.2.2 吸収、励起子拡散、および蛍光 647
   　38.2.3 電荷キャリアの輸送 649
   38.3 有機発光ダイオード 650
   　38.3.1 効率的な有機発光ダイオードの必要条件 650
   　38.3.2 単層および 2 層有機発光ダイオード 652
   　38.3.3 蛍光不純物を用いたデバイス効率の改善 653
   　38.3.4 高効率の燐光有機発光ダイオード 654
   　38.3.5 不純物添加電荷輸送層のよる低電圧化 658
   38.4 有機ディスプレイ 663
   　38.4.1 受動および能動マトリクスディスプレイ 663
   　38.4.2 パターン化技術 664
   　38.4.3 展望 : 透明、積層、および可撓性有機発光ダイオード 665
第39章 電解放出とプラズマディスプレイ 671
   39.1 まえがき 671
   39.2 電解放出ディスプレイ (FED) 672
   　39.2.1 電界放出ディスプレイの基本原理 672
   　39.2.2 電界放出ディスプレイの陰極と陰極材料 674
   　39.2.3 電界放出ディスプレイの蛍光スクリーン 678
   　39.2.4 電界放出ディスプレイのマトリクスアドレス指定 686
   　39.2.5 電界放出ディスプレイの性能と展望 687
   39.3 プラズマディスプレイパネル(PDP) 688
   　39.3.1 プラズマディスプレイパネルの放電 690
   　39.3.2 プラズマディスプレイパネルの動作原理 693
   　39.3.3 プラズマディスプレイパネルの設計と製造 695
   　39.3.4 プラズマディスプレイパネルのセルにおける高γコーティング 696
   　39.3.5 プラズマディスプレイパネル用の蛍光体 702
   　36.3.6 プラズマディスプレイパネルの性能と展望 709
   39.4 まとめ 711
第40章 電子ペーパ 717
   40.1 まえがき 717
   40.2 微小粒子系ディスプレイ 718
   　40.2.1 電気泳動ディスプレイ 718
   　40.2.2 回転球ディスプレイ 727
   　40.2.3 懸濁粒子ディスプレイ 729
   40.3 紙状ディスプレイの代替技術 730
   　40.3.1 直視形反射液晶ディスプレイ 730
   　40.3.2 双安定性液晶ディスプレイ 731
   　40.3.3 微小機械系ディスプレイ 732
   40.4 フレキシブル背面版の電子回路 733
   　40.4.1 印刷可能な集積回路 734
   　40.4.2 流体的自己集積化 736
   40.5 展望と将来像 737
著者紹介 741
略語集 747
索引 759
まえがき i
第2版のまえがき ix
訳者まえがき xi
40.

図書

東工大
目次DB
図書
東工大
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40. プリンタブル有機エレクトロニクスの最新技術
横山正明, 鎌田俊英監修
出版情報: 東京 : シーエムシー出版, 2008.11  vi, 255p ; 27cm
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第1章　有機エレクトロニクスの研究動向　横山正明
   1.　有機エレクトロニクスの発展経緯と電子デバイス 1
   2.　有機エレクトロニクスの幕開け 2
   3.　プラスチックトランジスタの出現とその集積化 3
   4.　プリンタブルエレクトロニクスの幕開け 4
   5.　おわりに 5
第2章　印刷技術が拓くプリンタブル有機エレクトロニクス　鎌田俊英
   1.　はじめに 6
   2.　高生産性に向けたプロセス革新 6
   3.　プリンタブルエレクトロニクスとインク材料 8
   4.　有機エレクトロニクス材料 9
   5.　印刷解像度と素子性能 11
   6.　プリンタブル有機エレクトロニクスの応用展開 13
   7.　プリンタブル有機エレクトロニクスの未来発展 15
第3章　スクリーン印刷　佐野康
   1.　はじめに 17
   2.　これまでのエレクトロニクス分野でのスクリーン印刷技術 18
   3.　スクリーン印刷の8つの適用方法 21
   3.1　成膜（ベタ印刷） 21
   3.2　パターンニング 22
   3.3　スルーホール印刷 22
   3.4　ビアフィル印刷 23
   3.5　バンプ・ドット印刷 23
   3.6　落とし込み印刷 24
   3.7　積層印刷 24
   3.8　転写印刷 25
   4.　スクリーン印刷の「ペーストプロセス」的な適正化手法 26
   5.　プリンタブル有機エレクトロニクスへのスクリーン印刷の応用例 30
   6.　おわりに 33
第4章　インクジェット
   1.　エレクトロニクスへのインクジェット応用　大西勝 34
   1.1　はじめに 34
   1.2　インクジェット技術の特徴 35
   1.3　インクジェット技術の現状と課題 36
   1.3.1　プリント可能な細線のレベル 36
   1.3.2　プリント速度 36
   1.3.3　着弾位置精度 37
   1.3.4　吐出安定性 37
   1.4　エレクトロニクス分野への利用拡大のために必要となる技術と課題 38
   1.4.1　インク 38
   1.4.2　インクジェットヘッド 38
   1.4.3　その他の必要な総合技術 39
   1.5　まとめ 39
   2.　スーパーインクジェット　村田和広 40
   2.1　はじめに 40
   2.2　背景 40
   2.3　基板上での液体の振る舞い（一般的なインクジェット液滴の場合） 41
   2.4　超微細液滴の特徴 42
   2.5　材料 43
   2.6　超微細配線 44
   2.7　課題 46
   2.8　おわりに 47
   3.　インクジェット用の独立分散金属ナノ粒子インク　小田正明 49
   3.1　まえがき 49
   3.2　独立分散金属ナノ粒子の生成 49
   3.3　ナノメタルインクによる膜形成 49
   3.3.1　膜の概要 49
   3.3.2　ナノメタルインク膜の電気抵抗と密着性 50
   3.3.3　低温焼成型の銀ナノメタルインク 52
   3.3.4　独立分散ITOナノ粒子インク 54
   3.4　ナノメタルインクを使用したインクジェット法による配線形成 55
   3.4.1　インクジェット法の特徴 55
   3.4.2　基板の表面処理 56
   3.4.3　PDPテストパネル試作 56
   3.4.4　System　in　Package（SiP）試作 57
   3.5　おわりに 60
第5章　各種パターニング・ファブリケーション技術
   1.　マイクロコンタクトプリント法　八瀬清志 61
   1.1　はじめに 61
   1.2　マイクロコンタクトプリント（μCP）法 61
   1.3　マイクロコンタクト法による金属配線の印刷 62
   1.4　マイクロコンタクト法による有機TFTの作製 63
   1.5　おわりに 65
   2.　電子写真法によるデジタルファブリケーション　細矢雅弘 67
   2.1　はじめに―電子写真技術の優位性― 67
   2.2　技術開発動向 67
   2.2.1　電極・配線形成 68
   2.2.2　カラーフィルタ・ブラックマトリクスの形成 70
   2.2.3　蛍光体・誘電体・PDP隔壁・他 71
   2.3　液体トナーによるデジタルファブリケーション 71
   2.4　おわりに―課題と展望― 73
   3.　レーザーアブレーション法　福村裕史 74
   3.1　はじめに 74
   3.2　パルスレーザー付着（PLD : Pulsed　Laser　Deposition） 74
   3.3　マトリックス支援パルスレーザー蒸着（MAPLE : Matrix-Assisted　Pulsed　Laser　Evaporation） 75
   3.4　アブレーション転写（LAT : Laser　Ablation　Transfer） 76
   3.5　分子注入（LMI : Laser　Molecular　Implantation） 78
   3.6　おわりに 80
   4.　エレクトロスプレー・デポジション法　山形豊 82
   4.1　はじめに 82
   4.2　有機合成高分子・生体高分子のパターニング手法について 83
   4.3　エレクトロスプレー・デポジション法 84
   4.4　パターニング実験 86
   4.4.1　ガラスマスクによるパターニング 86
   4.4.2　MEMSプロセスによる微細マスクによるパターニング 86
   4.4.3　厚膜フォトレジストによるステンシルマスクを用いたパターニング 89
   4.5　考察とまとめ 90
   5.　有機半導体塗布技術　南方尚 93
   5.1　はじめに 93
   5.2　オリゴマーの塗布技術 93
   5.3　縮合多環化合物の塗布技術 94
   5.3.1　誘導体 94
   5.3.2　前駆体 94
   5.3.3　直接塗布 95
   5.3.4　薄膜の高品質化 96
   5.4　まとめ 98
   6.　高分子摩擦転写技術　谷垣宣孝 100
   6.1　はじめに 100
   6.2　摩擦転写 101
   6.3　摩擦転写を用いた有機デバイス 102
   6.3.1　トランジスタ 102
   6.3.2　有機EL 104
   6.3.3　光電変換素子 104
   6.4　おわりに 105
   7.　ラインパターニング技術　鈴木裕樹，奥崎秀典 107
   7.1　はじめに 107
   7.2　ラインパターニング法 107
   7.3　溶媒効果 109
   7.4　デバイス化 110
   7.4.1　高分子分散型液晶ディスプレイ 110
   7.4.2　プッシュスイッチ 111
   7.4.3　ショットキーダイオード 111
   7.5　おわりに 112
第6章　有機電子デバイスと有機半導体材料
   1.　ポリマー材料　金藤敬一 114
   1.1　はじめに 114
   1.2　機能性高分子 115
   1.3　導電性高分子 116
   1.3.1　ポリアセチレン（PA） 116
   1.3.2　ポリピロール（PPy） 116
   1.3.3　ポリチオフェン（PT） 118
   1.3.4　ポリアニリン（PANi） 120
   1.3.5　ポリパラフェニレンビニレン（PPV） 120
   1.3.6　ポリパラフェニレン（PPP） 120
   1.3.7　ポリフルオレン（PF） 121
   1.3.8　ポリエリレンジオキシチオフェン（PEDOT） 121
   1.3.9　その他の機能性ポリマー 121
   1.4　相補型電界効果トランジスタ（C-MOS　FET） 121
   1.5　おわりに 123
   2.　液晶系　半那純一 125
   2.1　はじめに 125
   2.2　有機半導体としての液晶物質 126
   2.2.1　液晶物質の構造と種類 127
   2.2.2　伝導の次元性 127
   2.2.3　伝導キャリア 130
   2.2.4　移動度 130
   2.2.5　伝導のモデル化 131
   2.2.6　物質の純度 132
   2.2.7　構造欠陥 132
   2.2.8　電極界面の電気特性 133
   2.3　デバイスへの応用 133
   2.3.1　有機EL素子 133
   2.3.2　薄膜トランジスタ 135
   2.3.3　太陽電池 140
   2.4　残された課題 141
   2.5　おわりに 142
   3.　低分子系　瀧宮和男，宮碕栄吾 146
   3.1　はじめに 146
   3.2　p型材料 146
   3.2.1　ペンタセン前駆体 146
   3.2.2　可溶性チオフェン系オリゴマー 147
   3.2.3　可溶性アセン類 148
   3.2.4　高溶解性TTF誘導体 149
   3.3　n型材料 151
   3.3.1　C60誘導体 151
   3.3.2　ナフタレン，およびペリレンビス（ジカルボキシイミド）誘導体 152
   3.3.3　オリゴチオフェン誘導体 153
   3.3.4　チエノキノイド誘導体 154
   3.4　おわりに 156
第7章　プリンタブルエレクトロニクスが期待される有機デバイスとその要素技術
   1.　有機ELディスプレイ　岡田裕之，中茂樹 159
   1.1　背景 159
   1.2　提案されてきたプリンタブル有機ELデバイス作製法 159
   1.2.1　大面積対応のプリンタブル作製プロセス 160
   1.2.2　各種方式の比較 164
   1.2.3　有機ELデバイスに関連したデバイス，プロセスや，フレキシブルパネル試作の報告 166
   1.3　発光ポスターへ向けての試み 167
   1.3.1　マルチカラー自己整合IJP有機ELデバイス 167
   1.3.2　ラミネートプロセスによる自己整合IJP有機ELデバイスと非接触電磁給電 169
   1.4　将来展望と解決すべき課題 172
   2.　有機TFTの現状と塗布／印刷プロセスの可能性　笠原二郎 175
   2.1　はじめに 175
   2.2　塗布／印刷プロセスを目指す有機TFT 175
   2.2.1　有機半導体 176
   2.2.2　ゲート絶縁膜 177
   2.2.3　電極と配線 181
   2.3　全有機TFTの応用例 183
   2.4　将来展望 184
   3.　トナーディスプレイ　北村孝司 186
   3.1　はじめに 186
   3.2　1粒子移動型（電荷注入型） 187
   3.2.1　表示原理 187
   3.2.2　試料 188
   3.2.3　表示特性 188
   3.2.4　電荷輸送層 188
   3.3　2粒子移動型（摩擦帯電型） 191
   3.3.1　表示原理 191
   3.3.2　試料 191
   3.3.3　表示特性 192
   3.3.4　フォトリソグラフィーを用いた隔壁の作製 193
   3.3.5　隔壁作製方法 194
   3.4　カラートナーディスプレイ 195
   3.5　まとめ 197
   4.　ICタグ　後上昌夫 199
   4.1　ICタグの現状技術 199
   4.2　アンテナ 200
   4.3　ICチップ実装 202
   4.4　ICタグ実装技術動向 205
   4.5　ICタグ実装技術の課題 205
   4.6　ICタグから見た実用デバイスへの課題―有機エレクトロニクスとICタグ 206
   4.6.1　チップ面積と集積度 206
   4.6.2　電荷の移動度 206
   4.6.3　動作電圧 207
   4.6.4　信頼性，耐久性 207
   5.　有機強誘電体メモリ　柄澤潤一 208
   5.1　はじめに 208
   5.2　有機FeRAM 208
   5.3　強誘電体高分子P（VDF/TrFE） 209
   5.4　フレキシブル1T型有機FeRAM 212
   5.5　課題 216
   5.6　おわりに 218
   6.　有機太陽電池　平本昌宏 220
   6.1　はじめに 220
   6.2　p-i-n接合型有機固体太陽電池 221
   6.3　ナノ構造制御技術 221
   6.4　大面積セル作製技術 223
   6.5　有機半導体の超高純度化技術と厚いi層を持つ高効率p-i-nセルの作製 223
   6.6　長期動作テスト 226
   6.7　開放端電圧の増大 228
   6.8　まとめ 229
   7.　色素増感太陽電池　北村隆之，松井浩志，岡田顕一 231
   7.1　はじめに 231
   7.2　太陽電池の大面積化 232
   7.3　プリンタブルDSC 234
   7.4　大面積DSCの実際 236
   7.5　おわりに 238
   8.　回路配線形成技術　小口寿彦 239
   8.1　はじめに 239
   8.2　金属コロイドインクと回路配線 239
   8.3　金属コロイド液 240
   8.4　インクジェットを利用した回路配線 241
   8.5　レーザー刻印を利用した回路配線 244
   8.6　ナノインプリントによる回路配線 245
   8.7　まとめ 247
   9.　ラテント顔料を用いたインクジェット法によるカラーフィルタ形成法の開発　大石知司 249
   9.1　はじめに 249
   9.2　現行カラーフィルタ作製法と問題点 249
   9.3　ラテント顔料について 250
   9.4　ラテント顔料の合成 251
   9.5　インクジェットプリンティング（IJP）法によるカラーフィルタ形成技術 252
   9.6　おわりに 255
第1章　有機エレクトロニクスの研究動向　横山正明
   1.　有機エレクトロニクスの発展経緯と電子デバイス 1
   2.　有機エレクトロニクスの幕開け 2
41.

図書
図書
41. 半導体の電子物性工学
太田英二, 坂田亮共著 ; 日本材料科学会出版委員会企画・編集
出版情報: 東京 : 裳華房, 2005.8  ix, 379p ; 21cm
シリーズ名: 新教科書シリーズ
所蔵情報: loading…
42.

図書

東工大
目次DB
図書
東工大
目次DB
42. ICMT2002 : 6th International Conference on Mechatronics Technology, September 29-October 3, 2002, Kitakyushu Science and Research Park, Kitakyushu, Fukuoka, Japan : proceedings
edited by Shinichi Yokota, Hidenori Shinno, Nobuyuki Iwatsuki
出版情報: [ S. l. ] : [ s. n. ], [2002]  xx, 558 p. ; 30 cm
所蔵情報: loading…
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MECHATRONICS: Its Genesis and Philosophy by Tetsuro Mori 1
   Charman: Shinichi Yokota
A1-1 On Machine Sensing and Control
   Chairmen: Katsushi Furutani, Eiji Kondo
   A01 In-Process Status Monitoring of Ultraprecision Cutting Using a Disturbance Observer by Hayato Yoshioka, Hitoshi Hashizume and Hidenori Shinno 47
   A02 In-Process Detection of Chatter in End Milling using Spindle Head Vibrations by Eiji Kondo, Koichi Hagiwara, Kenji Shimana and Norio Kawagoishi 52
A1-2 Intelligent and Advanced Control I
   Chairmen: Man-Hyung Lee, Hisanobu Terai
   A03 In-process Compensation for Grinding Wheel Wear Based on Pressure Measurement by Zero Method by Katsushi Furutani, Nguyen Trong Hieu, Noriyuki Ohguro, and Takashi Nakamura 58
   A04 A Geometric Approach by Using Switching and Flatness Based Control in Electromechanical Actuators for Linear Motion by P. Mercorelli, S. Liu and S. Braune 64
   A05 Learning Control of a Planar Parallel Manipulator with Redundancy by Koichi Morikawa, Yoichi Shimada, Nobuyuki Iwatsuki and Iwao Hayashi 70
   A06 Intelligent Control Algorithm Construction for the Moving Objects by Vladimir N. Pilishkin 76
A1-3 Intelligent and Advanced Control II
   Chairmen: Wenlung Li, Peng Chen
   A07 Stable Fuzzy Logic Controller with Adaptive Scaling Factor by Young-Jin Yoon, Young-Jin Lee, Tae-Hyun Won and Man-Hyung Lee 82
   A08 Analysis of Brushless DC Machines Pulsating Torque in Two Drive Systems by Maged N.F. Nashed and Mona N. Eskander 88
   A09 Robust Fuzzy Rule Extraction by Evolutionary Learning for Controlling Underactuated Manipulators by Lanka Udawatta, Keigo Watanabe, Kiyotaka Izumi and Kazuo Kiguchi 94
   A10 Neuro-Fuzzy Impedance Control for Robots in Complex Spatial Edge Following by Zhong Li Xu and Gu Fang 100
   A11 An Expert System for Machine Diagnoses Using Acoustic Signals as Feature Inputs by Wenlung Li, Y.P. Tsai and C.L. Chiu 106
A2-1 Keynote Speech 2
   Recent Development of Quartz Oscillators by Norio Tabuchi 21
   Chairman: Haruo Kozono
A2-2 Advanced Mechatronics Sensing I
   Chairmen: Aigou Ming, Sung-Hyun Han
   A12 Standing Surface Acoustic Wave Tactile Display With Frequency Control Related To Rubbing Speed by Masaya Takasaki, Takaaki Nara and Takeshi Mizuno 112
   A13 Evaluation of Slits Accuracy in Optical Angular Acceleration Sensor by Ivan Godler, Akihiro Ikeda, Reiji Hattori, Yoshihide Kiyosawa and Masashi Horiuchi 117
   A14 Automotive Information Systems: The Role of Low Cost Infra Red Sensing by R.M. Parkin, A.F. Juna, A.Al. Haaibeh, M.R. Jackson and M. Mansi 123
A2-3 Advanced Mechatronics Sensing II
   Chairmen: Shigeru Futami, Kuang-Chao Fan
   A15 Extraction of Cavity Signals from Underground Radar Images Using Frequency Analysis by Yoshikazu Sudo, Yoshihiko Nomura and Yuji Nagashima 129
   A16 Tactual Visual Servoing System Analysis Based-on Sensor Fusion by Dong-Yean Jeong and Sung-Hyun Han 135
   A17 High Accuracy Optical Fiber Positioning Sensor for Precise Assembly of Electronic Components by Aigou Ming, Yuhki Makita, Goushu Koike, Makoto Kajitani, Chisato Kanamori, Xiaodong Wang, Norio Kurakane, Shozo Tazoe and Noboru Yamada 140
   A18 A Binocular Machine Vision System with Autonomous Movement of Viewpoint by Yoshito Yabuta, Hiroshi Mizumoto, Yasuyuki Hossaka and Shiro Arii 146
A2-4 Modeling and Identification
   Chairmen: Hiroshi Hamamatsu, RV.N. Melnik
   A19 State-space Model Identification Using Input and Output Data with Steady State Values by Manabu Kosaka, Hiroshi Uda, Eiichi Bamba and Hiroshi Shibata 150
   A20 Dynamic Modeling and Simulation of a Rigid / Flexible Manipulator in Contact with a Rotating Surface by Atef A. Ata, Momoh-Jimoh E. Salamy and A.Albagul 156
   A21 Modelling and Control of Electric Vehicle Dynamics Accounting for Skid Phenomena by Roderick V.N. Melnik, Per Sandhold and Ningning Song 162
   A22 Thermal Analysis of Induction Motors under Time-Dependent Frequencies and Electromechanical Loadings by Roderick V.N. Melnik, H. Ying and P.B. Thogersen 168
A3-1 Keynote Speech 4 33
   A High Precision Diffraction-Interferometry Stylus Probing System by Kuang-Chao Fan
   Chairman: Yoshio Mizugaki
A3-2 Adaptive Control
   Chairmen: Shinichi Sagara, Tatsu Aoki
   A23 Proposal of Modified Model Reference Adaptive Control for High-Speed Mechatronics Systems by Tatsu Aoki 173
   A24 Neuro-Based Adaptive Control of a Two-Link Robot by Qinghua Xia, Aun-Neow Poo, Marcelo H. Ang Jr. 179
   A25 Automatic Locomotion Control for Vehicles Using Rough Sets and Multi-valued Neural Network by Kengo Takada, Peng Chen and Kai Ichiyou 185
A3-3 Computer Vision and Recognition
   Chairmen: Kazuhiro Yoshida, Matthew Browne
   A26 Acquisition and Recognition of Objects Appearances Using Eigenspace by Md. Ashrafuzzaman and M M A Hashem 190
   A27 Fast Approach for Real Time Tracking by Maki K. Habib 194
   A28 Wavelet Entropy-based Feature Extraction for Crack Detection in Sewer Pipes by Matthew Browne, Matthians Dorn, Robert Ouellette, T. Christaller and Saeed Shiry 202
B1-1 Keynote Speech 1
   Continuing Development of a Methodology for Technology Transfer - An Application of Culture Manufacturing - by Yoshimi Ito 13
B1-2 Intelligent Machine Tools I
   Chairmen: Teruyuki Asao, Yoshio Saito
   B01 A Study on Controller to Suppress Periodic Speed Variation by Manabu Kosaka and Hiroshi Uda and Eiichi Bamba 207
   B02 Optimization of Slot End-Milling Process by Fixed Cycle Analysis for Die/Mold Machining by Wei L. Wang, Ying Tang, Yoshiaki Kakino, Iwao Yamaji, Tomonori Sato and Hirotoshi Ohtsuka 213
   B03 Flexible Finishing System Using Hyper Cutter Location Data by Fusaomi Nagata, Keigo Watanabe, Yukihiro Kusumoto, Kanzuo Kiguchi, Kunihiro Tsuda, Kazuhiko Yokoyama and Naoki Mori 218
   B04 Geometric Simulation of Roughing based on Intermittent Tool Orientation Series in Simplified Multi-Axes End Milling by Yoshio Mizugaki, Koichi Kikkawa and Koichi Fukuda 224
   B05 Feature Selection in Tool Condition Monitoring System by Sun Jie, M. Rahman, Y.S. Wong and G.S. Hong 230
B1-3 Intelligent Machine Tools II
   Chairmen: Yoshimi Takeuchi, Mustafizur Rahman
   B06 Global Interference Detection in 5-axis Machining of Free-form Surfaces by Songlin Ding, M.A.Mannan and Aun Neow Poo 236
   B07 High Quality Turning by use of Virtual Gauge Measurement for Geometric Error of CNC Lathe by Teruyuki Asao, Yoshio Mizugaki and Hiroshi Kiyota 242
   B08 Geometric Analysis of Underformed Chip Thickness for Ball-nosed End Milling by Hisanobu Terai, Minghui Hao, Koichi Kikkawa and Yoshio Mizugaki 248
   B09 Seamless Modeling and Simulation Methodology of Distributed Control Systems based on Object-oriented Design Pattern by Toyoaki Tomura, Takeshi Kishinami, Kiyoshi Uehiro, Satoshi Kanai, Kazuhiro Ibuka and Susumu Yamamoto 254
   B10 An Implicit Shape Representation Method for Sequence-free Force Estimation in End-milling by Jun'ichi Kaneko, Koji Teramoto and Masahito Onosato 260
B2-1 Keynote Speech 3
   Ultraprecision Micromachining by Means of Diamond Cutting Tools by Yoshimi Takeuchi 27
B2-2 Advanced Machine Tools
   Chairmen: Hiroshi Suzuki, Keiichi Shirase
   B11 Development of an Ultra-Thin Dicing Blade Applying Ultra-Violet Curable Resin by Seungbok Lee, Yasuhio Tani, Toshiyuki Enomoto, Kiyoshi Yangihara and Wei Peng 266
   B12 Investigation of Cooling Effects in Corner Areas of Mold Cores Applied with Copper Alloy Inserts and Cooling Channels by Feng Gao, Akira Oniki, Hiroshi Koresawa, Hiroyuki Narahara and Hiroshi Suzuki 272
   B13 NC Program Diagnosis Using Cutting Process Simulator for Machine Tool Teleoperation by Keiichi Shirase, Hirohisa Narita, Keiichi Nakamoto, Hidefumi Wakamatsu, Akira Tsumaya and Eiji Arai 277
B2-3 Automation Technology I
   Chairmen: Yoshio Saito, Kouichi Kikkawa
   B14 Sensor Integrated Locator for Intelligent Fixture by Javad Akbari, Eiji Utada, Tomohisa Tanaka and Yoshio Saito 283
   B15 Intelligent Cutting of Non-homogeneous Fabrics by M.R. Jackson, P.E. Bamforth and K. Williams 288
   B16 Study on a Feasibility Usage of Hybrid Cell Sysetm with EDM and Machine Tools by Toshio Moro, Hisashi Ootsubo, Kazuhisa Sugiyama, Hidetaka Katougi, Akihiro Goto and Naotake Mohri 294
B2-4 Automation Technology II
   Chairmen: Javad Akbari, M.R. Jackson
   B17 A Multiobjective Genetic Algorithm For Scheduling Flexible Manufacturing System by S. Saravana Sankar and S.G. Ponnambalam 300
   B18 Hybrid Search Algorithms for Single-row Layout in Automated Manufacturing Systems by S.G. Ponnambalam 307
   B19 Strategic Optimization of Placement Time in Chip Mounter System (Approach by Control Software Based on GA Adopting Penalty Method) by Takashi Miyajima, Masayuki Nakamura, Mitsuyuki Kobayashi and Takashi Kosugi 313
   B20 Evaluation of LCA in Eco-Friendly Turning Method by Shojiro Touma, Shigetoshi Ohmori, Kunio Kobubo and Masayoshi Tateno 319
B3-1 Human Resource Development and Education on Mechatronics Technology
   Chairman: Hiroyuki Narahara
   B21 Mechatronics-a priority Technology at Hoa Lac high-tech Park in Vietnam by Chu Hao, Nguyen Cao Menh, Pham Anh Tuan and Nguyen Nhu Vinh 325
   B22 An integrative approach for the formation of an undergraduate Mechatronics Programme of World Class by Dante Jorge Dorantes-Gonzalez 329
B3-2 Rapid Prototyping
   Chairmen: Hiroyuki Narahara, Fang-Jung Shiou
   B23 Effect of Slice Thickness on the Profile Accuracy of Model Maker Rapid Prototyping by Fang-Jung Shiou and Jung-Shiang Gao 335
   B24 Development of Laser Sintering Machine Using Powder Tape by Katsuhiro Maekawa 340
   B25 Study on Design for Manufacture of Rapid Prototyping System Based on Knowledge Database by Hiroyuki Narahara, Shinichiro Kawaguchi and Hiroshi Suzuki 346
   B26 Research on Improvement in Parts Accuracy of Stereolithography Using Quality Engineering by Hiroyuki Narahara, Tatsuya Aono and Hiroshi Suzuki 352
B3-3 Automated Navigation
   Chairmen: Junichiro Sumita, Man Hyung Lee
   B27 Semi-Autonomous Navigation in Civil Air Transports by Junichiro Sumita 358
   B28 Behavior based Neuro-fuzzy Controller for Mobile Robot Navigation by S. Parasuraman, V. Ganapathy and Bijan Shirinzadeh 364
   B29 Path Planning for the Autonomous Mobile Robot Under the Constraints of the Driving Conditions with Unknown Obstacles by Young-Jin Yoon, Young-Jin Lee, Tae-Hyun Won and Man-Hyung Lee 372
C1-1 Mechatronics Devices for Welfare
   Chairmen: Kouichi Kikkawa, Hidetsugu Terada
   C01 Development of a Welfare Work Support System Using a Chair-desk by Teruhisa Ohnishi, Tetsushi Ikoma, Tatsuo Arai, Kenji Inoue and Yasuhi Mae 379
   C02 Dynamic Posture Measurement and Evaluation of Electrically-Powered Wheelchair with Passenger-Development of Electrically-Powered Wheelchair for Measurement Experiment - by Shigenobu Shimada, Kosei Ishimura and Mitsuo Wada 385
C1-2 Advanced Mechatronics Devices
   Chairmen: Hideaki Aburatani, Nobuyuki Iwatsuki
   C03 Development of a High-frequency Intra-body Communication Device by Keisuke Hachisuka, Azusa Nakata, Teruhito Takeda, Kenji Shiba, Ken Sasaki, Hiroshi Hosaka and Kiyoshi Itao 390
   C04 Development of a Light-weight Brake Driven by a PZT Actuator for Robotic Application by Masaru Higuchi, Hiroaki Funabashi and Yukio Takeda 394
   C05 Disk Brakes Driven by Piezoelectric Elements by Masaharu Kimura, Katsunobu Konishi and Lin Lan 400
   C06 Ultrasonic Motor Using Magnet Stator by Hideaki Aburatani 406
C1-3 MEMS
   Chairmen: Takashi Yasuda, Kai-Tai Song
   C07 Design of a Novel Electrostatic Linear Stepping Micromotor by Jen-Chao Tai and Kai-Tai Song 411
   C08 A Resonantly-Driven Piezoelectric Micropump for Microfactory by Jung-Ho Park, Kazuhiro Yoshida, Yoshihiro Nakasu, Shinichi Yokota, Takeshi Seto and Kunihiko Takagi 417
   C09 A Microvalve Using MR Fluid Valve-Body by Kazuhiro Yoshida, Yeon-Oh Jung and Shinichi Yokota 423
   C10 Sensing of Formaldehyde and Brain Blood Oxygen Level for Wearable Healthcare System by Yasuhiro Kawahara, Kiyoshi Naemura, Motonobu Hoshino, Shinya Nagasaki, Ken Sasaki, Hiroshi Hosaka and Kiyoshi Itao 429
C2-2 Precision Mechatronics
   Chairmen: Hidetsugu Terada, Hitoshi Hashizume
   C11 Accuracy Improvement of Parallel Kinematic Machine -Error Compensation System for Joints, Links and Machine Frame- by Takaaki Oiwa 433
   C12 Development of Active Squeeze Gas Bearing Driven by Piezoelectric Actuators -Construction of Radial Squeeze Gas Bearing and Proposal of Numerical Analysis Technique- by Hiromi Isobe and Akira Kyusojin 439
   C13 The Position Control for a Linear-Slider With Twin Linear Drives by Hideaki Honda, Souki Kaku, Hidekazu Miyagawa, Ryuichi Oguro, Ray Nakashima, Teruo Tsuji and Fujio Ohkawa 445
   C14 A New Technique for Measuring Motion Accuracy of Machine Tools: Method and Device by Hua Qiu and Akio Kubo 451
C2-3 Robotics I
   Chairmen: Nobuyuki Iwatsuki, Takaaki Oiwa
   C15 Workspace Analysis and Singularity-free Path Planning of Parallel Manipulators by Anjan Kumar Dash, I-Ming Chen, Song Huat Yeo and Guilin Yang 457
   C16 Motion Control of a Re-Configurable Multi-Fingered Robot System for Carton Packaging by Hidetsugu Terada 463
   C17 Syntheses and Control of Spatial Network-structure Robots by Nobuyuki Iwatsuki, Norifumi Nishizaka, Tomokatsu Kitamura, Iwao Hayashi and Koichi Morikawa 469
   C18 Characteristics of the 3-DOF Planar Positioning-Orientation Mechanisms with Links and Large-Deflective Hinges by Mikio Horie, Shuussaku Kubo and Daiki Kamiya 475
C2-4 Robotics II
   Chairmen: Mikio Horie, Hisayuki Aoyama
   C19 An Experiment in Velocity Type Digital Control of Space Robot Manipulators Using Transpose of GJM by Yuichiro Taira and Shinichi Sagara 481
   C20 A Simple Robust Tracking Control of Robot Manipulators Using a New Representation by Makoto Wada, Masahiro Oya and Toshihiro Kobayashi 487
   C21 Collision Avoidance for a Visuo-motor System Using a Self-organizing Map by Min Han, Nobuhiro Okada, Eiji Kondo and Kenji Minamoto 493
   C22 Piezo Based Micro Robot for Microscope Instrument by Ohmi Fuchiwaki and Hisayuki Aoyama 499
C3-1 Keynote Speech 5
   Mechatronics Solutions: IT Application to an Existing Rail Rolling Mill by Mechanical Engineers by Haruo Kozono 39
   Chairman: Shinichi Yokota
C3-2 Mobile Robot I
   Chairmen: Maki K. Habib, Shigeo Kato
   C23 Modeling and Fabrication of a Mobile Inspection Microrobot Driven by Pneumatic Actuator and Movable in Small Diameter Pipes by Manabu Ono, Toshiaki Hamano, Shinichi Matsuda and Shigeo Kato 505
   C24 Fabrication of a Position Surveying Robot in the Underground Pipes by Toshiaki Hamano, Manabu Ono, Norihiko Kato, Shinichi Matsuda and Shigeo Kato 510
   C25 Omni Directional Robot that can Climb A Wall by Maki K. Habib 516
   C26 Walking Control Method for Quadruped Robot by Genetic Algorithms by Tomohisa Ohmori and Peng Chen 523
C3-3 Mobile Robot II
   Chairmen: Atef A. Ata, Masahiro Oya
   C27 Dynamic Modeling and Control Strategy for Mobile Robot by A. Albagul, Atef.A. Ata, M.J. Salami and K.Z. Karam 529
   C28 Cooperative Map Building of Multiple Mobile Robots by Kai-Tai Song and Hung-Ting Chen 535
   C29 Intelligent Mobile Robots in Multi-Agent Cooperative Task Achievement by Shamsudin H.M. Amin, Rosbi Mamat, M.R. Ahmad, C.K. Tan, Norhayati A. Majid, Eileen L.M. Su and C.F. Yeong 541
   C30 Kinetic Energy Based Potential Field Method and Its Application in Carrying a Long Object in Narrow Space by Xin Yang, Keigo Watanabe, Kiyotaka Izumi and Kazuo Kiguchi 547
   C31 Control of Nonholonomic Mobile Robot by an Adaptive Actor Critic Algorithm with Multi-Step Simulated Experience by Rafiuddin Syam, Keigo Watanabe, Kiyotaka Izumi and Kazuo Kiguchi 553
MECHATRONICS: Its Genesis and Philosophy by Tetsuro Mori 1
   Charman: Shinichi Yokota
A1-1 On Machine Sensing and Control
43.

図書

東工大
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図書
東工大
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43. スピントロニクス理論の基礎
多々良源著
出版情報: 東京 : 培風館, 2009.10  vii, 221p ; 22cm
シリーズ名: 新物理学シリーズ / 山内恭彦監修 ; 40
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
1　スピントロニクスとは 1～12
   1-1　磁気記録の歴史 3
   1-2　磁気抵抗効果 5
   1-3　スピン注入磁化反転 10
2.磁性と電気伝導の基礎 13～28
   2-1　金属性 13
   2-2　強磁性 17
   2-3　マクロな視点からの強磁性体 24
3.スピントロニクスの現象論 29～40
   3-1　電流による磁化反転 29
   3-2　スピン流とその生成および検出 37
4.強磁性体の微視的記述 41～56
   4-1　強磁性ラグランジアンと磁化の運動 41
   4-2　スピンのBerry位相項 45
   4-3　スピン系のもつ運動量 47
   4-4　局在スピンの緩和 49
   4-5　スピンの運動方程式と磁壁解 51
   4-6　磁気渦 54
5　磁壁の集団座標 57～71
   5-1　磁壁解のまわりのゆらぎ 58
   5-2　スピン波励起 60
   5-3　ゼロモード 61
   5-4　ピン止めポテンシャルと困難軸磁気異方性 64
   5-5　磁場中での磁壁の運動 65
   5-6　磁壁粒子？ 67
   5-7　磁気渦の集団座標 70
6　場の量子化 72～85
   6-1　場の量子論とは 72
   6-2　生成消滅演算子 76
   6-3　交換関係と波動関数の対称性 81
   6-4　反交換関係に従う粒子 : Fermi粒子 83
7.伝導電子の微視的記述 86～96
   7-1　伝導電子の記述 86
   7-2　相互作用　89
   7-3　電流とスピン流 94
8.電子のGreen関数 97～131
   8-1　物理量 97
   8-2　物理量の満たす方程式 101
   8-3　数学的に便利な微分方程式を満たす関数 103
   8-4　物理量の経路表示 105
   8-5　経路順序Green関数 109
   8-6　実際の時刻で表したGreen関数 112
   8-7　自由電子の場合の具体例 114
   8-8　相互作用の摂動論的扱い 117
   8-9　不純物による電子散乱 119
   8-10　不純物散乱のもとでのGreen関数 123
   8-11　不純物散乱のもとでのlesser Green関数 130
9.外湯への電子系の線形応答 132～153
   9-1　スカラー場により誘起される電荷密度 132
   9-2　スカラー場により誘起される電流密度 142
   9-3　拡散型因子 145
   9-4　線形応答理論 146
10.スピンが誘起する電流とスピン流 154～168
   10-1　s-d型相互作用の摂動論 155
   10-2　スピンのスカラーカイラリティと永久電流 157
   10-3　異常Hall効果 161
   10-4　平衡スピン流 166
11.電流のもとでの磁化ダイナミクス 169～195
   11-1　ゲージ変換 169
   11-2　スピン構造に伴う電磁場 173
   11-3　電流下での磁壁の運動方程式 175
   11-4　非断熱効果とスピン緩和効果 185
   11-5　電流のもとでの磁気渦の運動 189
   11-6　関連した問題 190
付録　197～212
   A-1　強磁性の有効ラグランジアン 197
   A-2　磁壁の運動方程式の解 210
参考書・参考文献 213
あとがき 217
索引 219
1　スピントロニクスとは 1～12
   1-1　磁気記録の歴史 3
   1-2　磁気抵抗効果 5
44.

電子ブック
ＥＢ
44. たのしくできる深層学習&深層強化学習による電子工作 (TensorFlow編 : electronic bk)
牧野浩二, 西﨑博光著
出版情報: [東京] : KinoDen, [20--]  1オンラインリソース (ix, 241p)
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
深層学習の準備をしよう
TensorFlowによる深層学習の基本
TensorFlowによる深層強化学習の基本
電子工作の準備をしよう
Arduinoの基本
パソコンとArduinoの通信
深層学習との連携—ディープニューラルネットワーク
深層学習で距離計測—ディープニューラルネットワーク
深層学習でお札の分類—ディープニューラルネットワーク
深層学習で画像認識—畳み込みニューラルネットワーク
深層学習でジェスチャーを分類—リカレントニューラルネットワーク
深層強化学習で手順を学ぶ
深層教科学習でボールアンドビーム
深層学習の準備をしよう
TensorFlowによる深層学習の基本
TensorFlowによる深層強化学習の基本
概要: TensorFlow深層学習・深層強化学習×Arduino電子工作。深層学習・深層強化学習と電子工作を連携してお札の分類やボールアンドビームの製作などにチャレンジしてみよう。
45.

図書

東工大
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図書
東工大
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45. ナノエレクトロニクスの基礎
三好旦六, 小川真人, 土屋英昭共著
出版情報: 東京 : 培風館, 2007.11  vii, 261p ; 22cm
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
   注 : g[R]の[R]は上つき文字
   注 : sp[3]s[*]の[3]、[*]は上つき文字
   注 : sp[3]d[5]s[*]の[3]、[5]、[*]は上つき文字
   
I編　序論
1　ナノエレクトロニクス序論 1
   1.1　はじめに 1
   1.2　ナノエレクトロニクスの発展 2
   　1.2.1　メゾスコピック物理現象発現デバイス 2
   　1.2.2　単一電子トンネリング 2
   　1.2.3　超格子デバイス 3
   　1.2.4　ナノMOS－FET 3
   　1.2.5　カーボンナノチューブ 4
   　1.2.6　ナノ構造デバイスの分類 5
   1.3　ナノ構造量子輸送モデルの概要 6
   　1.3.1　半古典的ボルツマン輸送方程式 6
   　1.3.2　量子輸送モデルの発展 8
   　1.3.3　散乱理論 10
   　1.3.4　非平衡グリーン関数法（NEGF法） 14
   　1.3.5　ウイグナー関数法 21
   　1.3.6　非平衡量子輸送モデルの体系 22
   1.4　ナノ構造電子状態の概要 23
   　1.4.1　原子軌道,分子軌道,バンド構造 23
   　1.4.2　ナノ構造のサブバンド 24
   付録A 26
   　A.1　アハラノフ－ボーム効果 26
   　A.2　クーロンブロッケード 27
   　A.3　カーボンナノチューブ 30
   　A.4　電極の平衡遅延グリーン関数g[R] 34
   引用・参考文献 35
Ⅱ編　ナノ構造の電子状態
2　強束縛近似法 38
   2.1　はじめに 38
   2.2　強束縛近似法 39
   　2.2.1　一次元強束縛近似モデル 40
   　2.2.2　三次元多バンドモデル 46
   　2.2.3　sp[3]s[*]基底の閃亜鉛鉱結晶とダイヤモンド結晶のバルクハミルトニアン 49
   　2.2.4　sp[3]d[5]s[*]基底の閃亜鉛鉱結晶とダイヤモンド結晶のバルクハミルトニアン 51
   　2.2.5　スピン軌道相互作用の考慮 52
   2.3　ナノ構造（薄膜）へのTB法の応用 57
   　2.3.1　量子閉じ込め状態のハミルトニアンの導出 57
   　2.3.2　終端の取り扱い 58
   　2.3.3　薄膜構造の解析例 62
   付録A　スレーター・コスターパラメータ 65
   　A.1　方向余弦 65
   　A.2　閃亜鉛鉱型結晶の基本ベクトルと最近接原子位置 66
   　A.3　重なり積分（二中心積分）の計算 67
   付録B　量子閉じ込め構造のハミルトニアンの行列要素 72
   引用・参考文献 75
3　K・p摂動法 76
   3.1　はじめに 76
   3.2　K・p摂動法理論 77
   　3.2.1　閃亜鉛鉱構造とダイヤモンド構造の対称性 78
   　3.2.2　スピン軌道相互作用を考慮しない場合 79
   　3.2.3　スピン－軌道相互作用を考慮した場合 86
   　3.2.4　ケインのパラメータと双極子モーメントとの関係 94
   3.3　強束縛近似ハミルトニアンとの対応 96
   3.4　バンド構造に対する歪の効果 99
   　3.4.1　応力テンソルと歪テンソル 99
   　3.4.2　バンド構造への歪の影響 103
   3.5　量子構造への応用 106
   　3.5.1　有効質量方程式 106
   　3.5.2　結晶方位変換 109
   　3.5.3　量子構造への応用例 113
   付録A　双極子モーメントと運動量期待値の関係 120
   付録B　縮退を含む場合の摂動論 121
   引用・参考文献 124
4　第一原理計算法 126
   4.1　はじめに 126
   4.2　断熱近似 126
   4.3　第一原理計算法 129
   4.4　ハートレー・フォック法 130
   　4.4.1　ハートレー・フォック方程式 130
   　4.4.2　スレーターの交換ポテンシャル 132
   4.5　密度汎関数法 134
   　4.5.1　局所密度近似 136
   　4.5.2　コーン・シャム方程式 136
   　4.5.3　交換相関ポテンシャル 137
   　4.5.4　平面波展開法 139
   　4.5.5　カー・パリネロ法（Car-Parrinello method） 142
   4.6　シリコンナノ構造への適用例 145
   　4.6.1　ナノスケールシリコン薄膜の電子状態解析 145
   　4.6.2　シリコンナノワイヤの電子状態解析 148
   付録A 152
   　A.1　式（4.18）の積分計算 152
   　A.2　式（4.21）の積分計算 153
   　A.3　ホーエンベルグとコーンの定理の証明 153
   　A.4　交換相関エネルギーの汎関数微分 154
   引用・参考文献 155
Ⅲ編　ナノ構造の量子輸送
5　非平衡グリーン関数法 157
   5.1　はじめに 157
   5.2　非平衡グリーン関数法 157
   　5.2.1　自己無撞着場の方法 157
   　5.2.2　ハミルトニアンと密度行列 159
   　5.2.3　正規直交基底による表現 161
   　5.2.4　平衡状態の密度行列とグリーン関数 164
   　5.2.5　非平衡状態の密度行列とグリーン関数 170
   　5.2.6　多バンド強束縛近似非平衡グリーン関数法 173
   　5.2.7　二次元デバイスの解析 181
   　5.2.8　非平衡グリーン関数法による量子輸送シミュレーション 186
   5.3　非直交基底に基づく非平衡グリーン関数輸送理論 192
   　5.3.1　非直交基底による孤立系の電子状態計算 193
   　5.3.2　平衡状態における分子デバイスの電子状態 195
   　5.3.3　非平衡状態における分子デバイスの電子状態 202
   　5.3.4　散乱のある場合への拡張 205
   　5.3.5　非直交基底による電流の計算 206
   　5.3.6　強束縛近似法との関係 209
   付録A 210
   　A.1　一次元の場合の境界自己エネルギーの計算 210
   　A.2　多バンド強束縛近似ハミルトニアンの行列要素 211
   引用・参考文献 212
6　ウィグナー関数法 215
   6.1　はじめに 215
   6.2　ウィグナー関数モデル 215
   　6.2.1　量子力学的ボルツマン方程式（ウィグナー輪送方程式） 215
   　6.2.2　古典的極限 219
   　6.2.3　自己無撞着計算 220
   　6.2.4　有限差分法による離散化 220
   　6.2.5　境界条件 224
   　6.2.6　ヘテロ構造への拡張 225
   　6.2.7　ウィグナー輪送モデルの適用例 226
   6.3　量子補正モンテカルロ法 233
   　6.3.1　量子補正ボルツマン方程式 234
   　6.3.2　Si－MOSFETの量子補正モンテカルロシミュレーション 238
   　6.3.3　ナノスケールMOSFETへの適用例 242
   付録A 249
   　A.1　ウィグナー輪送方程式の導出 250
   　A.2　連続の式 251
   　A.3　式（6.36）の導出 251
   　A.4　シュレディンガー・ポアソン法 252
   引用・参考文献 254
索引 257
   注 : g[R]の[R]は上つき文字
   注 : sp[3]s[*]の[3]、[*]は上つき文字
   注 : sp[3]d[5]s[*]の[3]、[5]、[*]は上つき文字
46.

図書
図書
46. 電気・電子・情報通信のための工学英語
奈倉理一著
出版情報: 東京 : 共立出版, 2008.11  v, 86p ; 26cm
所蔵情報: loading…
47.

図書

東工大
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図書
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47. 基礎電子物性工学 : 量子力学の基本と応用
阿部正紀著
出版情報: 東京 : コロナ社, 2008.5  viii, 141p ; 26cm
シリーズ名: 電子情報通信レクチャーシリーズ / 電子情報通信学会編 ; B-11
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
1.　“逆さ量子力学史”と電子物性工学
   1.1　量子情報工学　-量子力学が開く未来のIT 2
   談話室　坂本竜馬の開眼　-量子力学の”難解さ克服”へのヒント 4
   1.2　電子物性工学の最前線 5
   1.3　量子力学のルーツ 7
   本章のまとめ 8
   理解度の確認 8
2.　光から生まれた量子力学
   2.1　光に関する謎　-量子力学誕生のきっかけ 10
   2.1.1　黒体放射とブランクのエネルギー量子仮説 10
   2.1.2　光電効果とアインシュタインの光量子説 13
   2.1.3　水素原子スペクトルとボーアの原子模型 16
   2.2　ハミルトンの光学理論から生まれた物質波と波動方程式 20
   2.2.1　粒子と光の統合をめざしたハミルトン 20
   2.2.2　ド・ブロイ波の提案 24
   談話室　科学理論の先駆と模倣 27
   2.2.3　シュレーディンガー方程式の導出 28
   談話室　「科学的真理発見」における”ひらめき”と自然科学の本質 30
   本章のまとめ 31
   理解度の確認 32
3.　量子力学の基本原理
   3.1　確率波の解釈 34
   3.1.1　回折現象と確率波 34
   3.1.2　確率波と観測問題 34
   3.2　不確定性原理 41
   談話室　ハイゼンベルグの不確定性原理を超えた日本人 43
   3.3　古典的因果律の破綻 44
   3.4　量子力学の要請　-状態・物理量・測定値 45
   談話室　虚数と自然科学 46
   本章のまとめ 50
   理解度の確認 50
4.　定常状態と井戸型/凸型ポテンシャル
   4.1　定常状態の波動関数と波動方程式 52
   4.2　一次元自由粒子 53
   4.3　一次元井戸型ポテンシャル中の粒子 55
   4.3.1　無限に深い井戸型ポテンシャル 55
   4.3.2　有限の深さの井戸型ポテンシャル 57
   4.4　凸型ポテンシャル障壁とトンネル効果 65
   4.5　三次元自由粒子と井戸型ポテンシャル問題 65
   本章のまとめ 68
   理解度の確認 68
5.　演算子の性質と苦の応用
   5.1　演算子の線形性と重ね合わせの原理/波束の収縮 70
   5.2　演算子の交換関係と不確定性原理 73
   談話室　知の限界 75
   本章のまとめ 76
   理解度の確認 76
6.　水素原子と軌道角運動量
   6.1　波動方程式の解法 78
   6.2　動径関数と電子雲の広がり 82
   6.3　角運動量と空間の量子化 86
   6.4　電子雲の方向依存性 88
   本章のまとめ 90
   理解度の確認 90
7.　スピン角運動量と電子配置
   7.1　軌道磁気モーーメント 92
   7.2　スピン磁気モーメント 94
   7.3　パウリの原理と電子配置 97
   本章のまとめ 100
   理解度の確認 100
8.　観測問題と量子情報工学
   8.1　「量子力学の観測問題」今昔 102
   8.1.1　ノイマンの観測理論　-意識が状態を収縮させる？ 102
   8.1.2　シュレーディンガーの猫　-観測が猫の生死を決定する？ 103
   8.1.3　EPRパラドックス　-自然は非局所的か？ 105
   談話室　アインシュタインとボーア : 論争と友情 107
   8.1.4　ベルの定理とアスペの実験　-遠隔相関と非局所性を実証！ 107
   8.1.5　多世界解釈 108
   談話室　”オッカムのかみそり”と多世界 109
   8.2　”情報”と量子力学 110
   8.2.1　量子消去　-量子情報を消して過去を変える!？ 111
   8.2.2　量子コンピュータと量子暗号通信 114
   談話室　アリストテレスの謎と量子力学 117
   本章のまとめ 118
   理解度の確認 118
付録
   1.　フェルマーの原理と蜃気楼 119
   2.　ハミルトンの原理とハミルトン・ヤコビの方程式 123
   3.　近接場光の応用 126
   4.　エルミート演算子・完全直交系と演算子の行列表示 128
   5.　スピン測定と不確定性原理 131
引用・参考文献 133
理解度の確認；解説 134
索引 139
1.　“逆さ量子力学史”と電子物性工学
   1.1　量子情報工学　-量子力学が開く未来のIT 2
   談話室　坂本竜馬の開眼　-量子力学の”難解さ克服”へのヒント 4
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