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1.

図書
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1. 情報工学概論. 第2版
三井田惇郎, 浮貝雅裕, 須田宇宙共著
出版情報: 東京 : 森北出版, 2002.4  xii, 142p ; 22cm
シリーズ名: 情報工学入門シリーズ / 城戸健一, 三井田惇郎監修 ; 1
所蔵情報: loading…
2.

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2. USBハード&ソフト開発のすべて : USBコントローラの使い方からWindows/Linuxドライバの作成まで. 第4版
出版情報: 東京 : CQ出版, 2002.5  279p ; 26cm
シリーズ名: Tech I ; Vol. 8
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3.

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東工大
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東工大
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3. MRAM技術 : 基礎からLSI応用まで
猪俣浩一郎, 田原修一, 有本由弘編集
出版情報: 東京 : サイペック, 2002.2  5, 206, 3p ; 30cm
所蔵情報: loading…
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刊行に寄せて【宮崎 照宣】
   磁性材料研究の歴史 1
   磁性薄膜研究の歴史 2
   MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) 4
第1章 半導体技術者でも理解できる磁性体の基礎物理【猪俣浩一郎】
1. 金属の強磁性 9
   1.1 概論 9
   1.2 強磁性とは 9
   1.3 磁気モーメントの担い手 11
   1.4 強磁性のバンド理論 13
   1.5 スレーターポーリング曲線 16
   1.6 磁気異方性 16
2. ヒステリシス曲線 17
   2.1 概論 17
   2.2 磁区 17
   2.3 磁壁 19
   2.4 磁化過程 21
   2.5 超常磁性 23
   2.6 アステロイド曲線 23
3. 強磁性スピンの動力学 25
   3.1 スピンの首振り運動 25
   3.2 スピン共鳴と磁化回転速度 25
第2章 TMR・GMR 磁性素子技術
2.1 TMR・GMR磁性素子技術
2.1.1 GMR・TMR素子の材料設計と基本性能【齋藤 好昭】 29
   1.概論 29
   2. GMR・TMR素子のセル構造 29
   3. GMR・TMRの原理と特性 31
   3.1 GMRの原理 31
   3.2 TMRの原理 34
   3.3 GMR, TMRの特性 36
2.1.2 TMRの材料特性と形状効果【小林 和雄】 39
   1. 磁性材料依存性 39
   2. 絶縁層形成方法 40
   3. 熱処理効果 43
   4. 絶縁層材料による違い 45
   5. バイアス電圧依存性 46
   6. ハーフメタリック材料 47
   7. 低抵抗化 48
   8. 形状効果 50
2.1.3 スピン反転技術【松山 公秀】 54
   1. スピン反転によるMRAM機能動作 54
   2. スピン反転特性とMRAM動作性能 57
2.2 TMR・GMR素子の製造方法(磁性膜・トンネル膜)
2.2.1 酸化膜・磁性膜の製造法【荒木 悟】 64
   1. 酸化膜製造法 64
   1.1 概論 64
   1.2 酸化膜抵抗とMR変化率 64
   1.3 純酸素酸化法 67
   1.4 オゾン酸化法 69
   1.5 ラジカル酸化法 69
   1.6 プラズマ酸化法 71
   1.7 酸化方法の比較 72
   2. 磁性膜製造法 74
   2.1 概論 74
   2.2 古典的なスパッタ法 77
   2.3 最新スパッタ技術 78
   2.4 イオンビーム堆積(IBD)技術 79
   2.5 成膜エネルギによる多層膜微細構造・磁気特性の差異 81
   2.6 次世代に向けての課題 82
2.2.2 微細加工技術【中谷 功】 85
   1. 磁性体の微細加工技術の概要 85
   2. 三次元微細加工技術 86
   3. 光リソグラフィ技術 88
   4. 電子線描画技術 90
   5. エッチング法およびイオンミリング法 92
   6. リフトオフ法およびメッキ法 95
2.3 GMR・TMR素子の評価方法【松寺 久雄】 96
   1. 電気特性評価手法 96
   1.1 概論 96
   1.2 MR特性評価装置 96
   1.3 静電気対策 97
   1.4 MR特性評価 97
   1.4.1 測定サンプル 97
   1.4.2 GMR/TMR素子の特性評価 98
   1.5 アステロイドカーブ評価 100
   2. 磁気特性評価 101
   3. 信頼性 102
第3章 MRAM の現状
3.1 MRAMの現状【田原 修一】 107
   1. はじめに 107
   2. MRAMの原理 108
   2.1 セル構造 108
   2.2 書き込み 111
   2.3 読み出し 112
   3. 予想されるMRAMの性能 114
   3.1 概要 114
   3.2 速度 114
   3.3 消費電力 115
   3.4 書き換え耐性 116
   4. MRAM応用 116
   4.1 社会的要請 117
   4.2 技術的要請 117
   4.3 他メモリとの特性比較 118
   5. MRAM実用化への課題 119
   5.1 プロセス技術 119
   5.2 素子特性のバラつき 120
   5.3 微細化 121
   6. まとめ 122
3.2 255 kb MRAM【 Saied Tehrani, Mark DeHerrera,Mark Durlam,Brad N.Engel,Nick D.Rizzo,and Jon M.Slaughter 】 123
   1. INTRODUCTION 123
   2. MAGNETIC MEMORY CELL MATERIALS 123
   3. FUNDAMENTALS OF MRAM PROGRAMMING 126
   4. INTEGRATION AND CIRCUIT DEMONSTRATION 127
   5. CONCLUSION 130
   6. ACKNOWLEDGMENTS 131
3.3 MRAM の将来【猪俣浩一郎】 133
   1.概論 133
   2.素子抵抗 133
   3.信号電圧 133
   4.書き込みパワー 135
   4.1反磁界低減素子構造 135
   4.2 スピン注入による磁化反転 135
   5. ビット間相互作用 138
   6. アーキテクチャ 138
第4章 不揮発性メモリLSIの現状と将来
4.1 FLASH【作井 康司】 143
   1. はじめに 143
   2. フラッシュメモリとは 143
   2.1 基本的なメカニズム 143
   2.2 書き込み/消去方法 144
   2.3 フラッシュメモリの理論的な原理 146
   2.3.1 チャネルホットエレクトロン注入現象 146
   2.3.2 トンネル現象 147
   3. 半導体不揮発性メモリの分類 148
   3.1 概要 148
   3.2 AND型 150
   3.3 DINOR型 151
   4. NOR型とNAND型の比較 151
   4.1 概要 151
   5. NAND型フラッシュメモリ技術 154
   5.1 NAND型フラッシュメモリの回路構成 154
   5.2 NAND型フラッシュメモリの高集積セル技術 155
   5.3 NAND型フラッシュメモリの基本動作 156
   5.4 フローティング書き換え禁止技術 157
   5.4.1 フローティング消去禁止方式 157
   5.4.2 フローティング書き込み禁止方式 158
   5.5 ビットごとベリファイ技術 159
   5.6 ステップ・アップ書き込み方式 161
   5.7 ビット線シールド技術 162
   6. 256MビットNAND 型フラッシュメモリ技術 164
   7. おわりに 168
4.2 FeRAM (強誘電体メモリ)【有本 由弘】 170
   1. はじめに 170
   2. FeRAM とは 170
   2.1 概論 170
   2.2 データ書き込み方法 172
   2.3 データ読み出し方法 173
   2.4 データ保持時間 175
   2.5 書き換え回数 175
   3. FeRAM の現状と将来 177
   3.1 キャパシタ材料 178
   3.2 キャパシタ構造 179
   3.3 セル構成 179
   3.4 FeRAM 回路 180
   3.5 これからのFeRAM 181
   4. FeRAMのアプリケーション 182
   4.1 概要 182
   4.2 スマートカード 183
   4.3 バックアップが不要なメモリ 185
   4.4 新しい応用 185
   5. まとめ 186
4.3 次世代FeRAM【石原 宏】 188
   1. 次世代FeRAMの特徴 188
   2. 新しい集積回路の提案 189
   2.1 単一トランジスタセル型デジタルメモリ 189
   2.2 論理LSIの高機能化 190
   2.3 ニューラルネットワーク用シナプスデバイス 191
   3. 次世代FeRAM作製の現状と問題点 192
   3.1 強誘電体ゲートFETの問題点 192
   3.2 材料ならびにデバイス構造の最適化 193
   3.3 強誘電体ゲートFET作製の現状 195
   3.3.1 バッファ層にSiO₂ を用いたMFMOS-FET 195
   3.3.2 MFIS構造の作製 196
   3.4 機能分離1T2C型メモリ 198
   3.4.1 セル構造と基本動作 198
   3.4.2 実験結果 200
   4. 今後の展望 201
第5章 MRAMへの期待【安藤 功兒】 205
刊行に寄せて【宮崎 照宣】
   磁性材料研究の歴史 1
   磁性薄膜研究の歴史 2
4.

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4. 教養・コンピュータ. 第3版
吉田敬一著
出版情報: 東京 : 共立出版, 2002.12  viii, 176p ; 21cm
所蔵情報: loading…
5.

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東工大
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東工大
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5. 要求工学
大西淳, 郷健太郎著
出版情報: 東京 : 共立出版, 2002.5  xiv, 248p ; 22cm
シリーズ名: ソフトウェアテクノロジーシリーズ ; 9 . プロセスと環境トラック||プロセス ト カンキョウ トラック
所蔵情報: loading…
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第1章 はじめに 1
   1.1 ソフトウェア要求とは 1
   1.2 要求工学 2
   1.3 用語の定義 5
   1.4 ソフトウェア工学と要求工学 7
   1.5 システム工学 8
   1.6 ソフトウェアライフサイクル 9
   1.7 要求定義 11
   1.8 要求仕様 13
   1.8.1 要求仕様の書き手 14
   1.8.2 要求仕様の構成 14
   1.8.3 非機能要求と機能要求 15
   1.8.4 要求仕様の特性 16
第2章 要求獲得 17
   2.1 問題分析 18
   2.2 インタラクションと分析 20
   2.2.1 インタラクション 20
   2.2.2 インタラクションの分析 21
   2.3 合意形成 24
   2.3.1 デルファイ法(Delphi method) 24
   2.3.2 ISM法 26
   2.3.3 AHP法 27
   2.4 C-NAP法 31
   2.4.1 システム計画工程の課題 31
   2.4.2 企業の情報システムにおける要求獲得 32
   2.4.3 C-NAPの構成 35
   2.4.4 C-NAPによる問題分析の具体例 38
   2.4.5 目的展開 39
   2.4.6 手段検討 41
   2.4.7 C-NAPの現状と今後 42
第3章 シナリオ 45
   3.1 はじめに 45
   3.2 背景:要求工学とシナリオの位置付け 45
   3.2.1 要求工学の基本作業 46
   3.2.2 要求分析におけるコミュニケーション 46
   3.2.3 要求の特徴:発展する要求 47
   3.2.4 人間の特徴:要求を伝えるのは難しい 48
   3.2.5 シナリオの意義:なぜシナリオを使うのか 48
   3.2.6 社会的要請 51
   3.2.7 欧州における調査 51
   3.3 シナリオとは 53
   3.3.1 シナリオの構成要素 53
   3.3.2 シナリオの表現 55
   3.3.3 シナリオの特徴 58
   3.3.4 シナリオと仕様との違い 58
   3.3.5 シナリオの種類 60
   3.3.6 シナリオの分類 60
   3.3.7 シナリオの定義 61
   3.4 シナリオに基づく要求工学 71
   3.4.1 システム開発過程とシナリオ作成過程 72
   3.4.2 シナリオの特徴を活かすために 77
   3.4.3 システム開発におけるシナリオの技法 79
   3.5 関連分野におけるシナリオ 89
   3.5.1 戦略経営 89
   3.5.2 ヒューマンインタフェース 90
   3.5.3 オブジェクト指向分析・設計 94
   3.5.4 シナリオの多様性 95
   3.6 おわりに 97
   3.6.1 要約 97
   3.6.2 今後の展望 97
第4章 要求仕様 101
   4.1 要求仕様の目的 101
   4.2 要求仕様の特性 102
   4.2.1 要求仕様の妥当性 103
   4.2.2 要求仕様の非あいまい性 103
   4.2.3 要求仕様の完全性 104
   4.2.4 要求仕様の無矛盾性 105
   4.2.5 要求の重要度と安定性のランク付け 105
   4.2.6 要求仕様の検証可能性 106
   4.2.7 要求仕様の変更可能性 107
   4.2.8 要求仕様の追跡可能性 107
   4.3 要求仕様の構成と内容 108
   4.3.1 要求仕様の「はじめに」 108
   4.3.2 要求仕様の「全体説明」 109
   4.3.3 詳細な要求仕様 112
   4.3.4 その他の情報 118
第5章 要求言語 121
   5.1 自然言語による要求仕様化 122
   5.1.1 自然言語による要求記述の利点 122
   5.1.2 自然言語による要求記述の問題点 122
   5.2 形式的な言語による要求仕様化 124
   5.2.1 形式的な言語による要求記述の利点 124
   5.2.2 形式的な言語による要求記述の問題点 125
   5.3 制限言語による要求仕様化 127
   5.3.1 制限言語による要求記述の利点 127
   5.3.2 制限言語による要求記述の問題点 127
   5.4 制限言語の具体例 128
   5.4.1 疑似言語 128
   5.4.2 PSL 129
   5.4.3 RSL 129
   5.4.4 X-JRDL 130
   5.5 図式言語による要求仕様化 133
   5.5.1 図式言語による要求記述の利点 133
   5.5.2 図式言語による要求記述の問題点 134
   5.6 図式言語の具体例 134
   5.6.1 業務フロー図 135
   5.6.2 SADT 136
   5.7 その他の要求言語 138
   5.7.1 決定表 138
   5.7.2 VRDL 139
第6章 要求仕様化技法 143
   6.1 構造化分析 143
   6.1.1 データフロー図 143
   6.1.2 データ辞書 144
   6.1.3 プロセス仕様書 145
   6.1.4 実体関連図 145
   6.1.5 状態図 146
   6.2 構造化分析による分析例 146
   6.2.1 出張システム問題 147
   6.2.2 出張システムの現行物理モデル 147
   6.2.3 出張システムの現行論理モデル 148
   6.2.4 出張システムの新論理モデル 148
   6.2.5 出張システムの新物理モデル 148
   6.2.6 新出張システムの詳細化 150
   6.3 オブジェクト指向分析 152
   6.3.1 ユースケース図 153
   6.3.2 コラボレーション図 154
   6.3.3 シーケンス図 156
   6.3.4 状態図 157
   6.3.5 アクティビティ図 158
   6.3.6 クラス図 158
   6.4 UMLによる分析例 159
   6.4.1 ユースケース図 161
   6.4.2 シーケンス図 162
   6.4.3 コラボレーション図 163
   6.4.4 状態図 164
   6.4.5 アクティビティ図 164
   6.4.6 クラス図 167
第7章 形式的仕様 169
   7.1 公理や推論規則に基づく形式的仕様 170
   7.2 代数的仕様記述 174
   7.3 モデルをベースにした仕様記述 178
   7.4 形式的仕様とソフトウェア開発 180
   7.5 形式的仕様の効果 183
第8章 要求仕様とソフトウェア開発管理 185
   8.1 規模見積り 186
   8.1.1 要求仕様の規模から算出する方法 186
   8.1.2 ファンクションポイント法 188
   8.1.3 フィーチャポイント法 193
   8.2 工数見積り 195
   8.2.1 規模見積りからの工数見積り 195
   8.2.2 COCOMO 196
   8.2.3 COCOMO2.0 199
   8.3 見積りの問題点 200
   8.4 要求仕様の品質保証 202
第9章 ラピッドプロトタイピング 205
   9.1 プロトタイプの分類 207
   9.1.1 プロトタイプの対象による分類 207
   9.1.2 プロトタイピングのタイミングによる分類 207
   9.1.3 プロトタイプと最終製品の関係による分類 208
   9.2 プロトタイプの開発言語 208
第10章 要求定義と支援技術 215
   10.1 CASEツール 215
   10.2 要求定義とソフトウェア工学 216
   10.2.1 ドメイン工学と要求定義 216
   10.2.2 パターンと要求定義 218
   10.2.3 プロセスの再利用やプロセスの改善と要求定義 218
第11章 おわりに 221
付録:IEEE Std 830-1998による要求仕様第3章の構成例 227
参考文献 237
索引 245
第1章 はじめに 1
   1.1 ソフトウェア要求とは 1
   1.2 要求工学 2
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