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1.

図書
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1. エレクトロニクスの基礎. 新版
霜田光一, 桜井捷海著
出版情報: 東京 : 裳華房, 1983.10  xiv, 342p ; 22cm
シリーズ名: 物理学選書 / 山内恭彦, 菊池正士, 小谷正雄編 ; 1
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2.

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2. メカトロニクス実用便覧
メカトロニクス編集委員会編
出版情報: 東京 : 技術調査会, 1983.5  32, 1087p ; 22cm
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3.

図書
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3. 電気電子工学概論
酒井善雄著
出版情報: 東京 : 丸善, 1983.10  ix,238p ; 22cm
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4.

図書
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4. デジタル・エレクトロニクス技術
ジョン・D.レンク著 ; 三浦宏文, 下山勲訳
出版情報: 東京 : 啓学出版, 1983.9  389p ; 22cm
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5.

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5. Fundamentals of modern digital systems (: hbk ; : pbk)
B.R. Bannister, D.G. Whitehead
出版情報: London : Macmillan, 1983  x, 253 p. ; 25 cm
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6.

図書
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6. 電子工学 (上 ; 下)
カウフマン,ウィルソン著 ; 村崎憲雄[ほか]訳
出版情報: 東京 : マグロウヒルブック, 1983  2冊 ; 26cm
シリーズ名: マグロウヒル大学演習シリーズ
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7.

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7. メカトロニクス入門
江村超著
出版情報: 東京 : 日刊工業新聞社, 1983.2  5, v, 198p ; 22cm
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8.

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東工大
目次DB
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東工大
目次DB
8. 電子デバイスプロセス
西永頌執筆
出版情報: 東京 : コロナ社, 1983.1  viii, 188p ; 22cm
シリーズ名: 電子通信学会大学シリーズ / 電子通信学会編 ; D-7
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1.デバイスプロセスの基礎
   1.1 自由エネルギーの概念 1
   1.2 化学平衡 9
   1.3 偏析と固溶限界 12
   1.4 デバイスプロセスで出合ら重要な結晶欠陥 24
   1.4.1 結晶構造 24
   1.4.2 結晶欠陥 32
   演習問題 32
2.結晶成長
   2.1 融液からの結晶成長 35
   2.2 気相および溶液相からの単結晶成長 43
   2.3 結晶成長の考え方 50
   演習問題 62
3.シリコン酸化膜および窒化膜
   3.1 熱酸化 64
   3.1.1 熱酸化の方法 64
   3.1.2 熱酸化の考え方 68
   3.2 化学反応を利用した酸化膜と窒化膜の形成(CVD法) 71
   3.2.1 薄膜の形成方法 71
   3.2.2 CVD法による薄膜成長の考え方 72
   3.2.3 新しい形のCVD 74
   3.3 電気的性質に影響を与える酸化膜および界面の欠陥 75
   演習問題 79
4.不純物拡散とイオン注入
   4.1 不純物拡散法によるpn接合の形成 80
   4.2 不純物拡散の理論 84
   4.2.1 表面密度一定の場合 85
   4.2.2 有限な拡散源からの拡散 86
   4.2.3 半導体結晶から外部への拡散(out-diffusion) 89
   4.3 拡散の考え方 90
   4.4 化合物半導体への不純物拡散 93
   4.5 イオン注入 95
   4.5.1 イオン注入装置 95
   4.5.2 イオン注入の考え方 98
   4.5.3 イオン注入の応用 107
   演習問題 110
5.真空下での薄膜形成技術
   5.1 真空蒸着法 113
   5.1.1 蒸着の原理 113
   5.1.2 蒸発源 114
   5.1.3 真空の作り方と計測法 116
   5.1.4 膜形式の考え方 120
   5.2 スパッタリング法 121
   5.3 分子線エピタキシー法 123
   演習問題 124
6.リソグラフィー
   6.1 ホトリソグラフィー 125
   6.1.1 ホトリソグラフィー(光食刻,photo-lithography)の原理 125
   6.1.2 ホトマスクの作製 129
   6.1.3 ホトレジスト 132
   6.1.4 ホトリソグラフィーの精度 133
   6.2 サブミクロン加工のためのリソグラフィー技術 136
   6.2.1 遠紫外ホトリソグラフィー 136
   6.2.2 X線リソグラフィー 137
   6.2.3 電子線リソグラフィー 138
   演習問題 140
7.デバイス作製の周辺技術
   7.1 オーム性接触の形成 142
   7.2 ボンディング 144
   7.3 ケースへの封止 146
   演習問題 149
8.結晶の評価
   8.1 結晶欠陥の評価 151
   8.1.1 線欠陥および面欠陥 151
   8.1.2 点欠陥の観察 156
   8.2 不純物の評価 158
   8.2.1 質量分析 158
   8.2.2 発光分光分析 160
   8.2.3 X線マイクロアナライザ 160
   8.2.4 オージェ電子分光 161
   8.2.5 放射化分析 162
   8.2.6 backscattering法 162
   8.3 電気的性質 166
   8.3.1 四点法(four-point probe method) 166
   8.3.2 ホール効果 167
   8.3.3 van der Pauw の方法 169
   8.3.4 伝導形の決定 170
   8.3.5 キャリヤの寿命(carrier lifetime) 171
   8.4 評価の考え方 172
   演習問題 173
付録
   1.高純度水素精製法 175
   2.高純度水の製造法 176
   3.三次元結晶での回折条件 177
参考文献 182
演習問題略解 182
索引 185
1.デバイスプロセスの基礎
   1.1 自由エネルギーの概念 1
   1.2 化学平衡 9
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