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1.

図書

図書
電子情報通信学会編
出版情報: 東京 : 電子情報通信学会 , 東京 : コロナ社 (取次販売所), 1999.12  x, 316p, 図版2枚 ; 22cm
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2.

図書

図書
和保孝夫著 ; 電子情報通信学会編
出版情報: 東京 : コロナ社, 2013.5  ix, 184p ; 26cm
シリーズ名: 電子情報通信レクチャーシリーズ / 電子情報通信学会編 ; C-14
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1 : 序論
2 : モデルデバイス
3 : 半導体におけるキャリヤの挙動
4 : pn接合
5 : MOSFET
6 : BJT
7 : CMOS論理回路
8 : メモリ
9 : まとめと今後の展望
1 : 序論
2 : モデルデバイス
3 : 半導体におけるキャリヤの挙動
3.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
中村徹, 三島友義共著 ; 電子情報通信学会編
出版情報: 東京 : コロナ社, 2003.11  viii, 146p ; 26cm
シリーズ名: 電子情報通信レクチャーシリーズ / 電子情報通信学会編 ; D-18
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1.超高速デバイスと応用分野
   1.1 超高速動作電子機器とエレクトロニクス 2
   1.2 超高速デバイスの種類と進歩 4
   1.3 半導体デバイスの応用分野と集積度 5
   本章のまとめ 8
   理解度の確認 8
2.超高速デバイスの構造とその特徴
   2.1 トランジスタの動作と飽和速度 10
    2.1.1 移動度と飽和速度 10
    2.1.2 超高速デバイスに印加される電界 11
   2.2 真性トランジスタと寄生デバイス 13
   2.3 超高速デバイスの構造 14
   談話室 抵抗を下げる 15
   2.4 高速デバイス設計の指針 16
   本章のまとめ 17
   理解度の確認 18
3.超高速デバイス用材料と製造技術
   3.1 III-V族化合物半導体の物性とヘテロ接合 20
    3.1.1 III-V族化合物半導体の物性 20
    3.1.2 ヘテロ接合 25
   3.2 結晶成長技術と評価技術 29
    3.2.1 結晶成長技術 30
    3.2.2 半導体結晶評価技術 34
   3.3 シリコン基板への浅接合構造と形成技術 37
    3.3.1 p形及びn形散層の浅接合化 37
    3.3.2 浅接合化技術 38
   本章のまとめ 43
   理解度の確認 44
4.シリコンバイポーラトランジスタ
   4.1 バイポーラトランジスタの動作原理 46
    4.1.1 一次元バイポーラトランジスタの直流電流と電流増幅率 46
   談話室 ガンメルプロット 49
    4.1.2 バイポーラトランジスタのベース電流 49
    4.1.3 コレクタ領域の電荷 53
    4.1.4 寄生領域のトランジスタ性能への影響 55
   4.2 シリコンバイポーラトランジスタ 57
    4.2.1 トランジスタ構造と不純物ドーピングプロファイル 57
    4.2.2 ベース抵抗 59
    4.2.3 多結晶シリコン技術の応用 60
   談話室 容量を下げる 62
    4.2.4 多結晶シリコン応用微細化バイポーラトランジスタ 63
    4.2.5 超高速シリコンバイポーラトランジスタ特有の高速化構造 71
   談話室 真性トランジスタ領域とコレクタ電流の流れる領域 71
   4.3 SiGeバイポーラトランジスタ 73
    4.3.1 SiGe混晶組成比と不純物ドーピングプロファイル 73
    4.3.2 SiGeバイポーラトランジスタの構造 75
    4.3.3 電流成分と電流増幅率 76
    4.3.4 トランジスタ性能と高周波パラメータ 76
   談話室 シングルへテロ接合とダブルへテロ接合の遮断周波数特性の比較 77
   本章のまとめ 78
   理解度の確認 78
5.化合物半導体電界効果トランジスタ
   5.1 MESFETとHEMT 80
    5.1.1 MESFETとHEMTの構造の比較 80
   談話室 電子の速度オーバシュート 84
    5.1.2 HEMTの小信号等価回路解析 85
   談話室 yパラメータの復習 86
   談話室 低雑音化の推移 88
   5.2 InP HEMT 89
    5.2.1 InPを基板とする高In組成HEMT 89
    5.2.2 各種HEMTの特性 93
   5.3 高出力PHEMT 94
    5.3.1 高出力PHEMTの構造 94
    5.3.2 高出力PHEMTの特性 96
   本章のまとめ 97
   理解度の確認 98
6.化合物バイポーラトランジスタ
   6.1 GaAsHBT 100
    6.1.1 HBTの構造と電流成分 100
    6.1.2 HBTの小信号等価回路解析 103
    6.1.3 AlGaAs/GaAsHBTとInGaP/GaAsHBT 106
   6.2 その他のHBT 108
    6.2.1 InP HBT 109
    6.2.2 ダブルへテロ接合バイポーラトランジスタ 109
    6.2.3 グレーデッド・ベースHBT 111
   6.3 HEMTとHBTの比較 112
    6.3.1 高周波雑音と1/f雑音 112
    6.3.2 投入電力密度とチップサイズ 113
    6.3.3 その他の総合的比較 114
   本章のまとめ 115
   理解度の確認 116
7.超高速デバイスの基本回路とシステム応用
   7.1 ディジタル基本回路と性能 118
    7.1.1 ECL回路 118
    7.1.2 DCFL回路とSCFL回路 121
   7.2 超高速デバイスの性能比較 123
   7.3 超高速伝送用システムと回路 124
   7.4 ミリ波を用いたシステムと回路 125
   本章のまとめ 128
8.その他の超高速デバイス
   8.1 SiLDMOSFET 130
    8.1.1 LDMOSFETの構造 130
   談話室 地殻の構成元素 131
    8.1.2 LDMOSFETのマイクロ波出力特性 132
   談話室 LDMOSFETがGSMで用いられる理由 133
   8.2 ワイドギャップ高出力デバイス 134
    8.2.1 GaNとSiCの物性 134
   談話室 GaN 136
    8.2.2 ワイドギャップ高出力デバイスの特性 137
   本章のまとめ 140
   理解度の確認 140
引用・参考文献 141
理解度の確認;解説 143
索引 145
1.超高速デバイスと応用分野
   1.1 超高速動作電子機器とエレクトロニクス 2
   1.2 超高速デバイスの種類と進歩 4
4.

電子ブック

EB
電子情報通信学会編 ; 益一哉, 天川修平共著
出版情報: KinoDen  1オンラインリソース (xviii, 223p)
シリーズ名: 電子情報通信レクチャーシリーズ / 電子情報通信学会編 ; A-9
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目次情報: 続きを見る
1 : 緒論
2 : 回路理論からみた半導体デバイス
3 : 周期構造と波
4 : 平衡状態の半導体の物理
5 : 電気伝導
6 : pn接合
7 : MOSトランジスタ
付録
1 : 緒論
2 : 回路理論からみた半導体デバイス
3 : 周期構造と波
概要: 固体物性の難所、エネルギーバンド形成を量子力学ではなく回路論で解説。デバイス物理の直観的理解の鍵を握る擬フェルミ準位の概念とエネルギーバンド図の読み解き方を他に類のないほど詳述。物性とデバイスの普遍的な基礎を説く斬新な入門書。
5.

図書

図書
尾嶋正治, 本間芳和編著 ; 電子情報通信学会編
出版情報: 東京 : 電子情報通信学会 , 東京 : コロナ社 (発売), 1996.11  vii, 275p ; 22cm
所蔵情報: loading…
6.

図書

図書
佐々木昭夫著 ; 電子情報通信学会編
出版情報: 東京 : 電子情報通信学会, 2000.3  vi, 211p ; 22cm
所蔵情報: loading…
7.

図書

図書
白石賢二, 伊藤智徳, 影島博之共著 ; 電子情報通信学会編
出版情報: 東京 : 電子情報通信学会 , 東京 : コロナ社(発売), 2001.11  v, 150p ; 22cm
所蔵情報: loading…
8.

図書

図書
電子情報通信学会編 ; 益一哉, 天川修平共著
出版情報: 東京 : コロナ社, 2020.11  xviii, 223p ; 26cm
シリーズ名: 電子情報通信レクチャーシリーズ / 電子情報通信学会編 ; A-9
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
1 : 緒論
2 : 回路理論からみた半導体デバイス
3 : 周期構造と波
4 : 平衡状態の半導体の物理
5 : 電気伝導
6 : pn接合
7 : MOSトランジスタ
付録
1 : 緒論
2 : 回路理論からみた半導体デバイス
3 : 周期構造と波
概要: 固体物性の難所、エネルギーバンド形成を量子力学ではなく回路論で解説。デバイス物理の直観的理解の鍵を握る擬フェルミ準位の概念とエネルギーバンド図の読み解き方を他に類のないほど詳述。物性とデバイスの普遍的な基礎を説く斬新な入門書。
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