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1.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
古川静二郎執筆
出版情報: 東京 : コロナ社, 1982.10  xi, 230p ; 22cm
シリーズ名: 電子通信学会大学シリーズ / 電子通信学会編 ; E-1
所蔵情報: loading…
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1.半導体の基礎
   1.1 結晶とエネルギー帯域構造 1
   1.1.1 結晶と非晶質 1
   1.1.2 結晶構造 2
   1.1.3 半導体結晶のエネルギー帯構造 3
   1.1.4 半導体材料の多様性 7
   1.2 キャリヤ密度 8
   1.2.1 2種類のキャリヤと有効質量 8
   1.2.2 真性半導体と外因性半導体 10
   1.2.3 キャリヤ密度とフェルミ準位 11
   1.3 半導体中の電気伝導 17
   1.3.1 ドリフト現象 17
   1.3.2 拡散現象 19
   1.3.3 電流の式 20
   1.3.4 キャリヤの熱的発生と再結合 21
   1.3.5 電流連続の式 26
   演習問題 28
2.接合と障壁
   2.1 pn接合と整流特性 30
   2.1.1 pn接合の重要性 30
   2.1.2 階段接合の整流作用 31
   2.2 空間電荷層の特性 34
   2.2.1 階段接合の場合 34
   2.2.2 傾斜形pn接合 37
   2.3 理想pn接合の静的電圧・電流特性 39
   2.3.1 解析の仮定 39
   2.3.2 過剩キャリヤ密度 40
   2.3.3 中性領域を流れる電流 41
   2.4 金属-半導体接触の電気伝導 45
   2.4.1 理想整流接触 45
   2.4.2 理想金属-半導体整流接触の電圧電流特性 47
   2.4.3 金属-半導体オーミック接触 49
   演習問題 50
3.半導体デバイスの製作法
   3.1 半導体の精製 52
   3.2 結晶成長 53
   3.2.1 バルク結晶成長 53
   3.2.2 エピタキシアル成長 54
   3.3 不純物導入法 55
   3.3.1 結晶成長過程の不純物導入法とpn接合形成 55
   3.3.2 熱拡散法 56
   3.3.3 イオン打込み法 57
   3.4 プレーナ技術 59
   3.4.1 酸化膜の形成 59
   3.4.2 ホトリングラフィと化学エッチング 60
   3.4.3 電極付着 61
   3.4.4 プレーナダイオードの製作 62
   演習問題 63
4.半導体ダイオードとその実際
   4.1 pnダイオードの直流特性の実際 64
   4.1.1 キャリヤの発生と再結合効果 65
   4.1.2 降伏現象 67
   4.1.3 直列抵抗効果 71
   4.1.4 高水準注入効果 72
   4.2 薄いベース層を有するpn接合ダイオードの直流特性 73
   4.2.1 npp+形ダイオードの電流・電圧特性 74
   4.2.2 キャリヤのベース走行時間 75
   4.3 pn接合ダイオードの動特性 77
   4.3.1 少数キャリヤ蓄積効果 77
   4.3.2 拡散容量と接合容量 77
   4.3.3 スイッチング特性の過渡特性 78
   4.4 半導体ダイオードの回路モデル 80
   4.4.1 微小信号モデル 80
   4.4.2 大信号直流モデル 81
   4.5 半導体ダイオードの応用 82
   4.5.1 整流ダイオード 82
   4.5.2 検波ダイオード 84
   4.5.3 スイッチングダイオード 86
   4.5.4 ステップレカバリダイオード 88
   4.5.5 pinダイオード 88
   4.5.6 可変容量ダイオード 88
   4.5.7 定電圧ダイオード 89
   演習問題 90
5.トランジスタ構造とその増幅作用
   5.1 増幅用デバイスの分類 91
   5.2 動作原理 92
   5.2.1 ベース接地トランジスタの増幅作用 92
   5.2.2 エミッタ接地トランジスタの増幅作用 95
   5.2.3 電流駆動形増幅デバイス 97
   5.3 電流伝送率 98
   5.3.1 注入効率 99
   5.3.2 輸送効率 100
   5.3.3 コレクタ効率 101
   5.3.4 電流伝送率αとドーピング分布 101
   5.4 バイポーラトランジスタの小信号等価回路 102
   5.4.1 ベース接地T形等価回路 103
   5.4.2 エミッタ接地T形等価回路 103
   5.4.3 コレクタ接地T形等価回路 104
   5.4.4 トランジスタ応用の多様性 105
   5.5 四端子パラメータ 106
   演習問題 109
6.バイポーラトランズスタの動作の実際
   6.1 高周波動作 111
   6.1.1 電流伝送率の遮断周波数 111
   6.1.2 高周波等価回路 113
   6.1.2 エミッタ接地回路の利得帯域幅積 115
   6.2 トランジスタの雑音特性 118
   6.2.1 雑音に関する基礎事項 118
   6.2.2 トランジスタの雑音 119
   6.3 トランジスタに見られる諸効果 120
   6.3.1 ドリフト効果 120
   6.3.2 電流増幅率のエミッタ電流依存性とキャリヤ再結合効果 121
   6.3.3 電子雪崩効果 122
   6.3.4 アーリー効果 122
   6.3.5 残留抵抗効果 123
   6.3.6 カーク効果 123
   6.3.7 電流集中効果 123
   6.4 スイッチング動作 124
   6.4.1 スイッチングの基本回路 124
   6.4.2 トランジスタの動作状態 125
   6.4.3 スイッチング速度 126
   6.5 各種トランジスタの実際と応用 128
   6.5.1 バイポーラトランジスタ増幅回路とバイアス回路 128
   6.5.2 大電力トランジスタ 130
   6.5.3 マイクロ波用トランジスタ 133
   6.5.4 スイッチングトランジスタ 134
   6.6 モノリシックバイポーラトランジスタ集積回路 135
   6.6.1 集積回路の特徴 135
   6.6.2 IC構成法 136
   6.6.3 バイポーラICの実例 137
   演習問題 138
7.金属・絶縁物・半導体構造とその増幅作用
   7.1 増幅作用の物理的意味 140
   7.2 理想MIS構造の性質 142
   7.2.1 理想MIS構造の基本特性 143
   7.2.2 誘導電荷密度のゲート電圧依存性 147
   7.3 しきい電圧に与えるその他の諸効果 149
   7.3.1 仕事関数差 149
   7.3.2 絶縁膜の電荷 150
   7.3.3 界面準位密度 151
   7.4 MISトランジスタの基本特性 153
   7.4.1 線形領域の動作 153
   7.4.2 ピンチオフ領域の動作 155
   7.4.3 エンハンスメント形およびデプレション形FET 156
   7.4.4 nチャネルとpチャネル形FET 157
   演習問題 158
8.電界効果トランジスタと関連デバイス
   8.1 MIS FETの動特性 160
   8.1.1 動的モデルと徴小信号等価回路 160
   8.1.2 利得帯域幅積 162
   8.2 MIS FET における諸効果 164
   8.2.1 基板バイアス効果 164
   8.2.2 チャネル長変調効果 165
   8.2.3 突抜けと電子雪崩降伏効果 165
   8.2.4 二次元キャリヤドリフト効果と強電界効果 166
   8.2.5 ソース残留抵抗効果 166
   8.3 MIS FETの実際と応用 167
   8.3.1 MOS FETの小信号パラメータ 167
   8.3.2 交流増幅回路 168
   8.3.3 大電力MIS FET増幅回路 169
   8.3.4 ディジタル回路 169
   8.3.5 スイッチング回路 170
   8.4 MOS集積回路(IC) 171
   8.4.1 MOSインバータ 171
   8.4.2 MOSメモリ 173
   8.4.3 電荷転送デバイス(CTD) 175
   8.5 接合およびショットキー障壁FET 177
   8.5.1 pn接合FET 177
   8.5.2 ショットキー障壁(SB)FET 180
   8.6 静電誘導形トランジスタ(SIT) 181
   8.6.1 原理と構造 182
   8.6.2 SITの応用と実祭 185
   演習問題 186
9.能動二端子デバイス
   9.1 負性抵抗と不安定性 188
   9.2 サイリスタ 189
   9.2.1 ショックレーダイオード 189
   9.2.2 SCRにおけるトリガ機構 191
   9.2.3 SCRの応用 192
   9.2.4 サイリスタの実際と変種 194
   9.3 ユニジャンクショントランジスタ 197
   9.3.1 UJTの構造と原理 197
   9.3.2 UJTの応用 198
   9.4 マイクロ波能動デバイス 199
   9.4.1 エサキダイオード 199
   9.4.2 ガンダイオード 200
   9.4.3 インパットダイオード 202
   9.4.4 その他の走行時間ダイオード 203
   演習問題 204
10.電気・光変換デバイス
   10.1 半導体の光物性 205
   10.1.1 半導体による吸収 205
   10.1.2 半導体における発光現象 206
   10.2 光検出デバイス 208
   10.2.1 光導電セル 208
   10.2.2 ホトダイオード 211
   10.2.3 雪崩ホトダイオード 213
   10.2.4 ホトトランジスタ 214
   10.3 太陽電池 215
   10.4 発光素子 218
   10.4.1 発光ダイオード 218
   10.4.2 半導体レーザ 219
   演習問題 222
付録 224
演習問題解答 225
索引 227
1.半導体の基礎
   1.1 結晶とエネルギー帯域構造 1
   1.1.1 結晶と非晶質 1
2.

図書

図書
大越孝敬執筆
出版情報: 東京 : コロナ社, 1982.8  219p ; 22cm
シリーズ名: 電子通信学会大学シリーズ / 電子通信学会編 ; F-10
所蔵情報: loading…
3.

図書

東工大
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図書
東工大
目次DB
斉藤忠夫執筆
出版情報: 東京 : コロナ社, 1982.8  201p ; 22cm
シリーズ名: 電子通信学会大学シリーズ / 電子通信学会編 ; G-3
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
   注 : I[2]Lの[2]は上つき文字
   
1. 情報のディジタル的表示
   1.1 自然2進数 1
   1.2 いろいろな2進表示 3
   1.3 符号 5
   1.4 2進演算 10
    1.4.1 加算 10
    1.4.2 減算 10
    1.4.3 乗算 12
    1.4.4 除算 13
   1.5 組合せ回路と順序回路 14
   演習問題 15
2. 基本論理演算
   2.1 論理関数 16
   2.2 ブール代数 19
   2.3 ブール代数の応用 20
    2.3.1 フェン図とバイチ図 20
    2.3.2 リレー接点 22
   2.4 ゲート形論理回路に対するブール代数の応用 23
   2.5 展開定理と標準形 24
   演習問題 28
3. 論理回路の実現
   3.1 基本論理回路の原理 29
    3.1.1 AND回路とOR回路 29
    3.1.2 NOT回路 30
   3.2 集積回路 32
    3.2.1 バイポーラIC 32
    3.2.2 MOS IC 34
   3.3 バイポーラトランジスタの論理回路 35
    3.3.1 DTL : Diode Transistor Logic 36
    3.3.2 TTL : Transistor Transistor Logic 38
    3.3.3 ショットキーTTL 40
    3.3.4 ECL : Emitter Coupled Logic 42
    3.3.5 I[2]L : IIL : Integrated Injection Logic 43
   3.4 MOSトランジスタの論理回路 45
    3.4.1 NOT回路 45
    3.4.2 NAND回路 48
    3.4.3 NOR回路 49
    3.4.4 バイラテラルゲート 49
   3.5 出力回路とインタフェース回路 50
    3.5.1 ワイヤドOR 50
    3.5.2 オープンコレクタ回路と3状態出力回路 51
    3.5.3 異種の回路の間の接続 52
   3.6 論理回路の特性 53
   3.7 一般的集積論理回路 55
   演習問題 56
4. 組合せ回路
   4.1 組合せ回路の合成 58
   4.2 カルノーマップ 60
   4.3 5変数および6変数のカルノーマップ 64
   4.4 デコーダ 66
   4.5 マルチプレクサとデマルチプレクサ 67
   4.6 演算回路 71
   4.7 パリティチェック回路 76
   4.8 プログラマブルロジックアレイ(PLA) 77
   演習問題 80
5. フリップフロップ
   5.1 非同期SRフリップフロップ 82
   5.2 いろいろなフリップフロップ 83
   5.3 同期式フリップフロップの回路 87
   5.4 フリップフロップの設計 88
   5.5 フリップフロップの相互変換 90
   5.6 マスタスレーブの形とエッジトリガ形 92
   5.7 集積回路のフリップフロップ 98
   5.8 カウンタ 100
    5.8.1 リプルカウンタ 100
    5.8.2 並列カウンタ 102
    5.8.3 アップダウンカウンタ 106
   5.9 シフトレジスタ 108
   5.10 リングカウンタ 110
   演習問題 112
6. 順序回路
   6.1 順序回路のモデル 113
   6.2 順序回路の解析 115
   6.3 順序回路の合成 117
   6.4 フリップフロップの特性と順序回路 122
   6.5 状態割当て 125
   6.6 シフトレジスタとカウンタによる順序回路 126
   6.7 演算回路 127
    6.7.1 直列加算器 127
    6.7.2 乗算器 128
   演習問題 131
7. 記憶回路
   7.1 リードオンリーメモリ(ROM) 132
    7.1.1 マスクROM 133
    7.1.2 PROM 135
   7.2 RAMの構成 137
   7.3 MOS形のRAMの記憶セル 140
   7.4 バイポーラRAM 146
    7.4.1 エミッタ結合形 146
    7.4.2 ダイオードクランプ形 146
    7.4.3 コレクタ結合形 147
    7.4.4 I[2]L形 148
   7.5 LSIメモリー素子 149
   演習問題 151
8. 電子計算機とマイクロコンピュータ
   8.1 電子計算機の構成 153
   8.2 処理装置の基本的構成 154
    8.2.1 処理装置の基本的構成 154
    8.2.2 直接アドレス指定命令 155
   8.3 8080形マイクロプロセッサ 157
    8.3.1 レジスタ構成 158
    8.3.2 移送命令 160
    8.3.3 演算命令 162
    8.3.4 分岐命令 162
    8.3.5 スタック 163
   8.4. 8080形マイクロプロセッサにおける命令の実行 164
   8.5 マイクロプロセッサのプログラミング 169
    8.5.1 数字の書き方 169
    8.5.2 ラベル 170
    8.5.3 擬似命令 170
    8.5.4 言語の変換と実行 172
   演習問題 175
9. 実装方式
   9.1 ICの規模 176
   9.2 ディジタル回路の部品 179
    9.2.1 ICパッケージ 179
    9.2.2 抵抗・コンデンサ 180
    9.2.3 膜集積回路 181
   9.3 プリント基板 181
    9.3.1 プリント基板 181
    9.3.2 スルーホール 182
    9.3.3 配線パターンの電気的性質 183
    9.3.4 ICソケット 184
   9.4 バック配線 184
    9.4.1 コネクタ 185
    9.4.2 バック配線用線路 185
    9.4.3 バック配線 185
    9.4.4 雑音と漏洩 187
   9.5 電源と冷却 188
    9.5.1 電源 188
    9.5.2 冷却 189
   演習問題 191
参考文献 192
演習問題解答 194
あとがき 198
索引 199
   注 : I[2]Lの[2]は上つき文字
   
1. 情報のディジタル的表示
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