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1.

図書
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1. GaNパワーデバイス
東レリサーチセンター調査研究部編
出版情報: 東京 ; 大津 : 東レリサーチセンター, 2015.1  5, 291p ; 30cm
シリーズ名: TRC R&D library
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2.

図書
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2. SiC/GaNパワー半導体の実装と信頼性評価技術
菅沼克昭編著
出版情報: 東京 : 日刊工業新聞社, 2014.12  247p ; 21cm
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第1章 : 緒言
第2章 : ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイスの現状と実装
第3章 : SiC/GaNパワー半導体の開発
第4章 : ワイヤボンド技術
第5章 : ダイアタッチ技術
第6章 : モールド樹脂技術
第7章 : 基板技術
第8章 : 冷却技術
第9章 : 信頼性評価・検査技術
第1章 : 緒言
第2章 : ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイスの現状と実装
第3章 : SiC/GaNパワー半導体の開発
3.

図書
図書
3. パワーデバイス
山本秀和著
出版情報: 東京 : コロナ社, 2012.2  viii, 180p ; 21cm
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4.

図書
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4. ワイドギャップ半導体パワーデバイス
山本秀和著
出版情報: 東京 : コロナ社, 2015.3  xii, 206p, 図版 [8] p ; 21cm
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基礎編 : 電力変換とパワーデバイス
次世代パワーデバイスへの要求
パワーチップの構造と製造方法 ほか
結晶編 : 原子構造と結晶構造
半導体結晶と物性
半導体中の結晶欠陥 ほか
デバイス編 : SiCパワーデバイス
GaNパワーデバイス
そのほかのワイドギャップ半導体パワーデバイス ほか
基礎編 : 電力変換とパワーデバイス
次世代パワーデバイスへの要求
パワーチップの構造と製造方法 ほか
5.

図書
図書
5. パワー半導体デバイス
松本寿彰編著 ; 小倉常雄 [ほか] 著
出版情報: 東京 : オーム社, 2016.6  ix, 264p ; 22cm
シリーズ名: 実践パワーエレクトロニクス入門
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パワー半導体デバイスの概要
ダイオード
サイリスタ
パワーMOSFET
IGBT
破壊現象と保護
ゲート駆動回路
集積化技術
モジュール形パワーデバイスの実装
圧接形パワーデバイスの実装
信頼性
パワー半導体デバイスの概要
ダイオード
サイリスタ
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