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1.

図書
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1. ULSIデバイス・プロセス技術
伊藤隆司編著 ; 電子情報通信学会編
出版情報: 東京 : 電子情報通信学会 , 東京 : コロナ社 (発売), 1995.2  vii, 322p ; 22cm
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2.

図書
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2. ULSIデバイス・プロセス技術 = Device and process technologies for ultra large scale integration. 新版
伊藤隆司編著 ; 電子情報通信学会編
出版情報: 東京 : 電子情報通信学会 , 東京 : コロナ社 (発売), 2013.5  vii, 357p ; 22cm
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第1章 : 序論
第2章 : バイポーラトランジスタの動作機構
第3章 : MOSトランジスタの動作機構
第4章 : ULSIデバイス構造
第5章 : 微細加工技術
第6章 : 材料プロセス技術
第7章 : 信頼性と検査技術
第8章 : ULSIの新展開
第1章 : 序論
第2章 : バイポーラトランジスタの動作機構
第3章 : MOSトランジスタの動作機構
3.

図書
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3. 電子デバイス
和保孝夫著 ; 電子情報通信学会編
出版情報: 東京 : コロナ社, 2013.5  ix, 184p ; 26cm
シリーズ名: 電子情報通信レクチャーシリーズ / 電子情報通信学会編 ; C-14
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1 : 序論
2 : モデルデバイス
3 : 半導体におけるキャリヤの挙動
4 : pn接合
5 : MOSFET
6 : BJT
7 : CMOS論理回路
8 : メモリ
9 : まとめと今後の展望
1 : 序論
2 : モデルデバイス
3 : 半導体におけるキャリヤの挙動
4.

図書
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4. ASIC技術の基礎と応用
今井正治編著 ; 電子情報通信学会編
出版情報: 東京 : 電子情報通信学会 , 東京 : コロナ社 (取次販売), 1994.2  xi, 260p ; 22cm
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5.

電子ブック
ＥＢ
5. 電子物性とデバイス (: electronic bk)
電子情報通信学会編 ; 益一哉, 天川修平共著
出版情報: KinoDen  1オンラインリソース (xviii, 223p)
シリーズ名: 電子情報通信レクチャーシリーズ / 電子情報通信学会編 ; A-9
所蔵情報: loading…
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1 : 緒論
2 : 回路理論からみた半導体デバイス
3 : 周期構造と波
4 : 平衡状態の半導体の物理
5 : 電気伝導
6 : pn接合
7 : MOSトランジスタ
付録
1 : 緒論
2 : 回路理論からみた半導体デバイス
3 : 周期構造と波
概要: 固体物性の難所、エネルギーバンド形成を量子力学ではなく回路論で解説。デバイス物理の直観的理解の鍵を握る擬フェルミ準位の概念とエネルギーバンド図の読み解き方を他に類のないほど詳述。物性とデバイスの普遍的な基礎を説く斬新な入門書。
6.

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東工大
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東工大
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6. ULSI設計技術
堀口勝治編著 ; 電子情報通信学会編
出版情報: 東京 : 電子情報通信学会 , 東京 : コロナ社 (販売), 1993.8  vii, 378p ; 22cm
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第1章 ULSI設計技術総論
   1.1 はじめに 1
   1.2 ULSIへの道のり 2
   1.3 システムULSIの展望 12
   1.4 ULSI時代の設計技術の課題 17
第2章 ASIC設計技術
   2.1 ASICの回路技術 24
   2.1.1 CMOS回路 24
   2.1.2 ECL(CML)回路 31
   2.1.3 BiCMOS回路 34
   2.1.4 回路技術の選択 37
   2.2 ASICの分類と発展の歴史 38
   2.2.1 ASICの分類 38
   2.2.2 ASIC発展の歴史 40
   2.3 ASIC実現方式の種類と特長 42
   2.3.1 ASIC設計の流れ 42
   2.3.2 ゲートアレー 43
   2.3.3 セルベース(スタンダードセル)方式 50
   2.3.4 フルカスタム方式 55
   2.3.5 フィールドプログラマブルデバイス 55
   2.3.6 その他の設計方式 57
   2.4 ASIC設計の最新技術と今後の展望 58
   2.4.1 性能追求設計技術 58
   2.4.2 設計TAT短縮技術 62
第3章 メモリ設計技術
   3.1 DRAM 67
   3.1.1 概要 67
   3.1.2 メモリセル 68
   3.1.3 回路構成 69
   3.1.4 DRAMの課題とその対策 73
   3.2 スタティックRAM 77
   3.2.1 スタティックRAMの特長と用途 77
   3.2.2 CMOS SRAMの基本動作、および回路技術 78
   3.2.3 BiCMOS SRAMの回路技術 86
   3.2.4 今後の展望 89
   3.3 不揮発性メモリ 91
   3.3.1 データの読出し 91
   3.3.2 各不揮発性メモリの構造 93
   3.3.3 各不揮発性メモリの特長と高集積化への課題 98
   3.4 ASM 100
   3.4.1 マルチポートDRAM 100
   3.4.2 擬似SRAM 107
   3.4.3 フィールドメモリ 108
   3.4.4 ラインメモリ 109
   3.4.5 その他のASM 109
第4章 マイクロプロセッサ設計技術
   4.1 マイクロプロセッサの動作の概要 114
   4.2 マイクロプロセッサの技術動向 115
   4.3 アーキテクチャの設計 117
   4.4 機能設計技術 123
   4.5 並列処理技術 126
   4.6 RISC 128
   4.6.1 コンピュータ技術とVLSI技術 128
   4.6.2 RISCのアーキテチャ 129
   4.6.3 RISCの構成例 130
   4.7 TRON仕様マイクロプロセッサ 131
   4.7.1 アーキテクチャ 132
   4.7.2 TRON仕様マイクロプロセッサチップ実現例 134
第5章 DSP設計技術
   5.1 はじめに 139
   5.2 汎用DSPと専用DSP 140
   5.2.1 DSPの概要 140
   5.2.2 DSPの構成 141
   5.2.3 DSPの動作タイミング 144
   5.2.4 DSPの非巡回形ディジタルフィルタへの応用 145
   5.2.5 プログラム開発 147
   5.2.6 16タップ非巡回形ディジタルフィルタの実現 148
   5.3 DSPの設計 155
   5.3.1 アーキテクチャ設計 155
   5.3.2 回路設計 157
   5.4 おわりに 183
第6章 アナログ回路設計技術
   6.1 集積回路におけるアナログ回路の制限 186
   6.2 アナログ集積回路の基本回路 189
   6.2.1 直流電流源とカレントミラー 190
   6.2.2 差動増幅回路 193
   6.2.3 能動負荷回路 196
   6.2.4 レベルシフト回路 197
   6.3 演算増幅器 199
   6.3.1 演算増幅器の基本構成 199
   6.3.2 汎用演算増幅器の回路技術 200
   6.3.3 演算増幅器の応用 203
   6.4 アナログ集積回路の発振防止対策 206
   6.4.1 増幅回路の周波数特性 206
   6.4.2 帰還回路の安定性 207
   6.4.3 アナログ回路の発振防止対策 209
   6.5 集積化アナログフィルタ 210
   6.5.1 集積化能動RCフィルタ 210
   6.5.2 スイッチトキャパシタフィスタ 213
   6.6 A/D,D/A変換器 216
   6.6.1 高速型A/D,D/A変換器 216
   6.6.2 オーバーサンプルÅ/D,D/A変換器 218
   6.7 ULSI時代以降のアナログ回路技術 221
第7章 ULSI用CAD技術
   7.1 LSIのCAD技術 225
   7.2 設計言語 230
   7.3 シミュレータ 233
   7.4 配置配線ツール 243
   7.5 論理合成とコンパイラ 253
第8章 ULSIテスト評価技術
   8.1 テスト・評価の考え方 269
   8.1.1 テスト・評価とは 269
   8.1.2 従来のテスト・評価の考え方 273
   8.1.3 テスト容易性 283
   8.1.4 故障の原因とモデル化 284
   8.1.5 ULSIのテスト・評価の考え方 298
   8.2 テスト容易化設計の各手法 306
   8.2.1 テスト容易化設計の基本的な分類 306
   8.2.2 分割手法 309
   8.2.3 スキャンデザイン 310
   8.2.4 組込み自己テスト 314
   8.2.5 メモリのテスト容易化設計手法 323
   8.2.6 PLAのテスト容易化設計手法 327
   8.2.7 クロスチェック技術 333
   8.2.8 IDD・gテスト 335
   8.2.9 バウンダリスキャンデザイン 338
   8.3 テスト容易化設計のストラテジー 344
   8.3.1 ASIC-ULSIとフルカスタムULSIのテスト容易化設計 344
   8.3.2 マイクロプロセッサノテスト容易化設計のストラテジー 350
   8.4 CAT 354
   8.4.1 テストデータ自動発生 355
   8.4.2 故障シミュレーション 360
   8.5 ULSIテスト・評価技術の今後の展望 364
索引 371
第1章 ULSI設計技術総論
   1.1 はじめに 1
   1.2 ULSIへの道のり 2
7.

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7. 基礎・設計編
岩田穆著
出版情報: 東京 : コロナ社, 2006.10  xi, 166p ; 26cm
シリーズ名: 電子情報通信レクチャーシリーズ / 電子情報通信学会編 ; D-17 . VLSI工学||VLSI コウガク
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8.

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東工大
目次DB
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東工大
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8. 製造プロセス編
角南英夫著
出版情報: 東京 : コロナ社, 2006.8  xii, 189p ; 26cm
シリーズ名: 電子情報通信レクチャーシリーズ / 電子情報通信学会編 ; D-27 . VLSI工学||VLSI コウガク
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目次情報: 続きを見る
第1章　LSI製造プロセスとその課題
   1.1　集積回路の大規模化 2
   　1.1.1　高集積化トレンド 2
   　1.1.2 微細加工 3
   1.2　歩留まりと信頼性 4
   　1.2.1　歩留まりとスループット 4
   　1.2.2　欠陥発生防止 6
   　1.2.3　欠陥救済 6
   　1.2.4　信頼性 7
   　1.2.5　ソフトエラー 7
   1.3　メモリの課題 8
   　1.3.1　DRAMの課題 10
   　1.3.2　フラッシュメモリの課題 12
   1.4　マイクロプロセッサの課題 12
   　1.4.1　チップ当りの機能向上 13
   　1.4.2　動作周波数の向上 14
   　1.4.3　サブスレッショルド電流の抑制 16
   1.5　MOSトランジスタの課題 16
   　1.5.1　トランジスタのスケーリング則 16
   　1.5.2　配線のスケーリング則 19
   1.6　将来のLSI 21
   本章のまとめ 22
   理解度の確認 22
第2章　集積化プロセス
   2.1　集積化プロセスモジュール 24
   2.2　基本の集積化プロセス 27
   2.3　基板構造 29
   　2.3.1　ウェル構造 29
   　2.3.2　SOI基板 30
   2.4　素子分離構造 32
   　2.4.1　LOCOS法 32
   　2.4.2　トレンチ分離 33
   2.5 トランジスタ構造 34
   　2.5.1　ソース-ドレイン構造 34
   　2.5.2　ゲート構造 35
   　2.5.3　ひずみトランジスタ 36
   2.6　メモリセル構造 37
   　2.6.1　DRAMセル 38
   　2.6.2　SRAMセル 39
   　2.6.3　フラッシュEEPROMセル 40
   　2.6.4　FeRAMセル 42
   　2.6.5　その他のメモリセル 42
   2.7　ロジックゲート 43
   2.8　多層配線 44
   2.9　集積化総合技術 45
   　2.9.1　MOS集積回路 45
   　2.9.2　BiCMOS集積回路 45
   　2.9.3　バイポーラ集積回路 46
   2.10　集積化プロセスの課題と対策 46
   　2.10.1　デバイス特性 47
   　2.10.2 微細加工 47
   　2.10.3　自己整合技術 49
   　2.10.4　ボーダーレス配線 50
   　2.10.5　平坦化 51
   2.11 集積化プロセスの将来 52
   本章のまとめ 54
   理解度の確認 54
第3章　リソグラフィ
   3.1　リソグラフィの概略 56
   　3.1.1　フォトエッチング工程 56
   　3.1.2　露光装置の種類 57
   　3.1.3　エッチング 58
   3.2　露光方式 59
   　3.2.1　光露光方式の歴史 59
   　3.2.2　超解像技術 61
   　3.2.3　近接効果補正 63
   　3.2.4　液浸露光 63
   　3.2.5　電子線描画 64
   　3.2.6　X線描画 65
   　3.2.7　EUV（X線縮小投影法） 66
   　3.2.8　イオンビーム法 66
   　3.2.9　マスク合わせ 66
   3.3　フォトレジスト 67
   　3.3.1　レジストの特性 67
   　3.3.2　ネガ型フォトレジスト 69
   　3.3.3　ポジ型フォトレジスト 70
   　3.3.4　電子線レジスト 71
   　3.3.5　X線レジスト 72
   　3.3.6　遠紫外線(DeepUV)レジスト 72
   　3.3.7　イオンビーム用レジスト 72
   　3.3.8　無機質レジスト材料 73
   　3.3.9　化学増幅型レジスト 73
   　3.3.10　多層レジストとシリル化プロセス 74
   　3.3.11 反射防止膜 76
   本章のまとめ 76
   理解度の確認 76
第4章　エッチング
   4.1　エッチングの概略 78
   4.2　ウェットエッチング 78
   4.3　ドライエッチング 80
   　4.3.1　エッチングの原理 80
   　4.3.2　エッチング機構 83
   　4.3.3　反応過程 84
   4.4　ドライエッチング装置 87
   　4.4.1　円筒型プラズマエッチング 87
   　4.4.2　マイクロ波プラズマエッチング 88
   　4.4.3　反応性イオンエッチング 88
   　4.4.4　低温エッチング 90
   4.5　反応ガス 91
   　4.5.1　各種材料のエッチングガス 91
   　4.5.2　反応ガスの設計 92
   4.6　ドライエッチングの課題 95
   　4.6.1　選択性 95
   　4.6.2　加工形状の制御 96
   　4.6.3　レジストの影響 96
   　4.6.4　高アスペクト比加工 97
   　4.6.5　有害不純物の除去 98
   　4.6.6　損傷 98
   4.7　将来のドライエッチング技術 99
   本章のまとめ 99
   理解度の確認 100
第5章　酸化
   5.1　シリコン酸化法 102
   　5.1.1　酸化炉 102
   　5.1.2　酸化データ 103
   5.2　シリコン酸化膜の成長則 103
   　5.2.1　Deal－Groveのモデル 103
   　5.2.2　Mott－Cabreraのモデル 105
   5.3　薄い酸化膜の形成 107
   5.4　Si-SiO2界面状態 108
   　5.4.1　Si-SiO2界面モデル 108
   　5.4.2　Si-SiO2界面状態の観察 108
   5.5　不純物濃度依存酸化 109
   　5.5.1　多結晶Siの酸化・面方位依存性 109
   　5.5.2　不純物増速酸化 110
   5.6　不純物偏析 111
   5.7　直接窒化膜 112
   5.8　その他の課題 113
   本章のまとめ 114
   理解度の確認 114
第6章　不純物導入
   6.1　不純物導入方法 116
   6.2　不純物拡散の原理 118
   　6.2.1　拡散の原理 118
   　6.2.2　増速・減速拡散 120
   6.3　イオン注入の原理 122
   　6.3.1　基本原理 122
   　6.3.2　LSS理論 123
   　6.3.3　チャネリング 126
   6.4 　高濃度イオン注入 127
   　6.4.1　課題 127
   　6.4.2　クラスタリング 128
   6.5 　イオン注入の応用 129
   　6.5.1　チャネルドープ 129
   　6.5.2　チャネルストッパ 129
   　6.5.3　ソース－ドレーン形成 130
   　6.5.4　SOI基板形成 130
   本章のまとめ 130
   理解度の確認 130
第7章　絶縁膜堆積
   7.1　絶縁膜堆積法の種類 132
   7.2　PVD 132
   　7.2.1 真空蒸着 132
   　7.2.2　スパッタ堆積法 132
   　7.2.3　反応性蒸着・反応性スパッタ堆積法 134
   　7.2.4　レーザアブレーション法 134
   7.3　CVD 135
   　7.3.1　CVD法による絶縁膜とその反応ガス 135
   　7.3.2　常圧・減圧CVD 136
   7.4 プラズマCVD 136
   　7.4.1 プラズマCVDにおける反応 136
   　7.4.2 プラズマCVD－SiN膜の性質 138
   7.5　CVD堆積膜の性質 139
   　7.5.1　段差被覆性 139
   　7.5.2　CVD-PSG膜 140
   　7.5.3　CVD-Si3N4膜 140
   　7.5.4　多結晶シリコン 141
   　7.5.5　CVD膜の応力 142
   　7.5.6　リフロー 144
   7.6　塗布膜 145
   　7.6.1　SOG及びSOD 145
   　7.6.2　ゾル・ゲル法 145
   　7.6.3　ミスト成膜法 146
   本章のまとめ 146
   理解度の確認 146
第8章　電極・配線
   8.1　電極・配線の役割 148
   8.2　電極・配線の材料 148
   8.3 電極・配線の堆積法 149
   　8.3.1 真空蒸着 150
   　8.3.2　スパッタ法 150
   　8.3.3　MOCVD法 152
   　8.3.4　めっき法 155
   8.4 電極構造 156
   　8.4.1　構造の変遷 156
   　8.4.2　デバイス形成プロセスとの整合性 157
   8.5　バリアメタル技術 158
   　8.5.1　Al配線のコンタクト部の耐熱性 158
   　8.5.2　バリアメタルによる耐熱性向上 159
   8.6　ダマシン配線 160
   8.7　多層配線と平坦化 161
   　8.7.1　バイアススパッタ法 162
   　8.7.2　CMP 163
   　8.7.3　塗布膜による平坦化 165
   8.8　配線の信頼性 167
   　8.8.1　エレクトロマイグレーション 167
   　8.8.2　ストレスマイグレーション 169
171
172
第9章　後工程・パッケージング
   9.1　前工程と後工程 174
   9.2　パッケージング 174
   9.3　3次元実装 176
   本章のまとめ 176
   理解度の確認 176
引用・参考文献 177
索引 187
第1章　LSI製造プロセスとその課題
   1.1　集積回路の大規模化 2
   　1.1.1　高集積化トレンド 2
9.

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9. 電子物性とデバイス
電子情報通信学会編 ; 益一哉, 天川修平共著
出版情報: 東京 : コロナ社, 2020.11  xviii, 223p ; 26cm
シリーズ名: 電子情報通信レクチャーシリーズ / 電子情報通信学会編 ; A-9
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1 : 緒論
2 : 回路理論からみた半導体デバイス
3 : 周期構造と波
4 : 平衡状態の半導体の物理
5 : 電気伝導
6 : pn接合
7 : MOSトランジスタ
付録
1 : 緒論
2 : 回路理論からみた半導体デバイス
3 : 周期構造と波
概要: 固体物性の難所、エネルギーバンド形成を量子力学ではなく回路論で解説。デバイス物理の直観的理解の鍵を握る擬フェルミ準位の概念とエネルギーバンド図の読み解き方を他に類のないほど詳述。物性とデバイスの普遍的な基礎を説く斬新な入門書。
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