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1.

図書

図書
永井治男, 安達定雄, 福井孝志共著
出版情報: 東京 : コロナ社, 1988.10  266p ; 22cm
シリーズ名: フォトニクスシリーズ / 伊藤良一, 神谷武志, 柊元宏編 ; 6
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2.

図書

図書
今井哲二編著 ; 原徹, 米津宏雄, 福家俊郎共著
出版情報: 東京 : オーム社, 1988.10  v, 245p ; 22cm
シリーズ名: OHM大学講座
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3.

図書

図書
河東田隆編著 ; 奥村次徳 [ほか] 執筆
出版情報: 東京 : 産業図書, 1989.2  viii, 330p ; 22cm
シリーズ名: 集積回路プロセス技術シリーズ
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4.

図書

図書
西澤潤一編
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1987.8-  冊 ; 27cm
シリーズ名: 半導体研究 / 半導体研究振興会編 ; 26, 28, 30, 32, 34, 36, 38, 40-46巻 . 超LSI技術||チョウ LSI ギジュツ ; 11-24
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5.

図書

図書
生駒俊明, 河東田隆, 長谷川文夫著
出版情報: 東京 : 丸善, 1988.1  ix, 234p ; 22cm
シリーズ名: 電子材料シリーズ
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6.

図書

図書
河東田隆著
出版情報: 東京 : 丸善, 1987.12  viii, 103p ; 19cm
シリーズ名: Frontier technology series ; [019]
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7.

図書

図書
塚本哲男著
出版情報: 東京 : オーム社, 1980.4  209p ; 19cm
シリーズ名: エレクトロニクス文庫
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8.

図書

図書
壇良編著
出版情報: 東京 : 産業図書, 1988.3  297p ; 22cm
シリーズ名: 集積回路プロセス技術シリーズ
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9.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
古川静二郎編著
出版情報: 東京 : 産業図書, 1987.10  281p ; 22cm
シリーズ名: 集積回路プロセス技術シリーズ
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1.SOI構造形成技術概論 1
   1.1 SOI構造の必要性と要求される特性 1
   1.1.1 SOI構造の用途 1
   1.1.2 SOI構造に要求される特性 5
   1.2 SOI構造形成技術の種類 6
   1.2.1 SOI構造 6
   1.2.2 SOI構造形成技術の分類と特徴 7
   1.3 まとめ 9
   文献 10
2.線状加熱形帯域溶融再結晶化法 11
   2.1 グラフォエピタキシ 11
   2.1.1 グラフォエピタキシの歴史 12
   2.1.2 グラフォエピタキシの原理 14
   2.2 ZMR法 16
   2.2.1 ZMR法の実際 18
   2.2.2 ZMR Siの結晶性 20
   2.2.3 結晶性の改善 24
   2.3 亜粒界の制御 28
   2.3.1 亜粒界の結晶学的性質 28
   2.3.2 亜粒界の制御 31
   文献 34
3.レーザビーム再結晶化法 35
   3.1 レーザビーム再結晶化法の分類 35
   3.2 レーザ再結晶化による結晶欠陥 43
   3.3 シードレスレーザ再結晶化法における結晶方位と電気的特性 45
   3.3.1 シードレス再結晶化法 46
   3.3.2 再結晶化層中の素子の電気特性 47
   3.3.3 積層化SOI構造での電気特性 49
   3.3.4 クロストーク 51
   3.4 シードによるレーザ再結晶化法の結晶方位制御 54
   3.5 周辺反射防止膜法による単結晶島の形成 61
   文献 68
4.電子ビーム再結晶化法 71
   4.1 電子ビーム再結晶化法の分類 71
   4.1.1 電子ビーム再結晶化法の特徴 71
   4.1.2 点状電子ビーム法 72
   4.1.3 線状および擬似線状電子ビーム法 74
   4.2 擬似線状電子ビームによるSOI大面積再結晶化 77
   4.2.1 擬似線状電子ビームの形成 77
   4.2.2 SOI結晶成長 81
   4.3 電子ビーム再結晶化層の評価 84
   4.3.1 線状ビーム再結晶化層の結晶性評価 84
   4.3.2 擬似線状ビーム再結晶化層の結晶性評価 87
   4.3.3 電気的特性評価 91
   文献 94
5.横方向固相方位成長法 97
   5.1 固相成長の物理 97
   5.2 縦・横方向固相成長速度 106
   5.2.1 縦方向成長速度に与える諸要因 106
   5.2.2 ビーム照射による縦方向固相成長の促進 110
   5.2.3 横方向固相成長速度 111
   5.3 横方向相成長の実際 114
   5.3.1 試料作製法 114
   5.3.2 一般的現象 114
   5.3 3 面方位依存性 117
   5.3.4 パターン形状依存性 118
   5.3.5 残留欠陥 119
   5.4 不純物効果 121
   5.4.1 横方向成長因子 122
   5.4.2 均 ドープ効果 122
   5.3.3 選択ドープ効果 123
   5.5 電気的特性評価 125
   5.5.1 ノンドープ膜の評価 125
   5.5.2 選択ドープ膜の電気的特性評価 127
   文献 127
6.結晶性絶縁膜上へのエピタキシャル成長 131
   6.1 SOS基板技術 132
   6.1.1 結晶成長技術 132
   6.1.2 結晶成長過程 134
   6.1.3 結晶的性質と電気特性との関係 135
   6.2 CVD法によるスピネル形成とSi再成長 138
   6.2.1 スピネル層で絶縁分離するSOI技術 138
   6.2.2 スピネル層上へのSiエピ成長 138
   6.2.3 スピネル層上Si層の結晶性と素子特性 141
   6.3 ふつ化物上へのSi成長 144
   6.3.1 ふつ化物の特徴 144
   6.3.2 ふつ化物薄膜の成長方法 145
   6.3.3 Si上のCaF2の結晶性 146
   6.3.4 エピタキシャルCaF2膜の電気的特性 149
   6.3.5 Si/CaF2/Si構造の成長 非晶質予備堆積法 150
   6.3.6 Si層の結晶性とその問題点 154
   6.4 Si/CaF2/Si(100)構造へのデバイス形成 156
   6.4.1 エピタキシャル成長膜の結晶性 157
   6.4.2 デバイス形成 157
   6.4.3 デバイス特性 158
   文献 161
7.絶縁層埋込法 163
   7.1 イオン注入法による埋込層の形成 163
   7.1.1 酸素イオン注入層の特性 164
   7.1.2 表面Si層の結晶性 167
   7.1.3 イオン注込時の基板温度 171
   7.2 イオン注込装置とスループット 172
   7.3 多孔質シリコン膜の酸化による埋込層の形成 176
   7.3.1 FIPOS工程 177
   7.3.2 シリコン膜の特性 187
   文献 191
8.その他のSOI形成技術 193
   8.1 張付け法による各種LSI形成技術 193
   8.1.1 ELVIC技術 193
   8.1.2 シリコンウェーハ直接接合技術(その1) 197
   8.1.3 シリコンウェーハ直接接合技術(その2) 199
   8.1.4 薄膜デバイス層転写技術 200
   8.1.5 LSIチップのSiウェーハへの埋込み 203
   8.1.6 まとめ 203
   8.2 横方向気相成長 203
   8.2.1 ELOプロセス 203
   8.2.2 ELO発展の過程 205
   8.2.3 まとめ 208
   文献 208
9. デバイスへの応用 211
   9.1 ポリシリコンを利用した集積回路 211
   9.1.2 ポリシリコン・トランジスタの特性と水素化処理 212
   9.1.3 スタチックRAMへの応用 215
   9.1.4 ダイナミックRAMへの応用 217
   9.1.5 まとめ 220
   9.2 二次元回路素子への応用 221
   9.2.1 埋込SiO2層を有するSOI基板を用いたCMOS LSI 221
   9.2.2 FIPOS/CMOS LSI技術 225
   9.3 三次元回路素子への応用例 232
   9.3.1 三次元回路素子に期待される特徴と応用 232
   9.3.2 三次元集積回路素子の開発の現状(1) 238
   9.3.3 三次元集積回路素子の開発の現状(2) 249
   9.4 高電圧デバイスへの応用例 258
   9.4.1 スピネルエピ層を用いた高耐圧絶縁分離技術 258
   9.4.2 ウェル構造SOI上の素子特性 260
   9.5 表示デバイスへの応用 264
   9.5.1 大面積デバイスの位置付け 264
   9.5.2 アモルファスシリコンの特徴 265
   9.5.3 TFTの断面構造 266
   9.5.4 TFTの特性 267
   9.5.5 応用デバイス 268
   文献 270
付録 三次元ICによるコスト削減効果 273
   文献 275
   索引 277
1.SOI構造形成技術概論 1
   1.1 SOI構造の必要性と要求される特性 1
   1.1.1 SOI構造の用途 1
10.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
松村正清著
出版情報: 東京 : 昭晃堂, 1986.12  178p ; 22cm
シリーズ名: 21世紀を指向した電子・通信・情報カリキュラムシリーズ ; A-6
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1 デバイスの本質
   1.1 エネルギー増幅機能 1
   1.2 デバイスと結合状態 3
   1.3 半導体デバイスの重要性 8
   1.4 半導体デバイスの歴史 9
   演習問題 11
2 ダイオードの原理
   2.1 pn接合と整流性 12
   2.2 pn接合ダイオードの全般的な特性 15
   2.3 金属・半導体接触 17
   2.4 pn接合ダイオードの基本的特性 19
   演習問題 23
3 ダイオードの実際
   3.1 ダイオード特性の解析 25
   3.2 回路モデル 37
   3.3 空間電荷領域の電界分布 38
   3.4 過渡応答特性 42
   3.5 副次的効果 44
   3.6 ダイオード応用 46
   演習問題 50
4 トランジスタの原理
   4.1 光導電セル 51
   4.2 MOSトランジスタの原理 55
   4.3 バイポーラトランジスタの原理 60
   4.4 基本回路モデル 63
   4.5 性能評価基準 65
   演習問題 71
5 MOSトランジスタの実際
   5.1 MOSトランジスタ特性の解析 72
   5.2 回路モデル 81
   5.3 副次的効果 83
   5.4 MOSトランジスタ応用 85
   演習問題 87
6 バイポーラトランジスタの実際
   6.1 バイポーラトランジスタ特性の解析 89
   6.2 回路モデル 93
   6.3 副次的効果 99
   6.4 バイポーラトランジスタ応用 101
   演習問題 106
7 集積回路
   7.1 集積回路の利点 107
   7.2 集積回路の基本形 108
   7.3 モノリシック回路素子 110
   7.4 回路構成 117
   演習問題 126
8 その他の半導体デバイス
   8.1 サイリスタ 128
   8.2 メモリトランジスタ 133
   8.3 電荷結合デバイス 134
   8.4 薄膜トランジスタ 137
   8.5 化合物半導体およびヘテロ接合トランジスタ 139
   8.6 半導体光デバイス 141
   演習問題 147
9 シリコンデバイスの製作法
   9.1 シリコンウェーハの製造技術 149
   9.2 熱酸化技術 151
   9.3 フォトエッチング技術 153
   9.4 熱拡散技術とイオン注入技術 155
   9.5 真空蒸着 159
   9.6 エピタキシャル成長技術 159
   9.7 デバイス製作工程 160
演習問題 162
演習問題略解 164
索引 174
1 デバイスの本質
   1.1 エネルギー増幅機能 1
   1.2 デバイスと結合状態 3
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