| 1.
|
図書
|
日本電気株式会社編
| 出版情報: |
東京 : 誠文堂新光社, 1962.5- 冊 ; 19cm |
| 子書誌情報: |
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| 所蔵情報: |
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|
| 2.
|
図書
|
三菱電機半導体データブック編集委員会編
| 出版情報: |
[東京] : 三菱電機半導体事業部 冊 ; 26cm |
| 子書誌情報: |
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| 所蔵情報: |
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|
| 3.
|
図書
|
飯田隆彦, 古寺博, 山賀威共編
| 出版情報: |
東京 : オーム社 , 東京 : オーム社書店(発売), 1977.4 ii, 300p ; 19cm |
| 子書誌情報: |
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| 所蔵情報: |
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|
| 4.
|
図書
|
西澤潤一編
|
| 5.
|
図書
|
菅野卓雄, 生駒俊明, 武石喜幸著
|
| 6.
|
図書
|
飯田昌盛著
| 出版情報: |
東京 : 東海大学出版会, 1984.12 iv, 160p ; 21cm |
| 子書誌情報: |
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| 所蔵情報: |
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|
| 7.
|
図書
|
古川静二郎, 荻田陽一郎, 浅野種正共著
| 出版情報: |
東京 : 森北出版, 2020.6 viii, 149p ; 22cm |
| 子書誌情報: |
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| 所蔵情報: |
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目次情報:
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| 電子と結晶 |
| エネルギー帯と自由電子 |
| 半導体のキャリヤ |
| キャリヤ密度とフェルミ準位 |
| 半導体の電気伝導 |
| pn接合とダイオード |
| ダイオードの接合容量 |
| バイポーラトランジスタ |
| 金属‐半導体接触 |
| MESFET |
| MISFET |
| 集積回路 |
| 半伝導体デバイス |
| パワーデバイス |
| 電子と結晶 |
| エネルギー帯と自由電子 |
| 半導体のキャリヤ |
|
| 8.
|
図書
|
伝田精一
| 出版情報: |
東京 : 工業調査会, 1967 13, 243p ; 21cm |
| 子書誌情報: |
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| 所蔵情報: |
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|
| 9.
|
図書
|
中原紀著
|
| 10.
|
図書
|
電気学会高性能高機能パワーデバイス・パワーIC調査専門委員会編
| 出版情報: |
東京 : コロナ社, 1996.7 xi, 482p ; 27cm |
| 子書誌情報: |
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| 所蔵情報: |
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|
| 11.
|
図書
|
電子情報技術産業協会ICガイドブック編集委員会編集・著作
|
| 12.
|
図書
|
西久保靖彦著
| 出版情報: |
東京 : 秀和システム, 2003.3 241p ; 21cm |
| シリーズ名: |
How-nual図解入門 |
| 子書誌情報: |
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| 所蔵情報: |
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|
| 13.
|
図書
|
桜庭一郎, 岡本淳共著
| 出版情報: |
東京 : 森北出版, 2003.11 vii, 180p ; 22cm |
| 子書誌情報: |
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| 所蔵情報: |
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|
| 14.
|
図書
|
坂詰秀昭著
| 出版情報: |
[東京] : 日経BP企画 , 東京 : 日経BP出版センター (発売), 2000.12 191p ; 21cm |
| 子書誌情報: |
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| 所蔵情報: |
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|
| 15.
|
図書
東工大
目次DB
|
平本俊郎編著 ; 内田建, 杉井信之, 竹内潔著
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| 1 序論 1 |
| 1.1 スケーリング則とムーアの法則 2 |
| 1.2 集積ナノデバイスの諸問題 4 |
| 1.3 本書の構成 5 |
| 文献 5 |
| 2 MOSトランジスタの基礎 7 |
| 2.1 MOSトランジスタの構造と動作 7 |
| 2.1.1 MOSトランジスタの構造 7 |
| 2.1.2 MOSトランジスタ動作の定性的説明 8 |
| 2.2 MOSトランジスタの1次近似モデル 10 |
| 2.3 MOS容量(電荷密度と表面電位の関係) 16 |
| 2.3.1 フラットバンド 16 |
| 2.3.2 空乏電荷 17 |
| 2.3.3 少数キャリア 19 |
| 2.4 pn接合付きMOS容量の少数キャリア 21 |
| 2.5 長チャネルトランジスタ 23 |
| 2.5.1 MOSトランジスタと電位 23 |
| 2.5.2 チャージシートモデル 24 |
| 2.5.3 表面電位 26 |
| 2.5.4 相互コンダクタンス 28 |
| 2.5.5 サブスレッショルド電流 29 |
| 2.5.6 基板バイアス効果 31 |
| 2.5.7 移動度と速度 33 |
| 2.6 スケーリング則 39 |
| 2.7 短チャネルトランジスタ 40 |
| 2.7.1 チャージシェアモデル 41 |
| 2.7.2 擬2次元モデル 43 |
| 2.8 MOSトランジスタにおける量子効果 48 |
| 2.8.1 界面量子化 48 |
| 2.8.2 サブバンド構造 49 |
| 2.8.3 反転層容量 53 |
| 2.8.4 バリスティック輸送 55 |
| 2.9 まとめ 57 |
| 文献 57 |
| 3 微細トランジスタの性能向上 59 |
| 3.1 極薄膜Siや3次元構造Siによる新構造トランジスタ 59 |
| 3.1.1 FDSOIや3次元構造トランジスタのしきい値電圧と最小チャネル長 60 |
| 3.1.2 新構造トランジスタのしきい値電圧解析式 60 |
| 3.1.3 サブスレッショルド特性 67 |
| 3.1.4 新構造トランジスタの最小チャネル長68 |
| 3.1.5 Si膜厚変動のしきい値電圧への影響 74 |
| 3.1.6 Si膜厚が薄い場合の影響 75 |
| 3.1.7 FDSOIやダブルゲート構造の設計 78 |
| 3.1.8 素子の耐圧について 80 |
| 3.1.9 素子の作製プロセス 80 |
| 3.2 移動度向上技術(ひずみSi、新チャネル材料) 86 |
| 3.2.1 ひずみSi技術導入の背景と研究の歴史 87 |
| 3.2.2 ひずみSi技術の分類とそのプロセス 90 |
| 3.2.3 ひずみによる移動度向上の機構 101 |
| 3.2.4 移動度のひずみ量依存性 104 |
| 3.2.5 移動度と結晶面方位、チャネル方向の関係 106 |
| 3.2.6 新チャネル材料 110 |
| 3.2.7 Geチャネルトランジスタ 112 |
| コラム1 3次元構造トランジスタの分類 114 |
| コラム2 インテルのひずみSi技術について 116 |
| 文献 118 |
| 4 微細化・集積化にともなう諸問題 125 |
| 4.1 スケーリングによる微細化とその課題 126 |
| 4.1.1 スケーリングによる微細化の実現 126 |
| 4.1.2 微細化の性能への影響 129 |
| 4.1.3 微細化実現のための課題 134 |
| 4.2 微細MOSFETの信頼性 147 |
| 4.2.1 ホットキャリア効果 149 |
| 4.2.2 ホットキャリア効果のバイアス・温度依存性 151 |
| 4.2.3 ホットキャリア効果の劣化予測 153 |
| 4.2.4 NBTI 155 |
| 4.2.5 NBTIのモデル1 : 反応・拡散モデル 158 |
| 4.2.6 NBTIのモデル2 : 複合モデル 160 |
| 4.2.7 TDDB 161 |
| 4.2.8 TDDBの統計性 163 |
| 4.2.9 TDDBの寿命推定 166 |
| 4.3 ソフトエラー 170 |
| 4.3.1 ソフトエラーとは 170 |
| 4.3.2 微細化がソフトエラーに及ぼす影響 173 |
| 4.3.3 ソフトエラーの評価手法 176 |
| 4.4 微細トランジスタのばらつき 177 |
| 4.4.1 ばらつきの分類 177 |
| 4.4.2 不純物ばらつき 181 |
| 4.4.3 不純物ばらつきのモデル 182 |
| 4.4.4 ランダムばらつきの規格化 185 |
| 4.4.5 ランダムばらつきの回路への影響 188 |
| 4.4.6 ばらつきの対策 190 |
| 4.4.7 ばらつき対応設計 192 |
| 文献 194 |
| 5 将来展望 199 |
| 5.1 将来に向けての技術動向 199 |
| 5.1.1 More Moore 199 |
| 5.1.2 More Than Moore 200 |
| 5.1.3 Beyond CMOS 201 |
| 5.2 集積ナノデバイスマップ 201 |
| 5.3 将来の集積ナノデバイス候補 203 |
| 5.3.1 More Mooreに属する新デバイス 203 |
| 5.3.2 Beyond CMOSに属するデバイス候補 209 |
| 5.4 集積ナノデバイスのビジョンマップ 218 |
| 文献 220 |
| 索引 223 |
| 1 序論 1 |
| 1.1 スケーリング則とムーアの法則 2 |
| 1.2 集積ナノデバイスの諸問題 4 |
|
| 16.
|
図書
|
和保孝夫著 ; 電子情報通信学会編
目次情報:
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| 1 : 序論 |
| 2 : モデルデバイス |
| 3 : 半導体におけるキャリヤの挙動 |
| 4 : pn接合 |
| 5 : MOSFET |
| 6 : BJT |
| 7 : CMOS論理回路 |
| 8 : メモリ |
| 9 : まとめと今後の展望 |
| 1 : 序論 |
| 2 : モデルデバイス |
| 3 : 半導体におけるキャリヤの挙動 |
|
| 17.
|
図書
|
垂井康夫著
| 出版情報: |
東京 : 工業調査会, 2000.4 271p ; 20cm |
| 子書誌情報: |
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| 所蔵情報: |
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|
| 18.
|
図書
|
梅野正義編著
| 出版情報: |
東京 : オーム社, 1997.10 vii,128p ; 21cm |
| シリーズ名: |
インターユニバーシティ |
| 子書誌情報: |
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| 所蔵情報: |
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|
| 19.
|
図書
東工大
目次DB
|
永田穰, 柳井久義共著
| 出版情報: |
東京 : コロナ社, 2005.9-2007.10 2冊 ; 22cm |
| シリーズ名: |
大学講義シリーズ |
| 子書誌情報: |
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| 所蔵情報: |
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目次情報:
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| 1半導体工業の歴史と集積回路 |
| 1．1半導体工業の歴史 1 |
| 1．2集積回路の本質とその生れる必然性 8 |
| 2集積回路の種類 |
| 2．1高密度実装回路 13 |
| 2．2集積回路 14 |
| 2．3ＳＯＣ技術とＳＩＰ技術 18 |
| 3モノリシック集積回路のあらまし |
| 3．1モノリシックＩＣの構造概要 19 |
| 3．1．1バイポーラＩＣの構造 22 |
| 3．1．2ＭＯＳ－ＩＣの構造 24 |
| 3．1．3ＣＭＯＳ－ＩＣとＢｉ－ＣＭＯＳ－ＩＣの構造 26 |
| 3．2モノリシックＩＣの製造方法の概要 26 |
| 3．2．1バイポーラＩＣのプロセスの概要 27 |
| 3．2．2ＭＯＳ－ＩＣのプロセスの概要 30 |
| 3．3モノリシックＩＣの断面構造の詳細 31 |
| 演習問題 32 |
| 4ｐｎ接合とＭＯＳ構造 |
| 4．1基本構造としてのｐｎ接合とＭＯＳ構造 34 |
| 4．2ｐｎ接合とその形成 35 |
| 4．3ｐｎ接合の特性 37 |
| 4．3．1空乏層の広がり 37 |
| 4．3．2空乏層の接合容量 42 |
| 4．3．3ｐｎ接合を流れる電流と整流特性 44 |
| 4．3．4耐圧特性および降伏電圧 48 |
| 4．4ｐｎ接合とバイポーラトランジスタ 52 |
| 4．5ＭＯＳ構造とその形成 54 |
| 4．6ＭＯＳ構造の特性 55 |
| 4．6．1電圧印加時の表面電位のふるまい 55 |
| 4．6．2ＭＯＳ容量のＣ－Ｖ特性としきい値電圧 60 |
| 4．6．3チャネルの形成とチャネルコンダクタンス 64 |
| 4．7ＭＯＳトランジスタ 66 |
| 補足事項 68 |
| 演習問題 74 |
| 5半導体モノリシックＩＣの製造技術 |
| 5．1はじめに 76 |
| 5．2シリコン単結晶とウェーハ 77 |
| 5．2．1シリコンの性質 77 |
| 5．2．2シリコンウェーハの作製 79 |
| 5．3酸化と酸化膜の性質 83 |
| 5．3．1酸化膜の形成法と酸化速度 83 |
| 5．3．2酸化膜の性質 87 |
| 5．3．3熱酸化による表面形状の変化（段差） 91 |
| 5．4ホトレジスト加工 92 |
| 5．4．1ホトレジスト材料 92 |
| 5．4．2ホトレジスト加工の手順 93 |
| 5．4．3ホトレジスト加工の精度 95 |
| 5．4．4微細加工とドライブプロセス 97 |
| 5．5熱拡散とイオン打込み 100 |
| 5．5．1不純物元素のドーピング 100 |
| 5．5．2熱拡散の方法 102 |
| 5．5．3熱拡散の理論 105 |
| 5．5．4拡散技術の応用 110 |
| 5．5．5イオン打込み（イオン注入） 114 |
| 5．6エピタキシャル成長とＣＶＤ技術 121 |
| 5．6．1エピタキシャル成長法 121 |
| 5．6．2エピタキシャル成長の応用と問題点 127 |
| 5．6．3ケミカルベーパデポジション（ＣＶＤ） 128 |
| 5．7金属膜の形成と配線技術 132 |
| 5．7．1配線工程と配線材料 133 |
| 5．7．2真空蒸着とスパッタリングの装置 135 |
| 5．7．3多層配線技術とＣＭＰ技術 137 |
| 補足事項 140 |
| 演習問題 141 |
| 6半導体モノリシックＩＣの構成素子 |
| 6．1アイソレーションとプレーナ構造 143 |
| 6．2モノリシック抵抗 145 |
| 6．2．1構造と特性 145 |
| 6．2．2バターン設計と抵抗値の精度 146 |
| 6．2．3寄生素子の周波数特性 150 |
| 6．2．4モノリシック抵抗のその他の形 155 |
| 6．3モノリシック・コンデンサ 156 |
| 6．3．1構造と特性 156 |
| 6．3．2パターン設計と容量値 157 |
| 6．4配線およびインダクタンス 161 |
| 6．4．1配線とその特性 161 |
| 6．4．2インダクタンス 164 |
| 6．5ＭＯＳトランジスタ 167 |
| 6．5．1構造と特性 168 |
| 6．5．2パターン設計とホトマスク 172 |
| 6．5．3プロセス設計としきい値電圧 174 |
| 6．5．4寄生素子およびその他の効果 176 |
| 6．5．5ＭＯＳロランジスタの種々の構造 179 |
| 6．6バイポーラトランジスタ 184 |
| 6．6．1構造と特性 185 |
| 6．6．2バターン設計とホトマスク 192 |
| 6．6．3寄生素子とその影響 197 |
| 6．6．4ｐｎｐトランジスタ 201 |
| 6．7モノリシックダイオード 204 |
| 6．7．1モノリシックダイオードの種類 205 |
| 6．7．2モノリシックダイオードの特性 206 |
| 6．7．3ツェナーダイオード 208 |
| 補足事項 209 |
| 演習問題 210 |
| 7半導体モノリシックＩＣのパターン設計 |
| 7．1モノリシック集積回路の構成 213 |
| 7．2レイアウト設計とその手順 219 |
| 7．3回路パターンのＩＣチップ上への転写技術 227 |
| 7．3．1マスク原図の製作と転写プロセス 229 |
| 7．3．2転写技術の精度 231 |
| 補足事項 235 |
| 演習問題 241 |
| 参考文献 |
| 演習問題解答 |
| 索引 |
| 1半導体工業の歴史と集積回路 |
| 1．1半導体工業の歴史 1 |
| 1．2集積回路の本質とその生れる必然性 8 |
|
| 20.
|
図書
|
宇佐美晶[ほか]共著
| 出版情報: |
東京 : 工業調査会, 1992.3 301p ; 22cm |
| 子書誌情報: |
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| 所蔵情報: |
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|
| 21.
|
図書
|
松下電子工業株式会社半導体事業本部ハンドブック編集委員会編
| 出版情報: |
東京 : 誠文堂新光社, 1966- 冊 ; 26cm |
| 子書誌情報: |
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| 所蔵情報: |
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|
| 22.
|
ＥＢ
|
電子情報通信学会編 ; 益一哉, 天川修平共著
目次情報:
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| 1 : 緒論 |
| 2 : 回路理論からみた半導体デバイス |
| 3 : 周期構造と波 |
| 4 : 平衡状態の半導体の物理 |
| 5 : 電気伝導 |
| 6 : pn接合 |
| 7 : MOSトランジスタ |
| 付録 |
| 1 : 緒論 |
| 2 : 回路理論からみた半導体デバイス |
| 3 : 周期構造と波 |
概要:
固体物性の難所、エネルギーバンド形成を量子力学ではなく回路論で解説。デバイス物理の直観的理解の鍵を握る擬フェルミ準位の概念とエネルギーバンド図の読み解き方を他に類のないほど詳述。物性とデバイスの普遍的な基礎を説く斬新な入門書。
|
| 23.
|
図書
|
米津宏雄著
| 出版情報: |
東京 : 工学図書, 1987.10 viii, 172p ; 21cm |
| 子書誌情報: |
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| 所蔵情報: |
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|
| 24.
|
図書
|
壇良編著
| 出版情報: |
東京 : 産業図書, 1988.3 297p ; 22cm |
| シリーズ名: |
集積回路プロセス技術シリーズ |
| 子書誌情報: |
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| 所蔵情報: |
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|
| 25.
|
図書
|
室英夫, 脇田和樹, 阿武宏明共著
| 出版情報: |
東京 : 日新出版, 2009.4 iii, 129p ; 21cm |
| シリーズ名: |
実用理工学入門講座 |
| 子書誌情報: |
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| 所蔵情報: |
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|
| 26.
|
図書
|
今井哲二編著 ; 原徹, 米津宏雄, 福家俊郎共著
| 出版情報: |
東京 : オーム社, 1988.10 v, 245p ; 22cm |
| シリーズ名: |
OHM大学講座 |
| 子書誌情報: |
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| 所蔵情報: |
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|
| 27.
|
図書
東工大
目次DB
|
宮尾正信, 佐道泰造著
| 出版情報: |
東京 : 朝倉書店, 2007.11 v, 110p ; 21cm |
| シリーズ名: |
電気電子工学シリーズ ; 5 |
| 子書誌情報: |
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| 所蔵情報: |
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目次情報:
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| 1. 半導体の特徴とエネルギーバンド構造 1 |
| 1.1 半導体の特徴 1 |
| 1.2 エネルギーバンド構造 1 |
| 1.2.1 原子の構造とエネルギー準位 1 |
| 1.2.2 固体の構造とエネルギーバンド 3 |
| 1.2.3 結晶中の電子の運動（有効質量近似） 6 |
| 1.3 エネルギーバンド構造の見方と物性 7 |
| 2. 半導体のキャリヤと電気伝導 11 |
| 2.1 真性半導体と外因性半導体 11 |
| 2.1.1 真性半導体のキャリヤ 11 |
| 2.1.2 外因性半導体のキャリヤ 12 |
| 2.2 半導体のフェルミ準位とキャリヤ密度 13 |
| 2.2.1 状態密度とフェルミ準位 13 |
| 2.2.2 キャリヤ密度の導出 16 |
| 2.2.3 pn積一定の法則 17 |
| 2.2.4 キャリヤ密度の温度依存性 18 |
| 2.3 半導体中の電気伝導 20 |
| 2.3.1 半導体のキャリヤの流れ 20 |
| 2.3.2 キャリヤ連続の式 24 |
| 3. 芒躇接合ダイオードとショットキー障壁ダイオード 28 |
| 3.1 pn接合の物理 28 |
| 3.2 pn接合の整流性 29 |
| 3.2.1 整流性の原理 29 |
| 3.2.2 整流特性の導出 31 |
| 3.3 pn接合の静電容量 35 |
| 3.3.1 空乏層幅 35 |
| 3.3.2 空乏層容量 37 |
| 3.4 pn接合の逆電圧降伏 38 |
| 3.5 ショットキー接触と整流性 39 |
| 3.5.1 ショットキー接触の原理 39 |
| 3.5.2 ショットキー障壁と電流-電圧特性 40 |
| 4. バイポーラトランジスタ 45 |
| 4.1 基本構造と動作原理 45 |
| 4.2 ベース接地回路の電流増幅率 48 |
| 4.2.1 電流増幅率の定義 48 |
| 4.2.2 電流増幅率の物理 49 |
| 4.2.3 電流増幅率の周波数依存性 53 |
| 4.3 各種接地回路の電流増幅率 55 |
| 5. MOS型電界効果トランジスタ 59 |
| 5.1 MOS構造と基本特性 59 |
| 5.1.1 エネルギーバンド構造 59 |
| 5.1.2 容量ゲート電圧（C-V）特性 64 |
| 5.2 MOS型電界効果トランジスタの基本特性 66 |
| 5.2.1 基本構造と動作原理 66 |
| 5.2.2 出力特性 67 |
| 5.2.3 相互コンダクタンス 71 |
| 5.3 MOS型電界効果トランジスタの微細化と課題 71 |
| 6. 大規模集積回路 76 |
| 6.1 大規模集積回路の分類 77 |
| 6.2 大規模集積回路の基本回路 79 |
| 6.2.1 論理LSI 79 |
| 6.2.2 メモリLSI 84 |
| 参考図書 90 |
| 演習問題解答 91 |
| 索引 107 |
| 1. 半導体の特徴とエネルギーバンド構造 1 |
| 1.1 半導体の特徴 1 |
| 1.2 エネルギーバンド構造 1 |
|
| 28.
|
図書
東工大
目次DB
|
宮本恭幸著
| 出版情報: |
東京 : 培風館, 2009.2 vi, 153p ; 21cm |
| シリーズ名: |
電子情報工学ニューコース ; 11 |
| 子書誌情報: |
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| 所蔵情報: |
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| 1. デバイス理解の基礎知識 1 |
| 1.1 デバイス理解のために最小限の半導体物理 2 |
| 1.1.1 バンド構造 2 |
| 1.1.2 半導体の電子と正孔 3 |
| 1.1.3 電界による電流 4 |
| 1.1.4 拡散による電流 5 |
| 1.1.5 平衡に戻ろうとする力 : 発生と再結合 6 |
| 1.1.6 フェルミ準位による電子と正孔の量 7 |
| 1.2 pn接合の動作 10 |
| 1.2.1 順方向電圧印加時 11 |
| 1.2.2 逆方向電圧印加時 13 |
| 1.3 デバイス評価のための回路の知識 14 |
| 1.3.1 ディジタル回路の評価 14 |
| 1.3.2 アナログ回路の評価－遮断周波数 16 |
| 1.3.3 アナログ回路の評価－最大発振周波数 18 |
| 演習問題1 20 |
| 2. MOSFET 23 |
| 2.1 MOSFETの構造 23 |
| 2.2 MOSFETの直流特性 25 |
| 2.2.1 MOS構造でのキャリヤ数 25 |
| 2.2.2 ドレイン電圧が小さいときの電圧－電流特性 30 |
| 2.2.3 ドレイン電圧が大きいときの電圧－電流特性 30 |
| 2.3 動作速度の見積もり 36 |
| 2.3.1 インバータでの見積もり 36 |
| 2.3.2 遮断周波数 42 |
| 2.4 しきい値電圧 45 |
| 2.4.1 絶縁体を通る空乏層からの電気力線によるしきい値電圧分 45 |
| 2.4.2 フラットバンド電圧 48 |
| 2.4.3 電流の正確な表現とボディ効果係数 50 |
| 2.4.4 エンハンスメント型とデイプリージョン型 52 |
| 2.4.5 しきい値電圧の測定方法・蓄積の定義 53 |
| 2.5 スケーリング 56 |
| 2.5.1 短チャネル効果 56 |
| 2.5.2 チャネル長変調効果 59 |
| 2.5.3 速度飽和 60 |
| 2.5.4 定電界スケーリング 62 |
| 2.5.5 実際のスケーリング 63 |
| 2.5.6 スケーリングで解決できないこと 64 |
| 演習問題2 65 |
| 3. バイポーラトランジスタ 67 |
| 3.1 バイポーラトランジスタの基礎 68 |
| 3.1.1 コレクタ電流 68 |
| 3.1.2 ベース電流 71 |
| 3.1.3 電流伝送率と電流増幅率 72 |
| 3.2 等価回路 73 |
| 3.2.1 1ダイオード・1電流源の等価回路 73 |
| 3.2.2 エバースモルモデル 75 |
| 3.2.3 エミッタ接地電圧－電流特性 77 |
| 3.2.4 小信号用等価回路 79 |
| 3.3 コレクタの設計 82 |
| 3.3.1 アーリー効果 84 |
| 3.3.2 パンチスルー 85 |
| 3.3.3 接合の降伏 85 |
| 3.3.4 エミッタ接地での降伏 87 |
| 3.4 速度の推定 89 |
| 3.4.1 拡散容量 90 |
| 3.4.2 拡散容量のみを考慮した場合の遮断周波数 91 |
| 3.4.3 電子の速度 93 |
| 3.4.4 接合容量 95 |
| 3.4.5 接合容量を入れたモデル 96 |
| 3.4.6 最大発振周波数 97 |
| 3.4.7 周波数特性の向上には 98 |
| 3.4.8 MOSFETとの比較 98 |
| 3.5 バイポーラトランジスタにおける再結合 100 |
| 3.5.1 拡散長 100 |
| 3.5.2 pn接合の電圧印加時 102 |
| 3.5.3 ベース層内での再結合の影響 104 |
| 3.5.4 エミッタ中の再結合も考慮したベース電流 107 |
| 3.5.5 再結合を含んだ場合のベース電流と電流伝送率 109 |
| 演習問題3 109 |
| 4. そのほかの電子デバイス 111 |
| 4.1 MOS構造をベースにしたメモリデバイス 111 |
| 4.1.1 DRAM 112 |
| 4.1.2 フラッシュメモリ 114 |
| 4.1.3 CCD 117 |
| 4.2 パワーデバイス 118 |
| 4.2.1 パワーデバイスの評価指標 118 |
| 4.2.2 ダイオード 119 |
| 4.2.3 パワーバイポーラトランジスタ 120 |
| 4.2.4 サイリスタ 121 |
| 4.2.5 パワー MOSFET 123 |
| 4.2.6 IGBT 125 |
| 4.3 化合物半導体トランジスタ 126 |
| 4.3.1 化合物半導体とヘテロ接合 126 |
| 4.3.2 ショットキー接合 129 |
| 4.3.3 MESFET 131 |
| 4.3.4 HEMT 136 |
| 4.3.5 へテロ接合バイポーラトランジスタ 137 |
| 演習問題4 138 |
| 参考図書 141 |
| 演習問題の略解 143 |
| 索引 151 |
| 1. デバイス理解の基礎知識 1 |
| 1.1 デバイス理解のために最小限の半導体物理 2 |
| 1.1.1 バンド構造 2 |
|
| 29.
|
図書
東工大
目次DB
|
菊地正典, 影山隆雄著
| 出版情報: |
東京 : 日本実業出版社, 2005.12 251p ; 21cm |
| 子書誌情報: |
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| 所蔵情報: |
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目次情報:
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| 序章電子デバイスを解剖する |
| 0-1電子デバイスとは 10 |
| 素子と機器をつなぐ電子デバイス |
| 0-2電子デバイスの分類 12 |
| 半導体とその他のデバイス |
| 0-3携帯電話を解剖する 14 |
| 機能ブロックごとに理解するのが早道 |
| 第1章半導体素子とは何か |
| 1-1半導体素子とは 20 |
| いろいろな分類ができる半導体 |
| 1-2抵抗と容量 23 |
| 半導体の上に作られる受動素子の代表 |
| 1-3ダイオード 26 |
| PN接合ダイオードとツェナーダイオード |
| 1-4MOSトランジスタ 28 |
| 電子利用のN型、正孔利用のP型 |
| 1-5CMOS 32 |
| 定電圧・ローパワー動作が可能な相補型MOS |
| 1-6バイポーラトランジスタ 35 |
| 電流駆動でMOSより高速・高駆動 |
| 1-7Bi-MOS 38 |
| CMOSとバイポーラの長所をあわせもつ |
| 1-8CCD 40 |
| ポテンシャルの井戸を移動するバケツリレー |
| 1-9TFT 42 |
| ディスプレイ用途の電界効果型トランジスタ |
| 1-10パワートランジスタ 44 |
| エネルギーとして電気信号を扱うデバイス |
| 1-11サイリスタ 46 |
| ON-OFFのラッチアップ機能をもつSCR |
| COLUMN[トランジスタ、60年の奇跡と軌跡] |
| 第2章基本回路のしくみ |
| 2-1基本回路とは 50 |
| (入力+出力)端子+電源+GND |
| 2-2NOTゲート 52 |
| すべての基本回路はNOTゲートから |
| 2-3AND/NANDゲート 54 |
| 「…かつ…」のAND、「ANDの否定」のNAND |
| 2-4OR/NORゲート 56 |
| 「…または…」のOR、「ORの否定」のNOR |
| 2-5XORゲート |
| OR論理から2入力が同じ場合を除く排他論理 |
| 2-6エンコーダとデコーダ 60 |
| 情報の符号化(暗号)と復号化(解読) |
| 2-7加算回路 62 |
| 足し算をする半加算回路、全加算回路 |
| 2-8減算回路 64 |
| 引き算をする半減算回路、全減算回路 |
| 2-9乗算回路 66 |
| 掛け算をする回路のしくみ |
| 2-10フリップフロップ 68 |
| 記憶情報を1か0にパタパタ切り換える |
| 2-11カウンタ 70 |
| 入力信号をカウントする計数回路 |
| 2-12シフトレジスタ 72 |
| データを一時記憶し、隣りのレジスタに送る |
| 2-13差動増幅器 74 |
| 入力信号の差を検出し、増幅する回路 |
| 2-14オペアンプ 77 |
| アナログ回路の演算増幅器 |
| 2-15反転/非反転増幅器 80 |
| オペアンプを利用したさまざまな演算回路 |
| 2-16微分回路と積分回路 82 |
| アナログ信号の時間変化と積算値 |
| 2-17D/A、A/Dコンバータ 84 |
| アナデジ変換→情報処理→デジアナ変換 |
| COLUMN[プール台数とベン図] |
| 第3章集積回路のしくみ |
| 3-1半導体集積回路とは 88 |
| 半世紀の歴史を経てさらにIC化進む |
| 3-2半導体メモリの概要 90 |
| ワード線(X)とビット線(Y)がキホン |
| 3-3DRAM 92 |
| シンプルなセル構造で高集積化も容易 |
| 3-4SRAM 94 |
| セル構造は複雑だがリフレッシュ不要 |
| 3-5マスクROM 96 |
| 拡散方式、コンタクト方式、イオン注入方式 |
| 3-6EPROM 98 |
| 再書込みが可能なROMのしくみ |
| 3-7フラッシュメモリ 100 |
| 多くの用途をもつ代表的な不揮発性メモリ |
| 3-8機能メモリ 102 |
| DRAM代替の有力メモリとして期待度大 |
| 3-9MPU 104 |
| 1チップCPUのしくみと働き |
| 3-10MCU 106 |
| シングルチップ・マイコンのしくみと構成 |
| 3-11DSP 108 |
| デジタル信号処理と機能ブロック |
| 3-12ASIC 110 |
| 用途を限定した専用IC |
| 3-13アナログIC 114 |
| バイポーラ素子を用いたリニア回路 |
| 3-14システムLSIとIP 116 |
| 多種の回路機能を1チップ化 |
| COLUMN[IC技術革新の原動力は？] |
| 第4章撮像・表示デバイスのしくみ |
| 4-1撮像・表示デバイスとは 120 |
| CCDイメージセンサから有機ELまで |
| 4-2CCD/CMOSセンサ 122 |
| 対象物から光信号を電気信号に変換 |
| 4-3LCD（エキショウディスプレイ) 124 |
| 透過・遮断を電圧でスイッチング |
| 4-4PDP 126 |
| プラズマ状態から出る紫外線が蛍光体を光らせる |
| 4-5FED、SED 128 |
| 発光効率の高い期待の次世代ディスプレイ |
| 4-6CRT 130 |
| ビーム状の電子の衝突で蛍光体が発光 |
| 4-7蛍光表示管 132 |
| 各種フィルタで希望色を得られる真空管デバイス |
| 4-8有機EL 134 |
| 発光効率100%のリン光の実用化をめざして |
| 4-9LEDディスプレイ 136 |
| スタティック駆動方式とダイナミック駆動方式 |
| COLUMN[液晶の発見と実用化] |
| 第5章受動部品のしくみ |
| 5-1受動部品とは 140 |
| それ自身では増幅作用を持たない部品 |
| 5-2抵抗器 142 |
| 定格電流を意識した使い方をする |
| 5-3コンデンサ 144 |
| キャパシタとも呼ばれ、極性確認が大事 |
| 5-4コイル(インダクタ) 146 |
| ノイズフィルタ、電流制御、共振回路に利用 |
| COLUMN[ 受動部品の微細化と利益] |
| 第6章機能部品・機構部品のしくみ |
| 6-1機能部品とは 150 |
| 決められた働きに変換する部品 |
| 6-2圧電素子 152 |
| ひずみ(力)を電圧に、電圧をひずみに変換 |
| 6-3ステッピングモータ 154 |
| パルス信号により一定単位で回転するモータ |
| 6-4サーボモータ 156 |
| フィードバック信号で制御されるモータ |
| 6-5磁気ヘッド 158 |
| 巨大磁気抵抗からトンネル磁気抵抗へ |
| 6-6機構部品とは 160 |
| 「電気+機械」の複合系の機械部品 |
| 6-7パッケージ 162 |
| ICを収納するケースにもいろいろある |
| 6-8プリント基板 164 |
| 高密度化、多層化の方向へ |
| 6-9リレー 166 |
| 出力回路の開閉や切換えをするデバイス |
| COLUMNS[携帯電話の中で活躍する小型モータ] |
| 第7章無線応用デバイスのしくみ |
| 7-1無線応用デバイスとは 170 |
| 複合化・モジュール化が進む無線機器 |
| 7-2無線用ダイオード 172 |
| ショットキーダイオード、PINダイオード |
| 7-3HBT 174 |
| ヘテロ接合によるバイポーラトランジスタ |
| 7-4MESFET 176 |
| ガリウム砒素を用いた電界効果型トランジスタ |
| 7-5HEMT 178 |
| 高移動度特性をもったFET |
| 7-6アンテナ分波器 180 |
| 近接周波数を区分し、デュアルバンドに対応 |
| 7-7フィルタ、バラン 182 |
| 「電子の関所」として入力・出力を調整 |
| 7-8アンテナ 184 |
| 小ささ、狭いスペースへの内臓を目ざして |
| 7-9進行波管 186 |
| 広帯域のマイクロ波増幅を行ない人工衛星利用 |
| COLUMN[有限な電波資源の、有効な活用法] |
| 第8章光応用デバイスのしくみ |
| 8-1光応用デバイスとは 190 |
| WDM技術で異なる波長を多重化 |
| 8-2発光ダイオード 192 |
| 電気入力を光出力に変える光電変換デバイス |
| 8-3半導体レーザ 194 |
| 大容量の光エレクトロニクス向けデバイス |
| 8-4気体レーザ 196 |
| コヒーレントな光出力にする光電変換デバイス |
| 8-5固体レーザ 198 |
| 大出力を得る光電変換デバイス |
| 8-6光電子増倍管 200 |
| 超高感度、超高速応答の光センサ |
| 8-7光変調器 202 |
| 光ビームに情報を乗せるためのデバイス |
| 8-8光スイッチ 204 |
| 光ファイバ伝送路などを切り替える装置 |
| 8-9光アイソレータ 206 |
| 順方向の光を通し、逆方向の光を遮断する |
| 8-10フォトカプラ 208 |
| ノイズ混入などを防ぐ光複合デバイス |
| 8-11フォトインタラプタ 210 |
| 光センサとして活躍するフォトカプラ |
| COLUMN[メーザとレーザ] |
| 第9章センサ素子のしくみ |
| 9-1センサ素子とは 214 |
| 電子回路とセンサ素子をIC化した製品も登場 |
| 9-2フォトダイオード 216 |
| PN接合が「光→電気」変換 |
| 9-3赤外線センサ 218 |
| 赤外線を電気信号に変換するデバイス |
| 9-4サーミスタ 220 |
| 温度によって抵抗値が変わるセンサ |
| 9-5焦電素子 222 |
| 近赤外から遠赤外までを検知する |
| 9-6熱電対 224 |
| ゼーベック効果を利用した温度センサ |
| 9-7磁気抵抗素子 226 |
| 磁気が加わると抵抗が変化することを利用 |
| 9-8ホール素子 228 |
| ホール効果を用いた半導体磁気センサ |
| 9-9SQUID 230 |
| 極微弱な磁界を計測する高感度センサ |
| 9-10感圧素子 232 |
| ピエゾ抵抗効果で力学的エネルギーを検知 |
| 9-11加速度センサ 234 |
| 携帯電話の傾きまで検出 |
| 9-12バイオセンサ 236 |
| 酵素センサから電子式DNAセンサまで |
| COLUMN[地球シミュレータ] |
| 第10章エネルギーデバイスのしくみ |
| 10-1エネルギーデバイス 240 |
| 電池とキャパシタを組み合わせる研究も |
| 10-2トランス(変圧器) 242 |
| 必要とする交流電圧に変換するデバイス |
| 10-3インバータ 244 |
| 直流から可変電圧・可変周波数の交流を |
| 10-4太陽電池 246 |
| 半導体太陽電池と色素増感太陽電池 |
| 10-5燃料電池 248 |
| [水素+酸素]の化学電池 |
| 10-6大容量キャパシタ 250 |
| 繰り返し充放電が10回以上 |
| カバーデザイン/ダーツ(小澤宏樹) |
| 本文組版/一企画 |
| 序章電子デバイスを解剖する |
| 0-1電子デバイスとは 10 |
| 素子と機器をつなぐ電子デバイス |
|
| 30.
|
図書
|
大谷直毅著
| 出版情報: |
東京 : 森北出版, 2019.10 ix, 177p ; 22cm |
| 子書誌情報: |
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| 所蔵情報: |
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目次情報:
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| 半導体の基礎 |
| 半導体中のキャリア密度 |
| 半導体中のキャリア輸送現象 |
| pn接合ダイオード |
| 金属と半導体の接合による整流特性 |
| バイポーラトランジスタ |
| 接合型電界効果トランジスタ |
| MOSダイオード |
| MOSFET |
| MOS集積回路 |
| MESFET |
| 付録A : エネルギーバンド構造について |
| 付録B : 状態密度の計算方法 |
| 付録C : 有効質量の概念、直接遷移型と間接遷移型半導体 |
| 付録D : 価電子帯のエネルギーと正孔の概念 |
| 付録E : ヘテロ接合、トンネル効果、半導体超格子 |
| 付録F : ショットキー接合の電流‐電圧特性 |
| 付録G : バイポーラトランジスタの電流利得に関する補足 |
| 半導体の基礎 |
| 半導体中のキャリア密度 |
| 半導体中のキャリア輸送現象 |
概要:
「半導体の概念」から「デバイスの基本動作」まで、ミクロな現象の本質がわかる。
|
| 31.
|
図書
|
電子情報通信学会編 ; 益一哉, 天川修平共著
目次情報:
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| 1 : 緒論 |
| 2 : 回路理論からみた半導体デバイス |
| 3 : 周期構造と波 |
| 4 : 平衡状態の半導体の物理 |
| 5 : 電気伝導 |
| 6 : pn接合 |
| 7 : MOSトランジスタ |
| 付録 |
| 1 : 緒論 |
| 2 : 回路理論からみた半導体デバイス |
| 3 : 周期構造と波 |
概要:
固体物性の難所、エネルギーバンド形成を量子力学ではなく回路論で解説。デバイス物理の直観的理解の鍵を握る擬フェルミ準位の概念とエネルギーバンド図の読み解き方を他に類のないほど詳述。物性とデバイスの普遍的な基礎を説く斬新な入門書。
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