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図書

東工大
目次DB

図書
東工大
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松村正清著
出版情報: 東京 : 昭晃堂, 1986.12  178p ; 22cm
シリーズ名: 21世紀を指向した電子・通信・情報カリキュラムシリーズ ; A-6
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1 デバイスの本質
   1.1 エネルギー増幅機能 1
   1.2 デバイスと結合状態 3
   1.3 半導体デバイスの重要性 8
   1.4 半導体デバイスの歴史 9
   演習問題 11
2 ダイオードの原理
   2.1 pn接合と整流性 12
   2.2 pn接合ダイオードの全般的な特性 15
   2.3 金属・半導体接触 17
   2.4 pn接合ダイオードの基本的特性 19
   演習問題 23
3 ダイオードの実際
   3.1 ダイオード特性の解析 25
   3.2 回路モデル 37
   3.3 空間電荷領域の電界分布 38
   3.4 過渡応答特性 42
   3.5 副次的効果 44
   3.6 ダイオード応用 46
   演習問題 50
4 トランジスタの原理
   4.1 光導電セル 51
   4.2 MOSトランジスタの原理 55
   4.3 バイポーラトランジスタの原理 60
   4.4 基本回路モデル 63
   4.5 性能評価基準 65
   演習問題 71
5 MOSトランジスタの実際
   5.1 MOSトランジスタ特性の解析 72
   5.2 回路モデル 81
   5.3 副次的効果 83
   5.4 MOSトランジスタ応用 85
   演習問題 87
6 バイポーラトランジスタの実際
   6.1 バイポーラトランジスタ特性の解析 89
   6.2 回路モデル 93
   6.3 副次的効果 99
   6.4 バイポーラトランジスタ応用 101
   演習問題 106
7 集積回路
   7.1 集積回路の利点 107
   7.2 集積回路の基本形 108
   7.3 モノリシック回路素子 110
   7.4 回路構成 117
   演習問題 126
8 その他の半導体デバイス
   8.1 サイリスタ 128
   8.2 メモリトランジスタ 133
   8.3 電荷結合デバイス 134
   8.4 薄膜トランジスタ 137
   8.5 化合物半導体およびヘテロ接合トランジスタ 139
   8.6 半導体光デバイス 141
   演習問題 147
9 シリコンデバイスの製作法
   9.1 シリコンウェーハの製造技術 149
   9.2 熱酸化技術 151
   9.3 フォトエッチング技術 153
   9.4 熱拡散技術とイオン注入技術 155
   9.5 真空蒸着 159
   9.6 エピタキシャル成長技術 159
   9.7 デバイス製作工程 160
演習問題 162
演習問題略解 164
索引 174
1 デバイスの本質
   1.1 エネルギー増幅機能 1
   1.2 デバイスと結合状態 3
2.

図書

図書
大森正道編
出版情報: 東京 : 培風館, 1986.11  x, 354p ; 24cm
シリーズ名: 超高速ディジタルデバイス・シリーズ / 菅野卓雄監修 ; 3
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3.

図書

図書
東京テクノブレイン株式会社編
出版情報: 東京 : 東京テクノブレイン, 1986.5  390p ; 26cm
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4.

図書

図書
西澤潤一編
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1986.8-  冊 ; 27cm
シリーズ名: 半導体研究 / 半導体研究振興会編 ; 25, 27, 29, 31, 33, 35, 37, 39巻
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5.

図書

図書
西澤潤一編
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1986.8  8, 324p ; 27cm
シリーズ名: 半導体研究 / 半導体研究振興会編 ; 24巻 . 超LSI技術||チョウ LSI ギジュツ ; 10
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6.

図書

図書
菅野卓雄編集代表
出版情報: 東京 : 東京大学出版会, 1986.11  vi,226p ; 26cm
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7.

図書

図書
米津宏雄著
出版情報: 東京 : 工学社, 1986.9  227p ; 21cm
シリーズ名: 工学選書 ; 4
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8.

図書

図書
応用物理学会関西支部編
出版情報: 東京 : 日刊工業新聞社, 1986.1  iii, 218, ivp ; 22cm
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9.

図書

図書
清水潤治著
出版情報: 東京 : コロナ社, 1986.7  vii, 258p ; 22cm
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