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1.

図書

図書
川西剛著
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1999.4  220p ; 18cm
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2.

図書

図書
燦ミアキ, 大河啓監修
出版情報: 東京 : ナツメ社, 1998.10 , (東京 : ナツメ出版企画)  223p ; 19cm
シリーズ名: 図解雑学 : 絵と文章でわかりやすい!
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3.

図書

図書
村岡泰夫編集 ; 垂井康夫執筆
出版情報: 東京 : 電気学会 , 東京 : オーム社 (発売), 1999.12  xvii, 348p ; 22cm
シリーズ名: 電気学会大学講座 / 電気学会編
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4.

図書

図書
西尾功編集発行
出版情報: 東京 : 産業タイムズ社, 1999.6-  冊 ; 28cm
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5.

図書

図書
電子情報通信学会編
出版情報: 東京 : 電子情報通信学会 , 東京 : コロナ社 (取次販売所), 1999.12  x, 316p, 図版2枚 ; 22cm
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6.

図書

図書
臼田昭司, 奥田昌宏著
出版情報: 東京 : 森北出版, 1999.12  vi, 108p ; 22cm
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7.

図書

図書
村田好正, 尾関雅志, 野崎眞次共編
出版情報: 東京 : 培風館, 1999.7  x, 307p ; 22cm
シリーズ名: アドバンストエレクトロニクスシリーズ / 菅野卓雄 [ほか] 監修 ; カテゴリー1 . エレクトロニクス材料・物性・デバイス||エレクトロニクス ザイリョウ ブッセイ デバイス ; 20
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8.

図書

図書
中原紀著
出版情報: 東京 : 日刊工業新聞社, 1999.6  vii, 238p ; 19cm
シリーズ名: Science and technology
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9.

図書

図書
[ed. by] David J. Lockwood
出版情報: San Diego : Academic Press, c1998  xiv, 351 p. ; 24 cm
シリーズ名: Semiconductors and semimetals ; vol. 49
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目次情報: 続きを見る
Light Emission in Silicon / D.J. Lockwood
Light Emission in Si/Ge Atomic Layer Structures / G. Abstreiter
Radiative Isoelectronic Impurities in Silicon and Silicon-Germanium Alloys and Superlattices / T.G. Brown ; D.G. Hall
Erbium in Silicon / J. Michel ; L.V.C. Assali ; M.T. Morse ; L.C. Kimerling
Silicon and Germanium Nanoparticles / Y. Kanemitsu
Porous Silicon: Photoluminescence and Electroluminescent Devices / P.M. Fauchet
Theory of the Radiative and Non Radiative Processes in Silicon Nanocrystallites / C. Delerue ; G. Allen ; M. Lannoo
Silicon Polymers and Nanocrystals / L. Brus
Light Emission in Silicon / D.J. Lockwood
Light Emission in Si/Ge Atomic Layer Structures / G. Abstreiter
Radiative Isoelectronic Impurities in Silicon and Silicon-Germanium Alloys and Superlattices / T.G. Brown ; D.G. Hall
10.

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図書
日本電子機械工業会編集
出版情報: 東京 : 日本電子機械工業会, 1991.5-  冊 ; 28cm
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目次情報:
2000年版(第8版): 情報化時代を拓くIC技術・産業の全貌 / 伏木薫, 日経BP企画編集・制作
2003年版(第9版): 時代の先端を拓く半導体技術・産業の全貌 / 日経BP企画編集・制作
2006年版(第10版):生活を豊かに、社会を支える半導体 / 日経BP企画編集・制作
2000年版(第8版): 情報化時代を拓くIC技術・産業の全貌 / 伏木薫, 日経BP企画編集・制作
2003年版(第9版): 時代の先端を拓く半導体技術・産業の全貌 / 日経BP企画編集・制作
2006年版(第10版):生活を豊かに、社会を支える半導体 / 日経BP企画編集・制作
11.

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図書
M. Jaros[著] ; 岩見基弘, 川本聡訳
出版情報: 東京 : 日刊工業新聞社, 1992.11  iv,271p ; 21cm
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12.

図書

図書
河東田隆著
出版情報: 東京 : 培風館, 1993.1  viii, 228p ; 22cm
シリーズ名: 電子・情報工学講座 ; 12
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13.

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図書
志村史夫著
出版情報: 東京 : 講談社, 1994.4  218, 4p ; 18cm
シリーズ名: ブルーバックス ; B-1014
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14.

図書

図書
日本化学会編
出版情報: 東京 : 大日本図書, 1994.4  vi, 210p ; 20cm
シリーズ名: 一億人の化学 / 日本化学会編 ; 19
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15.

図書

図書
白川二 [ほか] 著
出版情報: 東京 : 大日本図書, 1994.6  iv, 190p ; 22cm
シリーズ名: 新産業化学シリーズ / 日本化学会編
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16.

図書

図書
平木昭夫, 成沢忠共著
出版情報: 東京 : オーム社, 1994.9  ix, 141p ; 22cm
シリーズ名: 応用物理学シリーズ / 応用物理学会編 ; 専門コース
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17.

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図書
坂野進[ほか]編集
出版情報: 東京 : 日本規格協会, 1994.10  366p ; 21cm
シリーズ名: 品質工学応用講座
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18.

図書

図書
澤木宣彦著
出版情報: 東京 : 培風館, 1995.1  x, 227p ; 22cm
シリーズ名: 電子・情報工学講座 ; 9
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19.

図書

図書
谷口研二[ほか]執筆
出版情報: 東京 : リアライズ社, 1990.3  487p ; 27cm
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20.

図書

図書
徳山巍編著
出版情報: 東京 : 産業図書, 1992.10  xiii, 394p ; 22cm
シリーズ名: 集積回路プロセス技術シリーズ
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21.

図書

図書
前田和夫著
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1990.6  xv, 607p ; 22cm
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22.

図書

図書
安永均, 岡本孝太郎, 森崎弘共著
出版情報: 東京 : 近代科学社, 1991.1  ix, 269p ; 22cm
シリーズ名: 電子・情報基礎シリーズ ; 2
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23.

図書

図書
電気学会高性能高機能パワーデバイス・パワーIC調査専門委員会編
出版情報: 東京 : コロナ社, 1996.7  xi, 482p ; 27cm
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24.

図書

図書
Andrew S.Grove著 ; 杉渕清 [ほか] 共訳
出版情報: 東京 : オーム社, 1995.6  xxii, 411p ; 21cm
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25.

図書

図書
三菱電機株式会社技術研修所編
出版情報: 東京 : オーム社, 1996.4  xi, 215p ; 26cm
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26.

図書

図書
尾嶋正治, 本間芳和編著 ; 電子情報通信学会編
出版情報: 東京 : 電子情報通信学会 , 東京 : コロナ社 (発売), 1996.11  vii, 275p ; 22cm
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27.

図書

図書
日本半導体製造装置協会編
出版情報: 東京 : 日刊工業新聞社, 1996.11  xi, 258p ; 19cm
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28.

図書

図書
曽根純一編
出版情報: 東京 : 丸善, 1996.11  xii, 185p ; 22cm
シリーズ名: シリーズ物性物理の新展開
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29.

図書

図書
西澤潤一, 大内淳義共編
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1993.3  397p ; 22cm
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30.

図書

図書
麻蒔立男著
出版情報: 東京 : 日刊工業新聞社, 1993.3  2, viii, 261, ivp ; 21cm
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31.

図書

図書
菅野卓雄執筆
出版情報: 東京 : コロナ社, 1995.10  viii, 149p ; 22cm
シリーズ名: 電子情報通信学会大学シリーズ / 電子情報通信学会編 ; E-5
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32.

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図書
畑田賢造著
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1990.1  313p ; 22cm
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33.

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図書
中村哲郎校閲 ; 根本邦治, 岩木龍一, 大山英典共著
出版情報: 東京 : 森北出版, 1991.4  x, 216p ; 22cm
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34.

図書

図書
泉弘志著
出版情報: 東京 : 誠文堂新光社, 1991.10  167p ; 21cm
シリーズ名: 入門エレクトロニクス ; 10
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35.

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図書
相田洋著
出版情報: 東京 : 日本放送出版協会, 1991.8-1992.5  4冊 ; 20cm
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36.

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富士総合研究所編
出版情報: 東京 : 丸善, 1991.8  x, 368p ; 22cm
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37.

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小島高人編著
出版情報: 東京 : CQ出版社, 1990.6-  冊 ; 15×21cm
シリーズ名: 半導体規格表シリーズ ; No.5
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38.

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図書
丹羽一夫編著
出版情報: 東京 : CQ出版社, 1990-  冊 ; 15×21cm
シリーズ名: 半導体規格表シリーズ ; No.7
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39.

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東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
古川静二郎, 荻田陽一郎, 浅野種正共著
出版情報: 東京 : 森北出版, 1990.3  viii, 146p ; 22cm
シリーズ名: 基礎電気・電子工学シリーズ / 西巻正郎, 関口利男編集 ; 6
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1章 電子と結晶 1
   1.1 価電子と結晶 1
   1.2 結晶と結合形式 4
   1.3 結晶の単位胞と方位 6
   演習問題 7
2章 エネルギー帯と自由電子 8
   2.1 エネルギー準位 8
   2.2 エネルギー帯の形成 8
   2.3 半導体・金属・絶縁物のエネルギー帯構造の違い 12
   演習問題 13
3章 半導体のキャリヤ 14
   3.1 真性半導体のキャリヤ 14
   3.2 外因性半導体のキャリヤ 15
   (1) n形半導体のキャリヤ 15
   (2) p形半導体のキャリヤ 17
   3.3 キャリヤ生成機構 18
   演習問題 19
4章 キャリヤ密度とフェルミ準位 20
   4.1 キャリヤ密度 20
   4.2 真性キャリヤ密度 23
   4.3 真性フェルミ準位 24
   4.4 多数キャリヤと少数キャリヤ 24
   4.5 外因性半導体のキャリヤ密度とフェルミ準位 25
   演習問題 27
5章 半導体の電気伝導 28
   5.1 ドリフト電流 28
   5.2 半導体におけるオームの法則 31
   5.3 拡散電流 33
   5.4 キャリヤ連続の式 36
   演習問題 39
6章 pn接合とダイオード 40
   6.1 pn接合 40
   6.2 pn接合ダイオード 42
   6.3 pn接合ダイオードの電流の大きさ 44
   6.4 ダイオードの実際構造 47
   演習問題 49
7章 ダイオードの接合容量 50
   7.1 接合容量 50
   7.2 空乏層容量 50
   7.3 拡散容量 54
   演習問題 56
8章 バイポーラトランジスタ 58
   8.1 バイポーラトランジスタの位置づけ 58
   8.2 バイポーラトランジスタの動作原理 59
   8.3 I BによるI Cの制御 61
   8.4 電流増幅率 62
   8.5 電流増幅率の決定因子 63
   8.6 接地形式と増幅利得 65
   (1) エミッタ接地 65
   (2) ベース接地 66
   (3) コレクタ接地 66
   8.7 特性と実際動作 66
   (1) 実際構造 66
   (2) スイッチング 67
   (3) 静特性 68
   演習問題 69
9章 接合形FET 71
   9.1 接合形FETの位置づけ 71
   9.2 動作原理 72
   9.3 動作特性と実際 73
   (1) 動作特性 73
   (2) デバイスの実際 76
   演習問題 77
10章 金属-半導体接触 78
   10.1 ショットキー障壁 78
   10.2 ショットキーバリヤダイオード 79
   10.3 オーミック接触 82
   演習問題 84
11章 MIS FET 85
   11.1 MOS FETの位置づけ 85
   11.2 MIS構造ゲートの動作 85
   (1) 蓄積, V G<0 86
   (2) 空乏, V G>0 87
   (3) 反転, V G ≫0 87
   11.3 反転状態の解析 87
   11.4 MIS FETの動作原理と特性 90
   (1) 動作原理 90
   (2) 動作特性 91
   11.5 MOS FETの実際と特性 93
   (1) 実際構造 93
   (2) エンハンスメント形とデプレッション形 94
   (3) 回路記号 94
   (4) 特性解析 96
   (5) 相互コンダクタンス 98
   11.6 MOSキャパシタ 98
   11.7 フラットバンド電圧 101
   演習問題 102
12章 集積回路 104
   12.1 ICの回路構成法 104
   12.2 IC構造の構成と実際 106
   12.3 バイポーラIC 108
   12.4 MOSデジタルIC 109
   (1) n-MOS論理回路 110
   (2) C-MOS論理回路 110
   12.5 ICメモリ 111
   (1) ICメモリの位置づけ 111
   (2) RAM 113
   (3) ROM 115
   演習問題 116
13章 光電素子 117
   13.1 光の量子化-光子 117
   13.2 光導電効果 119
   13.3 光起電力効果 121
   (1) 太陽電池 121
   (2) ホトダイオード 123
   13.4 半導体の発光現象 125
   13.5 発光デバイス 125
   (1) 発光ダイオード 125
   (2) 半導体レーザダイオード 127
   演習問題 129
演習問題解答 130
付表 137
   付表1 原子の電子配置 137
   付表2 物理定数 139
   付表3 元素の周期律表 140
参考文献 142
さくいん 143
1章 電子と結晶 1
   1.1 価電子と結晶 1
   1.2 結晶と結合形式 4
40.

図書

図書
Ben G.Streetman[著] ; 菊池誠監訳 ; 飯田昌盛, 御子柴宣夫訳
出版情報: 東京 : 東海大学出版会, 1991.9  xii,144p ; 21cm
シリーズ名: ストリートマン半導体電子デバイス / Ben G. Streetman[著] ; 3
所蔵情報: loading…
41.

図書

図書
Ben G.Streetman[著] ; 菊池誠監訳 ; 大串秀世, 黒須楯生, 松本和彦訳
出版情報: 東京 : 東海大学出版会, 1991.9  xiii, 255p ; 21cm
シリーズ名: ストリートマン半導体電子デバイス / Ben G. Streetman[著] ; 2
所蔵情報: loading…
42.

図書

図書
作道, 恒太郎(1928-)
出版情報: 東京 : 裳華房, 1993.9  xi, 186p ; 21cm
シリーズ名: 固体物理 / 作道恒太郎著
所蔵情報: loading…
43.

図書

図書
生駒英明, 生駒俊明共著
出版情報: 東京 : 培風館, 1995.4  v, 215p ; 22cm
所蔵情報: loading…
44.

図書

図書
菊地栄著
出版情報: 東京 : コロナ社, 1995.3  viii, 216p ; 22cm
所蔵情報: loading…
45.

図書

図書
奥下博昭, 川崎仁士, 野口宗昭編著
出版情報: 東京 : CQ出版, 1995-  冊 ; 15×21cm
シリーズ名: 半導体規格表シリーズ ; No.6
所蔵情報: loading…
46.

図書

図書
大塚寛治, 宇佐美保著
出版情報: [東京] : 日経BP社 , 東京 : 日経BP出版センター (発売), 1997.1  v, 406p ; 25cm
所蔵情報: loading…
47.

図書

図書
干川圭吾編著
出版情報: 東京 : 培風館, 1994.5  xiv, 367p ; 22cm
シリーズ名: アドバンストエレクトロニクスシリーズ / 菅野卓雄 [ほか] 監修 ; カテゴリー1 . エレクトロニクス材料・物性・デバイス||エレクトロニクス ザイリョウ ブッセイ デバイス ; 4
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48.

図書

図書
和田隆夫, 市村正也著
出版情報: 東京 : 朝倉書店, 1990.4  viii, 236p ; 22cm
所蔵情報: loading…
49.

図書

図書
大野英男編著
出版情報: 東京 : コロナ社, 1999.2  ix, 265p ; 22cm
所蔵情報: loading…
50.

図書

図書
宇佐美晶[ほか]共著
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1992.3  301p ; 22cm
所蔵情報: loading…
51.

図書

図書
菊池誠著
出版情報: 東京 : 中央公論社, 1992.1  221p ; 18cm
シリーズ名: 中公新書 ; 1055
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52.

図書

図書
岩松誠一著
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1992.1  162p ; 19cm
シリーズ名: K books ; 92
所蔵情報: loading…
53.

図書

図書
生駒俊明, 生駒英明共著
出版情報: 東京 : 培風館, 1991.9  v, 211p ; 22cm
所蔵情報: loading…
54.

図書

図書
曽根純一編
出版情報: 東京 : 丸善, 1996.3  xi, 228p ; 22cm
シリーズ名: シリーズ物性物理の新展開
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55.

図書

図書
Ben G. Streetman[著] ; 菊池誠監訳 ; 大越正敏, 貝田翔二, 中下俊夫訳
出版情報: 東京 : 東海大学出版会, 1991.9  xii,163p ; 21cm
シリーズ名: ストリートマン半導体電子デバイス / Ben G. Streetman[著] ; 1
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56.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
前田和夫著
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1999.3  254p ; 21cm
シリーズ名: ビギナーズブックス ; 3
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目次情報: 続きを見る
第0章 半導体製造装置という世界
 0.1 半導体製造装置とは何か 10
 0.2 なぜ半導体製造装置なのか 13
 0.3 半導体産業のなかの半導体製造装置 14
 0.4 半導体製造装置産業の誕生 17
 0.5 ウエハープロセスの半導体製造装置 19
 0.6 半導体製造装置の技術要素 20
 1.7 半導体製造装置のビジネス要素 22
 0.8 半導体製造装置の世界へ 25
第1章 半導体デバイスの製造工程
 1.1 半導体デバイスの製造とその特色 28
 1.2 半導体デバイスの製造工程 30
 1.3 半導体デバイスの基本構造 31
 1.4 デバイス製造工程の基本的流れ 34
 1.5 基本プロセス技術 37
   1.5.1 洗浄技術(Cleaning) 38
   1.5.2 熱処理(Thermal Treatment) 39
   1.5.3 不純物導入(Impurity Doping) 39
   1.5.4 薄膜形成(Thin Film Deposition) 40
   1.5.5 リソグラフィー技術(Lithography) 40
   1.5.6 平坦化技術(Planarization) 41
 1.6 複合プロセス技術 41
 1.7 半導体デバイス製造の3要素 44
第2章 半導体製造装置の技術史
 2.1 半導体デバイスの進歩と製造装置 48
 2.2 技術からみた半世紀 52
 2.3 製造装置からみた半世紀 54
   2.3.1 半導体製造装置の黎明期(1950~1960) 56
   2.3.2 半導体製造装置の内製化(1960~1970) 57
   2.3.3 半導体製造装置産業の成立(1970~1980) 59
   2.3.4 装置における多様化と標準化(1980~1990) 60
   2.3.5 装置の複合化とプロセスインテグレーション(1990~2000) 61
 2.4 技術史の到達点 64
第3章 半導体製造装置の種類と役割
 3.1 半導体製造装置の範囲 66
 3.2 半導体製造装置の分類 67
   3.2.1 ホトマスク基板の製造装置 67
   3.2.2 シリコン単結晶ウエハーの製造装置 69
   3.2.3 ウエハープロセス用製造装置 71
   3.2.4 組立用装置 72
   3.2.5 試験用装置 73
   3.2.6 半導体工場と環境制御関連の装置 74
   3.2.7 分析評価と検査・測定装置 75
 3.3 ウエハープロセス用製造装置の概要 77
   3.3.1 熱処理装置 77
   3.3.2 不純物導入装置 77
   3.3.3 薄膜形成装置 78
   3.3.4 リソグラフィー装置 78
   3.3.5 洗浄装置 79
   3.3.6 平坦化装置 79
 3.4 プロセスインテグレーションのインパクト 79
第4章 半導体製造装置の構成と方式
 4.1 半導体製造装置の基本構成 82
 4.2 半導体製造装置の諸方式 85
   4.2.1 チャンバー方式の推移 85
   4.2.2 バッチ方式 88
   4.2.3 シングルウエハー方式 89
   4.2.4 連続方式 91
 4.3 プロセスインテグレーションに対応した方式 92
 4.4 ウエハー大口径化への対応 94
 4.5 半導体製造装置の標準化 95
 4.6 半導体工場の自動化への対応 97
 4.7 牛産形態への対応 99
 4.8 半導体製造装置の将来の方式 99
第5章 各種半導体製造装置の概要
 5.1 ウエハープロセス用半導体製造装置 102
 5.2 洗浄装置 106
   5.2.1 洗浄技術の概要 106
   5.2.2 洗浄技術の応用 110
   5.2.3 洗浄方法の分類 112
   5.2.4 洗浄装置の実際例 114
   5.2.5 今後の展望 116
 5.3 熱処理装置 118
   5.3.1 熱処理技術の概要 118
   5.3.2 熱処理技術の応用 120
   5.3.3 熱処理装置の分類 123
   5.3.4 熱処理装置の実際例 125
   5.3.5 今後の展望 127
 5.4 不純物導入装置 128
   5.4.1 不純物導入技術の概要 128
   5.4.2 不純物導入技術の応用 130
   5.4.3 不純物導入装置の分類 132
   5.4.4 不純物導入装置の実際例 133
   5.4.5 今後の展望 136
 5.5 薄膜形成装置 137
   5.5.1 薄膜形成技術の概要 137
   5.5.2 薄膜形成技術の応用 140
   5.5.3 薄膜形成装置の分類 142
   5.5.4 薄膜形成装置の実際例 144
   5.5.5 今後の展望 147
 5.6 リソグラフィー装置 148
   5.6.1 リソグラフィー技術の概要 148
   5.6.2 リソグラフィー技術の応用 151
   5.6.3 リソグラフィー装置の分類 153
   5.6.4 リソグラフィー装置の実際例 157
   5.6.5 今後の展望 163
 5.7 平坦化装置 165
   5.7.1 平坦化技術の概要 165
   5.7.2 平坦化技術の応用 168
   5.7.3 平坦化装置の分類 170
   5.7.4 平坦化装置の実際例 173
   5.7.5 今後の展望 174
第6章 半導体製造装置の現場
 6.1 半導体製造装置の現実 176
   6.1.1 現実の稼働率は100%ではない 176
   6.1.2 現実には再現性・機差・個体差がある 176
 6.2 半導体製造装置の導入と立上げ 179
   6.21 半導体製造装置の導入 180
 6.3 納入初期の半導体製造装置 183
 6.4 装置の稼働率 184
 6.5 装置のメンテナンス 188
 6.6 コストオブオーナーシツブ(COO) 191
 6.7 半導体製造装置の現場 192
第7章 半導体製造装置の技術要素
 7.1 総合技術的産物としての半導体製造装置 196
 7.2 材料技術 196
 7.3 真空技術 200
 7.4 光応用技術 202
 7.5 ビーム応用技術 204
 7.6 化学反応の応用 207
 7.7 環境制御技術 209
 7.8 コンピュータ応用技術 210
第8章 半導体製造装置技術のロードマップ
 8.1 技術ロードマップの重要性 214
 8.2 半導体デバイス技術のロードマップ 219
 8.3 半導体製造技術のロードマップ 216
 8.4 半導体製造装置の技術ロードマップ 222
 8.5 半導体製造装置の課題 225
 8.6 デバイスとプロセスのシンプル化 229
第9章 21世紀の半導体製造装置―半導体製造装置進化論―
 9.1 半導体製造装置は“進歩”してきたのか 234
 9.2 半導体技術における日本とアメリカの関係は、どのように推移してきたのか 235
 9.3 プロセス技術者と装置はどのように関わってきたか 236
 9.4 半導体製造装置の絶対評価は可能か 237
 9.5 半導体製造装置の独自性 239
 9.6 半導体製造装置の重要課題 240
 9.7 半導体製造装置のチャレンジとブレークスルー 241
 9.8 21世紀の半導体製造装置 243
コラム
   半導体ゴールドラッシュ 12
   半導体プロセスのすき間技術 26
   専門用語と方言 46
   古い技術の復活 51
   バッチ方式と枚葉方式(1) 113
   バッチ方式と枚葉方式(2) 174
   装置開発と試行錯誤 194
   材料の持っている“わな 212”
   ヘイテクと宝さがし 229
   エキゾチックプロセスとエキゾチック材料 232
   日本とアメリカの技術力比較 244
第0章 半導体製造装置という世界
 0.1 半導体製造装置とは何か 10
 0.2 なぜ半導体製造装置なのか 13
57.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
東辻浩夫著
出版情報: 東京 : 培風館, 1994.1  iv, 185p ; 21cm
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1 半導体の結晶構造 1
   1.1 ブラベ格子 1
   1.2 ダイヤモンド構造と閃亜鉛鉱構造 5
   1.3 周期関数の表し方と逆格子 7
   1章 演習問題 12
2 半導体のエネルギーバンド 13
   2.1 水素原子と水素分子 13
   2.2 エネルギーバンドとエネルギーギャップ 16
   2.3 ブロッホの定理 18
   2.4 電子状態の数 21
   2章 演習問題 25
3 バンドの中の電子の振舞い 26
   3.1 空格子 26
   3.2 バンド内電子の運動方程式 28
   3.3 有効質量 32
   3.4 バンドの中の1電子の運動 34
   3.5 電子とホール 36
   3.6 金属,半導体,絶縁体 39
   3章 演習問題 43
4 真性半導体 45
   4.1 伝導帯・価電子帯の状態密度 46
   4.2 フェルミ分布 49
   4.3 電子の分布と伝導帯の有効状態密度 50
   4.4 ホールの分布と価電子帯の有効状態密度 54
   4.5 np積一定則 56
   4.6 真性半導体のキャリア密度とフェルミ・レベル 57
   4章 演習問題 60
5 不純物半導体 61
   5.1 ドナーとn型半導体 61
   5.2 アクセプタとp型半導体 64
   5.3 n型半導体の電子密度 65
   5.4 p型半導体のホール密度 71
   5章 演習問題 72
6 キャリアの運動 73
   6.1 移動度 73
   6.2 平均自由行程と緩和時間 74
   6.3 拡散とアインシュタインの関係 77
   6.4 ホール効果 79
   6章 演習問題 84
7 pn接合 86
   7.1 空乏層の形成 86
   7.2 拡散電位 88
   7.3 整流特性 90
   7.4 空乏層容量 96
   7章 演習問題 99
8 接合トランジスタ 101
   8.1 接合トランジスタの動作原理 102
   8.2 接合トランジスタの静特性 104
   8.3 接合トランジスタの周波数特性 115
   8章 演習問題 117
9 MOS構造とMOSトランジスタ 119
   9.1 MOS構造のエネルギーバンド 120
   9.2 表面電荷密度と表面電位 123
   9.3 MOS電界効果トランジスタ(MOSFET) 129
   9章 演習問題 137
10 光との相互作用 139
   10.1 エネルギー・運動量保存則 139
   10.2 太陽電池,フォトダイオード,フォトトランジスタ 143
   10.3 発光ダイオード,半導体レーザー 146
   10章 演習問題 148
付録 主な半導体の物性定数/ブロッホの定理/半古典的運動方程式電子の統計分布 150
演習問題解答 163
索引 184
1 半導体の結晶構造 1
   1.1 ブラベ格子 1
   1.2 ダイヤモンド構造と閃亜鉛鉱構造 5
58.

図書

図書
河村力著
出版情報: 東京 : 内田老鶴圃, 1996.6  vii, 267p ; 21cm
シリーズ名: セラミックス基礎講座 / 東京工業大学工学部無機材料工学科編 ; 6
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59.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
二瓶公志, 柴田進著
出版情報: 東京 : 早稲田大学出版部, 1991.2  x,168p ; 21cm
シリーズ名: エレクトロニクスと材料 / 犬塚直夫, 伊藤糾次編 ; 2
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第1章薄膜形成用材料
   1-1CVD用材料 1
   1-2スパッタ用材料 3
   1-3蒸着用材料 6
   1-4薄膜微細パターン形成技術とその材料 11
第2章SiICデバイス
   2-1シリコンデバイスの発達 17
   2-2シリコンデバイスと薄膜技術 20
   2-3MOSデバイスプロセス 25
   2-4次世代Si-VLSIに要求される薄膜技術 28
   2-4-1極薄絶縁膜 31
   2-4-2配線金属 34
   2-4-3サリサイドプロセス 37
第3章GaAsICデバイス
   3-1基本素子構造と動作原理 42
   3-1-1GaAsMESFET 42
   3-1-2HEMT 45
   3-1-3将来のデバイス 49
   3-2GaAsIC製作のためのプロセス技術 50
   3-2-1エピタキシャル成長技術 52
   3-2-2耐熱ゲートセルフアラインプロセス 53
   3-2-3イオン注入とアニール技術 54
   3-2-4ショットキーゲート 56
   3-3GaAsデバイスの応用 59
第4章光デバイス
   4-1発光素子 69
   4-2光増幅器 76
   4-3受光素子 76
   4-4光機能回路素子 77
第5章センサデバイス
   5-1光センサ 83
   5-2温度センサ 85
   5-3圧力センサ 86
   5-4磁気センサ 87
   5-5ガスセンサ 88
   5-6湿度センサ 89
第6章表示デバイス
   6-1液晶ディスプレイ(LCD) 93
   6-1-1液晶ディスプレイの原理 93
   6-1-2LCDの分類 93
   6-2プラズマディスプレイ(PDP) 99
   6-2-1PDPの原理 99
   6-2-2PDPの特徴 99
   6-2-3PDPの分類 100
   6-2-4DC型PDPの動作原理と駆動方法 100
   6-2-5AC型PDPの動作原理と駆動方法 107
   6-2-6カラーPDP 110
   6-3エレクトロルミネッセンス 112
   6-3-1二重絶縁膜構造薄膜EL素子 113
   6-3-2カラー化の検討 115
第7章入力と記録・記憶デバイス
   7-1入力デバイス 119
   7-2磁気記憶デバイス 124
   7-2-1光磁気メモリの記録原理 124
   7-2-2光磁気メモリの特徴 126
   7-2-3記録媒体(光磁気ディスク)の構造 126
   7-2-4光磁気メモリの展望 129
   7-3最近の記録デバイス 129
   7-3-1サーマルヘッド 130
   7-3-2LEDヘッド 135
   7-3-3インクジェットヘッド 136
第8章エレクトロニクス部品
   8-1エレクトロニクスと部品 139
   8-2基板 140
   8-3パッケージ 142
   8-4光実装 145
   8-5磁気シールド 148
第9章将来のデバイス
   9-1超電導デバイス 151
   9-1-1超電導の歴史 151
   9-1-2電子デバイス応用 153
   9-1-3コンピュータ応用 155
   9-1-4計測器応用 155
   9-1-5将来展望 158
   9-2バイオエレクトロニクス 158
   9-2-1バイオエレクトロニクスの範囲 158
   9-2-2バイオセンサ 158
   9-2-3分子素子バイオ素子 160
   9-2-4LB膜 163
   9-2-5バイオコンピュータの開発 163
   索引 166
第1章薄膜形成用材料
   1-1CVD用材料 1
   1-2スパッタ用材料 3
60.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
石原宏著
出版情報: 東京 : コロナ社, 1990.2  x, 250p ; 22cm
シリーズ名: 大学講義シリーズ
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1 固体の帯理論
   1.1 固体の導電率 1
   1.2 固体内の電子状態 2
   1.3 導体・半導体・絶縁体のエネルギー帯構造 5
   1.4 波動方程式からのエネルギー帯理論の説明 7
   1.5 許容帯中の電子の状態密度 11
   1.6 許容帯中の電子の運動 14
   1.6.1 実効質量 15
   1.6.2 正孔 16
   1.7 エネルギー分布則 17
   演習問題 20
2 半導体の電気伝導
   2.1 半導体の結晶構造とエネルギー帯構造 21
   2.2 半導体の電気伝導現象 22
   2.2.1 熱刺激による電気伝導現象 23
   2.2.2 置換形原子(不純物)を含む電導現象 24
   2.2.3 半導体の表面電導現象 26
   2.3 真性半導体中のキャリヤ濃度 26
   2.4 外因性半導体のキャリヤ濃度 30
   2.4.1 温度依存性 31
   2.4.2 不純物原子濃度とキャリヤ濃度 32
   2.5 半導体中のキャリヤの振舞い 33
   2.5.1 電界中のキャリヤの運動 34
   2.5.2 キャリヤの発生と再結合 35
   2.5.3 電流の式とアインシュタインの関係 37
   2.5.4 少数キャリヤの連続の方程式 39
   演習問題 40
3 半導体接合
   3.1 半導体-半導体接合 42
   3.1.1 pn接合のエネルギー帯図 42
   3.1.2 pn接合の電圧-電流特性 44
   3.1.3 pn接合の容量 48
   3.1.4 pn接合の降伏現象とトンネルダイオード 50
   3.1.5 ヘテロ接合 53
   3.2 金属-半導体接触 56
   3.2.1 金属-半導体接触のエネルギー帯図 56
   3.2.2 ショットキー障壁ダイオードの電圧-電流特性 57
   3.2.3 金属-半導体接触の容量-電圧特性 59
   3.3 金属-絶縁体-半導体接触 59
   演習問題 61
4 バイポーラトランジスタの基本特性
   4.1 バイポーラトランジスタの動作原理 63
   4.1.1 基本構造 63
   4.1.2 エネルギー帯図と動作原理 64
   4.2 電流伝送率 66
   4.2.1 ベース中性領域特性 66
   4.2.2 エミッタ接合特性 68
   4.2.3 コレクタ接合特性 69
   4.2.4 電流伝送率の最適化 69
   4.3 電圧-電流特性と等価回路 71
   4.3.1 直流電圧-電流特性 71
   4.3.2 交流特性 75
   4.3.3 低周波微小信号等価回路 76
   4.3.4 四端子パラメータ 79
   4.4 トランジスタ動作における諸現象 81
   4.4.1 電流増幅率のエミッタ電流依存性 81
   4.4.2 エミッタ電流の集中現象 82
   4.4.3 アーリー効果とパンチスルー 82
   4.4.4 なだれ降伏 83
   演習問題 84
5 ダイオードおよびトランジスタの実際
   5.1 製作方法 86
   5.1.1 基板結晶成長技術 86
   5.1.2 リソグラフィー技術 88
   5.1.3 加工技術 88
   5.2 高周波動作特性 91
   5.2.1 pn接合の動特性 91
   5.2.2 トランジスタの動特性 93
   5.2.3 高周波等価回路 95
   5.2.4 高周波増幅限界 96
   5.2.5 ドリフト形トランジスタ 99
   5.3 スイッチング特性 101
   5.3.1 ダイオードのスイッチング特性 101
   5.3.2 トランジスタのスイッチング特性 103
   5.3.3 トランジスタの大信号直流等価回路 105
   5.3.4 スイッチングトランジスタ 106
   5.4 電力特性 108
   5.4.1 ダイオードの電流容量と逆耐圧 108
   5.4.2 トランジスタの出力限界 109
   演習問題 110
6 ユニポーラトランジスタ
   6.1 分類 112
   6.2 接合形およびショットキー障壁形電界効果トランジスタ 114
   6.2.1 動作原理 114
   6.2.2 電圧-電流特性 116
   6.2.3 小信号等価回路 118
   6.2.4 実際例 120
   6.3 ホットエレクトロントランジスタ 121
   6.3.1 金属ベーストランジスタ 121
   6.3.2 半導体ホットエレクトロントランジスタ 122
   6.4 静電誘導トランジスタ 123
   6.4.1 動作原理 123
   6.4.2 電圧-電流特性 124
   6.4.3 交流増幅特性 125
   6.4.4 実際例 126
   演習問題 126
7 MIS形電界効果トランジスタ
   7.1 MISダイオードの定量的検討 128
   7.1.1 理想MISダイオードの基本的性質 128
   7.1.2 理想MISダイオードの電位分布 131
   7.1.3 実際のMISダイオード 134
   7.2 MIS FET の動作原理 137
   7.2.1 MIS FETの構造と分類 137
   7.2.2 電圧-電流特性 138
   7.2.3 チャネル内の電界分布と電位分布 141
   7.3 MIS FETの回路的考察 144
   7.3.1 低周波等価回路 144
   7.3.2 高周波等価回路 145
   7.3.3 四端子パラメータ 147
   7.3.4 高周波動作限界 147
   7.4 MIS FETの諸現象と実際例 148
   7.4.1 基板バイアス効果 148
   7.4.2 チャネル長変調効果とドレーン耐圧 149
   7.4.3 実際例 150
   演習問題 152
8 集積回路
   8.1 集積回路の製作法 154
   8.1.1 モノリシックICの特徴 154
   8.1.2 バイポーラICの製作法 155
   8.1.3 MOS ICの製作法 158
   8.2 アナログIC 160
   8.2.1 バイアス回路 160
   8.2.2 差動増幅回路 162
   8.2.3 演算増幅器 163
   8.3 ディジタルIC 164
   8.3.1 ディジタル論理 164
   8.3.2 バイボーラ論理回路 166
   8.3.3 MOS論理回路 171
   8.4 メモリ回路 177
   8.4.1 SRAM 178
   8.4.2 DRAM 179
   演習問題 179
9 サイリスタと関連デバイス
   9.1 サイリスタの構造と動作原理 182
   9.1.1 構造 182
   9.1.2 二端子特性 183
   9.1.3 ゲート制御特性 185
   9.2 サイリスタおよび関連デバイスの分類 186
   9.2.1 SCR 186
   9.2.2 逆導通SCR 187
   9.2.3 トライアック 188
   9.2.4 GTOサイリスタ 188
   9.2.5 光サイリスタ 189
   9.2.6 ユニジャンクショントランジスタ 190
   9.3 サイリスタの実際と回路応用 191
   9.3.1 サイリスタの定格 191
   9.3.2 回路応用 191
   演習問題 194
10 光電変換デバイス
   10.1 光と物質との相互作用 195
   10.1.1 相互作用の種類 195
   10.1.2 光の吸収現象 197
   10.1.3 光の屈折現象 204
   10.2 光の吸収現象を利用した効果 205
   10.2.1 外部光電効果(光電子放出効果) 205
   10.2.2 内部光電効果(光導電効果) 206
   10.2.3 光起電力効果(障壁形) 209
   10.3 光電変換デバイス 211
   10.3.1 太陽電池 211
11 発光デバイス
   11.1 発光現象 ルミネセンス 219
   11.1.1 放射形遷移と発光スペクトル 219
   11.1.2 キャリヤ励起(外部刺激)の方法 221
   11.2 発光ダイオード 224
   11.2.1 pn接合の発光 224
   11.2.2 発光ダイオード用材料 225
   11.3 半導体レーザダイオード 227
   11.3.1 動作原理 227
   11.3.2 pn接合レーザダイオード 230
   11.3.3 ヘテロ接合レーザグイオード 231
   11.3.4 その他のポンピング法を用いた半導体レーザ 233
   演習問題 234
   演習問題解答
   索引
1 固体の帯理論
   1.1 固体の導電率 1
   1.2 固体内の電子状態 2
61.

図書

図書
権田俊一編著
出版情報: 東京 : 培風館, 1994.11  viii, 349p ; 22cm
シリーズ名: アドバンストエレクトロニクスシリーズ / 菅野卓雄 [ほか] 監修 ; カテゴリーI . エレクトロニクス材料・物性・デバイス||エレクトロニクス ザイリョウ ブッセイ デバイス ; 10
所蔵情報: loading…
62.

図書

図書
井垣謙三編
出版情報: 東京 : アグネ技術センター, 1990.5  iv, 532p ; 22cm
シリーズ名: 金属物性基礎講座 / 日本金属学会編 ; 6
所蔵情報: loading…
63.

図書

図書
三輪晴治著
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1999.4  282p ; 20cm
所蔵情報: loading…
64.

図書

図書
K.ジーガー著 ; 山本恵一, 林真至, 青木和徳共訳
出版情報: 京都 : 吉岡書店, 1991.6  2冊 ; 22cm
シリーズ名: 物理学叢書 / 小谷正雄 [ほか] 編 ; 60-61
所蔵情報: loading…
65.

図書

図書
R. タートン著 ; 福山裕之, 山賀正人, 大坪一彦訳
出版情報: 東京 : シュプリンガー・フェアラーク東京, 1998.7  vi, 233p ; 21cm
所蔵情報: loading…
66.

図書

図書
ニューケラスシリーズ編集委員会編
出版情報: 東京 : 学献社, 1990.9  232p ; 26cm
シリーズ名: ニューケラス / ニューケラスシリーズ編集委員会編 ; 7
所蔵情報: loading…
67.

図書

図書
P.Y. ユー, M. カルドナ著 ; 末元徹 [ほか] 訳
出版情報: 東京 : シュプリンガー・フェアラーク東京, 1999.5  xvi, 691p ; 25cm
所蔵情報: loading…
68.

図書

図書
逢坂哲彌 [ほか] 著
出版情報: 東京 : 朝倉書店, 1996.12  ix, 186p ; 21cm
シリーズ名: 先端材料のための新化学 / 日本化学会編集 ; 9
所蔵情報: loading…
69.

図書

図書
山口次郎[ほか]共編
出版情報: 東京 : オーム社, 1990.3  iv,264p ; 22cm
所蔵情報: loading…
70.

図書

図書
春木弘編著
出版情報: 東京 : オーム社, 1999.2  xii, 202p ; 21cm
シリーズ名: アルテ21
所蔵情報: loading…
71.

図書

図書
松波弘之著
出版情報: 東京 : 昭晃堂, 1999.11  ii, ii, iv, 238p ; 22cm
所蔵情報: loading…
72.

図書

図書
冨澤一隆著
出版情報: 東京 : コロナ社, 1996.12  ix, 240p, 図版1枚 ; 22cm
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73.

図書

図書
日本結晶成長学会「結晶成長ハンドブック」編集委員会編集
出版情報: 東京 : 共立出版, 1995.9  xxxii, 1152p, 図版[35]p ; 27cm
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74.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
高橋清著
出版情報: 東京 : 森北出版, 1993.2  viii, 327p ; 22cm
シリーズ名: 森北電気工学シリーズ ; 4
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1章 量子論入門 1
   1・1 粒子と波動 1
   1・2 波束および群速度 5
   1・3 ド・ブロイの関係式 7
   1・4 シュレーディンガーの波動方程式 9
   1・5 束縛粒子 15
   1・6 フェルミエネルギー 19
   1・7 状態密度関数 24
   1・8 トンネル効果 25
2章 固体の帯理論 32
   2・1 帯理論の定性的な説明 32
   2・2 導体・半導体・絶縁体のエネルギー帯構造 35
   2・3 波動方程式による帯理論の導出 37
3章 統計力学の基礎 57
   3・1 エネルギー分布則の種類 57
   3・2 フェルミ・ディラックの分布関数 58
4章 半導体の電導機構 63
   4・1 半導体の歴史的経緯 63
   4・2 半導体の電気伝導現象 67
   4・3 真性半導体中のキャリア濃度 73
   4・4 外因性半導体中のキャリア濃度 79
   4・5 キャリアの再結合 86
   4・6 連続の方程式 89
   4・7 ギャリアの移動度 91
   4・8 格子散乱 94
   4・9 アインシュタインの関係式 97
5章 p-n接合 100
   5・1 p-n接合のエネルギー準位図 100
   5・2 p-n接合の電圧-電流特性 102
   5・3 p-n接合の逆方向降伏現象 108
   5・4 p-n接合の接合容量 112
   5・5 トンネル(エサキ)ダイオード 119
6章 金属-半導体接触 124
   6・1 金属-半導体接触のエネルギー準位図 124
   6・2 ウイルソンの整流理論 128
   6・3 ショットキー障壁 131
   6・4 ベーテのダイオード理論 132
   6・5 鏡像力による障壁の低下 133
7章 ヘテロ接合 137
   7・1 ヘテロ接合のエネルギー準位図 137
   7・2 ヘテロ接合の電流輸送機構 143
   7・3 ヘテロ接合の電子素子への応用 152
8章 トランジスタ 154
   8・1 接合形トランジスタの基礎動作 154
   8・2 トランジスタの周波数特性 161
   8・3 ドリフトトランジスタ 163
   8・4 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT) 164
   8・5 高移動度トランジスタ(FET) 165
   8・6 高移動度トランジスタ(HEMT) 170
   8・7 ホットエレクトロントランジスタ 171
   8・8 静電誘導トランジスタ 172
   8・9 薄膜トランジスタ 173
   8・10 スイッチング用トランジスタ 173
   8・11 電荷結合素子(CCD) 176
9章 半導体の光学的性質 182
   9・1 光と物質との相互作用 182
   9・2 外部光電効果(光電子放出効果) 190
   9・3 内部光電効果(光導電効果) 193
   9・4 光起電力効果(障壁形) 197
   9・5 その他の光起電力効果 203
   9・6 固有電界発光 205
   9・7 発光ダイオード 206
   9・8 半導体レーザダイオード 208
   9・9 外部作用による光学効果 215
   9・10 光エレクトロニクス 217
10章 半導体の熱電的性質 223
   10・1 熱電現象の歴史的展望 223
   10・2 ゼーベック効果 226
   10・3 ペルチエ効果 231
   10・4 トムソン効果 233
   10・5 ケルビンの関係式 234
   10・6 半導体の熱伝導率 235
   10・7 半導体熱電効果の応用 237
11章 磁電効果 240
   11・1 ホール効果 240
   11・2 磁気抵抗効果 246
   11・3 エッチングスハウゼン効果 249
   11・4 熱磁気効果 250
12章 量子効果デバイス 253
   12・1 超格子 253
   12・2 人工格子 259
   12・3 量子井戸 261
   12・4 量子面から量子細線,量子箱,さらには量子点へ 263
   12・5 エニオン(Anyon) 266
   12・6 電子の粒子性から波動性へ 267
   12・7 量子効果デバイスの特徴 268
   12・8 インコヒーレント電子波からコヒーレント電子波へ 269
   12・9 AB効果 271
   12・10 共鳴トンネルトランジスタ 273
   12・11 キャリアからプロパゲータヘ 274
13章 その他の半導体素子 276
   13・1 ひずみ抵抗効果 276
   13・2 音波とキャリアとの相互作用効果 282
14章 半導体材料技術 289
   14・1 半導体材料の種類 289
   14・2 半導体材料の精製 292
   14・3 p形,n形への変換 293
   14・4 単結晶の製作法 295
   14・5 薄膜単結晶の製作法 297
   14・6 p-n接合の形成法 304
   14・7 量子化プロセス 304
15章 集積回路 307
   15・1 集積回路の沿革 307
   15・2 集積化の意義 309
   15・3 超小形化の限界 310
エピローグ 312
付録
   1.各種半導体の物性定数表 314
   2.物理定数表 315
   3.単位(SI)の接頭語 316
演習問題解答 317
さくいん 319
1章 量子論入門 1
   1・1 粒子と波動 1
   1・2 波束および群速度 5
75.

図書

図書
吉田善一著
出版情報: 東京 : 裳華房, 1998.3  x, 234p ; 22cm
シリーズ名: 応用物理学選書 ; 8
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76.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
筒井一生著
出版情報: 東京 : オーム社, 1999.3  xi, 198p ; 21cm
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1章 半導体の基礎
   1.1 エネルギーバンド構造 1
   1.2 電子と正孔 3
   1.3 p形半導体とn形半導体 5
   1.4 キャリヤ濃度 6
   [1] フェルミ・ディラック分布 6
   [2] 不純物濃度との関係 9
   1・5 キャリヤの運動と電流成分 12
   1・6 少数キャリヤの挙動と連続の方程式 17
   演習問題 19
2章 接合
   2・1 半導体接合の意義と分類 21
   2・2 pn接合のエネルギーバンド構造 22
   [1] 接合のモデル 22
   [2] 熱平衡状態のキャリヤ分布 25
   2・3 pn接合の電流-電圧特性 26
   [1] pn接合ダイオードの整流特性 26
   [2] 理想電流-電圧特性 28
   2・4 pn接合の空乏層幅 33
   2・5 pn接合の静電容量 37
   [1] 接合容量 37
   [2] 拡散容量 40
   2・6 金属-半導体接合 42
   [1] ショットキー接合 43
   [2] オーミック接合 46
   2・7 接合における諸現象 47
   [1] ブレークダウン 47
   [2] 少数キャリヤの蓄積効果 48
   演習問題 51
3章 バイポーラトランジスタ
   3・1 トランジスタとは 53
   3・2 バイポーラトランジスタの構造と動作 55
   3・3 薄いp層を持つnpp+ダイオードの考察 59
   3・4ベース接地回路による電圧増幅動作 62
   3・5 電流伝送率α 64
   [1] エミッタ注入効率αE 65
   [2] ベース輸送効率αr 66
   [3] コレクタ効率αc 67
   3・6 αを1に近づける条件 67
   3・7 エミッタ接地と電流増幅率β 68
   3・8 キャリヤ分布と電流制御機構 70
   [1] トランジスタ内部のキャリヤの分布 70
   [2] 電流駆動のメカニズム 72
   3・9 等価回路 74
   3・10 4端子パラメータ 78
   3・11 高周波特性 80
   [1] α遮断周波数:fα 80
   [2] β遮断周波数:fβ 82
   [3] 遮断周波数:fT 83
   [4] 最大発振周波数:fmax 84
   [5] fα,fβ,fT,fmaxの相互関係 84
   [6] 少数キャリヤの蓄積効果 85
   3・12 サイリスタ 87
   [1] サイリスタの構造と動作原理 87
   [2] サイリスタの応用と種類 91
   演習問題 93
4章 MOSデバイス
   4・1 MOS構造とは 95
   4・2 バイアス電圧によるMOS構造の状態変化 96
   4・3 電界効果トランジスタ(FET)の概念 98
   4・4 MOSダイオードの空乏・反転特性の解析 100
   [1] バンドの曲がりと反転層の形成 100
   [2] 最大空乏層幅としきい値電圧 103
   [3] 実際のMOS構造におけるしきい値電圧の変化と制御 105
   4・5 MOS構造の容量-電圧特性 107
   [1] 基本的な特性 107
   [2] 反転層の電圧変化に対する応答性 109
   4・6 MOS-FETの電流-電圧特性 110
   [1] 反転層チャネルの電流特性 110
   [2] ピンチオフ 113
   [3] キャリヤの速度飽和の影響 116
   4・7 小信号増幅特性と等価回路 116
   [1] 相互コンダクタンス 116
   [2] 等価回路 117
   [3] 高周波特性 118
   4・8 MOS FETの種類 119
   [1] 伝導形としきい値 119
   [2] 相補形MOS(C-MOS) 120
   演習問題 122
5章 光電変換デバイス
   5・1 光による半導体中のキャリヤの励起 123
   5・2 半導体からの発光 127
   5・3 受光デバイス 128
   [1] 光導電効果 128
   [2] 接合における光起電力効果 130
   [3] 光起電力効果を用いた受光デバイス 132
   5・4 発光デバイス 136
   [1] 発光ダイオード 137
   [2] 半導体レーザ 138
   演習問題 141
6章 デバイス製作プロセス
   6・1 プレーナプロセスの概念 143
   6・2 成膜 146
   [1] 酸化法 146
   [2] 堆積法 148
   6・3 露光 151
   6・4 エッチング 154
   6・5 不純物ドーピング 157
   [1] 拡散法 157
   [2] イオン注入法 158
   6・6 化合物半導体デバイスの製作プロセス 161
   演習問題 164
7章 集積回路
   7・1 集積回路の概念 165
   7・2 集積回路の種類 169
   7・3 集積回路における受動素子 171
   7・4 バイポーラ集積路回 171
   7・5 MOS集積回路 174
   [1] C-MOS 174
   [2] メモリ 177
   演習問題 180
   付録1 181
   付録2 182
   付録3 184
   付録4 186
   演習問題解答 187
   索引 193
1章 半導体の基礎
   1.1 エネルギーバンド構造 1
   1.2 電子と正孔 3
77.

図書

図書
岸野正剛著
出版情報: 東京 : オーム社, 1995.2  viii, 254p ; 21cm
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78.

図書

図書
梅野正義編著
出版情報: 東京 : オーム社, 1997.10  vii,128p ; 21cm
シリーズ名: インターユニバーシティ
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79.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
丹呉浩侑編
出版情報: 東京 : 培風館, 1998.11  vii, 325p ; 22cm
シリーズ名: 半導体工学シリーズ / 西澤潤一編 ; 9
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1 基本素子の動作機構と製作プロセス 1
   1.1 MOSトランジスタ 1
   1.2 CMOS,Bi-CMOS回路の構造と集積プロセス 10
   1.3 SOIおよび3次元デバイス 22
2 プロセスモジュールと製作プロセス 33
   2.1 MOSトランジスタ技術 33
   2.2 素子分離技術 39
   2.3 コンタクト技術 44
   2.4 多層配線技術 52
   2.5 メモリセル技術 65
3 リソグラフィ 76
   3.1 はじめに 76
   3.2 光リソグラフィ 79
   3.3 電子ビームリソグラフィ 100
   3.4 X線リソグラフィ 103
   3.5 リソグラフィの課題 105
   3.6 まとめと将来の動向 108
4 エッチング技術 109
   4.1 エッチング技術の基本概念 109
   4.2 ダウンフローエッチング技術 116
   4.3 RIEにおけるエッチング機構 120
   4.4 反応性イオンエッチングプロセス技術 125
   4.5 照射損傷 129
   4.6 エッチング技術の新しい開発手法 131
   4.7 まとめと将来の動向 135
5 絶縁膜技術 138
   5.1 はじめに 138
   5.2 絶縁膜形成技術 139
   5.3 立体(3次元)構造に対応する酸化膜 158
   5.4 絶縁膜技術の課題 160
   5.5 まとめと将来の動向 163
6 不純物導入技術 165
   6.1 はじめに 165
   6.2 不純物導入技術の基礎 166
   6.3 拡散の原理 166
   6.4 プロセス技術への応用 174
7 薄膜堆積技術 191
   7.1 はじめに 191
   7.2 薄膜材料と堆積方法の分類 191
   7.3 薄膜堆積の原理と実際 193
   7.4 薄膜の特性 215
   7.5 薄膜堆積技術の課題とまとめ 233
8 ウェーハ清浄化技術 237
   8.1 はじめに 237
   8.2 ウェーハ清浄化技術の基礎 237
   8.3 ウェーハ洗浄技術 242
   8.4 ゲッタリング技術 246
   8.5 ウェーハ表面汚染評価技術 254
9 結晶・ウェーハ技術 262
   9.1 はじめに 262
   9.2 シリコン単結晶成長技術 262
   9.3 エピタキシャルウェーハ技術 276
   9.4 結晶・ウェーハ技術の課題 281
   9.5 まとめと将来の動向 282
10 プロセスシミュレーション 284
   10.1 はじめに 284
   10.2 プロセスシミューレータ 285
   10.3 形状シミューレータ 295
   10.4 統合シミュレータ 297
   10.5 原子レベルシミュレータ 298
11 半導体プロセス評価技術 299
   11.1 はじめに 299
   11.2 半導体プロセスにおける評価技術 300
   11.3 顕微鏡による観察技術 300
   11.4 半導体プロセスで用いられる評価技術 310
   11.5 元素分析技術 314
   11.6 半導体製造工程固有の評価技術 317
   11.7 半導体プロセス評価技術の課題 318
索引 320
1 基本素子の動作機構と製作プロセス 1
   1.1 MOSトランジスタ 1
   1.2 CMOS,Bi-CMOS回路の構造と集積プロセス 10
80.

図書

図書
清水立生編著
出版情報: 東京 : 培風館, 1994.5  x, 241p ; 22cm
シリーズ名: アドバンストエレクトロニクスシリーズ / 菅野卓雄 [ほか] 監修 ; カテゴリーI . エレクトロニクス材料・物性・デバイス||エレクトロニクス ザイリョウ ブッセイ デバイス ; 2
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81.

図書

図書
職業能力開発教材委員会編著
出版情報: 大阪 : 松下電器工科短期大学校, 1990.3-1993.1  3冊 ; 22cm
シリーズ名: 半導体基礎講座 ; 1-3
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82.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
大見忠弘著
出版情報: 東京 : 培風館, 1995.12  xi, 366p ; 22cm
シリーズ名: アドバンストエレクトロニクスシリーズ / 菅野卓雄 [ほか] 監修 ; カテゴリーI . エレクトロニクス材料・物性・デバイス||エレクトロニクス ザイリョウ ・ ブッセイ ・ デバイス ; 15
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0.序の章 1
   0.1 半導体技術の進展 1
   0.2 半導体表面の電子化学 4
   0.2.1 水素原子模型と分子結合 6
   0.2.2 Si表面吸着分子の挙動:SiH4系分子を例として 10
   0.2.3 電気陰性度とエネルギ準位~終端原子による表面電子状態の変化 16
   0.2.4 酸化還元電位とエネルギ準位-Si表面の自然酸化膜形成と水溶液による金属汚染洗浄 29
1.4端子デバイスエレクトロニクス 37
   1.1 コンピュータのハードウェアに知的な機能を持たせる 38
   1.1.1 人間VSスーパーコンピュータ 38
   1.1.2 ニューハードウェア 40
   1.2 4端子デバイスのコンセプト 40
   1.2.1 4端子デバイスとは 40
   1.2.2 3端子デバイスVS4端子デバイス 42
   1.2.3 3端子デバイスと真空エレクトロニクスの発展 43
   1.2.4 半導体エレクトロニクス、そして集積回路へ 45
   1.2.5 ニューロンMOSトランジスタ 47
   1.3 4端子デバイスで実現する"しなやかな”情報処理電子回路 49
   1.3.1 やわらかいハードウェア論理回路(flexware) 49
   1.3.2 ウィナーテークオール回路と連想メモリ 52
   1.3.3 低消費電力・自己学習機能装備のvMOSニューラルネットワーク 55
   1.3.4 人工知能システム実現への道 56
   1.4 アンチヒューズ技術とフレキシブル電子システム 57
   1.4.1 効率の良いLSI開発を可能にするしなやかなハードウェア 57
   1.4.2 設計回路を瞬時にLSI化できるアンチヒューズ技術 57
   1.4.3 LSIの新しい可能性を拓くフレキシブル電子システム 60
   1.5 知的電子システムが要求する超高精度プロセス技術 61
   1.6 21世紀への課題 64
2.高精度トータル低温化プロセス 67
   2.1 低エネルギイオン照射プロセス 68
   2.1.1 プラズマプロセス技術の現状と開発の方向 68
   2.1.2 イオン照射エネルギの制御方法 70
   2.1.3 RF-DC結合プラズマプロセス装置 74
   2.1.4 2周波励起プラズマプロセス装置 76
   2.1.5 直流磁場の導入 79
   2.2 プローブを用いたプラズマの高精度計測技術 85
   2.2.1 シングルプローブ法の原理 85
   2.2.2 シングルプローブによる高周波放電プラズマの計測技術 87
   2.3 高密度プラズマを用いたセルフチャンバクリーニング技術 91
   2.3.1 反応副生成物の付着が与える影響 91
   2.3.2 セルフチャンバクリーニングに適したガス種・チャンバ内壁材 91
   2.3.3 セルフチャンバクリーニング 96
   2.4 超低温でのSiエピタキシャル成長 99
   2.4.1 低エネルギイオン照射プロセスを用いた低温結晶成長 99
   2.4.2 イオンの照射エネルギと照射量 101
   2.4.3 ウルトラクリーンなプロセス雰囲気とウェハ表面 106
   2.4.4 重くて大きいイオン(Xe)の照射 107
   2.5 メタライゼーション 109
   2.5.1 配線材料の変遷 109
   2.5.2 低エネルギイオン照射プロセスによる金属薄膜の形成 110
   2.5.3 大電流ストレスエレクトロマイグレーション加速劣化試験方法と各種配線材料のエレクトロマイグレーション耐性 112
   2.5.4 21世紀へ向けての配線技術 116
   2.5.5 超低抵抗金属/半導体コンタクト形成技術 118
   2.6 超低温ゲート酸化膜形成技術 122
   2.6.1 従来の酸化膜形成方法 122
   2.6.2 イオンアシスト低温酸化法 123
   2.7 低温アニールを可能にするウルトラクリーンイオン注入技術 128
   2.7.1 イオン注入層の低温アニール 128
   2.7.2 酸化膜スルーイオン注入は使えない 131
   2.7.3 ウルトラクリーンイオン注入 132
   2.7.4 打ち込みフロント部に残るダメージと基板ドーパント濃度 135
   2.8 超微細パターン加工を実現するリソグラフィ技術 136
   2.8.1 露光技術 137
   2.8.2 レジスト材料技術 139
   2.8.3 現像技術 141
   2.8.4 脱ガスフリーレジストプロセス 145
   2.8.5 レジスト剥離技術 147
3.表面・界面のウルトラクリーン化技術 155
   3.1 極限のクリーン表面を創る 156
   3.1.1 シリコンのウルトラクリーン表面とは 156
   3.1.2 粒子汚染と除去技術 157
   3.1.3 金属汚染とその除去 182
   3.1.4 有機物汚染とその除去 195
   3.1.5 固体表面への水分吸着 203
   3.1.6 自然酸化膜とケミカル酸化膜 208
   3.1.7 マイクロラフネス制御 217
   3.1.8 シリコン表面を不活性化する(水素終端表面) 223
   3.1.9 新しい概念の表面洗浄 226
   3.2 F2・HFプロセス 233
   3.2.1 フッ素・フッ素化水素とシリコン化合物の反応の特徴 234
   3.2.2 エッチングプロセスに現われる諸現象 242
   3.2.3 フッ素の回収-地球にやさしい化学技術を求めて 250
   3.3 高信頼性極薄酸化膜形成技術 261
   3.3.1 表面精密制御酸化 261
   3.3.2 酸化膜特性の基板面方位依存性 266
   3.3.3 高信頼性極薄酸化膜形成 269
   3.4 化学反応機構の電子物理 271
   3.4.1 電気陰性度の電子物理 272
   3.4.2 酸化還元電位の電子物理 278
   3.4.3 ゼータ電位の電子物理 282
   3.5 静電気障害とその防止 285
   3.5.1 超LSI製造環境における静電気 285
   3.5.2 静電気の発生 286
   3.5.3 静電気障害 288
   3.5.4 帯電防止技術 291
4.クリーン表面とガス分子の相互作用 320
   4.1 ステンレス表面の新しい不働態化処理 320
   4.1.1 はじめに 320
   4.1.2 ステンレス表面へのCr2O3不働態膜の形成方法 321
   4.1.3 フェライト系ステンレス鋼の不働態処理 324
   4.1.4 オーステナイト系ステンレス鋼の不働態処理 326
   4.1.5 Cr2O3不働態膜形成のメカニズム 333
   4.2 腐食の表面電気化学反応 335
   4.2.1 現在のガス供給系がかかえる問題点 335
   4.2.2 金属表面性状の影響 336
   4.2.3 溶接部の腐食 342
   4.3 クリーン表面とガス分子の相互作用 349
   4.3.1 評価システムのウルトラクリーン化 349
   4.3.2 ウルトラクリーンがなぜ必要なのか 350
   4.3.3 固体表面とSiH4分子の相互作用 353
   4.4 新しいガス供給システム 356
索引 361
0.序の章 1
   0.1 半導体技術の進展 1
   0.2 半導体表面の電子化学 4
83.

図書

図書
御子柴宣夫著
出版情報: 東京 : 培風館, 1991.11  x, 360p ; 22cm
シリーズ名: 半導体工学シリーズ / 西澤潤一編 ; 2
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84.

図書

図書
中嶋堅志郎編著
出版情報: 東京 : オーム社, 1999.12  vi, 135p ; 21cm
シリーズ名: インターユニバーシティ
所蔵情報: loading…
85.

図書

図書
志村史夫著
出版情報: 東京 : 丸善, 1998.7  v, 164p ; 21cm
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86.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
玉井輝雄著
出版情報: 東京 : コロナ社, 1995.8  vii, 259p ; 22cm
所蔵情報: loading…
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1. 物質の導電メカニズム
 1.1 原子の構造と原子間に作用する力 1
 1.2 原子配列と電子のエネルギー 10
 1.3 結晶内電子のエネルギー 14
 1.4 電気を伝える物質と伝えない物質 18
   1.4.1 導体のエネルギーバンド構造と電流の流れやすさ 19
   1.4.2 金属表面からの電子放出 22
   1.4.3 絶縁体のエネルギーバンド構造と電流の流れにくさ 25
   1.4.4 半導体とその電気的特徴 28
2. 半導体の導電メカニズム
 2.1 真性半導体と真性導電 33
 2.2 不純物半導体とその電気的性質 39
   2.2.1 n形半導体 39
   2.2.2 p形半導体 42
 2.3 半導体における導電の特徴 45
   2.3.1 不純物濃度と抵抗率 46
   2.3.2 半導体の電流を構成する2種類のメカニズム 50
   2.3.3 高電界による導電現象 54
   2.3.4 光照射による導電現象 56
   2.3.5 電子と正孔の再結合によるエネルギーの放出 56
   2.3.6 p形半導体とn形半導体の判別 57
3. 接触と接合
 3.1 表面を作る原子と表面層 60
 3.2 表面どうしの接触と接合 64
 3.3 金属どうしの接触 66
   3.3.1 同種金属間の接触 66
   3.3.2 異なる金属の接触 66
   3.3.3 絶縁皮膜を挟んだ異なる金属間の接触 69
 3.4 半導体と金属の接触 72
   3.4.1 n形半導体と金属の接触 72
   3.4.2 p形半導体と金属の接触 77
4. 半導体pn接合
 4.1 半導体材料 82
 4.2 p形半導体とn形半導体の接合方法 83
 4.3 pn接合の持つメカニズム 88
 4.4 pn接合による整流作用 93
 4.5 pn接合の電気的特徴 96
   4.5.1 pn接合の順方向特性 96
   4.5.2 pn接合の逆方向特性 97
 4.6 pn接合ダイオードのスイッチング過渡特性 102
 4.7 pn接合ダイオードの等価回路 103
 4.8 pn接合ダイオードの応用 105
5. pn接合部で生じる現象を応用した半導体デバイス
 5.1 空乏層の空間電荷容量を用いた可変容量ダイオード 106
 5.2 アバランシ現象やトンネル現象を用いた定電圧ダイオード 109
 5.3 トンネル現象とトンネルダイオード 112
 5.4 逆方向の特性を利用したバックワードダイオード 117
 5.5 光導電現象とホトダイオード 118
 5.6 真性半導体を用いたpinホトダイオード 121
 5.7 アバランシ現象を応用したアバランシホトダイオード 122
 5.8 ショットキー障壁を利用したショットキーホトダイオード 123
 5.9 光起電力効果を用いた太陽電池 125
 5.10 再結合過程を利用した発光ダイオード 127
6. pn接合ダイオードを中心としたマイクロ波用の半導体デバイス
 6.1 アバランシ現象と負性抵抗を応用したインパットダイオード 131
   6.1.1 基本原理と動作の仕組み 131
   6.1.2 pn接合インパットダイオード 135
 6.2 アバランシ効果を強制させるトラパットダイオード 137
 6.3 量子井戸とトンネル現象を用いたクイットダイオード 138
 6.4 ショットキー障壁を応用したバリットダイオード 139
 6.5 ガンダイオード 141
7. バイポーラトランジスタ
 7.1 バイポーラトランジスタの特徴 143
 7.2 バイポーラトランジスタのメカニズム 145
 7.3 バイポーラトランジスタの基本特性 150
   7.3.1 バイポーラトランジスタの三つの接続方法 150
   7.3.2 バイポーラトランジスタの基本動作 153
 7.4 バイポーラトランジスタの周波数特性 156
 7.5 バイポーラトランジスタのスイッチング特性 159
 7.6 光に反応するバイポーラトランジスタ(ホトトランジスタ) 163
8. 電力制御用pn接合デバイス
 8.1 サイリスタの概要 165
 8.2 サイリスタの原理 166
 8.3 サイリスタの分類 170
 8.4 サイリスタの構造 171
   8.4.1 逆阻止サイリスタ 171
   8.4.2 逆導通サイリスタ 174
   8.4.3 2方向サイリスタ 175
   8.4.4 ホトサイリスタ 176
   8.4.5 MOSサイリスタ 178
 8.5 サイリスタの応用回路 179
9. 電界効果デバイス
 9.1 MOS構造とその特徴 183
 9.2 MOS構造のエネルギーバンド 186
 9.3 MOS電界効果トランジスタ 188
 9.4 MOS電界効果トランジスタの種類 195
   9.4.1 オフセットゲート構造のMOS電界効果トランジスタ 196
   9.4.2 縦形V溝構造のMOS電界効果トランジスタ 196
 9.5 接合形電界効果トランジスタ 197
 9.6 接合形電界効果トランジスタの種類 201
   9.6.1 プレーナ形のpn接合ゲート電界効果トランジスタ 203
   9.6.2 V溝接合形電界効果トランジスタ 203
   9.6.3 静電誘導形トランジスタ 204
 9.7 金属-半導体形電界効果トランジスタ 205
10. 集積回路
 10.1 半導体集積回路の発達小史 207
 10.2 モノリシック集積回路の製作プロセス 211
 10.3 バイポーラ集積回路に用いられるデバイス素子 214
   10.3.1 バイポーラトランジスタ 214
   10.3.2 pn接合ダイオード 220
   10.3.3 コンデンサ 222
   10.3.4 抵抗 222
   10.3.5 インダクタンス 224
 10.4 バイポーラ集積回路におけるデバイス素子のアイソレーション 224
   10.4.1 pn接合によるアイソレーション 224
   10.4.2 アイソプレーナ法 226
   10.4.3 誘電体アイソレーション 227
 10.5 MOS集積回路
   10.5.1 p-MOSを用いたインバータ回路 231
   10.5.2 n-MOSを用いたインバータ回路 233
   10.5.3 C-MOSによるインバータ回路 234
 10.6 半導体集積回路の構成 235
   10.6.1 DTL 236
   10.6.2 TTL 239
   10.6.3 ショットキーTTL 240
   10.6.4 IIL 242
 10.7 ICメモリ 243
   10.7.1 RAM 245
   10.7.2 ROM 247
参考文献 252
索引 256
索引
1. 物質の導電メカニズム
 1.1 原子の構造と原子間に作用する力 1
 1.2 原子配列と電子のエネルギー 10
87.

図書

図書
桜庭一郎著
出版情報: 東京 : 森北出版, 1992.11  xii, 240p ; 22cm
所蔵情報: loading…
88.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
小長井誠著
出版情報: 東京 : 培風館, 1992.10  x, 275p ; 22cm
シリーズ名: 電子・情報工学講座 ; 8
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1.物質の構造 1
   1.1 結晶系 1
   1.1.1 結晶と非晶質 1
   1.1.2 結晶系における対称操作 2
   1.1.3 七晶系 5
   1.1.4 晶族 6
   1.2 空間格子 7
   1.2.1 周期構造と空間格子 7
   1.2.2 空間格子の幾何学 8
   1.2.3 プラベ格子 11
   1.2.4 逆格子 13
   1.2.5 空間群と実際の結晶 15
   1.3 結晶構造 16
   1.3.1 共有結合とイオン結合 16
   1.3.2 最密充?構造 21
   1.4 格子欠陥 24
   1.4.1 結晶欠陥 24
   1.4.2 点欠陥 25
   1.4.3 不純物原子 26
   1.4.4 転位 28
   1.4.5 結晶粒界,双晶 31
   1.4.6 結晶表面 31
   1.5 X線回折とプラッグの法則 33
   1.5.1 プラッグの法則 33
   1.5.2 逆格子と回折 35
   1.5.3 X線回折法 37
2.格子振動 40
   2.1 格子の振動 40
   2.2 同種原子からなる1次元格子 41
   2.3 質量が異なる2種類の原子からなる1次元格子 46
   2.4 実際の結晶における格子振動 49
   2.5 格子振動の量子化 51
   2.6 格子振動と比熱,熱伝導 51
   2.6.1 比熱 51
   2.6.2 熱伝導 54
3 電気伝導の基礎 57
   3.1 金属の電気伝導 57
   3.2 伝導電子の散乱 59
   3.3 平均自由行程 61
   3.4 散乱機構 62
4.固体のバンド理論I 66
   4.1 固体のバンド理論の定性的な説明 66
   4.1.1 孤立原子と固体 66
   4.1.2 バンドと電気伝導の関係 70
   4.2 量子論の基礎 72
   4.2.1 粒子と波動 72
   4.2.2 基本方程式 74
   4.2.3 固体内のポテンシャル 76
   4.3 深いポテンシャルの井戸に閉じ込められた電子 78
   4.4 深いポテンシャルの井戸と金属内の自由電子 81
   4.5 状態密度 85
   4.6 トンネル効果 86
   4.7 クローニヒーペニーモデル 88
   4.7.1 自由電子のE-kの関係 88
   4.7.2 周期ポテンシャル内の電子のE-kの関係 89
   4.7.3 許容帯 95
   4.8 有効質量,群速度 99
   4.9 正孔 103
   4.10 金属と半導体,絶縁体のバンド構造 105
5.固体のバンド理論II 107
   5.1 バンド構造の解析法 107
   5.2 逆格子とブリルアン領域 108
   5.3 束縛電子近似モデル 109
   5.3.1 バンド構造の解析法 109
   5.3.2 単純立方格子のバンド構造 112
   5.4 半導体のバンド構造 115
   5.4.1 Ge,Siのバンド構造 116
   5.4.2 GaAsのバンド構造 120
   5.4.3 遷移形,禁制帯幅 121
   5.4.4 有効質量の測定 122
6.半導体の電気物性 125
   6.1 分布則 125
   6.2 真性半導体のキャリア濃度 128
   6.3 不純物ドーピング 132
   6.3.1 n形半導体 132
   6.3.2 p形半導体 135
   6.3.3 化合物半導体への不純物ドーピング 136
   6.3.4 ドナーとアクセプタを同時にドーピングした半導体 136
   6.4 p形,n形半導体のキャリア濃度 137
   6.5 pn積 142
   6.6 導電率と移動度 142
   6.6.1 導電率 142
   6.6.2 移動度 143
   6.6.3 不純物濃度と導電率 145
   6.7 ホール効果 146
7.半導体の電気伝導機構 149
   7.1 ドリフト電流と拡散電流 149
   7.1.1 熱運動 149
   7.1.2 ドリフト電流と拡散電流 150
   7.1.3 アインシュタインの関係 151
   7.2 高電界での多数キャリアの振る舞い 152
   7.2.1 速度飽和 153
   7.2.2 微分負性抵抗 154
   7.3 多数キャリア注入と少数キャリア注入 155
   7.3.1 キャリアの注入 155
   7.3.2 少数キャリアの寿命 157
   7.3.3 非熱平衡状態のキャリア濃度の表し方 158
   7.4 キャリアの再結合過程 159
   7.4.1 直接再結合 160
   7.4.2 再結合中心 160
   7.4.3 表面再結合 161
   7.5 少数キャリア連続の方程式 162
   7.5.1 単純化されたモデル 162
   7.5.2 詳細なモデル 164
   7.6 連続の方程式の応用例 165
8.接合の物理と物性 169
   8.1 pn接合 169
   8.1.1 エネルギー準位図 169
   8.1.2 ポテンシャル分布 173
   8.1.3 理想的な電流-電圧特性 177
   8.1.4 実際の電流-電圧特性 181
   8.1.5 逆方向降伏特性 182
   8.1.6 接合容量 187
   8.2 トンネルダイオードの物理 188
   8.3 金属-半導体接触 189
   8.3.1 エネルギー準位図 189
   8.3.2 オーミック接触と整流性 191
   8.3.3 エミッション電流 193
   8.3.4 理想状態からのずれ 196
   8.4 ヘテロ接合 198
9.トランジスタ動作とキャリアの挙動 202
   9.1 トランジスタの発明と増幅作用 202
   9.1.1 歴史的背景 202
   9.1.2 増幅機構の分類 204
   9.2 バイポーラトランジスタ 205
   9.2.1 基本構造と動作 205
   9.2.2 トランジスタの増幅原理 206
   9.2.3 注入効率と輸送効率 209
   9.2.4 注入レベルと増幅特性 212
   9.2.5 アーリー効果と降伏現象 214
   9.2.6 走行時間と周波数特性 216
   9.3 電界効果トランジスタ 218
   9.3.1 金属/絶縁体/半導体接合 218
   9.3.2 MOSトランジスタ 221
   9.3.3 各種の電界効果トランジスタ 225
10.光学特性,熱電物性 226
   10.1 光の吸収と反射 226
   10.2 吸収係数 228
   10.2.1 基礎吸収 228
   10.2.2 励起子による吸収 233
   10.2.3 自由キャリアによる吸収 235
   10.3 光導電効果 235
   10.4 光起電力効果 237
   10.4.1 短絡電流,開放電圧 237
   10.4.2 光電流 239
   10.4.3 太陽電池の発電原理 242
   10.5 半導体の発光遷移 243
   10.5.1 発光過程 243
   10.5.2 自然放出と誘導放出 246
   10.5.3 半導体レーザ 248
   10.6 熱電効果 250
   10.6.1 ゼーベック効果 250
   10.6.2 ペルチェ効果 252
   10.6.3 熱発電と電子冷凍 253
参考文献 256
演習問題解答 257
付表 267
索引 271
1.物質の構造 1
   1.1 結晶系 1
   1.1.1 結晶と非晶質 1
89.

図書

図書
浜口智尋, 谷口研二著
出版情報: 東京 : 朝倉書店, 1990.1  vi, 214p ; 22cm
シリーズ名: 現代人の物理 ; 4
所蔵情報: loading…
90.

図書

図書
國岡昭夫, 上村喜一著
出版情報: 東京 : 朝倉書店, 1996.4  viii, 216p ; 21cm
所蔵情報: loading…
91.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
作道恒太郎著
出版情報: 東京 : 裳華房, 1995.3  xi, 186p ; 21cm
シリーズ名: 固体物理 / 作道恒太郎著
所蔵情報: loading…
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1. 序論
   §1.1 結晶結合 1
    (1) イオン結合 2
    (2) 共有結合 4
    (3) ファン・デル・ワールス結合 6
    (4) 金属結合 6
    (5) 水素結合 6
   §1.2 量子力学の要約 8
    (1) シュレーディンガー方程式 8
    (2) 分散関係 10
    (3) 摂動論 10
   §1.3 基本的事項 12
    (1) 原子の電子構造 12
    (2) 元素周期表 12
    (3) 統計分布関数 14
    (4) 物理定数,エネルギー尺度,特殊相対論 16
2. 結晶の電子構造
   §2.1 自由電子近似 20
    (1) エネルギー準位 22
    (2) その物性 24
   §2.2 エネルギーバンド構造 30
    (1) エネルギーギャップ 30
    (2) 逆格子空間 32
    (3) ブリュアン・ゾーン 36
   §2.3 バンド理論の一般化 38
    (1) 強結合近似 38
    (2) 有効質量 42
3. 半導体物性I
   §3.1 伝導帯と価電子帯 48
    (1) バンド構造 48
    (2) バンドギャッブ 52
    (3) 正孔 54
    (4) 多バレー構造 56
   §3.2 不純物準位 58
    (1) ドナー・アクセプター準位 60
    (2) 有効質量近似 64
4. 半導体物性II
   §4.1 キャリアー濃度 68
    (1) 固有半導体 70
    (2) 不純物半導体 72
   §4.2 キャリアー散乱機構 76
    (1) ボルツマン輸送方程式 76
    (2) その応用例 78
    (3) 移動度 82
   §4.3 磁場効果 86
    (1) ホール効果 86
    (2) ランダウ準位 88
   §4.4 非線形現象 92
    (1) 高電界効果(I)Si 92
    (2) 高電界効果(II)GaAs 94
    (3) 金属・絶縁体転移 96
5. 格子欠陥
   §5.1 点欠陥 100
   §5.2 転位 104
   §5.3 表面 106
   §5.4 非晶質固体 110
6. p-n接合
   §6.1 熱平衡下のエネルギー構造 112
   §6.2 ダイオードの電気特性 118
    (1) 整流 118
    (2) トンネル効果 118
   §6.3 バイポーラ・トランジスタ 122
7 MOS構造
   §7.1 金属・半導体界面 126
   §7.2 電界効果トランジスタ 130
    (1) 反転層の形成 130
    (2) FETの電流―電圧特性 132
    (3) 技術的課題 134
   §7.3 量子ホール効果 136
    (1) 2次元電子系の磁気効果 136
    (2) ホール効果の量子化 138
    (3) 局在状態,分数量子ホール効果 142
8. ヘテロ接合
   §8.1 バンド設計 144
    (1) エピタキシー技術 144
    (2) 混晶系 148
    (3) バンド整列 148
    (4) 量子井戸 150
   §8.2 応用例 154
    (1) 量子井戸光素子 154
    (2) 共鳴トンネル効果 156
    (3) 変調ドープ法 156
9. 半導体の光物性
   §9.1 光吸収特性 162
    (1) 基礎吸収 162
    (2) 励起子 164
   §9.2 光センサーと太陽電池 166
   §9.3 発光素子 170
    (1) 発光ダイオード 170
    (2) 半導体レーザー 174
参考文献 180
索引 182
1. 序論
   §1.1 結晶結合 1
    (1) イオン結合 2
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