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1.

図書

図書
谷口研二[ほか]執筆
出版情報: 東京 : リアライズ社, 1990.3  487p ; 27cm
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2.

図書

図書
前田和夫著
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1990.6  xv, 607p ; 22cm
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3.

図書

図書
畑田賢造著
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1990.1  313p ; 22cm
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4.

図書

図書
小島高人編著
出版情報: 東京 : CQ出版社, 1990.6-  冊 ; 15×21cm
シリーズ名: 半導体規格表シリーズ ; No.5
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5.

図書

図書
丹羽一夫編著
出版情報: 東京 : CQ出版社, 1990-  冊 ; 15×21cm
シリーズ名: 半導体規格表シリーズ ; No.7
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6.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
古川静二郎, 荻田陽一郎, 浅野種正共著
出版情報: 東京 : 森北出版, 1990.3  viii, 146p ; 22cm
シリーズ名: 基礎電気・電子工学シリーズ / 西巻正郎, 関口利男編集 ; 6
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1章 電子と結晶 1
   1.1 価電子と結晶 1
   1.2 結晶と結合形式 4
   1.3 結晶の単位胞と方位 6
   演習問題 7
2章 エネルギー帯と自由電子 8
   2.1 エネルギー準位 8
   2.2 エネルギー帯の形成 8
   2.3 半導体・金属・絶縁物のエネルギー帯構造の違い 12
   演習問題 13
3章 半導体のキャリヤ 14
   3.1 真性半導体のキャリヤ 14
   3.2 外因性半導体のキャリヤ 15
   (1) n形半導体のキャリヤ 15
   (2) p形半導体のキャリヤ 17
   3.3 キャリヤ生成機構 18
   演習問題 19
4章 キャリヤ密度とフェルミ準位 20
   4.1 キャリヤ密度 20
   4.2 真性キャリヤ密度 23
   4.3 真性フェルミ準位 24
   4.4 多数キャリヤと少数キャリヤ 24
   4.5 外因性半導体のキャリヤ密度とフェルミ準位 25
   演習問題 27
5章 半導体の電気伝導 28
   5.1 ドリフト電流 28
   5.2 半導体におけるオームの法則 31
   5.3 拡散電流 33
   5.4 キャリヤ連続の式 36
   演習問題 39
6章 pn接合とダイオード 40
   6.1 pn接合 40
   6.2 pn接合ダイオード 42
   6.3 pn接合ダイオードの電流の大きさ 44
   6.4 ダイオードの実際構造 47
   演習問題 49
7章 ダイオードの接合容量 50
   7.1 接合容量 50
   7.2 空乏層容量 50
   7.3 拡散容量 54
   演習問題 56
8章 バイポーラトランジスタ 58
   8.1 バイポーラトランジスタの位置づけ 58
   8.2 バイポーラトランジスタの動作原理 59
   8.3 I BによるI Cの制御 61
   8.4 電流増幅率 62
   8.5 電流増幅率の決定因子 63
   8.6 接地形式と増幅利得 65
   (1) エミッタ接地 65
   (2) ベース接地 66
   (3) コレクタ接地 66
   8.7 特性と実際動作 66
   (1) 実際構造 66
   (2) スイッチング 67
   (3) 静特性 68
   演習問題 69
9章 接合形FET 71
   9.1 接合形FETの位置づけ 71
   9.2 動作原理 72
   9.3 動作特性と実際 73
   (1) 動作特性 73
   (2) デバイスの実際 76
   演習問題 77
10章 金属-半導体接触 78
   10.1 ショットキー障壁 78
   10.2 ショットキーバリヤダイオード 79
   10.3 オーミック接触 82
   演習問題 84
11章 MIS FET 85
   11.1 MOS FETの位置づけ 85
   11.2 MIS構造ゲートの動作 85
   (1) 蓄積, V G<0 86
   (2) 空乏, V G>0 87
   (3) 反転, V G ≫0 87
   11.3 反転状態の解析 87
   11.4 MIS FETの動作原理と特性 90
   (1) 動作原理 90
   (2) 動作特性 91
   11.5 MOS FETの実際と特性 93
   (1) 実際構造 93
   (2) エンハンスメント形とデプレッション形 94
   (3) 回路記号 94
   (4) 特性解析 96
   (5) 相互コンダクタンス 98
   11.6 MOSキャパシタ 98
   11.7 フラットバンド電圧 101
   演習問題 102
12章 集積回路 104
   12.1 ICの回路構成法 104
   12.2 IC構造の構成と実際 106
   12.3 バイポーラIC 108
   12.4 MOSデジタルIC 109
   (1) n-MOS論理回路 110
   (2) C-MOS論理回路 110
   12.5 ICメモリ 111
   (1) ICメモリの位置づけ 111
   (2) RAM 113
   (3) ROM 115
   演習問題 116
13章 光電素子 117
   13.1 光の量子化-光子 117
   13.2 光導電効果 119
   13.3 光起電力効果 121
   (1) 太陽電池 121
   (2) ホトダイオード 123
   13.4 半導体の発光現象 125
   13.5 発光デバイス 125
   (1) 発光ダイオード 125
   (2) 半導体レーザダイオード 127
   演習問題 129
演習問題解答 130
付表 137
   付表1 原子の電子配置 137
   付表2 物理定数 139
   付表3 元素の周期律表 140
参考文献 142
さくいん 143
1章 電子と結晶 1
   1.1 価電子と結晶 1
   1.2 結晶と結合形式 4
7.

図書

図書
和田隆夫, 市村正也著
出版情報: 東京 : 朝倉書店, 1990.4  viii, 236p ; 22cm
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8.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
石原宏著
出版情報: 東京 : コロナ社, 1990.2  x, 250p ; 22cm
シリーズ名: 大学講義シリーズ
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1 固体の帯理論
   1.1 固体の導電率 1
   1.2 固体内の電子状態 2
   1.3 導体・半導体・絶縁体のエネルギー帯構造 5
   1.4 波動方程式からのエネルギー帯理論の説明 7
   1.5 許容帯中の電子の状態密度 11
   1.6 許容帯中の電子の運動 14
   1.6.1 実効質量 15
   1.6.2 正孔 16
   1.7 エネルギー分布則 17
   演習問題 20
2 半導体の電気伝導
   2.1 半導体の結晶構造とエネルギー帯構造 21
   2.2 半導体の電気伝導現象 22
   2.2.1 熱刺激による電気伝導現象 23
   2.2.2 置換形原子(不純物)を含む電導現象 24
   2.2.3 半導体の表面電導現象 26
   2.3 真性半導体中のキャリヤ濃度 26
   2.4 外因性半導体のキャリヤ濃度 30
   2.4.1 温度依存性 31
   2.4.2 不純物原子濃度とキャリヤ濃度 32
   2.5 半導体中のキャリヤの振舞い 33
   2.5.1 電界中のキャリヤの運動 34
   2.5.2 キャリヤの発生と再結合 35
   2.5.3 電流の式とアインシュタインの関係 37
   2.5.4 少数キャリヤの連続の方程式 39
   演習問題 40
3 半導体接合
   3.1 半導体-半導体接合 42
   3.1.1 pn接合のエネルギー帯図 42
   3.1.2 pn接合の電圧-電流特性 44
   3.1.3 pn接合の容量 48
   3.1.4 pn接合の降伏現象とトンネルダイオード 50
   3.1.5 ヘテロ接合 53
   3.2 金属-半導体接触 56
   3.2.1 金属-半導体接触のエネルギー帯図 56
   3.2.2 ショットキー障壁ダイオードの電圧-電流特性 57
   3.2.3 金属-半導体接触の容量-電圧特性 59
   3.3 金属-絶縁体-半導体接触 59
   演習問題 61
4 バイポーラトランジスタの基本特性
   4.1 バイポーラトランジスタの動作原理 63
   4.1.1 基本構造 63
   4.1.2 エネルギー帯図と動作原理 64
   4.2 電流伝送率 66
   4.2.1 ベース中性領域特性 66
   4.2.2 エミッタ接合特性 68
   4.2.3 コレクタ接合特性 69
   4.2.4 電流伝送率の最適化 69
   4.3 電圧-電流特性と等価回路 71
   4.3.1 直流電圧-電流特性 71
   4.3.2 交流特性 75
   4.3.3 低周波微小信号等価回路 76
   4.3.4 四端子パラメータ 79
   4.4 トランジスタ動作における諸現象 81
   4.4.1 電流増幅率のエミッタ電流依存性 81
   4.4.2 エミッタ電流の集中現象 82
   4.4.3 アーリー効果とパンチスルー 82
   4.4.4 なだれ降伏 83
   演習問題 84
5 ダイオードおよびトランジスタの実際
   5.1 製作方法 86
   5.1.1 基板結晶成長技術 86
   5.1.2 リソグラフィー技術 88
   5.1.3 加工技術 88
   5.2 高周波動作特性 91
   5.2.1 pn接合の動特性 91
   5.2.2 トランジスタの動特性 93
   5.2.3 高周波等価回路 95
   5.2.4 高周波増幅限界 96
   5.2.5 ドリフト形トランジスタ 99
   5.3 スイッチング特性 101
   5.3.1 ダイオードのスイッチング特性 101
   5.3.2 トランジスタのスイッチング特性 103
   5.3.3 トランジスタの大信号直流等価回路 105
   5.3.4 スイッチングトランジスタ 106
   5.4 電力特性 108
   5.4.1 ダイオードの電流容量と逆耐圧 108
   5.4.2 トランジスタの出力限界 109
   演習問題 110
6 ユニポーラトランジスタ
   6.1 分類 112
   6.2 接合形およびショットキー障壁形電界効果トランジスタ 114
   6.2.1 動作原理 114
   6.2.2 電圧-電流特性 116
   6.2.3 小信号等価回路 118
   6.2.4 実際例 120
   6.3 ホットエレクトロントランジスタ 121
   6.3.1 金属ベーストランジスタ 121
   6.3.2 半導体ホットエレクトロントランジスタ 122
   6.4 静電誘導トランジスタ 123
   6.4.1 動作原理 123
   6.4.2 電圧-電流特性 124
   6.4.3 交流増幅特性 125
   6.4.4 実際例 126
   演習問題 126
7 MIS形電界効果トランジスタ
   7.1 MISダイオードの定量的検討 128
   7.1.1 理想MISダイオードの基本的性質 128
   7.1.2 理想MISダイオードの電位分布 131
   7.1.3 実際のMISダイオード 134
   7.2 MIS FET の動作原理 137
   7.2.1 MIS FETの構造と分類 137
   7.2.2 電圧-電流特性 138
   7.2.3 チャネル内の電界分布と電位分布 141
   7.3 MIS FETの回路的考察 144
   7.3.1 低周波等価回路 144
   7.3.2 高周波等価回路 145
   7.3.3 四端子パラメータ 147
   7.3.4 高周波動作限界 147
   7.4 MIS FETの諸現象と実際例 148
   7.4.1 基板バイアス効果 148
   7.4.2 チャネル長変調効果とドレーン耐圧 149
   7.4.3 実際例 150
   演習問題 152
8 集積回路
   8.1 集積回路の製作法 154
   8.1.1 モノリシックICの特徴 154
   8.1.2 バイポーラICの製作法 155
   8.1.3 MOS ICの製作法 158
   8.2 アナログIC 160
   8.2.1 バイアス回路 160
   8.2.2 差動増幅回路 162
   8.2.3 演算増幅器 163
   8.3 ディジタルIC 164
   8.3.1 ディジタル論理 164
   8.3.2 バイボーラ論理回路 166
   8.3.3 MOS論理回路 171
   8.4 メモリ回路 177
   8.4.1 SRAM 178
   8.4.2 DRAM 179
   演習問題 179
9 サイリスタと関連デバイス
   9.1 サイリスタの構造と動作原理 182
   9.1.1 構造 182
   9.1.2 二端子特性 183
   9.1.3 ゲート制御特性 185
   9.2 サイリスタおよび関連デバイスの分類 186
   9.2.1 SCR 186
   9.2.2 逆導通SCR 187
   9.2.3 トライアック 188
   9.2.4 GTOサイリスタ 188
   9.2.5 光サイリスタ 189
   9.2.6 ユニジャンクショントランジスタ 190
   9.3 サイリスタの実際と回路応用 191
   9.3.1 サイリスタの定格 191
   9.3.2 回路応用 191
   演習問題 194
10 光電変換デバイス
   10.1 光と物質との相互作用 195
   10.1.1 相互作用の種類 195
   10.1.2 光の吸収現象 197
   10.1.3 光の屈折現象 204
   10.2 光の吸収現象を利用した効果 205
   10.2.1 外部光電効果(光電子放出効果) 205
   10.2.2 内部光電効果(光導電効果) 206
   10.2.3 光起電力効果(障壁形) 209
   10.3 光電変換デバイス 211
   10.3.1 太陽電池 211
11 発光デバイス
   11.1 発光現象 ルミネセンス 219
   11.1.1 放射形遷移と発光スペクトル 219
   11.1.2 キャリヤ励起(外部刺激)の方法 221
   11.2 発光ダイオード 224
   11.2.1 pn接合の発光 224
   11.2.2 発光ダイオード用材料 225
   11.3 半導体レーザダイオード 227
   11.3.1 動作原理 227
   11.3.2 pn接合レーザダイオード 230
   11.3.3 ヘテロ接合レーザグイオード 231
   11.3.4 その他のポンピング法を用いた半導体レーザ 233
   演習問題 234
   演習問題解答
   索引
1 固体の帯理論
   1.1 固体の導電率 1
   1.2 固体内の電子状態 2
9.

図書

図書
井垣謙三編
出版情報: 東京 : アグネ技術センター, 1990.5  iv, 532p ; 22cm
シリーズ名: 金属物性基礎講座 / 日本金属学会編 ; 6
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10.

図書

図書
ニューケラスシリーズ編集委員会編
出版情報: 東京 : 学献社, 1990.9  232p ; 26cm
シリーズ名: ニューケラス / ニューケラスシリーズ編集委員会編 ; 7
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