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1.

図書

図書
M. Jaros[著] ; 岩見基弘, 川本聡訳
出版情報: 東京 : 日刊工業新聞社, 1992.11  iv,271p ; 21cm
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2.

図書

図書
徳山巍編著
出版情報: 東京 : 産業図書, 1992.10  xiii, 394p ; 22cm
シリーズ名: 集積回路プロセス技術シリーズ
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3.

図書

図書
宇佐美晶[ほか]共著
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1992.3  301p ; 22cm
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4.

図書

図書
菊池誠著
出版情報: 東京 : 中央公論社, 1992.1  221p ; 18cm
シリーズ名: 中公新書 ; 1055
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5.

図書

図書
岩松誠一著
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1992.1  162p ; 19cm
シリーズ名: K books ; 92
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6.

図書

図書
桜庭一郎著
出版情報: 東京 : 森北出版, 1992.11  xii, 240p ; 22cm
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7.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
小長井誠著
出版情報: 東京 : 培風館, 1992.10  x, 275p ; 22cm
シリーズ名: 電子・情報工学講座 ; 8
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1.物質の構造 1
   1.1 結晶系 1
   1.1.1 結晶と非晶質 1
   1.1.2 結晶系における対称操作 2
   1.1.3 七晶系 5
   1.1.4 晶族 6
   1.2 空間格子 7
   1.2.1 周期構造と空間格子 7
   1.2.2 空間格子の幾何学 8
   1.2.3 プラベ格子 11
   1.2.4 逆格子 13
   1.2.5 空間群と実際の結晶 15
   1.3 結晶構造 16
   1.3.1 共有結合とイオン結合 16
   1.3.2 最密充?構造 21
   1.4 格子欠陥 24
   1.4.1 結晶欠陥 24
   1.4.2 点欠陥 25
   1.4.3 不純物原子 26
   1.4.4 転位 28
   1.4.5 結晶粒界,双晶 31
   1.4.6 結晶表面 31
   1.5 X線回折とプラッグの法則 33
   1.5.1 プラッグの法則 33
   1.5.2 逆格子と回折 35
   1.5.3 X線回折法 37
2.格子振動 40
   2.1 格子の振動 40
   2.2 同種原子からなる1次元格子 41
   2.3 質量が異なる2種類の原子からなる1次元格子 46
   2.4 実際の結晶における格子振動 49
   2.5 格子振動の量子化 51
   2.6 格子振動と比熱,熱伝導 51
   2.6.1 比熱 51
   2.6.2 熱伝導 54
3 電気伝導の基礎 57
   3.1 金属の電気伝導 57
   3.2 伝導電子の散乱 59
   3.3 平均自由行程 61
   3.4 散乱機構 62
4.固体のバンド理論I 66
   4.1 固体のバンド理論の定性的な説明 66
   4.1.1 孤立原子と固体 66
   4.1.2 バンドと電気伝導の関係 70
   4.2 量子論の基礎 72
   4.2.1 粒子と波動 72
   4.2.2 基本方程式 74
   4.2.3 固体内のポテンシャル 76
   4.3 深いポテンシャルの井戸に閉じ込められた電子 78
   4.4 深いポテンシャルの井戸と金属内の自由電子 81
   4.5 状態密度 85
   4.6 トンネル効果 86
   4.7 クローニヒーペニーモデル 88
   4.7.1 自由電子のE-kの関係 88
   4.7.2 周期ポテンシャル内の電子のE-kの関係 89
   4.7.3 許容帯 95
   4.8 有効質量,群速度 99
   4.9 正孔 103
   4.10 金属と半導体,絶縁体のバンド構造 105
5.固体のバンド理論II 107
   5.1 バンド構造の解析法 107
   5.2 逆格子とブリルアン領域 108
   5.3 束縛電子近似モデル 109
   5.3.1 バンド構造の解析法 109
   5.3.2 単純立方格子のバンド構造 112
   5.4 半導体のバンド構造 115
   5.4.1 Ge,Siのバンド構造 116
   5.4.2 GaAsのバンド構造 120
   5.4.3 遷移形,禁制帯幅 121
   5.4.4 有効質量の測定 122
6.半導体の電気物性 125
   6.1 分布則 125
   6.2 真性半導体のキャリア濃度 128
   6.3 不純物ドーピング 132
   6.3.1 n形半導体 132
   6.3.2 p形半導体 135
   6.3.3 化合物半導体への不純物ドーピング 136
   6.3.4 ドナーとアクセプタを同時にドーピングした半導体 136
   6.4 p形,n形半導体のキャリア濃度 137
   6.5 pn積 142
   6.6 導電率と移動度 142
   6.6.1 導電率 142
   6.6.2 移動度 143
   6.6.3 不純物濃度と導電率 145
   6.7 ホール効果 146
7.半導体の電気伝導機構 149
   7.1 ドリフト電流と拡散電流 149
   7.1.1 熱運動 149
   7.1.2 ドリフト電流と拡散電流 150
   7.1.3 アインシュタインの関係 151
   7.2 高電界での多数キャリアの振る舞い 152
   7.2.1 速度飽和 153
   7.2.2 微分負性抵抗 154
   7.3 多数キャリア注入と少数キャリア注入 155
   7.3.1 キャリアの注入 155
   7.3.2 少数キャリアの寿命 157
   7.3.3 非熱平衡状態のキャリア濃度の表し方 158
   7.4 キャリアの再結合過程 159
   7.4.1 直接再結合 160
   7.4.2 再結合中心 160
   7.4.3 表面再結合 161
   7.5 少数キャリア連続の方程式 162
   7.5.1 単純化されたモデル 162
   7.5.2 詳細なモデル 164
   7.6 連続の方程式の応用例 165
8.接合の物理と物性 169
   8.1 pn接合 169
   8.1.1 エネルギー準位図 169
   8.1.2 ポテンシャル分布 173
   8.1.3 理想的な電流-電圧特性 177
   8.1.4 実際の電流-電圧特性 181
   8.1.5 逆方向降伏特性 182
   8.1.6 接合容量 187
   8.2 トンネルダイオードの物理 188
   8.3 金属-半導体接触 189
   8.3.1 エネルギー準位図 189
   8.3.2 オーミック接触と整流性 191
   8.3.3 エミッション電流 193
   8.3.4 理想状態からのずれ 196
   8.4 ヘテロ接合 198
9.トランジスタ動作とキャリアの挙動 202
   9.1 トランジスタの発明と増幅作用 202
   9.1.1 歴史的背景 202
   9.1.2 増幅機構の分類 204
   9.2 バイポーラトランジスタ 205
   9.2.1 基本構造と動作 205
   9.2.2 トランジスタの増幅原理 206
   9.2.3 注入効率と輸送効率 209
   9.2.4 注入レベルと増幅特性 212
   9.2.5 アーリー効果と降伏現象 214
   9.2.6 走行時間と周波数特性 216
   9.3 電界効果トランジスタ 218
   9.3.1 金属/絶縁体/半導体接合 218
   9.3.2 MOSトランジスタ 221
   9.3.3 各種の電界効果トランジスタ 225
10.光学特性,熱電物性 226
   10.1 光の吸収と反射 226
   10.2 吸収係数 228
   10.2.1 基礎吸収 228
   10.2.2 励起子による吸収 233
   10.2.3 自由キャリアによる吸収 235
   10.3 光導電効果 235
   10.4 光起電力効果 237
   10.4.1 短絡電流,開放電圧 237
   10.4.2 光電流 239
   10.4.3 太陽電池の発電原理 242
   10.5 半導体の発光遷移 243
   10.5.1 発光過程 243
   10.5.2 自然放出と誘導放出 246
   10.5.3 半導体レーザ 248
   10.6 熱電効果 250
   10.6.1 ゼーベック効果 250
   10.6.2 ペルチェ効果 252
   10.6.3 熱発電と電子冷凍 253
参考文献 256
演習問題解答 257
付表 267
索引 271
1.物質の構造 1
   1.1 結晶系 1
   1.1.1 結晶と非晶質 1
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