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1.

図書

図書
澤木宣彦著
出版情報: 東京 : 培風館, 1995.1  x, 227p ; 22cm
シリーズ名: 電子・情報工学講座 ; 9
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2.

図書

図書
Andrew S.Grove著 ; 杉渕清 [ほか] 共訳
出版情報: 東京 : オーム社, 1995.6  xxii, 411p ; 21cm
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3.

図書

図書
菅野卓雄執筆
出版情報: 東京 : コロナ社, 1995.10  viii, 149p ; 22cm
シリーズ名: 電子情報通信学会大学シリーズ / 電子情報通信学会編 ; E-5
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4.

図書

図書
生駒英明, 生駒俊明共著
出版情報: 東京 : 培風館, 1995.4  v, 215p ; 22cm
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5.

図書

図書
菊地栄著
出版情報: 東京 : コロナ社, 1995.3  viii, 216p ; 22cm
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6.

図書

図書
奥下博昭, 川崎仁士, 野口宗昭編著
出版情報: 東京 : CQ出版, 1995-  冊 ; 15×21cm
シリーズ名: 半導体規格表シリーズ ; No.6
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7.

図書

図書
日本結晶成長学会「結晶成長ハンドブック」編集委員会編集
出版情報: 東京 : 共立出版, 1995.9  xxxii, 1152p, 図版[35]p ; 27cm
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8.

図書

図書
岸野正剛著
出版情報: 東京 : オーム社, 1995.2  viii, 254p ; 21cm
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9.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
大見忠弘著
出版情報: 東京 : 培風館, 1995.12  xi, 366p ; 22cm
シリーズ名: アドバンストエレクトロニクスシリーズ / 菅野卓雄 [ほか] 監修 ; カテゴリーI . エレクトロニクス材料・物性・デバイス||エレクトロニクス ザイリョウ ・ ブッセイ ・ デバイス ; 15
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0.序の章 1
   0.1 半導体技術の進展 1
   0.2 半導体表面の電子化学 4
   0.2.1 水素原子模型と分子結合 6
   0.2.2 Si表面吸着分子の挙動:SiH4系分子を例として 10
   0.2.3 電気陰性度とエネルギ準位~終端原子による表面電子状態の変化 16
   0.2.4 酸化還元電位とエネルギ準位-Si表面の自然酸化膜形成と水溶液による金属汚染洗浄 29
1.4端子デバイスエレクトロニクス 37
   1.1 コンピュータのハードウェアに知的な機能を持たせる 38
   1.1.1 人間VSスーパーコンピュータ 38
   1.1.2 ニューハードウェア 40
   1.2 4端子デバイスのコンセプト 40
   1.2.1 4端子デバイスとは 40
   1.2.2 3端子デバイスVS4端子デバイス 42
   1.2.3 3端子デバイスと真空エレクトロニクスの発展 43
   1.2.4 半導体エレクトロニクス、そして集積回路へ 45
   1.2.5 ニューロンMOSトランジスタ 47
   1.3 4端子デバイスで実現する"しなやかな”情報処理電子回路 49
   1.3.1 やわらかいハードウェア論理回路(flexware) 49
   1.3.2 ウィナーテークオール回路と連想メモリ 52
   1.3.3 低消費電力・自己学習機能装備のvMOSニューラルネットワーク 55
   1.3.4 人工知能システム実現への道 56
   1.4 アンチヒューズ技術とフレキシブル電子システム 57
   1.4.1 効率の良いLSI開発を可能にするしなやかなハードウェア 57
   1.4.2 設計回路を瞬時にLSI化できるアンチヒューズ技術 57
   1.4.3 LSIの新しい可能性を拓くフレキシブル電子システム 60
   1.5 知的電子システムが要求する超高精度プロセス技術 61
   1.6 21世紀への課題 64
2.高精度トータル低温化プロセス 67
   2.1 低エネルギイオン照射プロセス 68
   2.1.1 プラズマプロセス技術の現状と開発の方向 68
   2.1.2 イオン照射エネルギの制御方法 70
   2.1.3 RF-DC結合プラズマプロセス装置 74
   2.1.4 2周波励起プラズマプロセス装置 76
   2.1.5 直流磁場の導入 79
   2.2 プローブを用いたプラズマの高精度計測技術 85
   2.2.1 シングルプローブ法の原理 85
   2.2.2 シングルプローブによる高周波放電プラズマの計測技術 87
   2.3 高密度プラズマを用いたセルフチャンバクリーニング技術 91
   2.3.1 反応副生成物の付着が与える影響 91
   2.3.2 セルフチャンバクリーニングに適したガス種・チャンバ内壁材 91
   2.3.3 セルフチャンバクリーニング 96
   2.4 超低温でのSiエピタキシャル成長 99
   2.4.1 低エネルギイオン照射プロセスを用いた低温結晶成長 99
   2.4.2 イオンの照射エネルギと照射量 101
   2.4.3 ウルトラクリーンなプロセス雰囲気とウェハ表面 106
   2.4.4 重くて大きいイオン(Xe)の照射 107
   2.5 メタライゼーション 109
   2.5.1 配線材料の変遷 109
   2.5.2 低エネルギイオン照射プロセスによる金属薄膜の形成 110
   2.5.3 大電流ストレスエレクトロマイグレーション加速劣化試験方法と各種配線材料のエレクトロマイグレーション耐性 112
   2.5.4 21世紀へ向けての配線技術 116
   2.5.5 超低抵抗金属/半導体コンタクト形成技術 118
   2.6 超低温ゲート酸化膜形成技術 122
   2.6.1 従来の酸化膜形成方法 122
   2.6.2 イオンアシスト低温酸化法 123
   2.7 低温アニールを可能にするウルトラクリーンイオン注入技術 128
   2.7.1 イオン注入層の低温アニール 128
   2.7.2 酸化膜スルーイオン注入は使えない 131
   2.7.3 ウルトラクリーンイオン注入 132
   2.7.4 打ち込みフロント部に残るダメージと基板ドーパント濃度 135
   2.8 超微細パターン加工を実現するリソグラフィ技術 136
   2.8.1 露光技術 137
   2.8.2 レジスト材料技術 139
   2.8.3 現像技術 141
   2.8.4 脱ガスフリーレジストプロセス 145
   2.8.5 レジスト剥離技術 147
3.表面・界面のウルトラクリーン化技術 155
   3.1 極限のクリーン表面を創る 156
   3.1.1 シリコンのウルトラクリーン表面とは 156
   3.1.2 粒子汚染と除去技術 157
   3.1.3 金属汚染とその除去 182
   3.1.4 有機物汚染とその除去 195
   3.1.5 固体表面への水分吸着 203
   3.1.6 自然酸化膜とケミカル酸化膜 208
   3.1.7 マイクロラフネス制御 217
   3.1.8 シリコン表面を不活性化する(水素終端表面) 223
   3.1.9 新しい概念の表面洗浄 226
   3.2 F2・HFプロセス 233
   3.2.1 フッ素・フッ素化水素とシリコン化合物の反応の特徴 234
   3.2.2 エッチングプロセスに現われる諸現象 242
   3.2.3 フッ素の回収-地球にやさしい化学技術を求めて 250
   3.3 高信頼性極薄酸化膜形成技術 261
   3.3.1 表面精密制御酸化 261
   3.3.2 酸化膜特性の基板面方位依存性 266
   3.3.3 高信頼性極薄酸化膜形成 269
   3.4 化学反応機構の電子物理 271
   3.4.1 電気陰性度の電子物理 272
   3.4.2 酸化還元電位の電子物理 278
   3.4.3 ゼータ電位の電子物理 282
   3.5 静電気障害とその防止 285
   3.5.1 超LSI製造環境における静電気 285
   3.5.2 静電気の発生 286
   3.5.3 静電気障害 288
   3.5.4 帯電防止技術 291
4.クリーン表面とガス分子の相互作用 320
   4.1 ステンレス表面の新しい不働態化処理 320
   4.1.1 はじめに 320
   4.1.2 ステンレス表面へのCr2O3不働態膜の形成方法 321
   4.1.3 フェライト系ステンレス鋼の不働態処理 324
   4.1.4 オーステナイト系ステンレス鋼の不働態処理 326
   4.1.5 Cr2O3不働態膜形成のメカニズム 333
   4.2 腐食の表面電気化学反応 335
   4.2.1 現在のガス供給系がかかえる問題点 335
   4.2.2 金属表面性状の影響 336
   4.2.3 溶接部の腐食 342
   4.3 クリーン表面とガス分子の相互作用 349
   4.3.1 評価システムのウルトラクリーン化 349
   4.3.2 ウルトラクリーンがなぜ必要なのか 350
   4.3.3 固体表面とSiH4分子の相互作用 353
   4.4 新しいガス供給システム 356
索引 361
0.序の章 1
   0.1 半導体技術の進展 1
   0.2 半導体表面の電子化学 4
10.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
玉井輝雄著
出版情報: 東京 : コロナ社, 1995.8  vii, 259p ; 22cm
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1. 物質の導電メカニズム
 1.1 原子の構造と原子間に作用する力 1
 1.2 原子配列と電子のエネルギー 10
 1.3 結晶内電子のエネルギー 14
 1.4 電気を伝える物質と伝えない物質 18
   1.4.1 導体のエネルギーバンド構造と電流の流れやすさ 19
   1.4.2 金属表面からの電子放出 22
   1.4.3 絶縁体のエネルギーバンド構造と電流の流れにくさ 25
   1.4.4 半導体とその電気的特徴 28
2. 半導体の導電メカニズム
 2.1 真性半導体と真性導電 33
 2.2 不純物半導体とその電気的性質 39
   2.2.1 n形半導体 39
   2.2.2 p形半導体 42
 2.3 半導体における導電の特徴 45
   2.3.1 不純物濃度と抵抗率 46
   2.3.2 半導体の電流を構成する2種類のメカニズム 50
   2.3.3 高電界による導電現象 54
   2.3.4 光照射による導電現象 56
   2.3.5 電子と正孔の再結合によるエネルギーの放出 56
   2.3.6 p形半導体とn形半導体の判別 57
3. 接触と接合
 3.1 表面を作る原子と表面層 60
 3.2 表面どうしの接触と接合 64
 3.3 金属どうしの接触 66
   3.3.1 同種金属間の接触 66
   3.3.2 異なる金属の接触 66
   3.3.3 絶縁皮膜を挟んだ異なる金属間の接触 69
 3.4 半導体と金属の接触 72
   3.4.1 n形半導体と金属の接触 72
   3.4.2 p形半導体と金属の接触 77
4. 半導体pn接合
 4.1 半導体材料 82
 4.2 p形半導体とn形半導体の接合方法 83
 4.3 pn接合の持つメカニズム 88
 4.4 pn接合による整流作用 93
 4.5 pn接合の電気的特徴 96
   4.5.1 pn接合の順方向特性 96
   4.5.2 pn接合の逆方向特性 97
 4.6 pn接合ダイオードのスイッチング過渡特性 102
 4.7 pn接合ダイオードの等価回路 103
 4.8 pn接合ダイオードの応用 105
5. pn接合部で生じる現象を応用した半導体デバイス
 5.1 空乏層の空間電荷容量を用いた可変容量ダイオード 106
 5.2 アバランシ現象やトンネル現象を用いた定電圧ダイオード 109
 5.3 トンネル現象とトンネルダイオード 112
 5.4 逆方向の特性を利用したバックワードダイオード 117
 5.5 光導電現象とホトダイオード 118
 5.6 真性半導体を用いたpinホトダイオード 121
 5.7 アバランシ現象を応用したアバランシホトダイオード 122
 5.8 ショットキー障壁を利用したショットキーホトダイオード 123
 5.9 光起電力効果を用いた太陽電池 125
 5.10 再結合過程を利用した発光ダイオード 127
6. pn接合ダイオードを中心としたマイクロ波用の半導体デバイス
 6.1 アバランシ現象と負性抵抗を応用したインパットダイオード 131
   6.1.1 基本原理と動作の仕組み 131
   6.1.2 pn接合インパットダイオード 135
 6.2 アバランシ効果を強制させるトラパットダイオード 137
 6.3 量子井戸とトンネル現象を用いたクイットダイオード 138
 6.4 ショットキー障壁を応用したバリットダイオード 139
 6.5 ガンダイオード 141
7. バイポーラトランジスタ
 7.1 バイポーラトランジスタの特徴 143
 7.2 バイポーラトランジスタのメカニズム 145
 7.3 バイポーラトランジスタの基本特性 150
   7.3.1 バイポーラトランジスタの三つの接続方法 150
   7.3.2 バイポーラトランジスタの基本動作 153
 7.4 バイポーラトランジスタの周波数特性 156
 7.5 バイポーラトランジスタのスイッチング特性 159
 7.6 光に反応するバイポーラトランジスタ(ホトトランジスタ) 163
8. 電力制御用pn接合デバイス
 8.1 サイリスタの概要 165
 8.2 サイリスタの原理 166
 8.3 サイリスタの分類 170
 8.4 サイリスタの構造 171
   8.4.1 逆阻止サイリスタ 171
   8.4.2 逆導通サイリスタ 174
   8.4.3 2方向サイリスタ 175
   8.4.4 ホトサイリスタ 176
   8.4.5 MOSサイリスタ 178
 8.5 サイリスタの応用回路 179
9. 電界効果デバイス
 9.1 MOS構造とその特徴 183
 9.2 MOS構造のエネルギーバンド 186
 9.3 MOS電界効果トランジスタ 188
 9.4 MOS電界効果トランジスタの種類 195
   9.4.1 オフセットゲート構造のMOS電界効果トランジスタ 196
   9.4.2 縦形V溝構造のMOS電界効果トランジスタ 196
 9.5 接合形電界効果トランジスタ 197
 9.6 接合形電界効果トランジスタの種類 201
   9.6.1 プレーナ形のpn接合ゲート電界効果トランジスタ 203
   9.6.2 V溝接合形電界効果トランジスタ 203
   9.6.3 静電誘導形トランジスタ 204
 9.7 金属-半導体形電界効果トランジスタ 205
10. 集積回路
 10.1 半導体集積回路の発達小史 207
 10.2 モノリシック集積回路の製作プロセス 211
 10.3 バイポーラ集積回路に用いられるデバイス素子 214
   10.3.1 バイポーラトランジスタ 214
   10.3.2 pn接合ダイオード 220
   10.3.3 コンデンサ 222
   10.3.4 抵抗 222
   10.3.5 インダクタンス 224
 10.4 バイポーラ集積回路におけるデバイス素子のアイソレーション 224
   10.4.1 pn接合によるアイソレーション 224
   10.4.2 アイソプレーナ法 226
   10.4.3 誘電体アイソレーション 227
 10.5 MOS集積回路
   10.5.1 p-MOSを用いたインバータ回路 231
   10.5.2 n-MOSを用いたインバータ回路 233
   10.5.3 C-MOSによるインバータ回路 234
 10.6 半導体集積回路の構成 235
   10.6.1 DTL 236
   10.6.2 TTL 239
   10.6.3 ショットキーTTL 240
   10.6.4 IIL 242
 10.7 ICメモリ 243
   10.7.1 RAM 245
   10.7.2 ROM 247
参考文献 252
索引 256
索引
1. 物質の導電メカニズム
 1.1 原子の構造と原子間に作用する力 1
 1.2 原子配列と電子のエネルギー 10
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