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1.

図書

図書
燦ミアキ, 大河啓監修
出版情報: 東京 : ナツメ社, 1998.10 , (東京 : ナツメ出版企画)  223p ; 19cm
シリーズ名: 図解雑学 : 絵と文章でわかりやすい!
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2.

図書

図書
[ed. by] David J. Lockwood
出版情報: San Diego : Academic Press, c1998  xiv, 351 p. ; 24 cm
シリーズ名: Semiconductors and semimetals ; vol. 49
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Light Emission in Silicon / D.J. Lockwood
Light Emission in Si/Ge Atomic Layer Structures / G. Abstreiter
Radiative Isoelectronic Impurities in Silicon and Silicon-Germanium Alloys and Superlattices / T.G. Brown ; D.G. Hall
Erbium in Silicon / J. Michel ; L.V.C. Assali ; M.T. Morse ; L.C. Kimerling
Silicon and Germanium Nanoparticles / Y. Kanemitsu
Porous Silicon: Photoluminescence and Electroluminescent Devices / P.M. Fauchet
Theory of the Radiative and Non Radiative Processes in Silicon Nanocrystallites / C. Delerue ; G. Allen ; M. Lannoo
Silicon Polymers and Nanocrystals / L. Brus
Light Emission in Silicon / D.J. Lockwood
Light Emission in Si/Ge Atomic Layer Structures / G. Abstreiter
Radiative Isoelectronic Impurities in Silicon and Silicon-Germanium Alloys and Superlattices / T.G. Brown ; D.G. Hall
3.

図書

図書
R. タートン著 ; 福山裕之, 山賀正人, 大坪一彦訳
出版情報: 東京 : シュプリンガー・フェアラーク東京, 1998.7  vi, 233p ; 21cm
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4.

図書

図書
吉田善一著
出版情報: 東京 : 裳華房, 1998.3  x, 234p ; 22cm
シリーズ名: 応用物理学選書 ; 8
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5.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
丹呉浩侑編
出版情報: 東京 : 培風館, 1998.11  vii, 325p ; 22cm
シリーズ名: 半導体工学シリーズ / 西澤潤一編 ; 9
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1 基本素子の動作機構と製作プロセス 1
   1.1 MOSトランジスタ 1
   1.2 CMOS,Bi-CMOS回路の構造と集積プロセス 10
   1.3 SOIおよび3次元デバイス 22
2 プロセスモジュールと製作プロセス 33
   2.1 MOSトランジスタ技術 33
   2.2 素子分離技術 39
   2.3 コンタクト技術 44
   2.4 多層配線技術 52
   2.5 メモリセル技術 65
3 リソグラフィ 76
   3.1 はじめに 76
   3.2 光リソグラフィ 79
   3.3 電子ビームリソグラフィ 100
   3.4 X線リソグラフィ 103
   3.5 リソグラフィの課題 105
   3.6 まとめと将来の動向 108
4 エッチング技術 109
   4.1 エッチング技術の基本概念 109
   4.2 ダウンフローエッチング技術 116
   4.3 RIEにおけるエッチング機構 120
   4.4 反応性イオンエッチングプロセス技術 125
   4.5 照射損傷 129
   4.6 エッチング技術の新しい開発手法 131
   4.7 まとめと将来の動向 135
5 絶縁膜技術 138
   5.1 はじめに 138
   5.2 絶縁膜形成技術 139
   5.3 立体(3次元)構造に対応する酸化膜 158
   5.4 絶縁膜技術の課題 160
   5.5 まとめと将来の動向 163
6 不純物導入技術 165
   6.1 はじめに 165
   6.2 不純物導入技術の基礎 166
   6.3 拡散の原理 166
   6.4 プロセス技術への応用 174
7 薄膜堆積技術 191
   7.1 はじめに 191
   7.2 薄膜材料と堆積方法の分類 191
   7.3 薄膜堆積の原理と実際 193
   7.4 薄膜の特性 215
   7.5 薄膜堆積技術の課題とまとめ 233
8 ウェーハ清浄化技術 237
   8.1 はじめに 237
   8.2 ウェーハ清浄化技術の基礎 237
   8.3 ウェーハ洗浄技術 242
   8.4 ゲッタリング技術 246
   8.5 ウェーハ表面汚染評価技術 254
9 結晶・ウェーハ技術 262
   9.1 はじめに 262
   9.2 シリコン単結晶成長技術 262
   9.3 エピタキシャルウェーハ技術 276
   9.4 結晶・ウェーハ技術の課題 281
   9.5 まとめと将来の動向 282
10 プロセスシミュレーション 284
   10.1 はじめに 284
   10.2 プロセスシミューレータ 285
   10.3 形状シミューレータ 295
   10.4 統合シミュレータ 297
   10.5 原子レベルシミュレータ 298
11 半導体プロセス評価技術 299
   11.1 はじめに 299
   11.2 半導体プロセスにおける評価技術 300
   11.3 顕微鏡による観察技術 300
   11.4 半導体プロセスで用いられる評価技術 310
   11.5 元素分析技術 314
   11.6 半導体製造工程固有の評価技術 317
   11.7 半導体プロセス評価技術の課題 318
索引 320
1 基本素子の動作機構と製作プロセス 1
   1.1 MOSトランジスタ 1
   1.2 CMOS,Bi-CMOS回路の構造と集積プロセス 10
6.

図書

図書
志村史夫著
出版情報: 東京 : 丸善, 1998.7  v, 164p ; 21cm
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