| 第1章薄膜形成用材料 |
| 1-1CVD用材料 1 |
| 1-2スパッタ用材料 3 |
| 1-3蒸着用材料 6 |
| 1-4薄膜微細パターン形成技術とその材料 11 |
| 第2章SiICデバイス |
| 2-1シリコンデバイスの発達 17 |
| 2-2シリコンデバイスと薄膜技術 20 |
| 2-3MOSデバイスプロセス 25 |
| 2-4次世代Si-VLSIに要求される薄膜技術 28 |
| 2-4-1極薄絶縁膜 31 |
| 2-4-2配線金属 34 |
| 2-4-3サリサイドプロセス 37 |
| 第3章GaAsICデバイス |
| 3-1基本素子構造と動作原理 42 |
| 3-1-1GaAsMESFET 42 |
| 3-1-2HEMT 45 |
| 3-1-3将来のデバイス 49 |
| 3-2GaAsIC製作のためのプロセス技術 50 |
| 3-2-1エピタキシャル成長技術 52 |
| 3-2-2耐熱ゲートセルフアラインプロセス 53 |
| 3-2-3イオン注入とアニール技術 54 |
| 3-2-4ショットキーゲート 56 |
| 3-3GaAsデバイスの応用 59 |
| 第4章光デバイス |
| 4-1発光素子 69 |
| 4-2光増幅器 76 |
| 4-3受光素子 76 |
| 4-4光機能回路素子 77 |
| 第5章センサデバイス |
| 5-1光センサ 83 |
| 5-2温度センサ 85 |
| 5-3圧力センサ 86 |
| 5-4磁気センサ 87 |
| 5-5ガスセンサ 88 |
| 5-6湿度センサ 89 |
| 第6章表示デバイス |
| 6-1液晶ディスプレイ(LCD) 93 |
| 6-1-1液晶ディスプレイの原理 93 |
| 6-1-2LCDの分類 93 |
| 6-2プラズマディスプレイ(PDP) 99 |
| 6-2-1PDPの原理 99 |
| 6-2-2PDPの特徴 99 |
| 6-2-3PDPの分類 100 |
| 6-2-4DC型PDPの動作原理と駆動方法 100 |
| 6-2-5AC型PDPの動作原理と駆動方法 107 |
| 6-2-6カラーPDP 110 |
| 6-3エレクトロルミネッセンス 112 |
| 6-3-1二重絶縁膜構造薄膜EL素子 113 |
| 6-3-2カラー化の検討 115 |
| 第7章入力と記録・記憶デバイス |
| 7-1入力デバイス 119 |
| 7-2磁気記憶デバイス 124 |
| 7-2-1光磁気メモリの記録原理 124 |
| 7-2-2光磁気メモリの特徴 126 |
| 7-2-3記録媒体(光磁気ディスク)の構造 126 |
| 7-2-4光磁気メモリの展望 129 |
| 7-3最近の記録デバイス 129 |
| 7-3-1サーマルヘッド 130 |
| 7-3-2LEDヘッド 135 |
| 7-3-3インクジェットヘッド 136 |
| 第8章エレクトロニクス部品 |
| 8-1エレクトロニクスと部品 139 |
| 8-2基板 140 |
| 8-3パッケージ 142 |
| 8-4光実装 145 |
| 8-5磁気シールド 148 |
| 第9章将来のデバイス |
| 9-1超電導デバイス 151 |
| 9-1-1超電導の歴史 151 |
| 9-1-2電子デバイス応用 153 |
| 9-1-3コンピュータ応用 155 |
| 9-1-4計測器応用 155 |
| 9-1-5将来展望 158 |
| 9-2バイオエレクトロニクス 158 |
| 9-2-1バイオエレクトロニクスの範囲 158 |
| 9-2-2バイオセンサ 158 |
| 9-2-3分子素子バイオ素子 160 |
| 9-2-4LB膜 163 |
| 9-2-5バイオコンピュータの開発 163 |
| 索引 166 |
