1 基本素子の動作機構と製作プロセス 1 |
1.1 MOSトランジスタ 1 |
1.2 CMOS,Bi-CMOS回路の構造と集積プロセス 10 |
1.3 SOIおよび3次元デバイス 22 |
2 プロセスモジュールと製作プロセス 33 |
2.1 MOSトランジスタ技術 33 |
2.2 素子分離技術 39 |
2.3 コンタクト技術 44 |
2.4 多層配線技術 52 |
2.5 メモリセル技術 65 |
3 リソグラフィ 76 |
3.1 はじめに 76 |
3.2 光リソグラフィ 79 |
3.3 電子ビームリソグラフィ 100 |
3.4 X線リソグラフィ 103 |
3.5 リソグラフィの課題 105 |
3.6 まとめと将来の動向 108 |
4 エッチング技術 109 |
4.1 エッチング技術の基本概念 109 |
4.2 ダウンフローエッチング技術 116 |
4.3 RIEにおけるエッチング機構 120 |
4.4 反応性イオンエッチングプロセス技術 125 |
4.5 照射損傷 129 |
4.6 エッチング技術の新しい開発手法 131 |
4.7 まとめと将来の動向 135 |
5 絶縁膜技術 138 |
5.1 はじめに 138 |
5.2 絶縁膜形成技術 139 |
5.3 立体(3次元)構造に対応する酸化膜 158 |
5.4 絶縁膜技術の課題 160 |
5.5 まとめと将来の動向 163 |
6 不純物導入技術 165 |
6.1 はじめに 165 |
6.2 不純物導入技術の基礎 166 |
6.3 拡散の原理 166 |
6.4 プロセス技術への応用 174 |
7 薄膜堆積技術 191 |
7.1 はじめに 191 |
7.2 薄膜材料と堆積方法の分類 191 |
7.3 薄膜堆積の原理と実際 193 |
7.4 薄膜の特性 215 |
7.5 薄膜堆積技術の課題とまとめ 233 |
8 ウェーハ清浄化技術 237 |
8.1 はじめに 237 |
8.2 ウェーハ清浄化技術の基礎 237 |
8.3 ウェーハ洗浄技術 242 |
8.4 ゲッタリング技術 246 |
8.5 ウェーハ表面汚染評価技術 254 |
9 結晶・ウェーハ技術 262 |
9.1 はじめに 262 |
9.2 シリコン単結晶成長技術 262 |
9.3 エピタキシャルウェーハ技術 276 |
9.4 結晶・ウェーハ技術の課題 281 |
9.5 まとめと将来の動向 282 |
10 プロセスシミュレーション 284 |
10.1 はじめに 284 |
10.2 プロセスシミューレータ 285 |
10.3 形状シミューレータ 295 |
10.4 統合シミュレータ 297 |
10.5 原子レベルシミュレータ 298 |
11 半導体プロセス評価技術 299 |
11.1 はじめに 299 |
11.2 半導体プロセスにおける評価技術 300 |
11.3 顕微鏡による観察技術 300 |
11.4 半導体プロセスで用いられる評価技術 310 |
11.5 元素分析技術 314 |
11.6 半導体製造工程固有の評価技術 317 |
11.7 半導体プロセス評価技術の課題 318 |
索引 320 |
1 基本素子の動作機構と製作プロセス 1 |
1.1 MOSトランジスタ 1 |
1.2 CMOS,Bi-CMOS回路の構造と集積プロセス 10 |
1.3 SOIおよび3次元デバイス 22 |
2 プロセスモジュールと製作プロセス 33 |
2.1 MOSトランジスタ技術 33 |