| 1 基本素子の動作機構と製作プロセス 1 |
| 1.1 MOSトランジスタ 1 |
| 1.2 CMOS，Bi－CMOS回路の構造と集積プロセス 10 |
| 1.3 SOIおよび3次元デバイス 22 |
| 2 プロセスモジュールと製作プロセス 33 |
| 2.1 MOSトランジスタ技術 33 |
| 2.2 素子分離技術 39 |
| 2.3 コンタクト技術 44 |
| 2.4 多層配線技術 52 |
| 2.5 メモリセル技術 65 |
| 3 リソグラフィ 76 |
| 3.1 はじめに 76 |
| 3.2 光リソグラフィ 79 |
| 3.3 電子ビームリソグラフィ 100 |
| 3.4 X線リソグラフィ 103 |
| 3.5 リソグラフィの課題 105 |
| 3.6 まとめと将来の動向 108 |
| 4 エッチング技術 109 |
| 4.1 エッチング技術の基本概念 109 |
| 4.2 ダウンフローエッチング技術 116 |
| 4.3 RIEにおけるエッチング機構 120 |
| 4.4 反応性イオンエッチングプロセス技術 125 |
| 4.5 照射損傷 129 |
| 4.6 エッチング技術の新しい開発手法 131 |
| 4.7 まとめと将来の動向 135 |
| 5 絶縁膜技術 138 |
| 5.1 はじめに 138 |
| 5.2 絶縁膜形成技術 139 |
| 5.3 立体（3次元）構造に対応する酸化膜 158 |
| 5.4 絶縁膜技術の課題 160 |
| 5.5 まとめと将来の動向 163 |
| 6 不純物導入技術 165 |
| 6.1 はじめに 165 |
| 6.2 不純物導入技術の基礎 166 |
| 6.3 拡散の原理 166 |
| 6.4 プロセス技術への応用 174 |
| 7 薄膜堆積技術 191 |
| 7.1 はじめに 191 |
| 7.2 薄膜材料と堆積方法の分類 191 |
| 7.3 薄膜堆積の原理と実際 193 |
| 7.4 薄膜の特性 215 |
| 7.5 薄膜堆積技術の課題とまとめ 233 |
| 8 ウェーハ清浄化技術 237 |
| 8.1 はじめに 237 |
| 8.2 ウェーハ清浄化技術の基礎 237 |
| 8.3 ウェーハ洗浄技術 242 |
| 8.4 ゲッタリング技術 246 |
| 8.5 ウェーハ表面汚染評価技術 254 |
| 9 結晶・ウェーハ技術 262 |
| 9.1 はじめに 262 |
| 9.2 シリコン単結晶成長技術 262 |
| 9.3 エピタキシャルウェーハ技術 276 |
| 9.4 結晶・ウェーハ技術の課題 281 |
| 9.5 まとめと将来の動向 282 |
| 10 プロセスシミュレーション 284 |
| 10.1 はじめに 284 |
| 10.2 プロセスシミューレータ 285 |
| 10.3 形状シミューレータ 295 |
| 10.4 統合シミュレータ 297 |
| 10.5 原子レベルシミュレータ 298 |
| 11 半導体プロセス評価技術 299 |
| 11.1 はじめに 299 |
| 11.2 半導体プロセスにおける評価技術 300 |
| 11.3 顕微鏡による観察技術 300 |
| 11.4 半導体プロセスで用いられる評価技術 310 |
| 11.5 元素分析技術 314 |
| 11.6 半導体製造工程固有の評価技術 317 |
| 11.7 半導体プロセス評価技術の課題 318 |
| 索引 320 |
| 1 基本素子の動作機構と製作プロセス 1 |
| 1.1 MOSトランジスタ 1 |
| 1.2 CMOS，Bi－CMOS回路の構造と集積プロセス 10 |
図書
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