1.
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図書
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干川圭吾編著
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2.
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図書
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白川二 [ほか] 著
出版情報: |
東京 : 大日本図書, 1994.6 iv, 190p ; 22cm |
シリーズ名: |
新産業化学シリーズ / 日本化学会編 |
子書誌情報: |
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3.
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図書
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平木昭夫, 成沢忠共著
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4.
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図書
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日本化学会編
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5.
|
図書
東工大 目次DB
|
玉井輝雄著
出版情報: |
東京 : コロナ社, 1995.8 vii, 259p ; 22cm |
子書誌情報: |
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1. 物質の導電メカニズム |
1.1 原子の構造と原子間に作用する力 1 |
1.2 原子配列と電子のエネルギー 10 |
1.3 結晶内電子のエネルギー 14 |
1.4 電気を伝える物質と伝えない物質 18 |
1.4.1 導体のエネルギーバンド構造と電流の流れやすさ 19 |
1.4.2 金属表面からの電子放出 22 |
1.4.3 絶縁体のエネルギーバンド構造と電流の流れにくさ 25 |
1.4.4 半導体とその電気的特徴 28 |
2. 半導体の導電メカニズム |
2.1 真性半導体と真性導電 33 |
2.2 不純物半導体とその電気的性質 39 |
2.2.1 n形半導体 39 |
2.2.2 p形半導体 42 |
2.3 半導体における導電の特徴 45 |
2.3.1 不純物濃度と抵抗率 46 |
2.3.2 半導体の電流を構成する2種類のメカニズム 50 |
2.3.3 高電界による導電現象 54 |
2.3.4 光照射による導電現象 56 |
2.3.5 電子と正孔の再結合によるエネルギーの放出 56 |
2.3.6 p形半導体とn形半導体の判別 57 |
3. 接触と接合 |
3.1 表面を作る原子と表面層 60 |
3.2 表面どうしの接触と接合 64 |
3.3 金属どうしの接触 66 |
3.3.1 同種金属間の接触 66 |
3.3.2 異なる金属の接触 66 |
3.3.3 絶縁皮膜を挟んだ異なる金属間の接触 69 |
3.4 半導体と金属の接触 72 |
3.4.1 n形半導体と金属の接触 72 |
3.4.2 p形半導体と金属の接触 77 |
4. 半導体pn接合 |
4.1 半導体材料 82 |
4.2 p形半導体とn形半導体の接合方法 83 |
4.3 pn接合の持つメカニズム 88 |
4.4 pn接合による整流作用 93 |
4.5 pn接合の電気的特徴 96 |
4.5.1 pn接合の順方向特性 96 |
4.5.2 pn接合の逆方向特性 97 |
4.6 pn接合ダイオードのスイッチング過渡特性 102 |
4.7 pn接合ダイオードの等価回路 103 |
4.8 pn接合ダイオードの応用 105 |
5. pn接合部で生じる現象を応用した半導体デバイス |
5.1 空乏層の空間電荷容量を用いた可変容量ダイオード 106 |
5.2 アバランシ現象やトンネル現象を用いた定電圧ダイオード 109 |
5.3 トンネル現象とトンネルダイオード 112 |
5.4 逆方向の特性を利用したバックワードダイオード 117 |
5.5 光導電現象とホトダイオード 118 |
5.6 真性半導体を用いたpinホトダイオード 121 |
5.7 アバランシ現象を応用したアバランシホトダイオード 122 |
5.8 ショットキー障壁を利用したショットキーホトダイオード 123 |
5.9 光起電力効果を用いた太陽電池 125 |
5.10 再結合過程を利用した発光ダイオード 127 |
6. pn接合ダイオードを中心としたマイクロ波用の半導体デバイス |
6.1 アバランシ現象と負性抵抗を応用したインパットダイオード 131 |
6.1.1 基本原理と動作の仕組み 131 |
6.1.2 pn接合インパットダイオード 135 |
6.2 アバランシ効果を強制させるトラパットダイオード 137 |
6.3 量子井戸とトンネル現象を用いたクイットダイオード 138 |
6.4 ショットキー障壁を応用したバリットダイオード 139 |
6.5 ガンダイオード 141 |
7. バイポーラトランジスタ |
7.1 バイポーラトランジスタの特徴 143 |
7.2 バイポーラトランジスタのメカニズム 145 |
7.3 バイポーラトランジスタの基本特性 150 |
7.3.1 バイポーラトランジスタの三つの接続方法 150 |
7.3.2 バイポーラトランジスタの基本動作 153 |
7.4 バイポーラトランジスタの周波数特性 156 |
7.5 バイポーラトランジスタのスイッチング特性 159 |
7.6 光に反応するバイポーラトランジスタ(ホトトランジスタ) 163 |
8. 電力制御用pn接合デバイス |
8.1 サイリスタの概要 165 |
8.2 サイリスタの原理 166 |
8.3 サイリスタの分類 170 |
8.4 サイリスタの構造 171 |
8.4.1 逆阻止サイリスタ 171 |
8.4.2 逆導通サイリスタ 174 |
8.4.3 2方向サイリスタ 175 |
8.4.4 ホトサイリスタ 176 |
8.4.5 MOSサイリスタ 178 |
8.5 サイリスタの応用回路 179 |
9. 電界効果デバイス |
9.1 MOS構造とその特徴 183 |
9.2 MOS構造のエネルギーバンド 186 |
9.3 MOS電界効果トランジスタ 188 |
9.4 MOS電界効果トランジスタの種類 195 |
9.4.1 オフセットゲート構造のMOS電界効果トランジスタ 196 |
9.4.2 縦形V溝構造のMOS電界効果トランジスタ 196 |
9.5 接合形電界効果トランジスタ 197 |
9.6 接合形電界効果トランジスタの種類 201 |
9.6.1 プレーナ形のpn接合ゲート電界効果トランジスタ 203 |
9.6.2 V溝接合形電界効果トランジスタ 203 |
9.6.3 静電誘導形トランジスタ 204 |
9.7 金属-半導体形電界効果トランジスタ 205 |
10. 集積回路 |
10.1 半導体集積回路の発達小史 207 |
10.2 モノリシック集積回路の製作プロセス 211 |
10.3 バイポーラ集積回路に用いられるデバイス素子 214 |
10.3.1 バイポーラトランジスタ 214 |
10.3.2 pn接合ダイオード 220 |
10.3.3 コンデンサ 222 |
10.3.4 抵抗 222 |
10.3.5 インダクタンス 224 |
10.4 バイポーラ集積回路におけるデバイス素子のアイソレーション 224 |
10.4.1 pn接合によるアイソレーション 224 |
10.4.2 アイソプレーナ法 226 |
10.4.3 誘電体アイソレーション 227 |
10.5 MOS集積回路 |
10.5.1 p-MOSを用いたインバータ回路 231 |
10.5.2 n-MOSを用いたインバータ回路 233 |
10.5.3 C-MOSによるインバータ回路 234 |
10.6 半導体集積回路の構成 235 |
10.6.1 DTL 236 |
10.6.2 TTL 239 |
10.6.3 ショットキーTTL 240 |
10.6.4 IIL 242 |
10.7 ICメモリ 243 |
10.7.1 RAM 245 |
10.7.2 ROM 247 |
参考文献 252 |
索引 256 |
索引 |
1. 物質の導電メカニズム |
1.1 原子の構造と原子間に作用する力 1 |
1.2 原子配列と電子のエネルギー 10 |
|
6.
|
図書
|
Andrew S.Grove著 ; 杉渕清 [ほか] 共訳
出版情報: |
東京 : オーム社, 1995.6 xxii, 411p ; 21cm |
子書誌情報: |
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7.
|
図書
|
菅野卓雄執筆
|
8.
|
図書
|
坂野進[ほか]編集
出版情報: |
東京 : 日本規格協会, 1994.10 366p ; 21cm |
シリーズ名: |
品質工学応用講座 |
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9.
|
図書
|
澤木宣彦著
出版情報: |
東京 : 培風館, 1995.1 x, 227p ; 22cm |
シリーズ名: |
電子・情報工学講座 ; 9 |
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|
10.
|
図書
|
岩松誠一著
出版情報: |
東京 : 工業調査会, 1992.1 162p ; 19cm |
シリーズ名: |
K books ; 92 |
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11.
|
図書
|
生駒英明, 生駒俊明共著
出版情報: |
東京 : 培風館, 1995.4 v, 215p ; 22cm |
子書誌情報: |
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|
12.
|
図書
|
奥下博昭, 川崎仁士, 野口宗昭編著
出版情報: |
東京 : CQ出版, 1995- 冊 ; 15×21cm |
シリーズ名: |
半導体規格表シリーズ ; No.6 |
子書誌情報: |
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13.
|
図書
|
職業能力開発教材委員会編著
出版情報: |
大阪 : 松下電器工科短期大学校, 1990.3-1993.1 3冊 ; 22cm |
シリーズ名: |
半導体基礎講座 ; 1-3 |
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14.
|
図書
|
小島高人編著
出版情報: |
東京 : CQ出版社, 1990.6- 冊 ; 15×21cm |
シリーズ名: |
半導体規格表シリーズ ; No.5 |
子書誌情報: |
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15.
|
図書
|
ニューケラスシリーズ編集委員会編
|
16.
|
図書
|
山口次郎[ほか]共編
出版情報: |
東京 : オーム社, 1990.3 iv,264p ; 22cm |
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17.
|
図書
|
和田隆夫, 市村正也著
出版情報: |
東京 : 朝倉書店, 1990.4 viii, 236p ; 22cm |
子書誌情報: |
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18.
|
図書
|
前田和夫著
出版情報: |
東京 : 工業調査会, 1990.6 xv, 607p ; 22cm |
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19.
|
図書
|
丹羽一夫編著
出版情報: |
東京 : CQ出版社, 1990- 冊 ; 15×21cm |
シリーズ名: |
半導体規格表シリーズ ; No.7 |
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|
20.
|
図書
|
畑田賢造著
出版情報: |
東京 : 工業調査会, 1990.1 313p ; 22cm |
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21.
|
図書
|
井垣謙三編
|
22.
|
図書
東工大 目次DB
|
古川静二郎, 荻田陽一郎, 浅野種正共著
目次情報:
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1章 電子と結晶 1 |
1.1 価電子と結晶 1 |
1.2 結晶と結合形式 4 |
1.3 結晶の単位胞と方位 6 |
演習問題 7 |
2章 エネルギー帯と自由電子 8 |
2.1 エネルギー準位 8 |
2.2 エネルギー帯の形成 8 |
2.3 半導体・金属・絶縁物のエネルギー帯構造の違い 12 |
演習問題 13 |
3章 半導体のキャリヤ 14 |
3.1 真性半導体のキャリヤ 14 |
3.2 外因性半導体のキャリヤ 15 |
(1) n形半導体のキャリヤ 15 |
(2) p形半導体のキャリヤ 17 |
3.3 キャリヤ生成機構 18 |
演習問題 19 |
4章 キャリヤ密度とフェルミ準位 20 |
4.1 キャリヤ密度 20 |
4.2 真性キャリヤ密度 23 |
4.3 真性フェルミ準位 24 |
4.4 多数キャリヤと少数キャリヤ 24 |
4.5 外因性半導体のキャリヤ密度とフェルミ準位 25 |
演習問題 27 |
5章 半導体の電気伝導 28 |
5.1 ドリフト電流 28 |
5.2 半導体におけるオームの法則 31 |
5.3 拡散電流 33 |
5.4 キャリヤ連続の式 36 |
演習問題 39 |
6章 pn接合とダイオード 40 |
6.1 pn接合 40 |
6.2 pn接合ダイオード 42 |
6.3 pn接合ダイオードの電流の大きさ 44 |
6.4 ダイオードの実際構造 47 |
演習問題 49 |
7章 ダイオードの接合容量 50 |
7.1 接合容量 50 |
7.2 空乏層容量 50 |
7.3 拡散容量 54 |
演習問題 56 |
8章 バイポーラトランジスタ 58 |
8.1 バイポーラトランジスタの位置づけ 58 |
8.2 バイポーラトランジスタの動作原理 59 |
8.3 I BによるI Cの制御 61 |
8.4 電流増幅率 62 |
8.5 電流増幅率の決定因子 63 |
8.6 接地形式と増幅利得 65 |
(1) エミッタ接地 65 |
(2) ベース接地 66 |
(3) コレクタ接地 66 |
8.7 特性と実際動作 66 |
(1) 実際構造 66 |
(2) スイッチング 67 |
(3) 静特性 68 |
演習問題 69 |
9章 接合形FET 71 |
9.1 接合形FETの位置づけ 71 |
9.2 動作原理 72 |
9.3 動作特性と実際 73 |
(1) 動作特性 73 |
(2) デバイスの実際 76 |
演習問題 77 |
10章 金属-半導体接触 78 |
10.1 ショットキー障壁 78 |
10.2 ショットキーバリヤダイオード 79 |
10.3 オーミック接触 82 |
演習問題 84 |
11章 MIS FET 85 |
11.1 MOS FETの位置づけ 85 |
11.2 MIS構造ゲートの動作 85 |
(1) 蓄積, V G<0 86 |
(2) 空乏, V G>0 87 |
(3) 反転, V G ≫0 87 |
11.3 反転状態の解析 87 |
11.4 MIS FETの動作原理と特性 90 |
(1) 動作原理 90 |
(2) 動作特性 91 |
11.5 MOS FETの実際と特性 93 |
(1) 実際構造 93 |
(2) エンハンスメント形とデプレッション形 94 |
(3) 回路記号 94 |
(4) 特性解析 96 |
(5) 相互コンダクタンス 98 |
11.6 MOSキャパシタ 98 |
11.7 フラットバンド電圧 101 |
演習問題 102 |
12章 集積回路 104 |
12.1 ICの回路構成法 104 |
12.2 IC構造の構成と実際 106 |
12.3 バイポーラIC 108 |
12.4 MOSデジタルIC 109 |
(1) n-MOS論理回路 110 |
(2) C-MOS論理回路 110 |
12.5 ICメモリ 111 |
(1) ICメモリの位置づけ 111 |
(2) RAM 113 |
(3) ROM 115 |
演習問題 116 |
13章 光電素子 117 |
13.1 光の量子化-光子 117 |
13.2 光導電効果 119 |
13.3 光起電力効果 121 |
(1) 太陽電池 121 |
(2) ホトダイオード 123 |
13.4 半導体の発光現象 125 |
13.5 発光デバイス 125 |
(1) 発光ダイオード 125 |
(2) 半導体レーザダイオード 127 |
演習問題 129 |
演習問題解答 130 |
付表 137 |
付表1 原子の電子配置 137 |
付表2 物理定数 139 |
付表3 元素の周期律表 140 |
参考文献 142 |
さくいん 143 |
1章 電子と結晶 1 |
1.1 価電子と結晶 1 |
1.2 結晶と結合形式 4 |
|
23.
|
図書
|
菊池誠著
出版情報: |
東京 : 中央公論社, 1992.1 221p ; 18cm |
シリーズ名: |
中公新書 ; 1055 |
子書誌情報: |
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所蔵情報: |
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|
24.
|
図書
|
谷口研二[ほか]執筆
出版情報: |
東京 : リアライズ社, 1990.3 487p ; 27cm |
子書誌情報: |
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所蔵情報: |
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|
25.
|
図書
東工大 目次DB
|
二瓶公志, 柴田進著
目次情報:
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第1章薄膜形成用材料 |
1-1CVD用材料 1 |
1-2スパッタ用材料 3 |
1-3蒸着用材料 6 |
1-4薄膜微細パターン形成技術とその材料 11 |
第2章SiICデバイス |
2-1シリコンデバイスの発達 17 |
2-2シリコンデバイスと薄膜技術 20 |
2-3MOSデバイスプロセス 25 |
2-4次世代Si-VLSIに要求される薄膜技術 28 |
2-4-1極薄絶縁膜 31 |
2-4-2配線金属 34 |
2-4-3サリサイドプロセス 37 |
第3章GaAsICデバイス |
3-1基本素子構造と動作原理 42 |
3-1-1GaAsMESFET 42 |
3-1-2HEMT 45 |
3-1-3将来のデバイス 49 |
3-2GaAsIC製作のためのプロセス技術 50 |
3-2-1エピタキシャル成長技術 52 |
3-2-2耐熱ゲートセルフアラインプロセス 53 |
3-2-3イオン注入とアニール技術 54 |
3-2-4ショットキーゲート 56 |
3-3GaAsデバイスの応用 59 |
第4章光デバイス |
4-1発光素子 69 |
4-2光増幅器 76 |
4-3受光素子 76 |
4-4光機能回路素子 77 |
第5章センサデバイス |
5-1光センサ 83 |
5-2温度センサ 85 |
5-3圧力センサ 86 |
5-4磁気センサ 87 |
5-5ガスセンサ 88 |
5-6湿度センサ 89 |
第6章表示デバイス |
6-1液晶ディスプレイ(LCD) 93 |
6-1-1液晶ディスプレイの原理 93 |
6-1-2LCDの分類 93 |
6-2プラズマディスプレイ(PDP) 99 |
6-2-1PDPの原理 99 |
6-2-2PDPの特徴 99 |
6-2-3PDPの分類 100 |
6-2-4DC型PDPの動作原理と駆動方法 100 |
6-2-5AC型PDPの動作原理と駆動方法 107 |
6-2-6カラーPDP 110 |
6-3エレクトロルミネッセンス 112 |
6-3-1二重絶縁膜構造薄膜EL素子 113 |
6-3-2カラー化の検討 115 |
第7章入力と記録・記憶デバイス |
7-1入力デバイス 119 |
7-2磁気記憶デバイス 124 |
7-2-1光磁気メモリの記録原理 124 |
7-2-2光磁気メモリの特徴 126 |
7-2-3記録媒体(光磁気ディスク)の構造 126 |
7-2-4光磁気メモリの展望 129 |
7-3最近の記録デバイス 129 |
7-3-1サーマルヘッド 130 |
7-3-2LEDヘッド 135 |
7-3-3インクジェットヘッド 136 |
第8章エレクトロニクス部品 |
8-1エレクトロニクスと部品 139 |
8-2基板 140 |
8-3パッケージ 142 |
8-4光実装 145 |
8-5磁気シールド 148 |
第9章将来のデバイス |
9-1超電導デバイス 151 |
9-1-1超電導の歴史 151 |
9-1-2電子デバイス応用 153 |
9-1-3コンピュータ応用 155 |
9-1-4計測器応用 155 |
9-1-5将来展望 158 |
9-2バイオエレクトロニクス 158 |
9-2-1バイオエレクトロニクスの範囲 158 |
9-2-2バイオセンサ 158 |
9-2-3分子素子バイオ素子 160 |
9-2-4LB膜 163 |
9-2-5バイオコンピュータの開発 163 |
索引 166 |
第1章薄膜形成用材料 |
1-1CVD用材料 1 |
1-2スパッタ用材料 3 |
|
26.
|
図書
|
中村哲郎校閲 ; 根本邦治, 岩木龍一, 大山英典共著
出版情報: |
東京 : 森北出版, 1991.4 x, 216p ; 22cm |
子書誌情報: |
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所蔵情報: |
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|
27.
|
図書
|
相田洋著
出版情報: |
東京 : 日本放送出版協会, 1991.8-1992.5 4冊 ; 20cm |
子書誌情報: |
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所蔵情報: |
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|
28.
|
図書
|
富士総合研究所編
出版情報: |
東京 : 丸善, 1991.8 x, 368p ; 22cm |
子書誌情報: |
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所蔵情報: |
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|
29.
|
図書
|
Ben G.Streetman[著] ; 菊池誠監訳 ; 飯田昌盛, 御子柴宣夫訳
|
30.
|
図書
|
Ben G. Streetman[著] ; 菊池誠監訳 ; 大越正敏, 貝田翔二, 中下俊夫訳
|
31.
|
図書
|
Ben G.Streetman[著] ; 菊池誠監訳 ; 大串秀世, 黒須楯生, 松本和彦訳
|
32.
|
図書
|
泉弘志著
出版情報: |
東京 : 誠文堂新光社, 1991.10 167p ; 21cm |
シリーズ名: |
入門エレクトロニクス ; 10 |
子書誌情報: |
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所蔵情報: |
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|
33.
|
図書
|
M. Jaros[著] ; 岩見基弘, 川本聡訳
出版情報: |
東京 : 日刊工業新聞社, 1992.11 iv,271p ; 21cm |
子書誌情報: |
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所蔵情報: |
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34.
|
図書
|
河東田隆著
出版情報: |
東京 : 培風館, 1993.1 viii, 228p ; 22cm |
シリーズ名: |
電子・情報工学講座 ; 12 |
子書誌情報: |
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所蔵情報: |
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|
35.
|
図書
|
安永均, 岡本孝太郎, 森崎弘共著
出版情報: |
東京 : 近代科学社, 1991.1 ix, 269p ; 22cm |
シリーズ名: |
電子・情報基礎シリーズ ; 2 |
子書誌情報: |
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所蔵情報: |
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36.
|
図書
|
西尾功編集発行
出版情報: |
東京 : 産業タイムズ社, 1999.6- 冊 ; 28cm |
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37.
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図書
|
中嶋堅志郎編著
出版情報: |
東京 : オーム社, 1999.12 vi, 135p ; 21cm |
シリーズ名: |
インターユニバーシティ |
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38.
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図書
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電子情報通信学会編
出版情報: |
東京 : 電子情報通信学会 , 東京 : コロナ社 (取次販売所), 1999.12 x, 316p, 図版2枚 ; 22cm |
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39.
|
図書
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臼田昭司, 奥田昌宏著
出版情報: |
東京 : 森北出版, 1999.12 vi, 108p ; 22cm |
子書誌情報: |
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40.
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図書
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中原紀著
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41.
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図書
|
三輪晴治著
出版情報: |
東京 : 工業調査会, 1999.4 282p ; 20cm |
子書誌情報: |
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42.
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図書
|
川西剛著
出版情報: |
東京 : 工業調査会, 1999.4 220p ; 18cm |
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43.
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図書
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[ed. by] David J. Lockwood
目次情報:
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Light Emission in Silicon / D.J. Lockwood |
Light Emission in Si/Ge Atomic Layer Structures / G. Abstreiter |
Radiative Isoelectronic Impurities in Silicon and Silicon-Germanium Alloys and Superlattices / T.G. Brown ; D.G. Hall |
Erbium in Silicon / J. Michel ; L.V.C. Assali ; M.T. Morse ; L.C. Kimerling |
Silicon and Germanium Nanoparticles / Y. Kanemitsu |
Porous Silicon: Photoluminescence and Electroluminescent Devices / P.M. Fauchet |
Theory of the Radiative and Non Radiative Processes in Silicon Nanocrystallites / C. Delerue ; G. Allen ; M. Lannoo |
Silicon Polymers and Nanocrystals / L. Brus |
Light Emission in Silicon / D.J. Lockwood |
Light Emission in Si/Ge Atomic Layer Structures / G. Abstreiter |
Radiative Isoelectronic Impurities in Silicon and Silicon-Germanium Alloys and Superlattices / T.G. Brown ; D.G. Hall |
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44.
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図書
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燦ミアキ, 大河啓監修
出版情報: |
東京 : ナツメ社, 1998.10 , (東京 : ナツメ出版企画) 223p ; 19cm |
シリーズ名: |
図解雑学 : 絵と文章でわかりやすい! |
子書誌情報: |
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所蔵情報: |
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45.
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図書
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大野英男編著
出版情報: |
東京 : コロナ社, 1999.2 ix, 265p ; 22cm |
子書誌情報: |
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46.
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図書
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電気学会高性能高機能パワーデバイス・パワーIC調査専門委員会編
出版情報: |
東京 : コロナ社, 1996.7 xi, 482p ; 27cm |
子書誌情報: |
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所蔵情報: |
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47.
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図書
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日本半導体製造装置協会編
出版情報: |
東京 : 日刊工業新聞社, 1996.11 xi, 258p ; 19cm |
子書誌情報: |
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所蔵情報: |
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48.
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図書
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曽根純一編
出版情報: |
東京 : 丸善, 1996.3 xi, 228p ; 22cm |
シリーズ名: |
シリーズ物性物理の新展開 |
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所蔵情報: |
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49.
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図書
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大塚寛治, 宇佐美保著
出版情報: |
[東京] : 日経BP社 , 東京 : 日経BP出版センター (発売), 1997.1 v, 406p ; 25cm |
子書誌情報: |
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所蔵情報: |
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50.
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図書
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日本電子機械工業会編集
出版情報: |
東京 : 日本電子機械工業会, 1991.5- 冊 ; 28cm |
子書誌情報: |
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所蔵情報: |
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目次情報:
2000年版(第8版): 情報化時代を拓くIC技術・産業の全貌 / 伏木薫, 日経BP企画編集・制作 |
2003年版(第9版): 時代の先端を拓く半導体技術・産業の全貌 / 日経BP企画編集・制作 |
2006年版(第10版):生活を豊かに、社会を支える半導体 / 日経BP企画編集・制作 |
2000年版(第8版): 情報化時代を拓くIC技術・産業の全貌 / 伏木薫, 日経BP企画編集・制作 |
2003年版(第9版): 時代の先端を拓く半導体技術・産業の全貌 / 日経BP企画編集・制作 |
2006年版(第10版):生活を豊かに、社会を支える半導体 / 日経BP企画編集・制作 |
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51.
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図書
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西澤潤一, 大内淳義共編
出版情報: |
東京 : 工業調査会, 1993.3 397p ; 22cm |
子書誌情報: |
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所蔵情報: |
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52.
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図書
|
梅野正義編著
出版情報: |
東京 : オーム社, 1997.10 vii,128p ; 21cm |
シリーズ名: |
インターユニバーシティ |
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所蔵情報: |
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53.
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図書
|
岸野正剛著
出版情報: |
東京 : オーム社, 1995.2 viii, 254p ; 21cm |
子書誌情報: |
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所蔵情報: |
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54.
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図書
|
麻蒔立男著
出版情報: |
東京 : 日刊工業新聞社, 1993.3 2, viii, 261, ivp ; 21cm |
子書誌情報: |
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所蔵情報: |
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55.
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図書
|
春木弘編著
出版情報: |
東京 : オーム社, 1999.2 xii, 202p ; 21cm |
シリーズ名: |
アルテ21 |
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所蔵情報: |
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56.
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図書
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村田好正, 尾関雅志, 野崎眞次共編
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57.
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図書
東工大 目次DB
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大見忠弘著
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0.序の章 1 |
0.1 半導体技術の進展 1 |
0.2 半導体表面の電子化学 4 |
0.2.1 水素原子模型と分子結合 6 |
0.2.2 Si表面吸着分子の挙動:SiH4系分子を例として 10 |
0.2.3 電気陰性度とエネルギ準位~終端原子による表面電子状態の変化 16 |
0.2.4 酸化還元電位とエネルギ準位-Si表面の自然酸化膜形成と水溶液による金属汚染洗浄 29 |
1.4端子デバイスエレクトロニクス 37 |
1.1 コンピュータのハードウェアに知的な機能を持たせる 38 |
1.1.1 人間VSスーパーコンピュータ 38 |
1.1.2 ニューハードウェア 40 |
1.2 4端子デバイスのコンセプト 40 |
1.2.1 4端子デバイスとは 40 |
1.2.2 3端子デバイスVS4端子デバイス 42 |
1.2.3 3端子デバイスと真空エレクトロニクスの発展 43 |
1.2.4 半導体エレクトロニクス、そして集積回路へ 45 |
1.2.5 ニューロンMOSトランジスタ 47 |
1.3 4端子デバイスで実現する"しなやかな”情報処理電子回路 49 |
1.3.1 やわらかいハードウェア論理回路(flexware) 49 |
1.3.2 ウィナーテークオール回路と連想メモリ 52 |
1.3.3 低消費電力・自己学習機能装備のvMOSニューラルネットワーク 55 |
1.3.4 人工知能システム実現への道 56 |
1.4 アンチヒューズ技術とフレキシブル電子システム 57 |
1.4.1 効率の良いLSI開発を可能にするしなやかなハードウェア 57 |
1.4.2 設計回路を瞬時にLSI化できるアンチヒューズ技術 57 |
1.4.3 LSIの新しい可能性を拓くフレキシブル電子システム 60 |
1.5 知的電子システムが要求する超高精度プロセス技術 61 |
1.6 21世紀への課題 64 |
2.高精度トータル低温化プロセス 67 |
2.1 低エネルギイオン照射プロセス 68 |
2.1.1 プラズマプロセス技術の現状と開発の方向 68 |
2.1.2 イオン照射エネルギの制御方法 70 |
2.1.3 RF-DC結合プラズマプロセス装置 74 |
2.1.4 2周波励起プラズマプロセス装置 76 |
2.1.5 直流磁場の導入 79 |
2.2 プローブを用いたプラズマの高精度計測技術 85 |
2.2.1 シングルプローブ法の原理 85 |
2.2.2 シングルプローブによる高周波放電プラズマの計測技術 87 |
2.3 高密度プラズマを用いたセルフチャンバクリーニング技術 91 |
2.3.1 反応副生成物の付着が与える影響 91 |
2.3.2 セルフチャンバクリーニングに適したガス種・チャンバ内壁材 91 |
2.3.3 セルフチャンバクリーニング 96 |
2.4 超低温でのSiエピタキシャル成長 99 |
2.4.1 低エネルギイオン照射プロセスを用いた低温結晶成長 99 |
2.4.2 イオンの照射エネルギと照射量 101 |
2.4.3 ウルトラクリーンなプロセス雰囲気とウェハ表面 106 |
2.4.4 重くて大きいイオン(Xe)の照射 107 |
2.5 メタライゼーション 109 |
2.5.1 配線材料の変遷 109 |
2.5.2 低エネルギイオン照射プロセスによる金属薄膜の形成 110 |
2.5.3 大電流ストレスエレクトロマイグレーション加速劣化試験方法と各種配線材料のエレクトロマイグレーション耐性 112 |
2.5.4 21世紀へ向けての配線技術 116 |
2.5.5 超低抵抗金属/半導体コンタクト形成技術 118 |
2.6 超低温ゲート酸化膜形成技術 122 |
2.6.1 従来の酸化膜形成方法 122 |
2.6.2 イオンアシスト低温酸化法 123 |
2.7 低温アニールを可能にするウルトラクリーンイオン注入技術 128 |
2.7.1 イオン注入層の低温アニール 128 |
2.7.2 酸化膜スルーイオン注入は使えない 131 |
2.7.3 ウルトラクリーンイオン注入 132 |
2.7.4 打ち込みフロント部に残るダメージと基板ドーパント濃度 135 |
2.8 超微細パターン加工を実現するリソグラフィ技術 136 |
2.8.1 露光技術 137 |
2.8.2 レジスト材料技術 139 |
2.8.3 現像技術 141 |
2.8.4 脱ガスフリーレジストプロセス 145 |
2.8.5 レジスト剥離技術 147 |
3.表面・界面のウルトラクリーン化技術 155 |
3.1 極限のクリーン表面を創る 156 |
3.1.1 シリコンのウルトラクリーン表面とは 156 |
3.1.2 粒子汚染と除去技術 157 |
3.1.3 金属汚染とその除去 182 |
3.1.4 有機物汚染とその除去 195 |
3.1.5 固体表面への水分吸着 203 |
3.1.6 自然酸化膜とケミカル酸化膜 208 |
3.1.7 マイクロラフネス制御 217 |
3.1.8 シリコン表面を不活性化する(水素終端表面) 223 |
3.1.9 新しい概念の表面洗浄 226 |
3.2 F2・HFプロセス 233 |
3.2.1 フッ素・フッ素化水素とシリコン化合物の反応の特徴 234 |
3.2.2 エッチングプロセスに現われる諸現象 242 |
3.2.3 フッ素の回収-地球にやさしい化学技術を求めて 250 |
3.3 高信頼性極薄酸化膜形成技術 261 |
3.3.1 表面精密制御酸化 261 |
3.3.2 酸化膜特性の基板面方位依存性 266 |
3.3.3 高信頼性極薄酸化膜形成 269 |
3.4 化学反応機構の電子物理 271 |
3.4.1 電気陰性度の電子物理 272 |
3.4.2 酸化還元電位の電子物理 278 |
3.4.3 ゼータ電位の電子物理 282 |
3.5 静電気障害とその防止 285 |
3.5.1 超LSI製造環境における静電気 285 |
3.5.2 静電気の発生 286 |
3.5.3 静電気障害 288 |
3.5.4 帯電防止技術 291 |
4.クリーン表面とガス分子の相互作用 320 |
4.1 ステンレス表面の新しい不働態化処理 320 |
4.1.1 はじめに 320 |
4.1.2 ステンレス表面へのCr2O3不働態膜の形成方法 321 |
4.1.3 フェライト系ステンレス鋼の不働態処理 324 |
4.1.4 オーステナイト系ステンレス鋼の不働態処理 326 |
4.1.5 Cr2O3不働態膜形成のメカニズム 333 |
4.2 腐食の表面電気化学反応 335 |
4.2.1 現在のガス供給系がかかえる問題点 335 |
4.2.2 金属表面性状の影響 336 |
4.2.3 溶接部の腐食 342 |
4.3 クリーン表面とガス分子の相互作用 349 |
4.3.1 評価システムのウルトラクリーン化 349 |
4.3.2 ウルトラクリーンがなぜ必要なのか 350 |
4.3.3 固体表面とSiH4分子の相互作用 353 |
4.4 新しいガス供給システム 356 |
索引 361 |
0.序の章 1 |
0.1 半導体技術の進展 1 |
0.2 半導体表面の電子化学 4 |
|
58.
|
図書
|
吉田善一著
出版情報: |
東京 : 裳華房, 1998.3 x, 234p ; 22cm |
シリーズ名: |
応用物理学選書 ; 8 |
子書誌情報: |
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所蔵情報: |
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|
59.
|
図書
東工大 目次DB
|
丹呉浩侑編
目次情報:
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1 基本素子の動作機構と製作プロセス 1 |
1.1 MOSトランジスタ 1 |
1.2 CMOS,Bi-CMOS回路の構造と集積プロセス 10 |
1.3 SOIおよび3次元デバイス 22 |
2 プロセスモジュールと製作プロセス 33 |
2.1 MOSトランジスタ技術 33 |
2.2 素子分離技術 39 |
2.3 コンタクト技術 44 |
2.4 多層配線技術 52 |
2.5 メモリセル技術 65 |
3 リソグラフィ 76 |
3.1 はじめに 76 |
3.2 光リソグラフィ 79 |
3.3 電子ビームリソグラフィ 100 |
3.4 X線リソグラフィ 103 |
3.5 リソグラフィの課題 105 |
3.6 まとめと将来の動向 108 |
4 エッチング技術 109 |
4.1 エッチング技術の基本概念 109 |
4.2 ダウンフローエッチング技術 116 |
4.3 RIEにおけるエッチング機構 120 |
4.4 反応性イオンエッチングプロセス技術 125 |
4.5 照射損傷 129 |
4.6 エッチング技術の新しい開発手法 131 |
4.7 まとめと将来の動向 135 |
5 絶縁膜技術 138 |
5.1 はじめに 138 |
5.2 絶縁膜形成技術 139 |
5.3 立体(3次元)構造に対応する酸化膜 158 |
5.4 絶縁膜技術の課題 160 |
5.5 まとめと将来の動向 163 |
6 不純物導入技術 165 |
6.1 はじめに 165 |
6.2 不純物導入技術の基礎 166 |
6.3 拡散の原理 166 |
6.4 プロセス技術への応用 174 |
7 薄膜堆積技術 191 |
7.1 はじめに 191 |
7.2 薄膜材料と堆積方法の分類 191 |
7.3 薄膜堆積の原理と実際 193 |
7.4 薄膜の特性 215 |
7.5 薄膜堆積技術の課題とまとめ 233 |
8 ウェーハ清浄化技術 237 |
8.1 はじめに 237 |
8.2 ウェーハ清浄化技術の基礎 237 |
8.3 ウェーハ洗浄技術 242 |
8.4 ゲッタリング技術 246 |
8.5 ウェーハ表面汚染評価技術 254 |
9 結晶・ウェーハ技術 262 |
9.1 はじめに 262 |
9.2 シリコン単結晶成長技術 262 |
9.3 エピタキシャルウェーハ技術 276 |
9.4 結晶・ウェーハ技術の課題 281 |
9.5 まとめと将来の動向 282 |
10 プロセスシミュレーション 284 |
10.1 はじめに 284 |
10.2 プロセスシミューレータ 285 |
10.3 形状シミューレータ 295 |
10.4 統合シミュレータ 297 |
10.5 原子レベルシミュレータ 298 |
11 半導体プロセス評価技術 299 |
11.1 はじめに 299 |
11.2 半導体プロセスにおける評価技術 300 |
11.3 顕微鏡による観察技術 300 |
11.4 半導体プロセスで用いられる評価技術 310 |
11.5 元素分析技術 314 |
11.6 半導体製造工程固有の評価技術 317 |
11.7 半導体プロセス評価技術の課題 318 |
索引 320 |
1 基本素子の動作機構と製作プロセス 1 |
1.1 MOSトランジスタ 1 |
1.2 CMOS,Bi-CMOS回路の構造と集積プロセス 10 |
|
60.
|
図書
|
宇佐美晶[ほか]共著
出版情報: |
東京 : 工業調査会, 1992.3 301p ; 22cm |
子書誌情報: |
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所蔵情報: |
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|
61.
|
図書
|
生駒俊明, 生駒英明共著
出版情報: |
東京 : 培風館, 1991.9 v, 211p ; 22cm |
子書誌情報: |
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所蔵情報: |
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|
62.
|
図書
東工大 目次DB
|
石原宏著
出版情報: |
東京 : コロナ社, 1990.2 x, 250p ; 22cm |
シリーズ名: |
大学講義シリーズ |
子書誌情報: |
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目次情報:
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1 固体の帯理論 |
1.1 固体の導電率 1 |
1.2 固体内の電子状態 2 |
1.3 導体・半導体・絶縁体のエネルギー帯構造 5 |
1.4 波動方程式からのエネルギー帯理論の説明 7 |
1.5 許容帯中の電子の状態密度 11 |
1.6 許容帯中の電子の運動 14 |
1.6.1 実効質量 15 |
1.6.2 正孔 16 |
1.7 エネルギー分布則 17 |
演習問題 20 |
2 半導体の電気伝導 |
2.1 半導体の結晶構造とエネルギー帯構造 21 |
2.2 半導体の電気伝導現象 22 |
2.2.1 熱刺激による電気伝導現象 23 |
2.2.2 置換形原子(不純物)を含む電導現象 24 |
2.2.3 半導体の表面電導現象 26 |
2.3 真性半導体中のキャリヤ濃度 26 |
2.4 外因性半導体のキャリヤ濃度 30 |
2.4.1 温度依存性 31 |
2.4.2 不純物原子濃度とキャリヤ濃度 32 |
2.5 半導体中のキャリヤの振舞い 33 |
2.5.1 電界中のキャリヤの運動 34 |
2.5.2 キャリヤの発生と再結合 35 |
2.5.3 電流の式とアインシュタインの関係 37 |
2.5.4 少数キャリヤの連続の方程式 39 |
演習問題 40 |
3 半導体接合 |
3.1 半導体-半導体接合 42 |
3.1.1 pn接合のエネルギー帯図 42 |
3.1.2 pn接合の電圧-電流特性 44 |
3.1.3 pn接合の容量 48 |
3.1.4 pn接合の降伏現象とトンネルダイオード 50 |
3.1.5 ヘテロ接合 53 |
3.2 金属-半導体接触 56 |
3.2.1 金属-半導体接触のエネルギー帯図 56 |
3.2.2 ショットキー障壁ダイオードの電圧-電流特性 57 |
3.2.3 金属-半導体接触の容量-電圧特性 59 |
3.3 金属-絶縁体-半導体接触 59 |
演習問題 61 |
4 バイポーラトランジスタの基本特性 |
4.1 バイポーラトランジスタの動作原理 63 |
4.1.1 基本構造 63 |
4.1.2 エネルギー帯図と動作原理 64 |
4.2 電流伝送率 66 |
4.2.1 ベース中性領域特性 66 |
4.2.2 エミッタ接合特性 68 |
4.2.3 コレクタ接合特性 69 |
4.2.4 電流伝送率の最適化 69 |
4.3 電圧-電流特性と等価回路 71 |
4.3.1 直流電圧-電流特性 71 |
4.3.2 交流特性 75 |
4.3.3 低周波微小信号等価回路 76 |
4.3.4 四端子パラメータ 79 |
4.4 トランジスタ動作における諸現象 81 |
4.4.1 電流増幅率のエミッタ電流依存性 81 |
4.4.2 エミッタ電流の集中現象 82 |
4.4.3 アーリー効果とパンチスルー 82 |
4.4.4 なだれ降伏 83 |
演習問題 84 |
5 ダイオードおよびトランジスタの実際 |
5.1 製作方法 86 |
5.1.1 基板結晶成長技術 86 |
5.1.2 リソグラフィー技術 88 |
5.1.3 加工技術 88 |
5.2 高周波動作特性 91 |
5.2.1 pn接合の動特性 91 |
5.2.2 トランジスタの動特性 93 |
5.2.3 高周波等価回路 95 |
5.2.4 高周波増幅限界 96 |
5.2.5 ドリフト形トランジスタ 99 |
5.3 スイッチング特性 101 |
5.3.1 ダイオードのスイッチング特性 101 |
5.3.2 トランジスタのスイッチング特性 103 |
5.3.3 トランジスタの大信号直流等価回路 105 |
5.3.4 スイッチングトランジスタ 106 |
5.4 電力特性 108 |
5.4.1 ダイオードの電流容量と逆耐圧 108 |
5.4.2 トランジスタの出力限界 109 |
演習問題 110 |
6 ユニポーラトランジスタ |
6.1 分類 112 |
6.2 接合形およびショットキー障壁形電界効果トランジスタ 114 |
6.2.1 動作原理 114 |
6.2.2 電圧-電流特性 116 |
6.2.3 小信号等価回路 118 |
6.2.4 実際例 120 |
6.3 ホットエレクトロントランジスタ 121 |
6.3.1 金属ベーストランジスタ 121 |
6.3.2 半導体ホットエレクトロントランジスタ 122 |
6.4 静電誘導トランジスタ 123 |
6.4.1 動作原理 123 |
6.4.2 電圧-電流特性 124 |
6.4.3 交流増幅特性 125 |
6.4.4 実際例 126 |
演習問題 126 |
7 MIS形電界効果トランジスタ |
7.1 MISダイオードの定量的検討 128 |
7.1.1 理想MISダイオードの基本的性質 128 |
7.1.2 理想MISダイオードの電位分布 131 |
7.1.3 実際のMISダイオード 134 |
7.2 MIS FET の動作原理 137 |
7.2.1 MIS FETの構造と分類 137 |
7.2.2 電圧-電流特性 138 |
7.2.3 チャネル内の電界分布と電位分布 141 |
7.3 MIS FETの回路的考察 144 |
7.3.1 低周波等価回路 144 |
7.3.2 高周波等価回路 145 |
7.3.3 四端子パラメータ 147 |
7.3.4 高周波動作限界 147 |
7.4 MIS FETの諸現象と実際例 148 |
7.4.1 基板バイアス効果 148 |
7.4.2 チャネル長変調効果とドレーン耐圧 149 |
7.4.3 実際例 150 |
演習問題 152 |
8 集積回路 |
8.1 集積回路の製作法 154 |
8.1.1 モノリシックICの特徴 154 |
8.1.2 バイポーラICの製作法 155 |
8.1.3 MOS ICの製作法 158 |
8.2 アナログIC 160 |
8.2.1 バイアス回路 160 |
8.2.2 差動増幅回路 162 |
8.2.3 演算増幅器 163 |
8.3 ディジタルIC 164 |
8.3.1 ディジタル論理 164 |
8.3.2 バイボーラ論理回路 166 |
8.3.3 MOS論理回路 171 |
8.4 メモリ回路 177 |
8.4.1 SRAM 178 |
8.4.2 DRAM 179 |
演習問題 179 |
9 サイリスタと関連デバイス |
9.1 サイリスタの構造と動作原理 182 |
9.1.1 構造 182 |
9.1.2 二端子特性 183 |
9.1.3 ゲート制御特性 185 |
9.2 サイリスタおよび関連デバイスの分類 186 |
9.2.1 SCR 186 |
9.2.2 逆導通SCR 187 |
9.2.3 トライアック 188 |
9.2.4 GTOサイリスタ 188 |
9.2.5 光サイリスタ 189 |
9.2.6 ユニジャンクショントランジスタ 190 |
9.3 サイリスタの実際と回路応用 191 |
9.3.1 サイリスタの定格 191 |
9.3.2 回路応用 191 |
演習問題 194 |
10 光電変換デバイス |
10.1 光と物質との相互作用 195 |
10.1.1 相互作用の種類 195 |
10.1.2 光の吸収現象 197 |
10.1.3 光の屈折現象 204 |
10.2 光の吸収現象を利用した効果 205 |
10.2.1 外部光電効果(光電子放出効果) 205 |
10.2.2 内部光電効果(光導電効果) 206 |
10.2.3 光起電力効果(障壁形) 209 |
10.3 光電変換デバイス 211 |
10.3.1 太陽電池 211 |
11 発光デバイス |
11.1 発光現象 ルミネセンス 219 |
11.1.1 放射形遷移と発光スペクトル 219 |
11.1.2 キャリヤ励起(外部刺激)の方法 221 |
11.2 発光ダイオード 224 |
11.2.1 pn接合の発光 224 |
11.2.2 発光ダイオード用材料 225 |
11.3 半導体レーザダイオード 227 |
11.3.1 動作原理 227 |
11.3.2 pn接合レーザダイオード 230 |
11.3.3 ヘテロ接合レーザグイオード 231 |
11.3.4 その他のポンピング法を用いた半導体レーザ 233 |
演習問題 234 |
演習問題解答 |
索引 |
1 固体の帯理論 |
1.1 固体の導電率 1 |
1.2 固体内の電子状態 2 |
|
63.
|
図書
|
逢坂哲彌 [ほか] 著
|
64.
|
図書
|
曽根純一編
出版情報: |
東京 : 丸善, 1996.11 xii, 185p ; 22cm |
シリーズ名: |
シリーズ物性物理の新展開 |
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|
65.
|
図書
|
尾嶋正治, 本間芳和編著 ; 電子情報通信学会編
出版情報: |
東京 : 電子情報通信学会 , 東京 : コロナ社 (発売), 1996.11 vii, 275p ; 22cm |
子書誌情報: |
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|
66.
|
図書
|
志村史夫著
出版情報: |
東京 : 講談社, 1994.4 218, 4p ; 18cm |
シリーズ名: |
ブルーバックス ; B-1014 |
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|
67.
|
図書
東工大 目次DB
|
前田和夫著
出版情報: |
東京 : 工業調査会, 1999.3 254p ; 21cm |
シリーズ名: |
ビギナーズブックス ; 3 |
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第0章 半導体製造装置という世界 |
0.1 半導体製造装置とは何か 10 |
0.2 なぜ半導体製造装置なのか 13 |
0.3 半導体産業のなかの半導体製造装置 14 |
0.4 半導体製造装置産業の誕生 17 |
0.5 ウエハープロセスの半導体製造装置 19 |
0.6 半導体製造装置の技術要素 20 |
1.7 半導体製造装置のビジネス要素 22 |
0.8 半導体製造装置の世界へ 25 |
第1章 半導体デバイスの製造工程 |
1.1 半導体デバイスの製造とその特色 28 |
1.2 半導体デバイスの製造工程 30 |
1.3 半導体デバイスの基本構造 31 |
1.4 デバイス製造工程の基本的流れ 34 |
1.5 基本プロセス技術 37 |
1.5.1 洗浄技術(Cleaning) 38 |
1.5.2 熱処理(Thermal Treatment) 39 |
1.5.3 不純物導入(Impurity Doping) 39 |
1.5.4 薄膜形成(Thin Film Deposition) 40 |
1.5.5 リソグラフィー技術(Lithography) 40 |
1.5.6 平坦化技術(Planarization) 41 |
1.6 複合プロセス技術 41 |
1.7 半導体デバイス製造の3要素 44 |
第2章 半導体製造装置の技術史 |
2.1 半導体デバイスの進歩と製造装置 48 |
2.2 技術からみた半世紀 52 |
2.3 製造装置からみた半世紀 54 |
2.3.1 半導体製造装置の黎明期(1950~1960) 56 |
2.3.2 半導体製造装置の内製化(1960~1970) 57 |
2.3.3 半導体製造装置産業の成立(1970~1980) 59 |
2.3.4 装置における多様化と標準化(1980~1990) 60 |
2.3.5 装置の複合化とプロセスインテグレーション(1990~2000) 61 |
2.4 技術史の到達点 64 |
第3章 半導体製造装置の種類と役割 |
3.1 半導体製造装置の範囲 66 |
3.2 半導体製造装置の分類 67 |
3.2.1 ホトマスク基板の製造装置 67 |
3.2.2 シリコン単結晶ウエハーの製造装置 69 |
3.2.3 ウエハープロセス用製造装置 71 |
3.2.4 組立用装置 72 |
3.2.5 試験用装置 73 |
3.2.6 半導体工場と環境制御関連の装置 74 |
3.2.7 分析評価と検査・測定装置 75 |
3.3 ウエハープロセス用製造装置の概要 77 |
3.3.1 熱処理装置 77 |
3.3.2 不純物導入装置 77 |
3.3.3 薄膜形成装置 78 |
3.3.4 リソグラフィー装置 78 |
3.3.5 洗浄装置 79 |
3.3.6 平坦化装置 79 |
3.4 プロセスインテグレーションのインパクト 79 |
第4章 半導体製造装置の構成と方式 |
4.1 半導体製造装置の基本構成 82 |
4.2 半導体製造装置の諸方式 85 |
4.2.1 チャンバー方式の推移 85 |
4.2.2 バッチ方式 88 |
4.2.3 シングルウエハー方式 89 |
4.2.4 連続方式 91 |
4.3 プロセスインテグレーションに対応した方式 92 |
4.4 ウエハー大口径化への対応 94 |
4.5 半導体製造装置の標準化 95 |
4.6 半導体工場の自動化への対応 97 |
4.7 牛産形態への対応 99 |
4.8 半導体製造装置の将来の方式 99 |
第5章 各種半導体製造装置の概要 |
5.1 ウエハープロセス用半導体製造装置 102 |
5.2 洗浄装置 106 |
5.2.1 洗浄技術の概要 106 |
5.2.2 洗浄技術の応用 110 |
5.2.3 洗浄方法の分類 112 |
5.2.4 洗浄装置の実際例 114 |
5.2.5 今後の展望 116 |
5.3 熱処理装置 118 |
5.3.1 熱処理技術の概要 118 |
5.3.2 熱処理技術の応用 120 |
5.3.3 熱処理装置の分類 123 |
5.3.4 熱処理装置の実際例 125 |
5.3.5 今後の展望 127 |
5.4 不純物導入装置 128 |
5.4.1 不純物導入技術の概要 128 |
5.4.2 不純物導入技術の応用 130 |
5.4.3 不純物導入装置の分類 132 |
5.4.4 不純物導入装置の実際例 133 |
5.4.5 今後の展望 136 |
5.5 薄膜形成装置 137 |
5.5.1 薄膜形成技術の概要 137 |
5.5.2 薄膜形成技術の応用 140 |
5.5.3 薄膜形成装置の分類 142 |
5.5.4 薄膜形成装置の実際例 144 |
5.5.5 今後の展望 147 |
5.6 リソグラフィー装置 148 |
5.6.1 リソグラフィー技術の概要 148 |
5.6.2 リソグラフィー技術の応用 151 |
5.6.3 リソグラフィー装置の分類 153 |
5.6.4 リソグラフィー装置の実際例 157 |
5.6.5 今後の展望 163 |
5.7 平坦化装置 165 |
5.7.1 平坦化技術の概要 165 |
5.7.2 平坦化技術の応用 168 |
5.7.3 平坦化装置の分類 170 |
5.7.4 平坦化装置の実際例 173 |
5.7.5 今後の展望 174 |
第6章 半導体製造装置の現場 |
6.1 半導体製造装置の現実 176 |
6.1.1 現実の稼働率は100%ではない 176 |
6.1.2 現実には再現性・機差・個体差がある 176 |
6.2 半導体製造装置の導入と立上げ 179 |
6.21 半導体製造装置の導入 180 |
6.3 納入初期の半導体製造装置 183 |
6.4 装置の稼働率 184 |
6.5 装置のメンテナンス 188 |
6.6 コストオブオーナーシツブ(COO) 191 |
6.7 半導体製造装置の現場 192 |
第7章 半導体製造装置の技術要素 |
7.1 総合技術的産物としての半導体製造装置 196 |
7.2 材料技術 196 |
7.3 真空技術 200 |
7.4 光応用技術 202 |
7.5 ビーム応用技術 204 |
7.6 化学反応の応用 207 |
7.7 環境制御技術 209 |
7.8 コンピュータ応用技術 210 |
第8章 半導体製造装置技術のロードマップ |
8.1 技術ロードマップの重要性 214 |
8.2 半導体デバイス技術のロードマップ 219 |
8.3 半導体製造技術のロードマップ 216 |
8.4 半導体製造装置の技術ロードマップ 222 |
8.5 半導体製造装置の課題 225 |
8.6 デバイスとプロセスのシンプル化 229 |
第9章 21世紀の半導体製造装置―半導体製造装置進化論― |
9.1 半導体製造装置は“進歩”してきたのか 234 |
9.2 半導体技術における日本とアメリカの関係は、どのように推移してきたのか 235 |
9.3 プロセス技術者と装置はどのように関わってきたか 236 |
9.4 半導体製造装置の絶対評価は可能か 237 |
9.5 半導体製造装置の独自性 239 |
9.6 半導体製造装置の重要課題 240 |
9.7 半導体製造装置のチャレンジとブレークスルー 241 |
9.8 21世紀の半導体製造装置 243 |
コラム |
半導体ゴールドラッシュ 12 |
半導体プロセスのすき間技術 26 |
専門用語と方言 46 |
古い技術の復活 51 |
バッチ方式と枚葉方式(1) 113 |
バッチ方式と枚葉方式(2) 174 |
装置開発と試行錯誤 194 |
材料の持っている“わな 212” |
ヘイテクと宝さがし 229 |
エキゾチックプロセスとエキゾチック材料 232 |
日本とアメリカの技術力比較 244 |
第0章 半導体製造装置という世界 |
0.1 半導体製造装置とは何か 10 |
0.2 なぜ半導体製造装置なのか 13 |
|
68.
|
図書
|
松波弘之著
出版情報: |
東京 : 昭晃堂, 1999.11 ii, ii, iv, 238p ; 22cm |
子書誌情報: |
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|
69.
|
図書
|
作道, 恒太郎(1928-)
出版情報: |
東京 : 裳華房, 1993.9 xi, 186p ; 21cm |
シリーズ名: |
固体物理 / 作道恒太郎著 |
子書誌情報: |
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|
70.
|
図書
|
P.Y. ユー, M. カルドナ著 ; 末元徹 [ほか] 訳
出版情報: |
東京 : シュプリンガー・フェアラーク東京, 1999.5 xvi, 691p ; 25cm |
子書誌情報: |
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|
71.
|
図書
|
R. タートン著 ; 福山裕之, 山賀正人, 大坪一彦訳
出版情報: |
東京 : シュプリンガー・フェアラーク東京, 1998.7 vi, 233p ; 21cm |
子書誌情報: |
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|
72.
|
図書
東工大 目次DB
|
筒井一生著
出版情報: |
東京 : オーム社, 1999.3 xi, 198p ; 21cm |
子書誌情報: |
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1章 半導体の基礎 |
1.1 エネルギーバンド構造 1 |
1.2 電子と正孔 3 |
1.3 p形半導体とn形半導体 5 |
1.4 キャリヤ濃度 6 |
[1] フェルミ・ディラック分布 6 |
[2] 不純物濃度との関係 9 |
1・5 キャリヤの運動と電流成分 12 |
1・6 少数キャリヤの挙動と連続の方程式 17 |
演習問題 19 |
2章 接合 |
2・1 半導体接合の意義と分類 21 |
2・2 pn接合のエネルギーバンド構造 22 |
[1] 接合のモデル 22 |
[2] 熱平衡状態のキャリヤ分布 25 |
2・3 pn接合の電流-電圧特性 26 |
[1] pn接合ダイオードの整流特性 26 |
[2] 理想電流-電圧特性 28 |
2・4 pn接合の空乏層幅 33 |
2・5 pn接合の静電容量 37 |
[1] 接合容量 37 |
[2] 拡散容量 40 |
2・6 金属-半導体接合 42 |
[1] ショットキー接合 43 |
[2] オーミック接合 46 |
2・7 接合における諸現象 47 |
[1] ブレークダウン 47 |
[2] 少数キャリヤの蓄積効果 48 |
演習問題 51 |
3章 バイポーラトランジスタ |
3・1 トランジスタとは 53 |
3・2 バイポーラトランジスタの構造と動作 55 |
3・3 薄いp層を持つnpp+ダイオードの考察 59 |
3・4ベース接地回路による電圧増幅動作 62 |
3・5 電流伝送率α 64 |
[1] エミッタ注入効率αE 65 |
[2] ベース輸送効率αr 66 |
[3] コレクタ効率αc 67 |
3・6 αを1に近づける条件 67 |
3・7 エミッタ接地と電流増幅率β 68 |
3・8 キャリヤ分布と電流制御機構 70 |
[1] トランジスタ内部のキャリヤの分布 70 |
[2] 電流駆動のメカニズム 72 |
3・9 等価回路 74 |
3・10 4端子パラメータ 78 |
3・11 高周波特性 80 |
[1] α遮断周波数:fα 80 |
[2] β遮断周波数:fβ 82 |
[3] 遮断周波数:fT 83 |
[4] 最大発振周波数:fmax 84 |
[5] fα,fβ,fT,fmaxの相互関係 84 |
[6] 少数キャリヤの蓄積効果 85 |
3・12 サイリスタ 87 |
[1] サイリスタの構造と動作原理 87 |
[2] サイリスタの応用と種類 91 |
演習問題 93 |
4章 MOSデバイス |
4・1 MOS構造とは 95 |
4・2 バイアス電圧によるMOS構造の状態変化 96 |
4・3 電界効果トランジスタ(FET)の概念 98 |
4・4 MOSダイオードの空乏・反転特性の解析 100 |
[1] バンドの曲がりと反転層の形成 100 |
[2] 最大空乏層幅としきい値電圧 103 |
[3] 実際のMOS構造におけるしきい値電圧の変化と制御 105 |
4・5 MOS構造の容量-電圧特性 107 |
[1] 基本的な特性 107 |
[2] 反転層の電圧変化に対する応答性 109 |
4・6 MOS-FETの電流-電圧特性 110 |
[1] 反転層チャネルの電流特性 110 |
[2] ピンチオフ 113 |
[3] キャリヤの速度飽和の影響 116 |
4・7 小信号増幅特性と等価回路 116 |
[1] 相互コンダクタンス 116 |
[2] 等価回路 117 |
[3] 高周波特性 118 |
4・8 MOS FETの種類 119 |
[1] 伝導形としきい値 119 |
[2] 相補形MOS(C-MOS) 120 |
演習問題 122 |
5章 光電変換デバイス |
5・1 光による半導体中のキャリヤの励起 123 |
5・2 半導体からの発光 127 |
5・3 受光デバイス 128 |
[1] 光導電効果 128 |
[2] 接合における光起電力効果 130 |
[3] 光起電力効果を用いた受光デバイス 132 |
5・4 発光デバイス 136 |
[1] 発光ダイオード 137 |
[2] 半導体レーザ 138 |
演習問題 141 |
6章 デバイス製作プロセス |
6・1 プレーナプロセスの概念 143 |
6・2 成膜 146 |
[1] 酸化法 146 |
[2] 堆積法 148 |
6・3 露光 151 |
6・4 エッチング 154 |
6・5 不純物ドーピング 157 |
[1] 拡散法 157 |
[2] イオン注入法 158 |
6・6 化合物半導体デバイスの製作プロセス 161 |
演習問題 164 |
7章 集積回路 |
7・1 集積回路の概念 165 |
7・2 集積回路の種類 169 |
7・3 集積回路における受動素子 171 |
7・4 バイポーラ集積路回 171 |
7・5 MOS集積回路 174 |
[1] C-MOS 174 |
[2] メモリ 177 |
演習問題 180 |
付録1 181 |
付録2 182 |
付録3 184 |
付録4 186 |
演習問題解答 187 |
索引 193 |
1章 半導体の基礎 |
1.1 エネルギーバンド構造 1 |
1.2 電子と正孔 3 |
|
73.
|
図書
|
國岡昭夫, 上村喜一著
出版情報: |
東京 : 朝倉書店, 1996.4 viii, 216p ; 21cm |
子書誌情報: |
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所蔵情報: |
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|
74.
|
図書
|
村岡泰夫編集 ; 垂井康夫執筆
出版情報: |
東京 : 電気学会 , 東京 : オーム社 (発売), 1999.12 xvii, 348p ; 22cm |
シリーズ名: |
電気学会大学講座 / 電気学会編 |
子書誌情報: |
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所蔵情報: |
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|
75.
|
図書
|
三菱電機株式会社技術研修所編
出版情報: |
東京 : オーム社, 1996.4 xi, 215p ; 26cm |
子書誌情報: |
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所蔵情報: |
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|
76.
|
図書
|
桜庭一郎著
出版情報: |
東京 : 森北出版, 1992.11 xii, 240p ; 22cm |
子書誌情報: |
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|
77.
|
図書
|
清水立生編著
|
78.
|
図書
|
志村史夫著
出版情報: |
東京 : 丸善, 1998.7 v, 164p ; 21cm |
子書誌情報: |
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|
79.
|
図書
東工大 目次DB
|
小長井誠著
出版情報: |
東京 : 培風館, 1992.10 x, 275p ; 22cm |
シリーズ名: |
電子・情報工学講座 ; 8 |
子書誌情報: |
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1.物質の構造 1 |
1.1 結晶系 1 |
1.1.1 結晶と非晶質 1 |
1.1.2 結晶系における対称操作 2 |
1.1.3 七晶系 5 |
1.1.4 晶族 6 |
1.2 空間格子 7 |
1.2.1 周期構造と空間格子 7 |
1.2.2 空間格子の幾何学 8 |
1.2.3 プラベ格子 11 |
1.2.4 逆格子 13 |
1.2.5 空間群と実際の結晶 15 |
1.3 結晶構造 16 |
1.3.1 共有結合とイオン結合 16 |
1.3.2 最密充?構造 21 |
1.4 格子欠陥 24 |
1.4.1 結晶欠陥 24 |
1.4.2 点欠陥 25 |
1.4.3 不純物原子 26 |
1.4.4 転位 28 |
1.4.5 結晶粒界,双晶 31 |
1.4.6 結晶表面 31 |
1.5 X線回折とプラッグの法則 33 |
1.5.1 プラッグの法則 33 |
1.5.2 逆格子と回折 35 |
1.5.3 X線回折法 37 |
2.格子振動 40 |
2.1 格子の振動 40 |
2.2 同種原子からなる1次元格子 41 |
2.3 質量が異なる2種類の原子からなる1次元格子 46 |
2.4 実際の結晶における格子振動 49 |
2.5 格子振動の量子化 51 |
2.6 格子振動と比熱,熱伝導 51 |
2.6.1 比熱 51 |
2.6.2 熱伝導 54 |
3 電気伝導の基礎 57 |
3.1 金属の電気伝導 57 |
3.2 伝導電子の散乱 59 |
3.3 平均自由行程 61 |
3.4 散乱機構 62 |
4.固体のバンド理論I 66 |
4.1 固体のバンド理論の定性的な説明 66 |
4.1.1 孤立原子と固体 66 |
4.1.2 バンドと電気伝導の関係 70 |
4.2 量子論の基礎 72 |
4.2.1 粒子と波動 72 |
4.2.2 基本方程式 74 |
4.2.3 固体内のポテンシャル 76 |
4.3 深いポテンシャルの井戸に閉じ込められた電子 78 |
4.4 深いポテンシャルの井戸と金属内の自由電子 81 |
4.5 状態密度 85 |
4.6 トンネル効果 86 |
4.7 クローニヒーペニーモデル 88 |
4.7.1 自由電子のE-kの関係 88 |
4.7.2 周期ポテンシャル内の電子のE-kの関係 89 |
4.7.3 許容帯 95 |
4.8 有効質量,群速度 99 |
4.9 正孔 103 |
4.10 金属と半導体,絶縁体のバンド構造 105 |
5.固体のバンド理論II 107 |
5.1 バンド構造の解析法 107 |
5.2 逆格子とブリルアン領域 108 |
5.3 束縛電子近似モデル 109 |
5.3.1 バンド構造の解析法 109 |
5.3.2 単純立方格子のバンド構造 112 |
5.4 半導体のバンド構造 115 |
5.4.1 Ge,Siのバンド構造 116 |
5.4.2 GaAsのバンド構造 120 |
5.4.3 遷移形,禁制帯幅 121 |
5.4.4 有効質量の測定 122 |
6.半導体の電気物性 125 |
6.1 分布則 125 |
6.2 真性半導体のキャリア濃度 128 |
6.3 不純物ドーピング 132 |
6.3.1 n形半導体 132 |
6.3.2 p形半導体 135 |
6.3.3 化合物半導体への不純物ドーピング 136 |
6.3.4 ドナーとアクセプタを同時にドーピングした半導体 136 |
6.4 p形,n形半導体のキャリア濃度 137 |
6.5 pn積 142 |
6.6 導電率と移動度 142 |
6.6.1 導電率 142 |
6.6.2 移動度 143 |
6.6.3 不純物濃度と導電率 145 |
6.7 ホール効果 146 |
7.半導体の電気伝導機構 149 |
7.1 ドリフト電流と拡散電流 149 |
7.1.1 熱運動 149 |
7.1.2 ドリフト電流と拡散電流 150 |
7.1.3 アインシュタインの関係 151 |
7.2 高電界での多数キャリアの振る舞い 152 |
7.2.1 速度飽和 153 |
7.2.2 微分負性抵抗 154 |
7.3 多数キャリア注入と少数キャリア注入 155 |
7.3.1 キャリアの注入 155 |
7.3.2 少数キャリアの寿命 157 |
7.3.3 非熱平衡状態のキャリア濃度の表し方 158 |
7.4 キャリアの再結合過程 159 |
7.4.1 直接再結合 160 |
7.4.2 再結合中心 160 |
7.4.3 表面再結合 161 |
7.5 少数キャリア連続の方程式 162 |
7.5.1 単純化されたモデル 162 |
7.5.2 詳細なモデル 164 |
7.6 連続の方程式の応用例 165 |
8.接合の物理と物性 169 |
8.1 pn接合 169 |
8.1.1 エネルギー準位図 169 |
8.1.2 ポテンシャル分布 173 |
8.1.3 理想的な電流-電圧特性 177 |
8.1.4 実際の電流-電圧特性 181 |
8.1.5 逆方向降伏特性 182 |
8.1.6 接合容量 187 |
8.2 トンネルダイオードの物理 188 |
8.3 金属-半導体接触 189 |
8.3.1 エネルギー準位図 189 |
8.3.2 オーミック接触と整流性 191 |
8.3.3 エミッション電流 193 |
8.3.4 理想状態からのずれ 196 |
8.4 ヘテロ接合 198 |
9.トランジスタ動作とキャリアの挙動 202 |
9.1 トランジスタの発明と増幅作用 202 |
9.1.1 歴史的背景 202 |
9.1.2 増幅機構の分類 204 |
9.2 バイポーラトランジスタ 205 |
9.2.1 基本構造と動作 205 |
9.2.2 トランジスタの増幅原理 206 |
9.2.3 注入効率と輸送効率 209 |
9.2.4 注入レベルと増幅特性 212 |
9.2.5 アーリー効果と降伏現象 214 |
9.2.6 走行時間と周波数特性 216 |
9.3 電界効果トランジスタ 218 |
9.3.1 金属/絶縁体/半導体接合 218 |
9.3.2 MOSトランジスタ 221 |
9.3.3 各種の電界効果トランジスタ 225 |
10.光学特性,熱電物性 226 |
10.1 光の吸収と反射 226 |
10.2 吸収係数 228 |
10.2.1 基礎吸収 228 |
10.2.2 励起子による吸収 233 |
10.2.3 自由キャリアによる吸収 235 |
10.3 光導電効果 235 |
10.4 光起電力効果 237 |
10.4.1 短絡電流,開放電圧 237 |
10.4.2 光電流 239 |
10.4.3 太陽電池の発電原理 242 |
10.5 半導体の発光遷移 243 |
10.5.1 発光過程 243 |
10.5.2 自然放出と誘導放出 246 |
10.5.3 半導体レーザ 248 |
10.6 熱電効果 250 |
10.6.1 ゼーベック効果 250 |
10.6.2 ペルチェ効果 252 |
10.6.3 熱発電と電子冷凍 253 |
参考文献 256 |
演習問題解答 257 |
付表 267 |
索引 271 |
1.物質の構造 1 |
1.1 結晶系 1 |
1.1.1 結晶と非晶質 1 |
|
80.
|
図書
|
権田俊一編著
|
81.
|
図書
|
徳山巍編著
出版情報: |
東京 : 産業図書, 1992.10 xiii, 394p ; 22cm |
シリーズ名: |
集積回路プロセス技術シリーズ |
子書誌情報: |
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所蔵情報: |
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|
82.
|
図書
|
河村力著
|
83.
|
図書
|
冨澤一隆著
出版情報: |
東京 : コロナ社, 1996.12 ix, 240p, 図版1枚 ; 22cm |
子書誌情報: |
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|
84.
|
図書
|
日本結晶成長学会「結晶成長ハンドブック」編集委員会編集
出版情報: |
東京 : 共立出版, 1995.9 xxxii, 1152p, 図版[35]p ; 27cm |
子書誌情報: |
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|
85.
|
図書
東工大 目次DB
|
東辻浩夫著
出版情報: |
東京 : 培風館, 1994.1 iv, 185p ; 21cm |
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1 半導体の結晶構造 1 |
1.1 ブラベ格子 1 |
1.2 ダイヤモンド構造と閃亜鉛鉱構造 5 |
1.3 周期関数の表し方と逆格子 7 |
1章 演習問題 12 |
2 半導体のエネルギーバンド 13 |
2.1 水素原子と水素分子 13 |
2.2 エネルギーバンドとエネルギーギャップ 16 |
2.3 ブロッホの定理 18 |
2.4 電子状態の数 21 |
2章 演習問題 25 |
3 バンドの中の電子の振舞い 26 |
3.1 空格子 26 |
3.2 バンド内電子の運動方程式 28 |
3.3 有効質量 32 |
3.4 バンドの中の1電子の運動 34 |
3.5 電子とホール 36 |
3.6 金属,半導体,絶縁体 39 |
3章 演習問題 43 |
4 真性半導体 45 |
4.1 伝導帯・価電子帯の状態密度 46 |
4.2 フェルミ分布 49 |
4.3 電子の分布と伝導帯の有効状態密度 50 |
4.4 ホールの分布と価電子帯の有効状態密度 54 |
4.5 np積一定則 56 |
4.6 真性半導体のキャリア密度とフェルミ・レベル 57 |
4章 演習問題 60 |
5 不純物半導体 61 |
5.1 ドナーとn型半導体 61 |
5.2 アクセプタとp型半導体 64 |
5.3 n型半導体の電子密度 65 |
5.4 p型半導体のホール密度 71 |
5章 演習問題 72 |
6 キャリアの運動 73 |
6.1 移動度 73 |
6.2 平均自由行程と緩和時間 74 |
6.3 拡散とアインシュタインの関係 77 |
6.4 ホール効果 79 |
6章 演習問題 84 |
7 pn接合 86 |
7.1 空乏層の形成 86 |
7.2 拡散電位 88 |
7.3 整流特性 90 |
7.4 空乏層容量 96 |
7章 演習問題 99 |
8 接合トランジスタ 101 |
8.1 接合トランジスタの動作原理 102 |
8.2 接合トランジスタの静特性 104 |
8.3 接合トランジスタの周波数特性 115 |
8章 演習問題 117 |
9 MOS構造とMOSトランジスタ 119 |
9.1 MOS構造のエネルギーバンド 120 |
9.2 表面電荷密度と表面電位 123 |
9.3 MOS電界効果トランジスタ(MOSFET) 129 |
9章 演習問題 137 |
10 光との相互作用 139 |
10.1 エネルギー・運動量保存則 139 |
10.2 太陽電池,フォトダイオード,フォトトランジスタ 143 |
10.3 発光ダイオード,半導体レーザー 146 |
10章 演習問題 148 |
付録 主な半導体の物性定数/ブロッホの定理/半古典的運動方程式電子の統計分布 150 |
演習問題解答 163 |
索引 184 |
1 半導体の結晶構造 1 |
1.1 ブラベ格子 1 |
1.2 ダイヤモンド構造と閃亜鉛鉱構造 5 |
|
86.
|
図書
|
浜口智尋, 谷口研二著
出版情報: |
東京 : 朝倉書店, 1990.1 vi, 214p ; 22cm |
シリーズ名: |
現代人の物理 ; 4 |
子書誌情報: |
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所蔵情報: |
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|
87.
|
図書
|
K.ジーガー著 ; 山本恵一, 林真至, 青木和徳共訳
|
88.
|
図書
東工大 目次DB
|
作道恒太郎著
出版情報: |
東京 : 裳華房, 1995.3 xi, 186p ; 21cm |
シリーズ名: |
固体物理 / 作道恒太郎著 |
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1. 序論 |
§1.1 結晶結合 1 |
(1) イオン結合 2 |
(2) 共有結合 4 |
(3) ファン・デル・ワールス結合 6 |
(4) 金属結合 6 |
(5) 水素結合 6 |
§1.2 量子力学の要約 8 |
(1) シュレーディンガー方程式 8 |
(2) 分散関係 10 |
(3) 摂動論 10 |
§1.3 基本的事項 12 |
(1) 原子の電子構造 12 |
(2) 元素周期表 12 |
(3) 統計分布関数 14 |
(4) 物理定数,エネルギー尺度,特殊相対論 16 |
2. 結晶の電子構造 |
§2.1 自由電子近似 20 |
(1) エネルギー準位 22 |
(2) その物性 24 |
§2.2 エネルギーバンド構造 30 |
(1) エネルギーギャップ 30 |
(2) 逆格子空間 32 |
(3) ブリュアン・ゾーン 36 |
§2.3 バンド理論の一般化 38 |
(1) 強結合近似 38 |
(2) 有効質量 42 |
3. 半導体物性I |
§3.1 伝導帯と価電子帯 48 |
(1) バンド構造 48 |
(2) バンドギャッブ 52 |
(3) 正孔 54 |
(4) 多バレー構造 56 |
§3.2 不純物準位 58 |
(1) ドナー・アクセプター準位 60 |
(2) 有効質量近似 64 |
4. 半導体物性II |
§4.1 キャリアー濃度 68 |
(1) 固有半導体 70 |
(2) 不純物半導体 72 |
§4.2 キャリアー散乱機構 76 |
(1) ボルツマン輸送方程式 76 |
(2) その応用例 78 |
(3) 移動度 82 |
§4.3 磁場効果 86 |
(1) ホール効果 86 |
(2) ランダウ準位 88 |
§4.4 非線形現象 92 |
(1) 高電界効果(I)Si 92 |
(2) 高電界効果(II)GaAs 94 |
(3) 金属・絶縁体転移 96 |
5. 格子欠陥 |
§5.1 点欠陥 100 |
§5.2 転位 104 |
§5.3 表面 106 |
§5.4 非晶質固体 110 |
6. p-n接合 |
§6.1 熱平衡下のエネルギー構造 112 |
§6.2 ダイオードの電気特性 118 |
(1) 整流 118 |
(2) トンネル効果 118 |
§6.3 バイポーラ・トランジスタ 122 |
7 MOS構造 |
§7.1 金属・半導体界面 126 |
§7.2 電界効果トランジスタ 130 |
(1) 反転層の形成 130 |
(2) FETの電流―電圧特性 132 |
(3) 技術的課題 134 |
§7.3 量子ホール効果 136 |
(1) 2次元電子系の磁気効果 136 |
(2) ホール効果の量子化 138 |
(3) 局在状態,分数量子ホール効果 142 |
8. ヘテロ接合 |
§8.1 バンド設計 144 |
(1) エピタキシー技術 144 |
(2) 混晶系 148 |
(3) バンド整列 148 |
(4) 量子井戸 150 |
§8.2 応用例 154 |
(1) 量子井戸光素子 154 |
(2) 共鳴トンネル効果 156 |
(3) 変調ドープ法 156 |
9. 半導体の光物性 |
§9.1 光吸収特性 162 |
(1) 基礎吸収 162 |
(2) 励起子 164 |
§9.2 光センサーと太陽電池 166 |
§9.3 発光素子 170 |
(1) 発光ダイオード 170 |
(2) 半導体レーザー 174 |
参考文献 180 |
索引 182 |
1. 序論 |
§1.1 結晶結合 1 |
(1) イオン結合 2 |
|
89.
|
図書
|
菊地栄著
出版情報: |
東京 : コロナ社, 1995.3 viii, 216p ; 22cm |
子書誌情報: |
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所蔵情報: |
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|
90.
|
図書
|
御子柴宣夫著
|
91.
|
図書
東工大 目次DB
|
高橋清著
出版情報: |
東京 : 森北出版, 1993.2 viii, 327p ; 22cm |
シリーズ名: |
森北電気工学シリーズ ; 4 |
子書誌情報: |
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所蔵情報: |
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1章 量子論入門 1 |
1・1 粒子と波動 1 |
1・2 波束および群速度 5 |
1・3 ド・ブロイの関係式 7 |
1・4 シュレーディンガーの波動方程式 9 |
1・5 束縛粒子 15 |
1・6 フェルミエネルギー 19 |
1・7 状態密度関数 24 |
1・8 トンネル効果 25 |
2章 固体の帯理論 32 |
2・1 帯理論の定性的な説明 32 |
2・2 導体・半導体・絶縁体のエネルギー帯構造 35 |
2・3 波動方程式による帯理論の導出 37 |
3章 統計力学の基礎 57 |
3・1 エネルギー分布則の種類 57 |
3・2 フェルミ・ディラックの分布関数 58 |
4章 半導体の電導機構 63 |
4・1 半導体の歴史的経緯 63 |
4・2 半導体の電気伝導現象 67 |
4・3 真性半導体中のキャリア濃度 73 |
4・4 外因性半導体中のキャリア濃度 79 |
4・5 キャリアの再結合 86 |
4・6 連続の方程式 89 |
4・7 ギャリアの移動度 91 |
4・8 格子散乱 94 |
4・9 アインシュタインの関係式 97 |
5章 p-n接合 100 |
5・1 p-n接合のエネルギー準位図 100 |
5・2 p-n接合の電圧-電流特性 102 |
5・3 p-n接合の逆方向降伏現象 108 |
5・4 p-n接合の接合容量 112 |
5・5 トンネル(エサキ)ダイオード 119 |
6章 金属-半導体接触 124 |
6・1 金属-半導体接触のエネルギー準位図 124 |
6・2 ウイルソンの整流理論 128 |
6・3 ショットキー障壁 131 |
6・4 ベーテのダイオード理論 132 |
6・5 鏡像力による障壁の低下 133 |
7章 ヘテロ接合 137 |
7・1 ヘテロ接合のエネルギー準位図 137 |
7・2 ヘテロ接合の電流輸送機構 143 |
7・3 ヘテロ接合の電子素子への応用 152 |
8章 トランジスタ 154 |
8・1 接合形トランジスタの基礎動作 154 |
8・2 トランジスタの周波数特性 161 |
8・3 ドリフトトランジスタ 163 |
8・4 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT) 164 |
8・5 高移動度トランジスタ(FET) 165 |
8・6 高移動度トランジスタ(HEMT) 170 |
8・7 ホットエレクトロントランジスタ 171 |
8・8 静電誘導トランジスタ 172 |
8・9 薄膜トランジスタ 173 |
8・10 スイッチング用トランジスタ 173 |
8・11 電荷結合素子(CCD) 176 |
9章 半導体の光学的性質 182 |
9・1 光と物質との相互作用 182 |
9・2 外部光電効果(光電子放出効果) 190 |
9・3 内部光電効果(光導電効果) 193 |
9・4 光起電力効果(障壁形) 197 |
9・5 その他の光起電力効果 203 |
9・6 固有電界発光 205 |
9・7 発光ダイオード 206 |
9・8 半導体レーザダイオード 208 |
9・9 外部作用による光学効果 215 |
9・10 光エレクトロニクス 217 |
10章 半導体の熱電的性質 223 |
10・1 熱電現象の歴史的展望 223 |
10・2 ゼーベック効果 226 |
10・3 ペルチエ効果 231 |
10・4 トムソン効果 233 |
10・5 ケルビンの関係式 234 |
10・6 半導体の熱伝導率 235 |
10・7 半導体熱電効果の応用 237 |
11章 磁電効果 240 |
11・1 ホール効果 240 |
11・2 磁気抵抗効果 246 |
11・3 エッチングスハウゼン効果 249 |
11・4 熱磁気効果 250 |
12章 量子効果デバイス 253 |
12・1 超格子 253 |
12・2 人工格子 259 |
12・3 量子井戸 261 |
12・4 量子面から量子細線,量子箱,さらには量子点へ 263 |
12・5 エニオン(Anyon) 266 |
12・6 電子の粒子性から波動性へ 267 |
12・7 量子効果デバイスの特徴 268 |
12・8 インコヒーレント電子波からコヒーレント電子波へ 269 |
12・9 AB効果 271 |
12・10 共鳴トンネルトランジスタ 273 |
12・11 キャリアからプロパゲータヘ 274 |
13章 その他の半導体素子 276 |
13・1 ひずみ抵抗効果 276 |
13・2 音波とキャリアとの相互作用効果 282 |
14章 半導体材料技術 289 |
14・1 半導体材料の種類 289 |
14・2 半導体材料の精製 292 |
14・3 p形,n形への変換 293 |
14・4 単結晶の製作法 295 |
14・5 薄膜単結晶の製作法 297 |
14・6 p-n接合の形成法 304 |
14・7 量子化プロセス 304 |
15章 集積回路 307 |
15・1 集積回路の沿革 307 |
15・2 集積化の意義 309 |
15・3 超小形化の限界 310 |
エピローグ 312 |
付録 |
1.各種半導体の物性定数表 314 |
2.物理定数表 315 |
3.単位(SI)の接頭語 316 |
演習問題解答 317 |
さくいん 319 |
1章 量子論入門 1 |
1・1 粒子と波動 1 |
1・2 波束および群速度 5 |
|