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1.

図書
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1. プログラム学習による半導体回路 (1 ; 2 ; 3)
職業能力開発教材委員会編著
出版情報: 大阪 : 松下電器工科短期大学校, 1990.3-1993.1  3冊 ; 22cm
シリーズ名: 半導体基礎講座 ; 1-3
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2.

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2. 最新電力用素子規格表 (1990年版 - 1999年版)
小島高人編著
出版情報: 東京 : CQ出版社, 1990.6-  冊 ; 15×21cm
シリーズ名: 半導体規格表シリーズ ; No.5
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3.

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3. 半導体セラミクスとその応用
ニューケラスシリーズ編集委員会編
出版情報: 東京 : 学献社, 1990.9  232p ; 26cm
シリーズ名: ニューケラス / ニューケラスシリーズ編集委員会編 ; 7
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4.

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4. 半導体工学 : 大学課程. 第3版
山口次郎[ほか]共編
出版情報: 東京 : オーム社, 1990.3  iv,264p ; 22cm
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5.

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5. 半導体物性工学
和田隆夫, 市村正也著
出版情報: 東京 : 朝倉書店, 1990.4  viii, 236p ; 22cm
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6.

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6. VLSIプロセス装置ハンドブック
前田和夫著
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1990.6  xv, 607p ; 22cm
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7.

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7. 最新高周波デバイス規格表 (1990年版 - 1999年版)
丹羽一夫編著
出版情報: 東京 : CQ出版社, 1990-  冊 ; 15×21cm
シリーズ名: 半導体規格表シリーズ ; No.7
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8.

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8. TAB技術入門
畑田賢造著
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1990.1  313p ; 22cm
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9.

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9. 半導体と半金属 : 基礎と応用
井垣謙三編
出版情報: 東京 : アグネ技術センター, 1990.5  iv, 532p ; 22cm
シリーズ名: 金属物性基礎講座 / 日本金属学会編 ; 6
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10.

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東工大
目次DB
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東工大
目次DB
10. 電子デバイス工学
古川静二郎, 荻田陽一郎, 浅野種正共著
出版情報: 東京 : 森北出版, 1990.3  viii, 146p ; 22cm
シリーズ名: 基礎電気・電子工学シリーズ / 西巻正郎, 関口利男編集 ; 6
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目次情報: 続きを見る
1章 電子と結晶 1
   1.1 価電子と結晶 1
   1.2 結晶と結合形式 4
   1.3 結晶の単位胞と方位 6
   演習問題 7
2章 エネルギー帯と自由電子 8
   2.1 エネルギー準位 8
   2.2 エネルギー帯の形成 8
   2.3 半導体・金属・絶縁物のエネルギー帯構造の違い 12
   演習問題 13
3章 半導体のキャリヤ 14
   3.1 真性半導体のキャリヤ 14
   3.2 外因性半導体のキャリヤ 15
   (1) n形半導体のキャリヤ 15
   (2) p形半導体のキャリヤ 17
   3.3 キャリヤ生成機構 18
   演習問題 19
4章 キャリヤ密度とフェルミ準位 20
   4.1 キャリヤ密度 20
   4.2 真性キャリヤ密度 23
   4.3 真性フェルミ準位 24
   4.4 多数キャリヤと少数キャリヤ 24
   4.5 外因性半導体のキャリヤ密度とフェルミ準位 25
   演習問題 27
5章 半導体の電気伝導 28
   5.1 ドリフト電流 28
   5.2 半導体におけるオームの法則 31
   5.3 拡散電流 33
   5.4 キャリヤ連続の式 36
   演習問題 39
6章 pn接合とダイオード 40
   6.1 pn接合 40
   6.2 pn接合ダイオード 42
   6.3 pn接合ダイオードの電流の大きさ 44
   6.4 ダイオードの実際構造 47
   演習問題 49
7章 ダイオードの接合容量 50
   7.1 接合容量 50
   7.2 空乏層容量 50
   7.3 拡散容量 54
   演習問題 56
8章 バイポーラトランジスタ 58
   8.1 バイポーラトランジスタの位置づけ 58
   8.2 バイポーラトランジスタの動作原理 59
   8.3 I BによるI Cの制御 61
   8.4 電流増幅率 62
   8.5 電流増幅率の決定因子 63
   8.6 接地形式と増幅利得 65
   (1) エミッタ接地 65
   (2) ベース接地 66
   (3) コレクタ接地 66
   8.7 特性と実際動作 66
   (1) 実際構造 66
   (2) スイッチング 67
   (3) 静特性 68
   演習問題 69
9章 接合形FET 71
   9.1 接合形FETの位置づけ 71
   9.2 動作原理 72
   9.3 動作特性と実際 73
   (1) 動作特性 73
   (2) デバイスの実際 76
   演習問題 77
10章 金属-半導体接触 78
   10.1 ショットキー障壁 78
   10.2 ショットキーバリヤダイオード 79
   10.3 オーミック接触 82
   演習問題 84
11章 MIS FET 85
   11.1 MOS FETの位置づけ 85
   11.2 MIS構造ゲートの動作 85
   (1) 蓄積, V G＜0 86
   (2) 空乏, V G＞0 87
   (3) 反転, V G ≫0 87
   11.3 反転状態の解析 87
   11.4 MIS FETの動作原理と特性 90
   (1) 動作原理 90
   (2) 動作特性 91
   11.5 MOS FETの実際と特性 93
   (1) 実際構造 93
   (2) エンハンスメント形とデプレッション形 94
   (3) 回路記号 94
   (4) 特性解析 96
   (5) 相互コンダクタンス 98
   11.6 MOSキャパシタ 98
   11.7 フラットバンド電圧 101
   演習問題 102
12章 集積回路 104
   12.1 ICの回路構成法 104
   12.2 IC構造の構成と実際 106
   12.3 バイポーラIC 108
   12.4 MOSデジタルIC 109
   (1) n-MOS論理回路 110
   (2) C-MOS論理回路 110
   12.5 ICメモリ 111
   (1) ICメモリの位置づけ 111
   (2) RAM 113
   (3) ROM 115
   演習問題 116
13章 光電素子 117
   13.1 光の量子化-光子 117
   13.2 光導電効果 119
   13.3 光起電力効果 121
   (1) 太陽電池 121
   (2) ホトダイオード 123
   13.4 半導体の発光現象 125
   13.5 発光デバイス 125
   (1) 発光ダイオード 125
   (2) 半導体レーザダイオード 127
   演習問題 129
演習問題解答 130
付表 137
   付表1 原子の電子配置 137
   付表2 物理定数 139
   付表3 元素の周期律表 140
参考文献 142
さくいん 143
1章 電子と結晶 1
   1.1 価電子と結晶 1
   1.2 結晶と結合形式 4
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