| 第1章 概論－10年間の透明酸化物の機能探索とそれから拓けた新領域－(細野秀雄) |
| 1. “透明電子活性”に託した想い 1 |
| 2. 新しい範疇のアモルファス半導体:透明アモルファス酸化物半導体(TAOS) 2 |
| 3. ユビキタス元素協同戦略:セメント成分C12A7の多機能化 4 |
| 4. 高温超伝導の新鉱脈:鉄ニクタイド系超伝導体 6 |
| 5. これからの可能性 7 |
| 第2章 酸化物半導体 |
| 1. 概要－透明酸化物の材料設計－(神谷利夫) 12 |
| 1.1 高性能材料とは何か?:光電子デバイスに要求される材料物性 12 |
| 1.2 高移動度酸化物の設計指針 16 |
| 1.3 ドーピング問題:バンドアライメント 17 |
| 1.4 価電子帯の局在性:透明酸化物で良いp型半導体ができないもう一つの理由 20 |
| 1.5 p型透明酸化物の設計 21 |
| 1.6 よりよいp型TCOを探す 22 |
| 1.7 鉄系高温超伝導体の発見へ 24 |
| 1.8 n型酸化物でシリコンを超える:アモルファス酸化物半導体 25 |
| 1.9 新しいn型TCO 28 |
| 2. ワイドギャップp型半導体LaCuOSe(平松秀典) 32 |
| 2.1 はじめに 32 |
| 2.2 高濃度正孔ドーピング 33 |
| 2.3 発光ダイオード 38 |
| 2.4 おわりに 39 |
| 3. p型伝導酸化物半導体SnO－価電帯がs軌道から構成されるp型半導体SnO－(小郷洋一) 42 |
| 3.1 はじめに 42 |
| 3.2 p型SnO薄膜を活性層としたp-チャネルTFT 42 |
| 3.3 SnOホモPN接合 47 |
| 4. p型伝導酸化物半導体Cu2O(松崎功佑) 49 |
| 4.1 はじめに 49 |
| 4.2 エピタキシャル薄膜成長 49 |
| 4.3 TFT特性 52 |
| 4.4 熱処理とギャップ内準位 53 |
| 4.5 おわりに 54 |
| 5. 透明アモルファス酸化物半導体a-In-Ga-Zn-OとそのTFT応用(野村研二) 56 |
| 5.1 はじめに 56 |
| 5.2 透明アモルファス酸化物半導体(TAOS) 57 |
| 5.3 TFT応用へ向けたアモルファス酸化物半導体の材料探索指針 57 |
| 5.4 a-In-Ga-Zn-O薄膜成長と基礎物性 59 |
| 5.5 a-In-Ga-Zn-OのTFT応用 68 |
| 5.6 まとめ 79 |
| 6. TAOS-TFT用大型IGZOターゲット(熊原吉一、栗原敏也、鈴木了) 81 |
| 6.1 はじめに 81 |
| 6.2 ターゲットへの要求特性 82 |
| 6.3 ターゲットの製造方法 82 |
| 6.4 ターゲットの諸特性 85 |
| 6.5 おわりに 87 |
| 7. TAOS-TFT用大型スパッタ装置(磯部辰徳) 89 |
| 7.1 はじめに 89 |
| 7.2 スパッタリング装置の変貌 90 |
| 7.3 大型基板対応スパッタリングカソードについて 91 |
| 7.4 G4.5基板730mm×920mm基板でのIGZO-TFT評価 94 |
| 7.5 まとめ 97 |
| 第3章 LnTMPO系超伝導化合物 |
| 1. 概要(平野正浩) 99 |
| 2. LaFeAsOの超伝導(野村尚利) 103 |
| 3. AeFeAsF(Ae=Ca、Sr)超伝導体(松石聡) 107 |
| 3.1 はじめに 107 |
| 3.2 AeFeAsFの結晶構造および磁気構造 108 |
| 3.3 AeFe1-xCoxAsFの超伝導 110 |
| 3.4 Co以外の遷移金属置換の効果 112 |
| 3.5 まとめ 113 |
| 4. LaTMPnO(TM=3d遷移金属、Pn=ニクトゲン)およびSrFe2As2の薄膜成長(平松秀典) 116 |
| 4.1 はじめに 116 |
| 4.2 LaZnPnO(Pn=P、As) 116 |
| 4.3 LaMnPnO(Pn=P、As、Sb) 119 |
| 4.4 LaFeAsO 123 |
| 4.5 SrFe2As2 127 |
| 4.6 SrFe2As2における水誘起超伝導 130 |
| 4.7 おわりに 134 |
| 第4章 透明酸化物 |
| 1. 概要(平野正浩) 137 |
| 2. シリカガラス(梶原浩一) 138 |
| 2.1 はじめに 138 |
| 2.2 酸素過剰型シリカガラス中の酸素分子濃度の定量 138 |
| 2.3 18O同位体標識法による格子間酸素分子のシリカガラス骨格との反応性の評価 139 |
| 2.4 高純度シリカガラスの真性欠陥機構の解析 142 |
| 2.5 フッ素ドープシリカにおける真性欠陥形成と酸素拡散 145 |
| 2.6 シリカガラス中の水素の反応 146 |
| 2.7 ゾル-ゲル法によるバルクシリカガラスの合成 146 |
| 3. Eu2+蛍光体(上岡隼人) 149 |
| 3.1 はじめに 149 |
| 3.2 Ca2ZnSi2O7蛍光体におけるEu2+イオン 150 |
| 3.3 SrB4O7蛍光体におけるEu2+イオン 155 |
| 3.4 まとめ 158 |
| 4. フェムト秒レーザーによる透明酸化物の加工(河村賢一) 160 |
| 4.1 はじめに 160 |
| 4.2 フェムト秒レーザーシングルパルス干渉露光装置 160 |
| 4.3 シリカガラス表面・内部へのグレーティング書き込み 161 |
| 4.4 LiF分布帰還型(DFB)カラーセンターレーザーの作製 163 |
| 4.5 プリパルス照射によるマイクログレーティングの書き込み閾値およびグレーティング形状の制御 165 |
| 4.6 おわりに 167 |
| 第5章 12CaO・7Al2O3(C12A7) |
| 1. 概要(平野正浩) 169 |
| 2. カチオン、アニオン置換12CaO・7Al2O3化合物と機能発現(林克郎) 172 |
| 2.1 陽イオン置換12CaO・7Al2O3(C12A7) 172 |
| 2.2 Cl-イオンを包接したC12A7系材料の湿度感受電気伝導 176 |
| 2.3 C12A7系材料からのO-イオン放出 177 |
| 2.4 超高温ジルコニア表面を用いた活性酸素放出 181 |
| 3. C12A7エレクトライドの電気特性と超伝導(金聖雄) 183 |
| 3.1 結晶構造の特徴と電子状態 183 |
| 3.2 電子ドーピングと電気特性 184 |
| 3.3 C12A7エレクトライドの超伝導 186 |
| 4. C12A7エレクトライド粉末の合成と包接電子・酸素濃度の定量(松石聡) 192 |
| 4.1 はじめに 192 |
| 4.2 C12A7エレクトライド粉末の合成 193 |
| 4.3 構造解析と包接酸素・電子濃度の測定 193 |
| 4.4 まとめ 197 |
| 5. C12A7エレクトライドの仕事関数と表面の電子構造(戸田喜丈) 199 |
| 5.1 はじめに 199 |
| 5.2 C12A7:e-の電子構造:バンドギャップとケージ伝導帯の実験的観測 199 |
| 5.3 C12A7:e-の電子構造と表面構造 200 |
| 5.4 低い仕事関数のオリジン 206 |
| 5.5 まとめと今後の展望 207 |
| 6. C12A7エレクトライドの化学反応への展開(津田進) 210 |
| 6.1 はじめに 210 |
| 6.2 C12A7エレクトライドを用いたベンズアルデヒド類およびアセトフェノン類の還元的ピナコールカップリングとその反応機構の考察 212 |
| 6.3 炭酸水素カリウムの添加効果とそのメカニズムの考察 215 |
| 6.4 おわりに 216 |
| 7. C12A7エレクトライドの蛍光灯への応用(渡邉暁、宮川直通、伊藤節郎) 218 |
| 7.1 放電ランプと陰極材料 218 |
| 7.2 C12A7エレクトライドのイオン励起2次電子放出特性 220 |
| 7.3 冷陰極蛍光ランプ用陰極材料としてのC12A7エレクトライド 224 |
| 第1章 概論－10年間の透明酸化物の機能探索とそれから拓けた新領域－(細野秀雄) |
| 1. “透明電子活性”に託した想い 1 |
| 2. 新しい範疇のアモルファス半導体:透明アモルファス酸化物半導体(TAOS) 2 |
