close
1.

図書
図書
1. 半導体工学 : 半導体物性の基礎
高橋清著
出版情報: 東京 : 森北出版, 1975.8  vi, 358p ; 22cm
シリーズ名: 森北電気工学シリーズ ; 4
所蔵情報: loading…
2.

図書

東工大
目次DB
図書
東工大
目次DB
2. 分子線エピタキシー技術
高橋清編著
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1984.1  13, 415p ; 22cm
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
1章 分子線エピタキシー概論 (高橋) 1
   1.1 はじめに 1
   1.2 分子線エピタキシーの歴史的背景 1
   1.3 分子線エピタキシーとは 2
   1.4 分子線エピキシーの特徴 5
   1.5 分子線エピタキシーによる膜形成 8
   1.6 分子線エピタキシーによる電子デバイス 8
   1.6.1 分子線の直進性を利用したデバイス 8
   1.6.2 不純物および組成分布の任意性を利用 13
   1.6.3 多元混晶化合物 13
   1.6.4 周期性多層膜素子 13
   1.7 分子線エピタキシーによる新しい材料設計 14
   1.7.1 混晶による化合物半導体材料設計 14
   1.7.2 超格子構造による新しい材料設計 15
   1.7.3 超格子構造による2,3の例 17
   1.8 複合形分子線エピタキシー MO-MBE 20
   1.9 量子論的結晶成長 分子線エピタキシー 21
1編 基礎
2章 分子線エピタキシーの素過程 (河津) 25
   2.1 はじめに 25
   2.2 薄膜形成の素過程 25
   2.2.1 熱適応係数 25
   2.2.2 平均滞在時間 27
   2.2.3 脱離エネルギー 29
   2.2.4 拡散係数および平均拡散距離 30
   2.2.5 付着係数 30
   2.2.6 反応次数 31
   2.3 薄膜の形成過程 32
   2.3.1 核生成と薄膜の成長 32
   2.3.2 化合物半導体薄膜の成長 37
   2.3.3 金属2次元薄膜の形成過程 50
   2.4 おわりに 52
3章 分子線エピタキシー装置 (小宮) 57
   3.1 はじめに 57
   3.2 分子線エピタキシー教置の歴史的経過 57
   3.2.1 分子線エピタキシー装置の流れ 57
   3.2.2 現行の分子線エピタキシー装置の比較と問題点 59
   3.3 分子線エピタキシー装置の設計思想 62
   3.4 分子線エピタキシー装置の構成 64
   3.4.1 装置全体の構造 64
   3.4.2 成長室 65
   3.4.3 分子線蒸発源 67
   3.4.4 成長室マニピュレータ 71
   3.4.5 基板加熱 72
   3.4.6 基板の導入と搬送 73
   3.4.7 排気系の選定 74
   3.5 分子線エピタキシー装置で派生する諸問題 77
   3.5.1 膜厚分布 77
   3.5.2 モニタリングと組成分析 78
   3.5.3 メカニカルマスクに関する問題 82
   3.5.4 自動化への対応 83
   3.6 分子線エピタキシー装置の付属機器 86
   3.6.1 表面清浄化用イオン銃 86
   3.6.2 高純度ガス導入 87
   3.6.3 化成蒸気の導入 88
   3.6.4 低速イオンビーム源 88
   3.7 分子線エピタキシー装置のクリーニング 91
   3.7.1 蒸着膜の剥離と真空中のダストの発生 91
   3.7.2 分子線源の交換 92
   3.7.3 成長室・分子線源室の部品の洗浄 92
   3.8 おわりに 92
4章 薄膜評価技術 (権田) 97
   4.1 はじめに 97
   4.2 光学的方法 99
   4.2.1 目視 99
   4.2.2 偏光解析(エリプソメトリ) 100
   4.2.3 反射,吸収 101
   4.2.4 光伝導 103
   4.2.5 フォトルミネセンス 103
   4.2.6 ラマン散乱 104
   4.2.7 光音響分光法 104
   4.2.8 X線 105
   4.3 電気的方法 107
   4.3.1 電気抵抗とホール効果 107
   4.3.2 容量法 108
   4.4 電子回折と電子分光法 111
   4.4.1 電子回折 111
   4.4.2 電子顕微鏡 114
   4.4.3 X線ブローブマイクロアナリシス 115
   4.4.4 オージェ電子分光 115
   4.4.5 電子エネルギー損失分光 116
   4.4.6 光電子分光(SIMS) 117
   4.5 イオン線法 118
   4.5.1 2次イオン分光 118
   4.5.2 イオン後方散乱 119
   4.5.3 イオン散乱 120
   4.6 その他の方法 120
   4.6.1 触針法 120
   4.6.2 走査トンネル顕微鏡 120
   4.6.3 放射化分析 121
2編 膜形成技術
5章 Siの分子線エピタキシー (坂本) 127
   5.1 はじめに 127
   5.2 Si MBE装置 128
   5.3 成長雰囲気の影響 131
   5.3.1 残留ガス 131
   5.3.2 Cの影響 131
   5.3.3 残留ガスと成長速度 132
   5.4 Si基板の清浄化 132
   5.4.1 高温フラッシュ 133
   5.4.2 Gaビーム照射(Galliation)法 135
   5.4.3 イオンビームスパッタ法 136
   5.4.4 レーザ照射法 136
   5.4.5 新低温熱処理法 137
   5.5 Siのホモエピタキシャル成長 137
   5.6 不純物ドーピング 139
   5.6.1 蒸発ドーピング 139
   5.6.2 イオン化ドーピンク 140
   5.6.3 不純物の偏析 143
   5.7 ヘテロエピタキシャル成長 143
   5.7.1 SOS(Silicon on Sapphire) 144
   5.7.2 シリサイド 144
   5.7.3 多結晶Si 145
   5.7.4 GaP 145
   5.7.5 絶縁物 145
   5.8 Si MBEの将来展望 146
   5.9 おわりに 147
6章 III-V族半導体の分子線エピタキシー (三島) 151
   6.1 はじめに 151
   6.2 III-V族半導体の結晶成長機構 151
   6.2.1 結晶成長機構 152
   6.2.2 最近のIII-V族半導体のMBE成長 155
   6.3 不純物のドーピング 158
   6.3.1 p型ドーパント 158
   6.3.2 n型ドーパント 162
   6.4 おわりに 165
7章 II-IV族半導体の分子線エピタキシー (八百) 171
   7.1 はじめに 171
   7.2 分子線エピタキシャル成長 172
   7.2.1 II-IV族化合物と構成元素の平衡蒸気圧 172
   7.2.2 MBE装置 172
   7.2.3 基板 173
   7.2.4 分子線源 174
   7.2.5 成長速度 174
   7.2.6 混晶の組成比 177
   7.2.7 成長条件と電子線回折および表面観察 178
   7.3 エピタキシャル膜の評価 180
   7.3.1 ZnSe 180
   7.3.2 ZnTe 184
   7.3.3 ZnS 186
   7.3.4 CdTe 187
   7.3.5 CdHgTe 187
   7.4 デバイス作成への応用 188
   7.4.1 選択MBE 188
   7.4.2 dC ELセル 189
   7.5 おわりに 190
3編 デバイスへの応用
8章 超高速デバイス (冷水) 197
   8.1 はじめに 197
   8.2 GaAs-AlGaAsヘテロ構造デバイス 198
   8.2.1 選択ドープGaAs-AlGaAsへテロ構造の高移動度効果 198
   8.2.2 高電子移動度トランジスタ(HEMT) 201
   8.2.3 その他のデバイス 206
   8.3 GaInAs-AlInAsへテロ構造デバイス 208
   8.3.1 ダブルへテロGa0.47In0.53 As MES FET 208
   8.3.2 選択ドープGa0.47In0.53As/N-Al0.48In0.52Asへテロ構造FET 210
   8.4 おわりに 211
9章 ヘテロ超薄膜における量子効果とデバイス応用 (榊) 217
   9.1 量子効果デバイスとは何か 217
   9.2 ヘテロ構造によるポテンシャルの制御 218
   9.3 電子の分散関係の異方化および共鳴トンネル効果とその応用 219
   9.4 電子の散乱過程の抑制と高移動度効果 超高速FETへの応用を中心として 221
   9.5 実空間におけるキャリアの移動を利用した物性制御とデバイス応用 224
   9.5.1 実空間遷移デバイスおよび速度変調トランジスタ 224
   9.5.2 横型超格子APD 225
   9.5.3 縦型超格子APD 226
   9.6 ホール電圧の量子化と標準抵抗 227
   9.7 禁制帯域の制御と量子井戸レーザ 基礎吸収端の短波長化 228
   9.8 nipi超格子およびInAs-GaSb超格子における基礎吸収端の長波長化 229
   9.9 エキシトン効果と光双安定性 230
   9.10 サブバンド間遷移を用いたデバイス 231
   9.11 おわりに 231
10章 オプトエレクトロニクデバイス (岡本) 237
   10.1 GaAsのMBE成長のメカニズムと膜質 237
   10.2 MBE膜の光学的品質 239
   10.2.1 GaAs MBE膜の光学的品質 239
   10.2.2 AlxGa1-xAs MBE膜の光学的品質 243
   10.2.3 InP MBE膜の光学的品質 245
   10.2.4 InxGa1-xAs MBE膜の光学的品質 247
   10.3 MBE技術を用いた半導体光デバイス 249
   10.3.1 初期のレーザダイオードとその特性 249
   10.3.2 改良されたGaAs-Al0.3Ga0.7As DHレーザ 250
   10.3.3 高性能レーザダイオードの実現 254
   10.3.4 長波長帯レーザダイオード 257
   10.3.5 光検出器 258
   10.4 半導体超格子構造 光物性と多重量子井戸レーザ 260
   10.4.1 半導体超格子構造とは 260
   10.4.2 超格子層厚の非破壊測定法 261
   10.4.3 MBE技術による単原子層制御 262
   10.4.4 超格子構造の光物性 262
   10.4.5 多重量子井戸型レーザダイオードの発振特性 265
   10.5 MO-CVD技術との比較 269
11章 超構造デバイス 新超高速デバイス (白木) 275
   11.1 はじめに 275
   11.2 超高速デバイスの分類 276
   11.2.1 横型 電界効果トランジスタ 277
   11.2.2 縦型 ヘテロ接合トランジスタ 277
   11.2.3 新縦型デバイス 282
4編 関連技術
12章 イオン注入 (古川) 293
   12.1 はじめに 293
   12.2 イオン注入装置 294
   12.2.1 装置の概略 294
   12.2.2 イオン源 295
   12.3 注入イオンに関する理論の概略 296
   12.3.1 全飛程Rとエネルギー損失機構 296
   12.3.2 射影飛程Rpとその他の高次モーメント 297
   12.3.3 理論注入イオン分布 298
   12.3.4 2層構造基板中の注入イオン分布 301
   12.3.5 数値計算結果 301
   12.4 注入イオン分布の実際 302
   12.5 イオン注入されたシリコン基板の熱処理特性 304
   12.5.1 注入量と欠陥分布 304
   12.5.2 熱処理温度と電気的特性との関係(一般的傾向) 305
   12.5.3 電気的活性化率の基板面方位依存性(As+→Siの場合) 305
   12.5.4 電気的活性化率のドーズ依存性(P+,B+→Siの場合) 307
   12.5.5 短時間熱処理法 308
   12.6 化合物半導体へのイオン注入 310
   12.6.1 化合物半導体へのイオン注入の問題点 310
   12.6.2 ストイキオメトリのずれに対する対策 311
   12.7 おわりに 312
13章 MO-CVD技術 (関) 315
   13.1 はじめに 315
   13.2 MO-CVDの原理と特徴 316
   13.2.1 結晶成長の原理 316
   13.2.2 結晶成長装置 316
   13.2.3 結晶成長機構 319
   13.3 成長結晶の諸特性 327
   13.3.1 絶縁物基板上の結晶特性 327
   13.3.2 結晶成長条件と電気特性 329
   13.4 デバイスへの応用 333
   13.4.1 MO-CVD技術の特徴 333
   13.4.2 デバイスへの応用 335
   13.5 おわりに 337
14章 レーザアニーリング (徳山) 343
   14.1 レーザアニール技術 343
   14.2 レーザアニールの機構 344
   14.2.1 レーザ光の吸収と熱への変換 344
   14.2.2 加熱のモデル 345
   14.3 アニール装置 348
   14.4 レーザアニールの特徴 350
   14.4.1 イオン打込み層のアニール 350
   14.4.2 レーザアニールの伴う特異な現象 353
   14.5 非晶質基板上でのSi結晶成長 356
   14.5.1 溶融法による結晶成長 356
   14.5.2 固相法による成長 361
   14.6 レーザアニーリングのデバイス応用 362
   14.6.1 SOI構造の応用 364
   14.6.2 キャリア分布形の制御 364
   14.6.3 その他 366
15章 電子ビームリソグラフィ (加藤,難波) 371
   15.1 はじめに 371
   15.2 電子ビーム露光装置 371
   15.2.1 電子ビーム露光技術の発展 371
   15.2.2 電子ビーム露光装置 374
   15.3 電子線レジスト 377
   15.4 電子ビームによるマスク製作 378
   15.4.1 パターン寸法精度 379
   15.4.2 位置精度 379
   15.4.3 欠陥密度 380
   15.4.4 多品種マスタマスクとレクチルの製作 380
   15.5 電子ビーム直接露光 380
   15.6 近接効果 382
   15.7 nmリソグラフィ 383
   15.8 おわりに 383
16章 X線リソグラフィ (有留,難波) 387
   16.1 はじめに 387
   16.2 X線リソグラフィ 387
   16.3 特性X線によるX線露光 390
   16.4 放射光リソグラフィ 391
   16.4.1 特徴 391
   16.4.2 電子シンクロトロン軌道放射によるX線 391
   16.4.3 放射線リソグラフィ実験の現状 392
   16.4.4 今後の動向 394
   16.5 おわりに 395
付 分子線エピタキシーの歴史 (岡本) 399
   1 新結晶・新構造・新物性の探究の歴史 400
   2 従来デバイスへの適用と特性改善に関する研究の経過 401
   3 デバイス製作プロセスとしてのMBE技術の開発の歴史 403
   4 MBE装置の開発の歴史 404
   5 第2次MBEフィーバ 405
索引 409
1章 分子線エピタキシー概論 (高橋) 1
   1.1 はじめに 1
   1.2 分子線エピタキシーの歴史的背景 1
3.

図書
図書
3. 半導体電子工学
高橋清, 沖村浩史共著
出版情報: 東京 : 昭晃堂, 1984.5  ii, 6, 230p ; 22cm
所蔵情報: loading…
4.

図書

東工大
目次DB
図書
東工大
目次DB
4. 精解演習半導体工学
酒井善雄, 高橋清共著
出版情報: 東京 : 広川書店, 1964.9  3, 196p ; 22cm
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
第1章 半導体総論
   要項(1-1～1-6) 1
   例題(1-1～1-13) 2
   問題(1-1～1-7) 14
第2章 半導体中の電気伝導
   (電子と正孔の統計的取扱)
   要項(2-1～2-6) 19
   例題(2-1～2-6) 20
   問題(2-1～2-18) 33
第3章 金属 半導体接触
   要項(3-1～3-5) 45
   例題(3-1～3-3) 46
   問題(3-1～3-7) 50
第4章 P-N接合
   要項(4-1～4-5) 57
   例題(4-1～4-4) 58
   問題(4-1～4-10) 65
第5章 トランジスタ物理
   要項(5-1～5-4) 75
   例題(5-1～5-7) 76
   問題(5-1～5-20) 86
第6章 トランジスタ回路
   要項(6-1～6-5) 101
   例題(6-1～6-7) 102
   問題(6-1～6-6) 110
第7章 光電現象
   要項(7-1～7-4) 117
   例題(7-1～7-8) 118
   問題(7-1～7-10) 123
第8章 熱電現象
   要項(8-1～8-5) 131
   例題(8-1～8-6) 132
   問題(8-1～8-4) 139
第9章 磁電現象
   要項(9-1～9-4) 143
   例題(9-1～9-2) 144
   問題(9-1～9-10) 145
第10章 半導体材料
   要項(10-1～10-2) 153
   例題(10-1～10-5) 154
   問題(10-1～10-10) 159
第11章 固体物性基礎論
   要項(11-1～11-6) 167
   例題(11-1～11-13) 168
   問題(11-1～11-7) 184
索引 191
第1章 半導体総論
   要項(1-1～1-6) 1
   例題(1-1～1-13) 2
5.

電子ブック
ＥＢ
5. 半導体工学 : 半導体物性の基礎. 第3版 (: electronic bk)
高橋清, 山田陽一共著
出版情報: 東京 : 森北出版, 2013.10  1 オンラインリソース
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
量子論入門
固体の帯理論
統計力学の基礎
半導体と電導機構
p‐n接合
ヘテロ接合と金属‐半導体接触
トランジスタと集積回路
半導体の光学的性質
発光デバイスと受光デバイス
半導体の各種性質
量子効果デバイス
21世紀のエレクトロニクス
量子論入門
固体の帯理論
統計力学の基礎
概要: オプトエレクトロニクスデバイスの進展、半導体の発光機構、ポスト半導体工学の展望—内容を追加・拡充。これからの半導体工学を学ぶのに最適な一冊。
6.

図書
図書
6. 見てわかる半導体の基礎
高橋清著
出版情報: 東京 : 森北出版, 2000.5  vi, 151p ; 22cm
所蔵情報: loading…
7.

図書

東工大
目次DB
図書
東工大
目次DB
7. ワイドギャップ半導体光・電子デバイス
長谷川文夫, 吉川明彦編著
出版情報: 東京 : 森北出版, 2006.3  xvi, 421p, 図版4p ; 23cm
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
   序文 i
   編集委員会 ⅲ
   執筆者一覧 ⅳ
   特別寄稿　私のナイトライド研究－ひとり荒野を－ ⅸ
1　ワイドギャップ半導体開発の必要性と応用
   1.1　光デバイスにおける必要性と応用 4
   1.1.1　短波長光デバイス用材料としてのワイドギャップ半導体の特徴 4
   1.1.2　Ⅲ‐Ⅴ族窒化物およびⅡ-Ⅵ族系半導体の物性制御 10
   1.1.3　ワイドギャップ半導体光デバイスのその他の特徴と今後の展開 15
   1.2　電子デバイスにおける必要性と応用 16
   1.2.1　SiC系電子デバイス 16
   1.2.2　窒化物系電子デバイス 21
2　ワイドギャップ半導体の基本特性
   2.1　ワイドギャップ半導体の結晶構造，バンド構造 34
   2.1.1　Ⅳ－Ⅳ族半導体 34
   2.1.2　Ⅱ－Ⅵ族半導体 41
   2.1.3　Ⅲ－Ⅴ族窒化物系半導体 46
   2.1.4　へテロ接合とバンド構造 51
   2.1.5　ワイドギャップ半導体の格子欠陥 58
   2.2　ワイドギャップ半導体の光学的・力学的・熱的特性 67
   2.2.1　ワイドギャップ半導体の光学的特性 67
   2.2.2　ワイドギャップ半導体の量子構造 79
   2.2.3　各種半導体の格子定数 84
   2.2.4　各種半導体の機械的特性と熱的特性 89
   2.3　ワイドギャップ半導体の電気的特性 98
   2.3.1　ドーピング技術 98
   2.3.2　各種半導体の電子・正孔移動度特性 100
   2.3.3　SiCの電気的特性 102
   2.3.4　GaNにおける電気伝導特性 104
3　光デバイス
   3.1　発光ダイオード（LED） 114
   3.1.1　発光デバイスの基礎 114
   3.1.2　光学利得とレーザ特性 122
   3.2　可視光LED　129
   3.2.1　AlGaInP系赤色LED 129
   3.2.2　GaN系可視光LED 133
   3.2.3　BeZnSeTe系緑色LED 139
   3.3　紫外光デバイス 145
   3.3.1　紫外LEDの高効率化と短波長化への課題と展望 145
   3.3.2　ZnO系LED 152
   3.3.3　紫外受光デバイス 165
   3.4　白色発光デバイス 171
   3.4.1　照明用白色LEDへの期待 171
   3.4.2　蛍光体の開発動向 176
   3.4.3　GaN系白色LEDの演色性向上 179
   3.4.4　高効率・高出力白色LED 184
   3.4.5　ZnSe系白色LED 189
   3.5　LEDの応用と将来展望 195
   3.5.1　高輝度LEDの応用例 195
   3.5.2　さまざまなLED応用と将来展望 197
   3.6.　レーザダイオード（LD） 203
   3.6.1　次世代DVD用青紫色LD 203
   3.6.2　GaN系LDの長波長化 215
   3.6.3　紫外LDへの展望 223
   3.6.4　ZnSe系LD 226
4　電子デバイス
   4.1　高周波パワーデバイス 242
   4.1.1　窒化物半導体 242
   4.1.2　SiC 250
   4.1.3　ダイヤモンド 255
   4.2　高耐圧・大電流密度パワーデバイス 262
   4.2.1　GaN 262
   4.2.2　SiC 271
   4.3　新機能デバイス 282
   4.3.1　電子エミッタ 282
   4.3.2　透明デバイス 293
5　結晶成長
   5.1　パルク結晶成長 301
   5.1.1　SiC 301
   5.1.2　ダイヤモンド 310
   5.1.3　GaN 318
   5.1.4　ZnSe，ZnO 326
   5.2　エピタキシャル成長 334
   5.2.1　SiC 334
   5.2.2　ダイヤモンド 343
   5.2.3　GaN 347
   5.2.4　InGaNおよびInGaN/GaNへテロ構造 360
   5.2.5　AlGaN，AlNおよびAlGaN/GaNへテロ構造 368
   5.2.6　InNと関連半導体 375
   5.2.7　BAlGaN四元混晶半導体 384
   5.2.8　ZnSeと関連半導体 387
   5.2.9　ZnOと関連半導体 398
付録1 本書内の主な英文略語標記の説明 411
付録2 主な半導体の化学式表示 414
索引 415
   序文 i
   編集委員会 ⅲ
   執筆者一覧 ⅳ
8.

図書
図書
8. 半導体工学 : 半導体物性の基礎. 第3版
高橋清, 山田陽一共著
出版情報: 東京 : 森北出版, 2013.10  vi, 250p ; 22cm
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
量子論入門
固体の帯理論
統計力学の基礎
半導体と電導機構
p‐n接合
ヘテロ接合と金属‐半導体接触
トランジスタと集積回路
半導体の光学的性質
発光デバイスと受光デバイス
半導体の各種性質
量子効果デバイス
21世紀のエレクトロニクス
量子論入門
固体の帯理論
統計力学の基礎
概要: オプトエレクトロニクスデバイスの進展、半導体の発光機構、ポスト半導体工学の展望—内容を追加・拡充。これからの半導体工学を学ぶのに最適な一冊。
9.

図書

東工大
目次DB
図書
東工大
目次DB
9. 半導体ヘテロ接合
A.G.ミルネス, D.L.フォイヒト原著 ; 酒井善雄, 高橋清, 森泉豊栄共訳
出版情報: 東京 : 森北出版, 1974.9  xv, 410p ; 22cm
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
   日本語版への序文 i
   序 ii
   謝辞 iv
   訳者序文 v
   記号の説明 x
1.半導体ヘテロ接合入門
   1.1 ヘテロ接合 1
   1.2 ヘテロ接合のエネルギー帯構造 3
   1.3 半導体ヘテロ接合の組合せ 7
   1.4 ヘテロ接合の特徴 13
   1.5 その他のヘテロ接合デバイス 18
   1.6 画像変換におけるヘテロ接合の光学的性質 31
   1.7 注入型ヘテロ接合レーザ:GaAs/AlχGa1-χAs構造 34
2.半導体p-nヘテロ接合モデルとダイオード特性
   2.1 n-pおよびp-nヘテロ接合のAndersonモデル 35
   2.2 n-p Ge-GaAsヘテロ接合の研究 40
   2.3 ヘテロ接合の再結合およびトンネル機構 46
   2.4 n-pおよびp-nヘテロ接合の容量特性 52
   2.5 界面準位を介しての再結合 57
3.ヘテロ接合トランジスタ
   3.1 理想的ヘテロ接合トランジスタの特徴 59
   3.2 ヘテロ接合トランジスタ中の無効電流成分 64
   3.3 ZnSe-Geヘテロ接合トランジスタの特性 74
   3.4 ヘテロ接合トランジスタの性能 81
4.アイソタイプ(n-n,p-p)ヘテロ接合
   4.1 はじめに 98
   4.2 界面準位が存在する場合のn-n接合のエネルギー帯構造 102
   4.3 接合容量測定からのエネルギー帯構造の決定 108
   4.4 ダブルショットキー障壁としてのn-n Ge-Siヘテロ接合の研究 110
   4.5 n-n Ge-GaAsヘテロ接合 114
   4.6 その他のアイソタイプへテロ接合の研究 118
5.ヘテロ接合の光学的性質とヘテロ接合レーザ
   5.1 はじめに 119
   5.2 p-nホモ接合の光電池動作 119
   5.3 p-nヘテロ接合光電池 122
   5.4 アイソタイプn-nヘテロ接合の光学的性質 126
   5.5 ヘテロ表面型太陽電池の考察 129
   5.6 ヘテロ接合太陽電池の解析 133
   5.7 GaAs-AlχGa1-χAsヘテロ接合レーザ 146
6.金属-半導体障壁
   6.1 ショットキーモデル 160
   6.2 障壁高さの決定 164
   6.3 各種半導体の障壁高さの観測値 169
7.金属-半導体接合の特性
   7.1 障壁を越えてのエミッションから期待される特性 174
   7.2 鏡像力による障壁の低下 175
   7.3 障壁領域中のキャリアの流れ 178
   7.4 実験的特性 181
   7.5 p-n接合のガードリングをもったショットキーダイオード 185
   7.6 電界効果による障壁低下の研究 189
   7.7 熱電子トンネル現象およびその他の概念 190
   7.8 金属-半導体接合における少数キャリアの流れ 192
   7.9 金属-半導体接合の応用 194
8.高利得光電陰極
   8.1 はじめに 203
   8.2 セシウムをつけたp+-GaAs光電陰極 205
   8.3 III-V光電陰極の障壁 213
   8.4 光電子増倍用2次電子エミッタ 219
   8.5 冷陰極電子エミッタ 224
9.ヘテロ接合の形成
   9.1 ヘテロ接合形成に対する考察 227
   9.2 ヨウ化物不均等化反応による成長法 234
   9.3 HCI輸送法 238
   9.4 水素化合物および水蒸気による成長 249
   9.5 真空蒸着およびスパッタリングによるヘテロ接合の形成 253
   9.6 ヘテロ接合の液相成長 264
   9.7 合金法によるヘテロ接合の形成 276
   9.8 測定技術 283
   9.9 半導体へのオーミックコンタクト 290
   参考文献 309
   人名索引 377
   項目索引 398
   日本語版への序文 i
   序 ii
   謝辞 iv
10.

図書

東工大
目次DB
図書
東工大
目次DB
10. 半導体工学 : 半導体物性の基礎. 第2版
高橋清著
出版情報: 東京 : 森北出版, 1993.2  viii, 327p ; 22cm
シリーズ名: 森北電気工学シリーズ ; 4
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
1章 量子論入門 1
   1・1 粒子と波動 1
   1・2 波束および群速度 5
   1・3 ド・ブロイの関係式 7
   1・4 シュレーディンガーの波動方程式 9
   1・5 束縛粒子 15
   1・6 フェルミエネルギー 19
   1・7 状態密度関数 24
   1・8 トンネル効果 25
2章 固体の帯理論 32
   2・1 帯理論の定性的な説明 32
   2・2 導体・半導体・絶縁体のエネルギー帯構造 35
   2・3 波動方程式による帯理論の導出 37
3章 統計力学の基礎 57
   3・1 エネルギー分布則の種類 57
   3・2 フェルミ・ディラックの分布関数 58
4章 半導体の電導機構 63
   4・1 半導体の歴史的経緯 63
   4・2 半導体の電気伝導現象 67
   4・3 真性半導体中のキャリア濃度 73
   4・4 外因性半導体中のキャリア濃度 79
   4・5 キャリアの再結合 86
   4・6 連続の方程式 89
   4・7 ギャリアの移動度 91
   4・8 格子散乱 94
   4・9 アインシュタインの関係式 97
5章 p-n接合 100
   5・1 p-n接合のエネルギー準位図 100
   5・2 p-n接合の電圧-電流特性 102
   5・3 p-n接合の逆方向降伏現象 108
   5・4 p-n接合の接合容量 112
   5・5 トンネル(エサキ)ダイオード 119
6章 金属-半導体接触 124
   6・1 金属-半導体接触のエネルギー準位図 124
   6・2 ウイルソンの整流理論 128
   6・3 ショットキー障壁 131
   6・4 ベーテのダイオード理論 132
   6・5 鏡像力による障壁の低下 133
7章 ヘテロ接合 137
   7・1 ヘテロ接合のエネルギー準位図 137
   7・2 ヘテロ接合の電流輸送機構 143
   7・3 ヘテロ接合の電子素子への応用 152
8章 トランジスタ 154
   8・1 接合形トランジスタの基礎動作 154
   8・2 トランジスタの周波数特性 161
   8・3 ドリフトトランジスタ 163
   8・4 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT) 164
   8・5 高移動度トランジスタ(FET) 165
   8・6 高移動度トランジスタ(HEMT) 170
   8・7 ホットエレクトロントランジスタ 171
   8・8 静電誘導トランジスタ 172
   8・9 薄膜トランジスタ 173
   8・10 スイッチング用トランジスタ 173
   8・11 電荷結合素子(CCD) 176
9章 半導体の光学的性質 182
   9・1 光と物質との相互作用 182
   9・2 外部光電効果(光電子放出効果) 190
   9・3 内部光電効果(光導電効果) 193
   9・4 光起電力効果(障壁形) 197
   9・5 その他の光起電力効果 203
   9・6 固有電界発光 205
   9・7 発光ダイオード 206
   9・8 半導体レーザダイオード 208
   9・9 外部作用による光学効果 215
   9・10 光エレクトロニクス 217
10章 半導体の熱電的性質 223
   10・1 熱電現象の歴史的展望 223
   10・2 ゼーベック効果 226
   10・3 ペルチエ効果 231
   10・4 トムソン効果 233
   10・5 ケルビンの関係式 234
   10・6 半導体の熱伝導率 235
   10・7 半導体熱電効果の応用 237
11章 磁電効果 240
   11・1 ホール効果 240
   11・2 磁気抵抗効果 246
   11・3 エッチングスハウゼン効果 249
   11・4 熱磁気効果 250
12章 量子効果デバイス 253
   12・1 超格子 253
   12・2 人工格子 259
   12・3 量子井戸 261
   12・4 量子面から量子細線,量子箱,さらには量子点へ 263
   12・5 エニオン(Anyon) 266
   12・6 電子の粒子性から波動性へ 267
   12・7 量子効果デバイスの特徴 268
   12・8 インコヒーレント電子波からコヒーレント電子波へ 269
   12・9 AB効果 271
   12・10 共鳴トンネルトランジスタ 273
   12・11 キャリアからプロパゲータヘ 274
13章 その他の半導体素子 276
   13・1 ひずみ抵抗効果 276
   13・2 音波とキャリアとの相互作用効果 282
14章 半導体材料技術 289
   14・1 半導体材料の種類 289
   14・2 半導体材料の精製 292
   14・3 p形,n形への変換 293
   14・4 単結晶の製作法 295
   14・5 薄膜単結晶の製作法 297
   14・6 p-n接合の形成法 304
   14・7 量子化プロセス 304
15章 集積回路 307
   15・1 集積回路の沿革 307
   15・2 集積化の意義 309
   15・3 超小形化の限界 310
エピローグ 312
付録
   1.各種半導体の物性定数表 314
   2.物理定数表 315
   3.単位(SI)の接頭語 316
演習問題解答 317
さくいん 319
1章 量子論入門 1
   1・1 粒子と波動 1
   1・2 波束および群速度 5
文献の複写および貸借の依頼を行う
 文献複写・貸借依頼