| Ⅰ 超LSI共同研究所 |
| 第1章 超LSI共同研究所―共同研究所の元祖（垂井康夫） 13 |
| 1 超LSI共同研究所の始まり 13 |
| 1.1 スタートの経緯 13 |
| 1.2 目標の設定 15 |
| 1.3 超エル・エス・アイ技術研究組合 16 |
| 2 超LSI共同研究所の発足 17 |
| 2.1 人材を集める 17 |
| 2.2 研究室の編成 18 |
| 2.3 研究員の配置 19 |
| 2.4 研究分野概覧 21 |
| 3 それまでの蓄積 23 |
| 3.1 超高性能電算機プロジェクトが先行 23 |
| 3.2 ステッパ開発の萌芽 24 |
| 4 電子ビーム描画装置 26 |
| 4.1 電機－機械ハイブリッド形電子ビーム描画装置（VL-R1,VL-R2） 26 |
| 4.2 可変成形ビームベクタスキャン型描画装置（VL-S1,VL-S2） 28 |
| 4.3 電界放射銃を用いた電子ビーム描画装置（VL-F1） 32 |
| 4.4 電子ビーム描画用ソフトウェア 34 |
| 5 転写装置 36 |
| 5.1 各種の転写装置の概説 36 |
| 5.2 紫外線縮小転写装置 38 |
| 5.3 縮小転写装置のその後 40 |
| 6 シリコン単結晶技術 41 |
| 7 まとめ 41 |
| Ⅱ 欧米における共同研究プロジェクト |
| 第2章 SEMATECH―先端量産技術開発のための共同研究（鴨志田元孝，三浦義男） 45 |
| 1 はじめに 46 |
| 2 SEMATECH設立時の時代背景 47 |
| 3 SEMATECHおよびその関連組織の歴史 49 |
| 4 SEMATECHの主な成果と技術移転 54 |
| 4.1 特許から見た技術波及効果 54 |
| 4.2 技術移転の主な具体例 56 |
| 5 成功の要因分析 59 |
| 5.1 SEMATECHの構造と他の組織との提携 59 |
| 5.2 メンバー企業重視の意思決定 61 |
| 5.3 参加企業による成果の評価方法 63 |
| 5.4 メンバー企業満足度第一の運営 64 |
| 6 将来動向に備えて標準策定 66 |
| 7 まとめ 68 |
| 第3章 IMEC―世界の半導体企業にとって魅力ある独立研究機関（赤城三男） 73 |
| 1 フランダース地方とIMECの設立 73 |
| 2 IMECの初期プロジェクト 76 |
| 3 露光プロセス技術の開発 77 |
| 3.1 ASML社との長年の戦略的パートナーシップ 78 |
| 3.2 KrF露光プロセス開発 79 |
| 3.3 ArF露光プロセス開発 80 |
| 3.4 F2露光プロセス開発 82 |
| 3.5 ArF液浸露光プロセス開発 82 |
| 3.6 EUV露光プロセス開発 86 |
| 3.7 IMECパイロットラインと露光関係のIIAP 86 |
| 4 CMOS以外の最近の主なプロジェクト 89 |
| 5 IMECで研究する大学院生 90 |
| 6 IMECはメジャーな独立研究機関となった 91 |
| 7 なぜIMECは成功しているか 93 |
| 7.1 先見の明のある方向づけ 93 |
| 7.2 製造を視野に入れた開発 94 |
| 7.3 リスクとコストを共同で負担しIPを共有するIIAP 95 |
| 7.4 有効な評価 95 |
| 7.5 独立研究機関としての経営 96 |
| 第4章 オルバニーナノテク―研究・教育発信源としての総合施設（鴨志田元孝，三浦義男） 101 |
| 1 はじめに 102 |
| 2 設立の背景と歴史 104 |
| 2.1 背景 104 |
| 2.2 歴史 106 |
| 3 オルバニーナノテク全体構成 110 |
| 3.1 建物・敷地面積とコスト 110 |
| 3.2 組織－戦略的パートナー 112 |
| 4 オルバニーナノテクの成果 113 |
| 4.1 コンソーシアムの成果－ナノ電子工学分野のセンター・オブ・エクセレンスとしての地位確保 113 |
| 4.2 ニューヨーク州の成果－企業誘致と雇用創出 115 |
| 4.3 参加企業の成果－ビジネス直結の技術的成果 116 |
| 5 長期的視野から検証 117 |
| 5.1 コンソーシアムの将来 117 |
| 5.2 企業誘致側（州政府）のコンソーシアムに対する将来の支援 118 |
| 5.3 参加企業側から見た長期展望 119 |
| 6 まとめ 122 |
| Ⅲ 日本における共同研究プロジェクト |
| 第5章 あすか(ASUKA)プロジェクト―日本半導体の復活をめざす（禿 節史） 129 |
| 1 はじめに 129 |
| 2 あすかプロジェクトの概要 131 |
| 3 あすかⅡプロジェクトの概要 133 |
| 3.1 あすかⅡプロジェクトにおけるSTARCの使命 135 |
| 3.2 あすかⅡプロジェクトにおけるSeleteの使命 136 |
| 4 つくば半導体コンソーシアムの概要 138 |
| 第6章 半導体先端テクノロジーズ(Selete)―日本の総力を結集した先端技術研究開発組織（相﨑尚昭） 141 |
| 1 Seleteの設立経過 142 |
| 2 Seleteの概要 143 |
| 2.1 seleteの組織，施設，人員，特許，成果発表 143 |
| 2.2 Seleteの開発目標および運営形態の変遷 146 |
| 3 主要な成果 150 |
| 3.1 300mm製造装置・材料評価 150 |
| 3.2 リソグラフィ技術（ArF，F2，EUV，電子ビーム） 151 |
| 3.3 マスク技術 157 |
| 3.4 プロセス技術（High-k，Low-k，配線） 157 |
| 3.5 ナノシリコンインテグレーション（新探求配線，ロバストTr） 158 |
| 4 Seleteの成果と問題点を考える際のいくつかのポイント 160 |
| 第7章 半導体理工学研究センター(STARC)―設計技術力の強化と人材育成に取り組む（禿節史） 167 |
| 1 設立に至る経緯 167 |
| 2 設立の趣旨 171 |
| 3 役割の拡大と変遷 172 |
| 3.1 あすかプロジェクトが始まる 172 |
| 3.2 先端SoC基盤技術開発（ASPLA）の設立 173 |
| 3.3 あすかⅡプロジェクトへ 174 |
| 4 成果 175 |
| 4.1 大学との共同研究 175 |
| 4.2 設計技術者教育 175 |
| 4.3 システムLSIの設計力強化 178 |
| 4.4 AS☆PLAプロジェクト―90nmシステムLSI用テクノロジ・プラットフォーム 179 |
| 4.5 メソドロジ・テスト環境 181 |
| 4.6 標準化の推進 181 |
| 4.7 あすかⅡプロジェクト 182 |
| 5 まとめ 182 |
| 第8章 先端SoC基盤技術開発（ASPLA）―夢見た日の丸ファウンドリー（禿節史） 183 |
| 1 設立の経緯 183 |
| 2 プロジェクトの開始 185 |
| 3 試作シャトルサービスの開始 186 |
| 4 市販のCPUコアなどの動作確認 188 |
| 4.1 ルネサステクノロジ「SH-4」の試作・動作確認 188 |
| 4.2 英ARM社の組み込みプロセッサ「ARM7TDMI」コアの試作動作確認 189 |
| 4.3 東芝32ビットRISCプロセッサ「MeP」の試作・動作確認 189 |
| 4.4 米ミップステクノロジーズ「MIPS32・4Kec｣コアなどの論理合成険証 189 |
| 5 ASPLAの解散とその総括 190 |
| 6 半導体各社の90nmノードへの取り組みはどうなっていたのか 190 |
| 6.1 富士通の90nmノードへの取り組み 191 |
| 6.2 東芝の90nmノードへの取り組み 192 |
| 6.3 NECの90nmノードへの取り組み 192 |
| 7 噴出する多くの疑問点 193 |
| 8 まとめ 194 |
| 第9章 超先端電子技術開発機構（ASET）―基盤技術開発を担う研究組合（赤城三男，相﨑尚昭） 197 |
| 1 ASETの誕生 197 |
| 2 日本の競争力を強化する基盤技術開発を 201 |
| 2.1 電子ビームリソグラフィ技術 202 |
| 2.2 等倍Ｘ線露光技術 204 |
| 2.3 EUV露光技術 204 |
| 2.4 ArF露光技術 205 |
| 2.5 超先端プラズマ反応計測・分析・制御技術 205 |
| 2.6 超微細粒子制御クリーニング技術 205 |
| 2.7 研究成果のまとめ 206 |
| 2.8 集中研と分散研を組み合わせた研究開発体制 206 |
| 3 超高密度電子SI技術 207 |
| 4 PFC代替プロセス技術 209 |
| 5 F2レーザリソグラフィ技術 209 |
| 6 半導体MIRAIプロジェクト 210 |
| 7 マスクD21プロジェクト 210 |
| 8 三次元積層技術 211 |
| 9 セキュア・プラットフォームプロジェクト 211 |
| 10 超先端電子技術開発促進事業とIMECとの違い 212 |
| 第10章 半導体MIRAIプロジェクト―世界レベルの技術を開発（赤城三男，相﨑尚昭） 217 |
| 1 半導体基盤技術の確立をめざす 217 |
| 2 原理原則に立ち返った論理的アプローチを 218 |
| 3 世界レベルへの桃戦 221 |
| 3.1 High-kゲート絶縁膜 224 |
| 3.2 Low-k層間絶縁膜 225 |
| 3.3 新構造トランジスタ 225 |
| 3.4 リソグラフイ関連技術 227 |
| 3.5 回路システム 228 |
| 3.5.1 デジタルLSIにおける製造後クロックスキュー適応調整技術 228 |
| 3.5.2 製造後適応調整を用いた高速データ転送技術 228 |
| 3.5.3 遺伝的アルゴリズムを用いた応用技術 228 |
| 3.6 開発技術成果とその技術移転先，共同研究先 229 |
| 4 実用化加速とさらなる挑戦のために第3期計画を策定 229 |
| 4.1 第3期計画策定までの経緯 229 |
| 4.2 第3期の研究開発項目 232 |
| 5 各社が期待する基盤技術の開発へ 234 |
| 第11章 HALCAプロジェクト―製造装置を含む実現可能なミニファブの提案（溝渕裕三） 237 |
| 1 HALCAプロジェクト設立背景 237 |
| 2 HALCAプロジェクトの目的および概要 239 |
| 3 HALCAプロジェクトへのNEDOの関与の必要性 242 |
| 4 HALCAプロジェクトの研究開発体制 242 |
| 5 研究開発の推進 244 |
| 5.1 共用化技術開発およびRPT削減技術開発その1 245 |
| 5.2 RPT削減技術開発その2 247 |
| 5.3 多機能化技術開発 248 |
| 5.4 その他の技術開発 250 |
| 6 ミニファブ実現のファブ技術の推進 250 |
| 7 HALCAプロジェクトの成果 252 |
| 第12章 DIINプロジェクト―瞬時製品化対応新生産方式と装置事業の創出（溝渕裕三） 255 |
| 1 DIINプロジェクト設立背景 255 |
| 2 DIINプロジェクトの目的および概要 256 |
| 2.1 DIINプロジェクトの発足 256 |
| 2.2 DIINプロジェクトの概要 257 |
| 3 DIINプロジェクトへのNEDOの関与 260 |
| 4 DIINプロジェクトの研究開発体制 261 |
| 5 研究開発の推進 261 |
| 5.1 顧客のニーズから瞬時にLSI設計を可能とするソフトウェアアクセラレータ技術開発 262 |
| 5.2 マイクロ波励起高密度プラズマ絶縁膜形成およびエッチング装置開発 262 |
| 5.3 マイクロ波励起高密度プラズマ装置による極薄ゲート絶縁膜形成技術開発 266 |
| 5.4 新しい結晶表面Si（110）上のMOSFET製作技術開発 269 |
| 5.5 マイクロ波励起高密度プラズマによる高誘電率ゲート絶縁膜形成技術開発 271 |
| 5.6 マイクロ波励起高密度プラズマによる低誘電率層間絶縁膜成膜技術開発 272 |
| 5.7 マイクロ波励起高密度プラズマによる絶縁膜エッチング技術開発 273 |
| 5.8 その他の技術開発 276 |
| 6 DIINプロジェクトの成果 278 |
| 6.1 NEDO評価委員会による評価 278 |
| 6.2 マイクロ波高密度プラズマ装置の製品化 278 |
| 6.3 第2DIINプロジェクトのスタート 279 |
| 第13章 極端紫外線露光システム技術開発機構（EUVA）―世界レベルのEUV露光システム技術を開発（赤城三男，相﨑尚昭） 281 |
| 1 横綱級プロジェクトEUVAの設立 282 |
| 2 反射ミラーと真空が必須のEUV露光 285 |
| 3 メーカー・ユーザー・大学を巻き込んで研究開発を開始 287 |
| 4 量産機へ向けた光源の開発 290 |
| 5 光源周辺技術の開発 292 |
| 6 投影光学技術の開発 292 |
| 7 大学などとの共同開発 293 |
| 8 3グループに絞られたEUV光源量産機サプライヤー 293 |
| 9 試作露光装置の製作 296 |
| 10 ASML社製フルフィールド露光装置の使用状況 296 |
| 11 NEDOからの資金 297 |
| 12 成果を上げるための努力 298 |
| 13 次は製品化のステップ 300 |
| あとがき 305 |
| 著者紹介 310 |
| 索引 313 |
| Ⅰ 超LSI共同研究所 |
| 第1章 超LSI共同研究所―共同研究所の元祖（垂井康夫） 13 |
| 1 超LSI共同研究所の始まり 13 |
図書
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