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1.

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1. MOSアナログ電子回路
高木茂孝著
出版情報: 東京 : 昭晃堂, 1998.6  2, 3, 206p ; 21cm
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1 MOSトランジスタの特性
   1.1 p型半導体とn型半導体 1
   1.2 pn接合 3
   1.3 MOSトランジスタの構造 5
   1.4 同一基板上のnチャネルMOSトランジスタとpチャネルMOSトランジスタ 9
   1.5 MOSトランジスタの走流特性 11
   1.6 MOSトランジスタの特性のまとめ 16
   演習問題 17
2 MOSトランジスタの増幅作用
   2.1 バイアスと信号成分 20
   2.2 直線近似による小信号解析 24
   2.3 MOSトランジスタの小信号等価回路 26
   2.4 MOSトランジスタの高周波等価回路 29
   2.5 直流電圧源並びに直流電流源の小信号等価回路 30
   2.6 小信号等価回路による解析 31
   演習問題 33
3 基本増幅回路の小信号特性
   3.1 増幅回路の諸特性 36
   3.2 トランジスタ1個を用いた増幅回路 38
   3.3 縦続接続型増幅回路 46
   演習問題 51
4 増幅回路の高周波特性
   4.1 ミラー効果 54
   4.2 基本増幅回路の高周波解析 55
   4.3 ゼロ時定数解析法 63
   4.4 カスコード増幅回路とその高周波特性 67
   演習問題 70
5 集積化基本回路
   5.1 集積回路の概要 73
   5.2 差動増幅回路 76
   5.3 バイアス回路 83
   演習問題 92
6 負帰還回路と発振回路
   6.1 負帰還回路技術 94
   6.2 発振回路 108
   演習問題 112
7 高性能化回路技術
   7.1 入力範囲の拡大 115
   7.2 チャネル長変調効果の低減と低電源電圧化 123
   7.3 レイアウト技術 131
   演習問題 134
8 演算増幅器とその応用
   8.1 理想演算増幅器 137
   8.2 演算増幅器の構成と特性 141
   8.3 演算増幅器を用いた応用回路 152
   演習問題 160
9 回路シミュレータ
   9.1 回路の記述 164
   9.2 回路の解析 168
   9.3 回路解析の例 174
   9.4 回路解析のまとめ 179
   問題解答 181
   索引 203
1 MOSトランジスタの特性
   1.1 p型半導体とn型半導体 1
   1.2 pn接合 3
2.

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2. ディジタル集積回路入門. 新版
小林隆夫, 高木茂孝著
出版情報: 東京 : 朝倉書店, 2014.9  ii, 3, 206p ; 21cm
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1 : 回路の基礎
2 : 半導体とトランジスタ
3 : 論理回路の基礎
4 : MOSトランジスタ論理回路
5 : バイポーラトランジスタ論理回路
6 : フリップフロップ
1 : 回路の基礎
2 : 半導体とトランジスタ
3 : 論理回路の基礎
3.

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3. MOSアナログ電子回路. 新版
高木茂孝著
出版情報: 東京 : 朝倉書店, 2014.9  2, 3, 206p ; 21cm
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
1 : MOSトランジスタの特性
2 : MOSトランジスタの増幅作用
3 : 基本増幅回路の小信号特性
4 : 増幅回路の高周波特性
5 : 集積化基本回路
6 : 負帰還回路と発振回路
7 : 高性能化回路技術
8 : 演算増幅器とその応用
9 : 回路シミュレータ
1 : MOSトランジスタの特性
2 : MOSトランジスタの増幅作用
3 : 基本増幅回路の小信号特性
4.

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4. 電子デバイス
宮本恭幸著
出版情報: 東京 : 培風館, 2009.2  vi, 153p ; 21cm
シリーズ名: 電子情報工学ニューコース ; 11
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1.　デバイス理解の基礎知識 1
   　1.1　デバイス理解のために最小限の半導体物理 2
   　　1.1.1　バンド構造 2
   　　1.1.2　半導体の電子と正孔 3
   　　1.1.3　電界による電流 4
   　　1.1.4　拡散による電流 5
   　　1.1.5　平衡に戻ろうとする力 : 発生と再結合 6
   　　1.1.6　フェルミ準位による電子と正孔の量 7
   　1.2　pn接合の動作 10
   　　1.2.1　順方向電圧印加時 11
   　　1.2.2　逆方向電圧印加時 13
   　1.3　デバイス評価のための回路の知識 14
   　　1.3.1　ディジタル回路の評価 14
   　　1.3.2　アナログ回路の評価－遮断周波数 16
   　　1.3.3　アナログ回路の評価－最大発振周波数 18
   演習問題1 20
2.　MOSFET 23
   　2.1　MOSFETの構造 23
   　2.2　MOSFETの直流特性 25
   　　2.2.1　MOS構造でのキャリヤ数 25
   　　2.2.2　ドレイン電圧が小さいときの電圧－電流特性 30
   　　2.2.3　ドレイン電圧が大きいときの電圧－電流特性 30
   　2.3　動作速度の見積もり 36
   　　2.3.1　インバータでの見積もり 36
   　　2.3.2　遮断周波数 42
   　2.4　しきい値電圧 45
   　　2.4.1　絶縁体を通る空乏層からの電気力線によるしきい値電圧分 45
   　　2.4.2　フラットバンド電圧 48
   　　2.4.3　電流の正確な表現とボディ効果係数 50
   　　2.4.4　エンハンスメント型とデイプリージョン型 52
   　　2.4.5　しきい値電圧の測定方法・蓄積の定義 53
   　2.5　スケーリング 56
   　　2.5.1　短チャネル効果 56
   　　2.5.2　チャネル長変調効果 59
   　　2.5.3　速度飽和 60
   　　2.5.4　定電界スケーリング 62
   　　2.5.5　実際のスケーリング 63
   　　2.5.6　スケーリングで解決できないこと 64
   演習問題2 65
3.　バイポーラトランジスタ 67
   　3.1　バイポーラトランジスタの基礎 68
   　　3.1.1　コレクタ電流 68
   　　3.1.2　ベース電流 71
   　　3.1.3　電流伝送率と電流増幅率 72
   　3.2　等価回路 73
   　　3.2.1　1ダイオード・1電流源の等価回路 73
   　　3.2.2　エバースモルモデル 75
   　　3.2.3　エミッタ接地電圧－電流特性 77
   　　3.2.4　小信号用等価回路 79
   　3.3　コレクタの設計 82
   　　3.3.1　アーリー効果 84
   　　3.3.2　パンチスルー 85
   　　3.3.3　接合の降伏 85
   　　3.3.4　エミッタ接地での降伏 87
   　3.4　速度の推定 89
   　　3.4.1　拡散容量 90
   　　3.4.2　拡散容量のみを考慮した場合の遮断周波数 91
   　　3.4.3　電子の速度 93
   　　3.4.4　接合容量 95
   　　3.4.5　接合容量を入れたモデル 96
   　　3.4.6　最大発振周波数 97
   　　3.4.7　周波数特性の向上には 98
   　　3.4.8　MOSFETとの比較 98
   　3.5　バイポーラトランジスタにおける再結合 100
   　　3.5.1　拡散長 100
   　　3.5.2　pn接合の電圧印加時 102
   　　3.5.3　ベース層内での再結合の影響 104
   　　3.5.4　エミッタ中の再結合も考慮したベース電流 107
   　　3.5.5　再結合を含んだ場合のベース電流と電流伝送率 109
   演習問題3 109
4.　そのほかの電子デバイス 111
   　4.1　MOS構造をベースにしたメモリデバイス 111
   　　4.1.1　DRAM 112
   　　4.1.2　フラッシュメモリ 114
   　　4.1.3　CCD 117
   　4.2　パワーデバイス 118
   　　4.2.1　パワーデバイスの評価指標 118
   　　4.2.2　ダイオード 119
   　　4.2.3　パワーバイポーラトランジスタ 120
   　　4.2.4　サイリスタ 121
   　　4.2.5　パワー　MOSFET 123
   　　4.2.6　IGBT 125
   　4.3　化合物半導体トランジスタ 126
   　　4.3.1　化合物半導体とヘテロ接合 126
   　　4.3.2　ショットキー接合 129
   　　4.3.3　MESFET 131
   　　4.3.4　HEMT 136
   　　4.3.5　へテロ接合バイポーラトランジスタ 137
   演習問題4 138
参考図書 141
演習問題の略解 143
索引 151
1.　デバイス理解の基礎知識 1
   　1.1　デバイス理解のために最小限の半導体物理 2
   　　1.1.1　バンド構造 2
5.

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5. 電子物性とデバイス
電子情報通信学会編 ; 益一哉, 天川修平共著
出版情報: 東京 : コロナ社, 2020.11  xviii, 223p ; 26cm
シリーズ名: 電子情報通信レクチャーシリーズ / 電子情報通信学会編 ; A-9
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1 : 緒論
2 : 回路理論からみた半導体デバイス
3 : 周期構造と波
4 : 平衡状態の半導体の物理
5 : 電気伝導
6 : pn接合
7 : MOSトランジスタ
付録
1 : 緒論
2 : 回路理論からみた半導体デバイス
3 : 周期構造と波
概要: 固体物性の難所、エネルギーバンド形成を量子力学ではなく回路論で解説。デバイス物理の直観的理解の鍵を握る擬フェルミ準位の概念とエネルギーバンド図の読み解き方を他に類のないほど詳述。物性とデバイスの普遍的な基礎を説く斬新な入門書。
6.

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6. アナログCMOS集積回路の設計 (基礎編 ; 応用編 ; 演習編)
Behzad Razavi著 ; 黒田忠広監訳
出版情報: 東京 : 丸善, 2003.3-  冊 ; 21cm
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
基礎編
第1章 はじめに 1
   1.1 なぜアナログか? 1
   1.2 なぜ集積回路か? 7
   1.3 なぜCMOSか? 7
   1.4 なぜこの教科書か 8
   1.5 全般的事項 9
第2章 MOSデバイスの物理の基礎 11
   2.1 概論 12
   2.2 MOSの電流電圧特性 16
   2.3 二次効果 27
   2.4 MOSデバイスモデル 34
   付録A:MOSデバイスの容量としての性質 45
   問題 46
   文献 54
第3章 1段増幅回路 57
   3.1 基本的な概念 57
   3.2 ソース接地増幅段 58
   3.3 ソースフォロワ 82
   3.4 ゲート接地増幅段 92
   3.5 カスコード増幅段 100
   3.6 デバイスモデルの選択 113
   問題 114
   文献 121
第4章 差動増幅回路 123
   4.1 シングルエンド回路と差動回路 123
   4.2 基本差動対 126
   4.3 同相信号に対する応答 145
   4.4 MOSトランジスタを負荷とする差動対 152
   4.5 ギルバートセル 155
   問題 158
   文献 165
第5章 バイアス用および信号処理用カレントミラー 167
   5.1 基本カレントミラー 167
   5.2 カスコードカレントミラー 173
   5.3 信号処理用カレントミラー 180
   問題 195
第6章 増幅回路の周波数特性 205
   6.1 概論 205
   6.2 ソース接地増幅段 212
   6.3 ソースフォロワ 218
   6.4 ゲート接地増幅段 224
   6.5 カスコード回路 226
   6.6 差動増幅回路 230
   付録A:ミラーの定理の双対性 236
   問題 238
   文献 243
第7章 雑音 245
   7.1 雑音の統計的性質 245
   7.2 雑音の種類 253
   7.3 回路における雑音の表現 264
   7.4 1段増幅器における雑音 271
   7.5 差動対における雑音 283
   7.6 雑音帯域 289
   問題 289
   文献 296
   索引 1
基礎編
第1章 はじめに 1
   1.1 なぜアナログか? 1
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