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1.

図書

図書
柳井久義, 菅野卓雄執筆
出版情報: 東京 : コロナ社, 1964.2  11, 374p ; 22cm
シリーズ名: 電子通信学会大学講座 / 電子通信学会編 ; 5
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2.

図書

図書
山口次郎[ほか]編
出版情報: 東京 : オーム社, 1975.3  236p ; 22cm
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3.

図書

図書
菅野卓雄著
出版情報: 東京 : 昭晃堂, 1973  4, 7, 485p ; 22cm
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4.

図書

図書
J.N. シャイヴ [著] ; 神山雅英 [ほか]訳
出版情報: 東京 : 岩波書店, 1961.10  xvi, 403p ; 22cm
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5.

図書

図書
今井哲二 [ほか] 編著
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1984.7-1985.1  2冊 ; 22cm
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6.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
古川静二郎執筆
出版情報: 東京 : コロナ社, 1982.10  xi, 230p ; 22cm
シリーズ名: 電子通信学会大学シリーズ / 電子通信学会編 ; E-1
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1.半導体の基礎
   1.1 結晶とエネルギー帯域構造 1
   1.1.1 結晶と非晶質 1
   1.1.2 結晶構造 2
   1.1.3 半導体結晶のエネルギー帯構造 3
   1.1.4 半導体材料の多様性 7
   1.2 キャリヤ密度 8
   1.2.1 2種類のキャリヤと有効質量 8
   1.2.2 真性半導体と外因性半導体 10
   1.2.3 キャリヤ密度とフェルミ準位 11
   1.3 半導体中の電気伝導 17
   1.3.1 ドリフト現象 17
   1.3.2 拡散現象 19
   1.3.3 電流の式 20
   1.3.4 キャリヤの熱的発生と再結合 21
   1.3.5 電流連続の式 26
   演習問題 28
2.接合と障壁
   2.1 pn接合と整流特性 30
   2.1.1 pn接合の重要性 30
   2.1.2 階段接合の整流作用 31
   2.2 空間電荷層の特性 34
   2.2.1 階段接合の場合 34
   2.2.2 傾斜形pn接合 37
   2.3 理想pn接合の静的電圧・電流特性 39
   2.3.1 解析の仮定 39
   2.3.2 過剩キャリヤ密度 40
   2.3.3 中性領域を流れる電流 41
   2.4 金属-半導体接触の電気伝導 45
   2.4.1 理想整流接触 45
   2.4.2 理想金属-半導体整流接触の電圧電流特性 47
   2.4.3 金属-半導体オーミック接触 49
   演習問題 50
3.半導体デバイスの製作法
   3.1 半導体の精製 52
   3.2 結晶成長 53
   3.2.1 バルク結晶成長 53
   3.2.2 エピタキシアル成長 54
   3.3 不純物導入法 55
   3.3.1 結晶成長過程の不純物導入法とpn接合形成 55
   3.3.2 熱拡散法 56
   3.3.3 イオン打込み法 57
   3.4 プレーナ技術 59
   3.4.1 酸化膜の形成 59
   3.4.2 ホトリングラフィと化学エッチング 60
   3.4.3 電極付着 61
   3.4.4 プレーナダイオードの製作 62
   演習問題 63
4.半導体ダイオードとその実際
   4.1 pnダイオードの直流特性の実際 64
   4.1.1 キャリヤの発生と再結合効果 65
   4.1.2 降伏現象 67
   4.1.3 直列抵抗効果 71
   4.1.4 高水準注入効果 72
   4.2 薄いベース層を有するpn接合ダイオードの直流特性 73
   4.2.1 npp+形ダイオードの電流・電圧特性 74
   4.2.2 キャリヤのベース走行時間 75
   4.3 pn接合ダイオードの動特性 77
   4.3.1 少数キャリヤ蓄積効果 77
   4.3.2 拡散容量と接合容量 77
   4.3.3 スイッチング特性の過渡特性 78
   4.4 半導体ダイオードの回路モデル 80
   4.4.1 微小信号モデル 80
   4.4.2 大信号直流モデル 81
   4.5 半導体ダイオードの応用 82
   4.5.1 整流ダイオード 82
   4.5.2 検波ダイオード 84
   4.5.3 スイッチングダイオード 86
   4.5.4 ステップレカバリダイオード 88
   4.5.5 pinダイオード 88
   4.5.6 可変容量ダイオード 88
   4.5.7 定電圧ダイオード 89
   演習問題 90
5.トランジスタ構造とその増幅作用
   5.1 増幅用デバイスの分類 91
   5.2 動作原理 92
   5.2.1 ベース接地トランジスタの増幅作用 92
   5.2.2 エミッタ接地トランジスタの増幅作用 95
   5.2.3 電流駆動形増幅デバイス 97
   5.3 電流伝送率 98
   5.3.1 注入効率 99
   5.3.2 輸送効率 100
   5.3.3 コレクタ効率 101
   5.3.4 電流伝送率αとドーピング分布 101
   5.4 バイポーラトランジスタの小信号等価回路 102
   5.4.1 ベース接地T形等価回路 103
   5.4.2 エミッタ接地T形等価回路 103
   5.4.3 コレクタ接地T形等価回路 104
   5.4.4 トランジスタ応用の多様性 105
   5.5 四端子パラメータ 106
   演習問題 109
6.バイポーラトランズスタの動作の実際
   6.1 高周波動作 111
   6.1.1 電流伝送率の遮断周波数 111
   6.1.2 高周波等価回路 113
   6.1.2 エミッタ接地回路の利得帯域幅積 115
   6.2 トランジスタの雑音特性 118
   6.2.1 雑音に関する基礎事項 118
   6.2.2 トランジスタの雑音 119
   6.3 トランジスタに見られる諸効果 120
   6.3.1 ドリフト効果 120
   6.3.2 電流増幅率のエミッタ電流依存性とキャリヤ再結合効果 121
   6.3.3 電子雪崩効果 122
   6.3.4 アーリー効果 122
   6.3.5 残留抵抗効果 123
   6.3.6 カーク効果 123
   6.3.7 電流集中効果 123
   6.4 スイッチング動作 124
   6.4.1 スイッチングの基本回路 124
   6.4.2 トランジスタの動作状態 125
   6.4.3 スイッチング速度 126
   6.5 各種トランジスタの実際と応用 128
   6.5.1 バイポーラトランジスタ増幅回路とバイアス回路 128
   6.5.2 大電力トランジスタ 130
   6.5.3 マイクロ波用トランジスタ 133
   6.5.4 スイッチングトランジスタ 134
   6.6 モノリシックバイポーラトランジスタ集積回路 135
   6.6.1 集積回路の特徴 135
   6.6.2 IC構成法 136
   6.6.3 バイポーラICの実例 137
   演習問題 138
7.金属・絶縁物・半導体構造とその増幅作用
   7.1 増幅作用の物理的意味 140
   7.2 理想MIS構造の性質 142
   7.2.1 理想MIS構造の基本特性 143
   7.2.2 誘導電荷密度のゲート電圧依存性 147
   7.3 しきい電圧に与えるその他の諸効果 149
   7.3.1 仕事関数差 149
   7.3.2 絶縁膜の電荷 150
   7.3.3 界面準位密度 151
   7.4 MISトランジスタの基本特性 153
   7.4.1 線形領域の動作 153
   7.4.2 ピンチオフ領域の動作 155
   7.4.3 エンハンスメント形およびデプレション形FET 156
   7.4.4 nチャネルとpチャネル形FET 157
   演習問題 158
8.電界効果トランジスタと関連デバイス
   8.1 MIS FETの動特性 160
   8.1.1 動的モデルと徴小信号等価回路 160
   8.1.2 利得帯域幅積 162
   8.2 MIS FET における諸効果 164
   8.2.1 基板バイアス効果 164
   8.2.2 チャネル長変調効果 165
   8.2.3 突抜けと電子雪崩降伏効果 165
   8.2.4 二次元キャリヤドリフト効果と強電界効果 166
   8.2.5 ソース残留抵抗効果 166
   8.3 MIS FETの実際と応用 167
   8.3.1 MOS FETの小信号パラメータ 167
   8.3.2 交流増幅回路 168
   8.3.3 大電力MIS FET増幅回路 169
   8.3.4 ディジタル回路 169
   8.3.5 スイッチング回路 170
   8.4 MOS集積回路(IC) 171
   8.4.1 MOSインバータ 171
   8.4.2 MOSメモリ 173
   8.4.3 電荷転送デバイス(CTD) 175
   8.5 接合およびショットキー障壁FET 177
   8.5.1 pn接合FET 177
   8.5.2 ショットキー障壁(SB)FET 180
   8.6 静電誘導形トランジスタ(SIT) 181
   8.6.1 原理と構造 182
   8.6.2 SITの応用と実祭 185
   演習問題 186
9.能動二端子デバイス
   9.1 負性抵抗と不安定性 188
   9.2 サイリスタ 189
   9.2.1 ショックレーダイオード 189
   9.2.2 SCRにおけるトリガ機構 191
   9.2.3 SCRの応用 192
   9.2.4 サイリスタの実際と変種 194
   9.3 ユニジャンクショントランジスタ 197
   9.3.1 UJTの構造と原理 197
   9.3.2 UJTの応用 198
   9.4 マイクロ波能動デバイス 199
   9.4.1 エサキダイオード 199
   9.4.2 ガンダイオード 200
   9.4.3 インパットダイオード 202
   9.4.4 その他の走行時間ダイオード 203
   演習問題 204
10.電気・光変換デバイス
   10.1 半導体の光物性 205
   10.1.1 半導体による吸収 205
   10.1.2 半導体における発光現象 206
   10.2 光検出デバイス 208
   10.2.1 光導電セル 208
   10.2.2 ホトダイオード 211
   10.2.3 雪崩ホトダイオード 213
   10.2.4 ホトトランジスタ 214
   10.3 太陽電池 215
   10.4 発光素子 218
   10.4.1 発光ダイオード 218
   10.4.2 半導体レーザ 219
   演習問題 222
付録 224
演習問題解答 225
索引 227
1.半導体の基礎
   1.1 結晶とエネルギー帯域構造 1
   1.1.1 結晶と非晶質 1
7.

図書

図書
片岡照栄著
出版情報: 東京 : 日刊工業新聞社, 1972.4  3, 8, 271, 9p ; 22cm
シリーズ名: Semi Conductor Series ; 4
所蔵情報: loading…
8.

図書

図書
植村泰忠, 菊池誠共著
出版情報: 東京 : 裳華房, 1960.5  ix, 485p ; 22cm
シリーズ名: 物理学選書 / 山内恭彦, 菊池正士, 小谷正雄編 ; 6 . 半導体の理論と応用||ハンドウタイ ノ リロン ト オウヨウ ; 上
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9.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
高橋清編著
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1984.1  13, 415p ; 22cm
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1章 分子線エピタキシー概論 (高橋) 1
   1.1 はじめに 1
   1.2 分子線エピタキシーの歴史的背景 1
   1.3 分子線エピタキシーとは 2
   1.4 分子線エピキシーの特徴 5
   1.5 分子線エピタキシーによる膜形成 8
   1.6 分子線エピタキシーによる電子デバイス 8
   1.6.1 分子線の直進性を利用したデバイス 8
   1.6.2 不純物および組成分布の任意性を利用 13
   1.6.3 多元混晶化合物 13
   1.6.4 周期性多層膜素子 13
   1.7 分子線エピタキシーによる新しい材料設計 14
   1.7.1 混晶による化合物半導体材料設計 14
   1.7.2 超格子構造による新しい材料設計 15
   1.7.3 超格子構造による2,3の例 17
   1.8 複合形分子線エピタキシー MO-MBE 20
   1.9 量子論的結晶成長 分子線エピタキシー 21
1編 基礎
2章 分子線エピタキシーの素過程 (河津) 25
   2.1 はじめに 25
   2.2 薄膜形成の素過程 25
   2.2.1 熱適応係数 25
   2.2.2 平均滞在時間 27
   2.2.3 脱離エネルギー 29
   2.2.4 拡散係数および平均拡散距離 30
   2.2.5 付着係数 30
   2.2.6 反応次数 31
   2.3 薄膜の形成過程 32
   2.3.1 核生成と薄膜の成長 32
   2.3.2 化合物半導体薄膜の成長 37
   2.3.3 金属2次元薄膜の形成過程 50
   2.4 おわりに 52
3章 分子線エピタキシー装置 (小宮) 57
   3.1 はじめに 57
   3.2 分子線エピタキシー教置の歴史的経過 57
   3.2.1 分子線エピタキシー装置の流れ 57
   3.2.2 現行の分子線エピタキシー装置の比較と問題点 59
   3.3 分子線エピタキシー装置の設計思想 62
   3.4 分子線エピタキシー装置の構成 64
   3.4.1 装置全体の構造 64
   3.4.2 成長室 65
   3.4.3 分子線蒸発源 67
   3.4.4 成長室マニピュレータ 71
   3.4.5 基板加熱 72
   3.4.6 基板の導入と搬送 73
   3.4.7 排気系の選定 74
   3.5 分子線エピタキシー装置で派生する諸問題 77
   3.5.1 膜厚分布 77
   3.5.2 モニタリングと組成分析 78
   3.5.3 メカニカルマスクに関する問題 82
   3.5.4 自動化への対応 83
   3.6 分子線エピタキシー装置の付属機器 86
   3.6.1 表面清浄化用イオン銃 86
   3.6.2 高純度ガス導入 87
   3.6.3 化成蒸気の導入 88
   3.6.4 低速イオンビーム源 88
   3.7 分子線エピタキシー装置のクリーニング 91
   3.7.1 蒸着膜の剥離と真空中のダストの発生 91
   3.7.2 分子線源の交換 92
   3.7.3 成長室・分子線源室の部品の洗浄 92
   3.8 おわりに 92
4章 薄膜評価技術 (権田) 97
   4.1 はじめに 97
   4.2 光学的方法 99
   4.2.1 目視 99
   4.2.2 偏光解析(エリプソメトリ) 100
   4.2.3 反射,吸収 101
   4.2.4 光伝導 103
   4.2.5 フォトルミネセンス 103
   4.2.6 ラマン散乱 104
   4.2.7 光音響分光法 104
   4.2.8 X線 105
   4.3 電気的方法 107
   4.3.1 電気抵抗とホール効果 107
   4.3.2 容量法 108
   4.4 電子回折と電子分光法 111
   4.4.1 電子回折 111
   4.4.2 電子顕微鏡 114
   4.4.3 X線ブローブマイクロアナリシス 115
   4.4.4 オージェ電子分光 115
   4.4.5 電子エネルギー損失分光 116
   4.4.6 光電子分光(SIMS) 117
   4.5 イオン線法 118
   4.5.1 2次イオン分光 118
   4.5.2 イオン後方散乱 119
   4.5.3 イオン散乱 120
   4.6 その他の方法 120
   4.6.1 触針法 120
   4.6.2 走査トンネル顕微鏡 120
   4.6.3 放射化分析 121
2編 膜形成技術
5章 Siの分子線エピタキシー (坂本) 127
   5.1 はじめに 127
   5.2 Si MBE装置 128
   5.3 成長雰囲気の影響 131
   5.3.1 残留ガス 131
   5.3.2 Cの影響 131
   5.3.3 残留ガスと成長速度 132
   5.4 Si基板の清浄化 132
   5.4.1 高温フラッシュ 133
   5.4.2 Gaビーム照射(Galliation)法 135
   5.4.3 イオンビームスパッタ法 136
   5.4.4 レーザ照射法 136
   5.4.5 新低温熱処理法 137
   5.5 Siのホモエピタキシャル成長 137
   5.6 不純物ドーピング 139
   5.6.1 蒸発ドーピング 139
   5.6.2 イオン化ドーピンク 140
   5.6.3 不純物の偏析 143
   5.7 ヘテロエピタキシャル成長 143
   5.7.1 SOS(Silicon on Sapphire) 144
   5.7.2 シリサイド 144
   5.7.3 多結晶Si 145
   5.7.4 GaP 145
   5.7.5 絶縁物 145
   5.8 Si MBEの将来展望 146
   5.9 おわりに 147
6章 III-V族半導体の分子線エピタキシー (三島) 151
   6.1 はじめに 151
   6.2 III-V族半導体の結晶成長機構 151
   6.2.1 結晶成長機構 152
   6.2.2 最近のIII-V族半導体のMBE成長 155
   6.3 不純物のドーピング 158
   6.3.1 p型ドーパント 158
   6.3.2 n型ドーパント 162
   6.4 おわりに 165
7章 II-IV族半導体の分子線エピタキシー (八百) 171
   7.1 はじめに 171
   7.2 分子線エピタキシャル成長 172
   7.2.1 II-IV族化合物と構成元素の平衡蒸気圧 172
   7.2.2 MBE装置 172
   7.2.3 基板 173
   7.2.4 分子線源 174
   7.2.5 成長速度 174
   7.2.6 混晶の組成比 177
   7.2.7 成長条件と電子線回折および表面観察 178
   7.3 エピタキシャル膜の評価 180
   7.3.1 ZnSe 180
   7.3.2 ZnTe 184
   7.3.3 ZnS 186
   7.3.4 CdTe 187
   7.3.5 CdHgTe 187
   7.4 デバイス作成への応用 188
   7.4.1 選択MBE 188
   7.4.2 dC ELセル 189
   7.5 おわりに 190
3編 デバイスへの応用
8章 超高速デバイス (冷水) 197
   8.1 はじめに 197
   8.2 GaAs-AlGaAsヘテロ構造デバイス 198
   8.2.1 選択ドープGaAs-AlGaAsへテロ構造の高移動度効果 198
   8.2.2 高電子移動度トランジスタ(HEMT) 201
   8.2.3 その他のデバイス 206
   8.3 GaInAs-AlInAsへテロ構造デバイス 208
   8.3.1 ダブルへテロGa0.47In0.53 As MES FET 208
   8.3.2 選択ドープGa0.47In0.53As/N-Al0.48In0.52Asへテロ構造FET 210
   8.4 おわりに 211
9章 ヘテロ超薄膜における量子効果とデバイス応用 (榊) 217
   9.1 量子効果デバイスとは何か 217
   9.2 ヘテロ構造によるポテンシャルの制御 218
   9.3 電子の分散関係の異方化および共鳴トンネル効果とその応用 219
   9.4 電子の散乱過程の抑制と高移動度効果 超高速FETへの応用を中心として 221
   9.5 実空間におけるキャリアの移動を利用した物性制御とデバイス応用 224
   9.5.1 実空間遷移デバイスおよび速度変調トランジスタ 224
   9.5.2 横型超格子APD 225
   9.5.3 縦型超格子APD 226
   9.6 ホール電圧の量子化と標準抵抗 227
   9.7 禁制帯域の制御と量子井戸レーザ 基礎吸収端の短波長化 228
   9.8 nipi超格子およびInAs-GaSb超格子における基礎吸収端の長波長化 229
   9.9 エキシトン効果と光双安定性 230
   9.10 サブバンド間遷移を用いたデバイス 231
   9.11 おわりに 231
10章 オプトエレクトロニクデバイス (岡本) 237
   10.1 GaAsのMBE成長のメカニズムと膜質 237
   10.2 MBE膜の光学的品質 239
   10.2.1 GaAs MBE膜の光学的品質 239
   10.2.2 AlxGa1-xAs MBE膜の光学的品質 243
   10.2.3 InP MBE膜の光学的品質 245
   10.2.4 InxGa1-xAs MBE膜の光学的品質 247
   10.3 MBE技術を用いた半導体光デバイス 249
   10.3.1 初期のレーザダイオードとその特性 249
   10.3.2 改良されたGaAs-Al0.3Ga0.7As DHレーザ 250
   10.3.3 高性能レーザダイオードの実現 254
   10.3.4 長波長帯レーザダイオード 257
   10.3.5 光検出器 258
   10.4 半導体超格子構造 光物性と多重量子井戸レーザ 260
   10.4.1 半導体超格子構造とは 260
   10.4.2 超格子層厚の非破壊測定法 261
   10.4.3 MBE技術による単原子層制御 262
   10.4.4 超格子構造の光物性 262
   10.4.5 多重量子井戸型レーザダイオードの発振特性 265
   10.5 MO-CVD技術との比較 269
11章 超構造デバイス 新超高速デバイス (白木) 275
   11.1 はじめに 275
   11.2 超高速デバイスの分類 276
   11.2.1 横型 電界効果トランジスタ 277
   11.2.2 縦型 ヘテロ接合トランジスタ 277
   11.2.3 新縦型デバイス 282
4編 関連技術
12章 イオン注入 (古川) 293
   12.1 はじめに 293
   12.2 イオン注入装置 294
   12.2.1 装置の概略 294
   12.2.2 イオン源 295
   12.3 注入イオンに関する理論の概略 296
   12.3.1 全飛程Rとエネルギー損失機構 296
   12.3.2 射影飛程Rpとその他の高次モーメント 297
   12.3.3 理論注入イオン分布 298
   12.3.4 2層構造基板中の注入イオン分布 301
   12.3.5 数値計算結果 301
   12.4 注入イオン分布の実際 302
   12.5 イオン注入されたシリコン基板の熱処理特性 304
   12.5.1 注入量と欠陥分布 304
   12.5.2 熱処理温度と電気的特性との関係(一般的傾向) 305
   12.5.3 電気的活性化率の基板面方位依存性(As+→Siの場合) 305
   12.5.4 電気的活性化率のドーズ依存性(P+,B+→Siの場合) 307
   12.5.5 短時間熱処理法 308
   12.6 化合物半導体へのイオン注入 310
   12.6.1 化合物半導体へのイオン注入の問題点 310
   12.6.2 ストイキオメトリのずれに対する対策 311
   12.7 おわりに 312
13章 MO-CVD技術 (関) 315
   13.1 はじめに 315
   13.2 MO-CVDの原理と特徴 316
   13.2.1 結晶成長の原理 316
   13.2.2 結晶成長装置 316
   13.2.3 結晶成長機構 319
   13.3 成長結晶の諸特性 327
   13.3.1 絶縁物基板上の結晶特性 327
   13.3.2 結晶成長条件と電気特性 329
   13.4 デバイスへの応用 333
   13.4.1 MO-CVD技術の特徴 333
   13.4.2 デバイスへの応用 335
   13.5 おわりに 337
14章 レーザアニーリング (徳山) 343
   14.1 レーザアニール技術 343
   14.2 レーザアニールの機構 344
   14.2.1 レーザ光の吸収と熱への変換 344
   14.2.2 加熱のモデル 345
   14.3 アニール装置 348
   14.4 レーザアニールの特徴 350
   14.4.1 イオン打込み層のアニール 350
   14.4.2 レーザアニールの伴う特異な現象 353
   14.5 非晶質基板上でのSi結晶成長 356
   14.5.1 溶融法による結晶成長 356
   14.5.2 固相法による成長 361
   14.6 レーザアニーリングのデバイス応用 362
   14.6.1 SOI構造の応用 364
   14.6.2 キャリア分布形の制御 364
   14.6.3 その他 366
15章 電子ビームリソグラフィ (加藤,難波) 371
   15.1 はじめに 371
   15.2 電子ビーム露光装置 371
   15.2.1 電子ビーム露光技術の発展 371
   15.2.2 電子ビーム露光装置 374
   15.3 電子線レジスト 377
   15.4 電子ビームによるマスク製作 378
   15.4.1 パターン寸法精度 379
   15.4.2 位置精度 379
   15.4.3 欠陥密度 380
   15.4.4 多品種マスタマスクとレクチルの製作 380
   15.5 電子ビーム直接露光 380
   15.6 近接効果 382
   15.7 nmリソグラフィ 383
   15.8 おわりに 383
16章 X線リソグラフィ (有留,難波) 387
   16.1 はじめに 387
   16.2 X線リソグラフィ 387
   16.3 特性X線によるX線露光 390
   16.4 放射光リソグラフィ 391
   16.4.1 特徴 391
   16.4.2 電子シンクロトロン軌道放射によるX線 391
   16.4.3 放射線リソグラフィ実験の現状 392
   16.4.4 今後の動向 394
   16.5 おわりに 395
付 分子線エピタキシーの歴史 (岡本) 399
   1 新結晶・新構造・新物性の探究の歴史 400
   2 従来デバイスへの適用と特性改善に関する研究の経過 401
   3 デバイス製作プロセスとしてのMBE技術の開発の歴史 403
   4 MBE装置の開発の歴史 404
   5 第2次MBEフィーバ 405
索引 409
1章 分子線エピタキシー概論 (高橋) 1
   1.1 はじめに 1
   1.2 分子線エピタキシーの歴史的背景 1
10.

図書

図書
ショックレイ著 ; 川村肇訳
出版情報: 京都 : 吉岡書店, 1957.6-1958.2  2冊 ; 22cm
シリーズ名: 物理学叢書 / 小谷正雄 [ほか] 編 ; 4, 8
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