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1.

図書
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1. コントラバスの極低音物理楽
伊賀健一著
出版情報: [出版地不明] : デザインエッグ, 2020.1 , [出版地不明] : MyISBN[m]  vi, 172p ; 21cm
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2.

コンピュータファイル
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2. 伊賀健一教授研究論文集 : 1964年-2001年
伊賀健一[著]
出版情報: [横浜] : 東京工業大学・精密工学研究所, 2001  CD-ROM1枚 ; 12cm
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3.

図書
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3. 面発光レーザーが輝く : VCSELオデッセイ
伊賀健一著
出版情報: 東京 : オプトロニクス社, 2018.12  viii, 198p ; 21cm
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4.

図書
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4. 面発光レーザーの原理と応用システム
伊賀健一, 波多腰玄一著
出版情報: [出版地不明] : デザインエッグ, 2020.10 , [出版地不明] : MyISBN  iv, 251p ; 21cm
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5.

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東工大
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5. 光ファイバ通信入門. 改訂3版
末松安晴, 伊賀健一共著
出版情報: 東京 : オーム社, 1989.11  xii, 314p, 図版2枚 ; 22cm
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第1章 光通信のあらまし
   1・1 光通信とは 1
   1・2 新しい発光源と光ファイバ伝送路が得られるまで 3
   1・3 光伝送の方法にはどんなものがあるか 7
   〔1〕 まず空間伝搬による光伝送が簡単 7
   〔2〕 つぎにレンズ列導波系が 10
   〔3〕 そして光ファイバ伝送路 10
   1・4 光ファイバを用いる通信とその特徴は何か 12
   演習問題 14
第2章 光を導く現象の基礎
   2・1 屈折と反射は光導波の基礎 15
   2・2 光を導くにはどうするか 18
   2・3 導波される光はとびとびのモード 20
   2・4 モードの数 25
   2・5 群速度とは 28
   2・6 TEモードとTMモード 31
   2・7 単一モード導波路 36
   演習問題 37
第3章 分布屈折率光導波路と光ビーム
   3・1 分布屈折率導波路とは 39
   〔1〕 分布屈折率導波路の導波 40
   〔2〕 分布屈折率導波路の導波モード数 41
   〔3〕 分布屈折率導波路の群速度 44
   3・2 分布屈折率導波路のモード 44
   3・3 いろいろな屈折率分布の導波路 47
   〔1〕 光線軌跡 47
   〔2〕 モード 48
   〔3〕 単一モード条件 49
   3・4 導波路が曲がる場合 50
   3・5 境界に凹凸がある場合 52
   3・6 集光の方法 52
   3・7 光ビームの性質 56
   〔1〕 ガウス波 56
   〔2〕 波面係数の変換 58
   〔3〕 光線マトリクス 60
   演習問題 61
第4章 発光とレーザ動作の基礎
   4・1 発光現象のしくみとレーザ 63
   〔1〕 光の放出のしくみ 63
   〔2〕 光の増幅・発振のしくみ 64
   4・2 半導体における発光と発光ダイオード 67
   〔1〕 半導体の発光材料 67
   〔2〕 発光ダイオード 70
   4・3 レーザ動作の原理 72
   〔1〕 レーザの発振原理 72
   〔2〕 レーザの発振条件 74
   〔3〕 二重へテロ接合と室温連続発振 75
   4・4 半導体レーザ 76
   〔1〕 二重へテロ構造半導体レーザの動作 76
   〔2〕 半導体レーザの発振スペクトル 78
   〔3〕 出力と効率 78
   〔4〕 二重へテロ構造半導体レーザの製法 80
   〔5〕 量子井戸レーザとその製法 83
   4・5 放出された光の性質 85
   〔1〕 コヒーレンスということ 85
   〔2〕 レーザとコヒーレンシー 86
   演習問題 89
第5章 光通信用光源
   5・1 通信用光源の条件 91
   〔1〕 光源の必要条件 92
   〔2〕 光源の十分条件 93
   5・2 光ファイバの伝送特性と発光素子 95
   5・3 短波長帯の光源 97
   〔1〕 GaAlAs系発光ダイオード 97
   〔2〕 GaAlAs系半導体レーザダイオード 98
   〔3〕 ストライプレーザのいろいろ 101
   〔4〕 信頼性向上のためのアプローチ 102
   〔5〕 GaAlAsDHレーザの温度特性 103
   5・4 長波長帯の半導体光源 103
   〔1〕 長波長帯光源用半導体材料 103
   〔2〕 GaInAsP/InP半導体レーザ 107
   〔3〕 GaInAsP/InP発光ダイオード 111
   〔4〕 波長2μm以上の半導体レーザ 112
   5・5 半導体レーザのモード制御 112
   〔1〕 横モード制御 112
   〔2〕 縦モード制御 115
   5・6 動的単一モードレーザ 119
   5・7 固体レーザ 122
   5・8 光増幅器 123
   演習問題 125
第6章 光変調
   6・1 光変調とは 127
   6・2 半導体レーザの直接変調 129
   〔1〕 共振現象 130
   〔2〕 共振周波数付近でのパルス発生 132
   〔3〕 緩和振動 133
   〔4〕 パルス変調におけるキャリヤ蓄積効果 133
   〔5〕 半導体レーザの雑音 137
   6・3 発光ダイオードの直接変調 137
   6・4 外部変調とは 139
   〔1〕 屈折率異方性変化形変調器 139
   〔2〕 屈折率変化形変調器 141
   6・5 光変調と波長のチャーピング 141
   演習問題 142
第7章 光検出
   7・1 光検出器の原理 145
   〔1〕 光電力と電気信号 145
   〔2〕 光検出器に要求される条件 145
   〔3〕 PINフォトダイオードの原理 146
   〔4〕 アバランシェフォトダイオード(APD)の原理 146
   7・2 実際の光検出器 150
   〔1〕 短波長帯の光検出器 150
   〔2〕 長波長帯の光検出器 150
   7・3 ビットレート 152
   演習問題 153
第8章 光回路と光部品
   8・1 光ファイバとの結合 155
   8・2 いろいろな光回路と部品 157
   〔1〕 光コネクタ 157
   〔2〕 光スイッチ 158
   〔3〕 光減衰器 158
   〔4〕 光分岐・方向性結合器 159
   〔5〕 光タップ 159
   8・3 光アイソレータ 160
   8・4 光波長多重方式用の光回路 162
   演習問題 163
第9章 光集積回路
   9・1 光集積回路のあらまし 165
   9・2 光集積回路用導波路 166
   9・3 集積レーザ 168
   〔1〕 光集積回路に適したレーザ 168
   〔2〕 半導体レーザ高性能化のための集積 171
   9・4 導波路形受動回路 172
   〔1〕 フィルタ 172
   〔2〕 一方向性導波路 173
   9・5 導波路形能動回路 173
   〔1〕 導波路形変調器 173
   〔2〕 光偏向器 174
   〔3〕 導波路形検波器 174
   〔4〕 非線形光導波路 175
   〔5〕 メモリー作用をもつ導波路 175
   〔6〕 光スイッチ 175
   9・6 光集積回路の機能と種類 176
   〔1〕 波長制御光集積回路 176
   〔2〕 時間制御光集積回路 176
   〔3〕 空間制御光集積回路 177
   9・7 光・電子集積回路(OEIC) 177
   演習問題 178
第10章 光ファイバ伝送路 179
   10・1 光ファイバの種類と特徴 179
   10・2 光ファイバの基本定数 181
   〔1〕 円筒ファイバのパラメータ 181
   〔2〕 階段屈折率光ファイバの導波モード 182
   〔3〕 分布屈折率光ファイバの導波モード 190
   〔4〕 偏波面保存ファイバ 197
   10・3 光ファイバの材料と製法 199
   〔1〕 石英ガラスファイバ 199
   〔2〕 多成分ガラスファイバ 203
   〔3〕 波長2μm帯の赤外ファイバ 204
   10・4 光ファイバの損失 204
   〔1〕 吸収と散乱による損失 205
   〔2〕 境界面での散乱と曲がりによる損失 206
   〔3〕 ファイバの接続による損失 207
   10・5 光ファイバの伝送帯域 208
   〔1〕 伝送帯域を制限する要因 208
   〔2〕 屈折率分散 209
   〔3〕 構造分散 211
   〔4〕 モード分散 213
   〔5〕 モード結合とモード依存性のある損失の影響 216
   10・6 ケーブルと接続 217
   10・7 光ファイバの測定法 221
   〔1〕 屈折率分布の測定法 221
   〔2〕 伝送損失の測定法 222
   〔3〕 伝送帯域の測定法 222
   〔4〕 破断点の検出法 227
   演習問題 228
第11章 光通信システムとその応用
   11・1 光ファイバ通信の特徴と応用分野 229
   〔1〕 従来の有線通信との比較 229
   〔2〕 光ファイバ通信の特長と応用分野 230
   11・2 光ファイバ通信の帯域と伝送距離 232
   〔1〕 伝送系のあらまし 232
   〔2〕 最低受信レベル 232
   〔3〕 伝送距離 234
   11・3 光伝送方式の例 236
   〔1〕 方式と距離の関係 236
   〔2〕 アナログ伝送方式 236
   〔3〕 光パルス間隔変調(PIM)方式 237
   〔4〕 PCM光伝送方式 238
   11・4 光多重化方式 242
   〔1〕 波長多重化方式 242
   〔2〕 高周波多重化方式 242
   〔3〕 時間領域多重化方式 243
   〔4〕 コヒーレント光通信と周波数多重方式 243
   11・5 いろいろな光通信システムの例 243
   〔1〕 日本における公衆通信システム 243
   〔2〕 海底伝送,国際通信システム 245
   〔3〕 各国の公衆通信システム 246
   〔4〕 電力系統用光通信システム 247
   〔5〕 情報伝送システム 247
   〔6〕 光ファイバ伝送による観測・制御 250
   〔7〕 光分配システムとLAN 250
   11・6 光通信システムの将来像 250
   演習問題 253
付録
付録1 分布屈折率導波路内での光線軌跡〔式(3・4)の導出〕 255
付録2 分布屈折率導波路における 周期の位相変化〔式(3・8)の導出〕 256
付録3 式(3・11),(3・14)の導出 257
付録4 分布屈折率ファイバのモードとモード対応表 257
文献リスト 259
索引 313
第1章 光通信のあらまし
   1・1 光通信とは 1
   1・2 新しい発光源と光ファイバ伝送路が得られるまで 3
6.

図書
図書
6. Fundamentals of microoptics : distributed-index, microlens, and stacked planar optics
K. Iga, Y. Kokubun, M. Oikawa
出版情報: Tokyo, Orlando : Academic Press , Tokyo : OHM, 1984  xiii, 218 p. ; 24 cm
所蔵情報: loading…
7.

図書

東工大
目次DB
図書
東工大
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7. Process technology for semiconductor lasers : crystal growth and microprocesses
Kenichi Iga, Susumu Kinoshita
出版情報: Berlin ; Tokyo : Springer, c1996  x, 169 p. ; 24 cm
シリーズ名: Springer series in materials science ; v. 30
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1. Introduction 1
   1.1 Outline of Semiconductor Laser Theory 1
   1.2 Semiconductor Lasers in Opto-electronics 3
   1.3 Necessary Technology for Semiconductor Lasers 4
   1.4 Brief History of Semiconductor Lasers 5
   1.5 Typical Semiconductor Lasers 7
2. Materials for Semiconductor Lasers 8
   2.1 III-V Compound Semiconductors 8
   2.1.1 Band Structure of III-V Semiconductors 8
   2.1.2 Other Characteristics of III-V Compound Semiconductors 13
   2.2 Crystals for Visible to Near-Infrared-Wavelength Emission Semiconductor Lasers 15
   2.2.1 Importance of Visible to Near-Infrared-Wavelenth Laser Emission 15
   2.2.2 Crystal Materials for the Near-Infrared Region 15
   2.2.3 Crystal Materials for Visible Laser Emission 17
   2.3 Crystals for Semiconductor Lasers with 1-μm and Longer Emission Wavelengths 18
   2.3.1 Importance of the 1-μm Emission Wavelength 18
   2.3.2 Crystal Materials for the 1-μm Emission Wavelength 20
   2.3.3 Longer-Wavelength Materials 21
3. Basic Design of Semiconductor Lasers 22
   3.1 Double Heterostructures and Their Design 22
   3.1.1 Double Heterostructures 22
   3.1.2 Design of Double-Heterostructure Lasers 23
   3.1.3 Energy-Band Diagram of DH Lasers 24
   3.1.4 Optical Properties of DH Lasers 32
   a) Step-Index Planar Waveguide 32
   b) TE Modes 34
   c) TM Modes 37
   d) Mode-Confinement Factor 38
   3.1.5 Threshold Current of DH Lasers 40
4. Epitaxy of III-V Compound Semiconductors 43
   4.1 III-V Substrates for Semiconductor Lasers 43
   4.1.1 Necessity of Substrates 43
   4.1.2 Substrate Quality Requirements 43
   4.2 Bulk Growth Techniques 45
   4.3 Heteroepitaxial Techniques 45
   4.3.1 Liquid-Phase Epitaxy 45
   4.3.2 Vapor-Phase Epitaxy 47
   4.3.3 Metalo-Organic Chemical-Vapor Deposition 47
   4.3.4 Molecular Beam Epitaxy 48
   4.3.5 Chemical Beam Epitaxy 49
5. Liquid Phase Epitaxy and Growth Technology 51
   5.1 Outline of an LPE System 51
   5.2 Reactors 52
   5.2.1 Horizontal Reactor 52
   5.2.2 Vertical Reactor 56
   5.3 Loading Sub-System 57
   5.4 Pump and Exhaust Sub-System 58
   5.5 Gas-Flow Sub-System 59
   5.6 Heating Sub-System 60
   5.7 Maintenance 60
   5.7.1 Maintenance of a Graphite Boat 60
   5.7.2 Baking of the Reactor 60
   5.8 Liquid-Phase Epitaxy 61
   5.9 LPE Process 63
   5.9.1 GaA1As/GaAs System 63
   a) Determination of the Source-Material Quantity 63
   b) LPE Procedure 67
   5.9.2 GaInAsP/InP System 69
   5.9.3 Other Materials 77
   a) Visible-Light Semiconductor Lasers 80
   b) Longer-Wavelength (λ＞2μm) Semiconductor Lasers 81
6. Vapor Phase and Beam Epitaxies 82
   6.1 Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) 82
   6.1.1 MOCVD System 82
   6.1.2 Example of MOCVD Growth 84
   a) A Double-Heterostructure Wafer 84
   b) Semiconductor Multilayer Reflector 85
   6.1.3 Characterization 87
   a) Evaluation of the Nominal Threshold-Current Density 87
   b) Reflectivity of a Multilayer Bragg Reflector 88
   6.2 Molecular-Beam and Chemical-Beam Epitaxy 89
   6.2.1 Background 89
   6.2.2 Chemical Beam Epitaxial System 91
   6.2.3 Preparation for Growth 92
   6.2.4 GaAs and InP Growth 93
   6.2.5 GaxIn1-xAsyP1-y Growth 96
   6.2.6 Doping-Level Control 98
   6.2.7 Summary of CBE 99
7. Characterization of Laser Materials 101
   7.1 Evaluation of Laser Wafers 101
   7.2 Measurement of Lattice Mismatch 103
   7.3 Measurement of the Impurity Concentration 105
   7.3.1 Four-Point Probe Method 105
   7.3.2 Schottky Method 107
   7.3.3 Hall Measurement 108
   7.4 Photoluminescence 110
   7.5 Measurement of the Refractive Index 111
   7.6 Misfit Dislocation 111
8. Semiconductor-Laser Devices-Fabrication and Characteristics 112
   8.1 Fabrication of Fundamental Laser Devices 112
   8.1.1 Broad Contact Lasers 112
   8.1.2 Stripe-Geometry Lasers 113
   8.2 Current Injection and Contacts 114
   8.2.1 Current/Voltage Characteristics 114
   8.2.2 Current Injection 116
   8.3 Evaluation of the Threshold-Current Density 119
   8.4 Gain Bandwidth and Oscillation Spectra 119
   8.5 Output and Efficiency of Semiconductor Lasers 121
   8.6 Near-Field Pattern and Far-Field Pattern 122
   8.7 Temperature Characteristics 122
   8.8. Reliability 123
9. Mode-Control Techniques in Semiconductor Lasers 124
   9.1 Transverse-Mode Characteristics and the Single-Mode Condition 124
   9.1.1 Necessity of Transverse-Mode Stabilization 124
   9.1.2 Equivalent Refractive-Index Method 126
   9.1.3 Eigenvalue Equation of a Guided Mode 127
   9.2 Longitudinal-Mode Control 129
   9.3 Burying Epitaxy on Mesas and V-Grooves 133
   9.3.1 Structures on Index-Guided Lasers 133
   9.3.2 Fabrication of Transverse-Mode-Controlled Structures 134
   9.4 Mass-Transport Technique 136
   9.5 Selective Meltback Technique 137
   9.5.1 Selective Meltback Characteristics 137
   9.5.2 Application to an Inner-Stripe Structure 138
   9.5.3 Application to BH Stripe-Lasers 140
   9.6 Overgrowth on Gratings 141
   9.7 Growth of Quantum Wells 141
   9.8 Growth of Multilayer Bragg Mirrors 145
10. Surface-Emitting Lasers 147
   10.1 The Concept of Surface-Emitting Lasers 147
   10.2 Structure and Characteristics 148
   10.2.1 GaInAsP/InP Surface-Emitting Lasers 148
   10.2.2 GaA1As/GaAs SE Lasers 149
   10.3 Semiconductor Multi-Layer Structure 150
   10.4 Two-Dimensional Arrays 151
   10.5 Ultralow-Threshold Devices 153
   10.6 Future Prospects 154
References 155
Subject Index 167
1. Introduction 1
   1.1 Outline of Semiconductor Laser Theory 1
   1.2 Semiconductor Lasers in Opto-electronics 3
8.

図書

東工大
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図書
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8. Fundamentals of laser optics
Kenichi Iga ; technical editor, Richard B. Miles
出版情報: New York : Plenum Press, c1994  xv, 285 p. ; 24 cm
シリーズ名: Lasers, photonics, and electro-optics
所蔵情報: loading…
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Chapter 1. The Basic Concept of Lasers
   1.1. What Is a Laser? 1
   1.2. History of Lasers 4
   1.2.1. Development of Masers 4
   1.2.2. Development of Lasers 5
   1.3. Characteristics of Laser Beams 6
   1.4. Field of Optoelectronics 9
   Problems 10
   References 11
Chapter 2. Laser Applications
   2.1. Laser Characteristics and Application Areas 13
   2.2. Optical Communications 16
   2.2.1. Optical Communication Systems 16
   2.2.2. Semiconductor Lasers for Optical Fiber Communication 18
   2.2.3. Lasers as Light Sources in Communication Measurement 19
   2.2.4. Optical Amplifiers 20
   2.3. Laser Disks 21
   2.4. Lightwave Sensing 23
   2.4.1. Light Output 23
   2.4.2. Radiation Angle of Light Beam 24
   2.4.3. Instability of Laser Operation Caused by Optical Feedback 25
   2.4.4. Increase of Intensity Noise Caused by Mode Hopping 25
   2.4.5. Variation of Power Related to Temperature Change 26
   2.4.6. Variation of Wavelength Related to Temperature Change 26
   2.4.7. Reproducibility of Wavelenght 27
   2.4.8. Linewidth 27
   2.4.9. Resistivity against Electrical Surge and Lifetime 28
   2.5. Electro-Optic Equipment 28
   2.6. Medical Applications 29
   2.7. Energy Development 29
   2.8. Laser Display 30
   Problems 30
   References 31
Chapter 3. Gas and Liquid Lasers
   3.1. Gas Lasers 33
   3.1.1. Helium-Neon Laser 33
   3.1.2. CO2 Laser 35
   3.1.3. Ion Lasers 36
   3.1.4. Helium-Cadmium Laser 37
   3.1.5. Nitrogen Laser 37
   3.2. Excimer Lasers 38
   3.3. Liquid Lasers 39
   3.4. Other Lasers 40
   Problems 40
   References 41
Chapter 4. Solid-State Lasers
   4.1. Ruby Lasers 43
   4.2. YAG Lasers 44
   4.3. Glass Lasers 46
   4.4. Optical Fiber Laser Amplifiers 46
   4.5. Other Solid-State Lasers 47
   Problems 48
   References 48
Chapter 5. Semiconductor Lasers-Materials and Devices
   5.1. Outline of Semiconductor Lasers 49
   5.1.1. Development of Semiconductor Lasers 49
   5.1.2. Fundamentals of Semiconductor Lasers 51
   5.2. Materials for Semiconductor Lasers 52
   5.2.1. Crystals for 1-μm-Band Semiconductor Lasers 52
   5.2.2. Crystals for Visible to Near-Infrared Semiconductor Lasers 56
   5.3. Basic Concept of Semiconductor Lasers 58
   5.3.1. Oscillation Conditions 58
   5.3.2. Gain Width and Oscillation Spectra 60
   5.3.3. Transverse Mode Characteristics 62
   5.3.4. Threshold and Efficiency 64
   5.3.5. Near-and Far-Field Patterns 65
   5.3.6. Temperature Characteristics 65
   Problems 66
   References 67
Chapter 6. Light Beams
   6.1. Equations Expressing an Electromagnetic Field of Light 71
   6.1.1. Passive Case 73
   6.1.2. Active Case 74
   6.2. Normal Modes 75
   6.3. Normal Modes in Distributed Index (DI) Waveguides 77
   6.4. Expansion Methods for Normal Modes 82
   6.5. Gaussin Beams in Free Space 86
   6.6. Transformation Matrix of Waveform and Ray Transfer Matrix 89
   6.6.1. Transformation Matrix of Waveforms 89
   6.6.2. Ray Transfer Matrix 93
   6.7. Representation of Waveform Coefficient Transformation by the Smith Chart 95
   6.8. Appendix 1: Matrix of a DI Waveguide 96
   6.9. Appendix 2: Transfer Matrices in Free Space 100
   Problems 101
   References 101
Chapter 7. Optical Waveguides for Laser Technology
   7.1. Normal Modes in a Planar Dielectric Waveguide 103
   7.2. Modes of a Three-Dimensional Waveguide 113
   7.3. Confinement Factor 114
   7.4. Radiation from the Edge of a Waveguide 115
   Problems 117
   References 118
Chapter 8. Laser Resonators and Resonant Modes
   8.1. Introduction 119
   8.2. Fabry-Perot Waveguide-Type Resonators 121
   8.3. Open Fabry-Perot Resonators with Concave Mirrors 125
   8.3.1. Spotsize 125
   8.3.2. Stability of Resonators 126
   8.3.3. Mode and Diffraction Loss in Fabry-Perot Resonators 129
   8.3.4. Resonance Frequency 137
   8.4. Distributed Feedback/Reflector Resonators 139
   8.4.1. Resonance Frequencies 139
   8.4.2. Diffracted Waves 140
   8.4.3. Stop Bands 142
   8.4.4. Distributed Bragg Reflector-Type Resonators 146
   8.4.5. λB/4 Phase Shift 147
   8.5. Resonator Loss and Resonance Characteristics 148
   8.5.1. Decay Time and Q-Value 148
   8.5.2. Resonance Characteristics and Transfer Function 149
   8.6. Summary 150
   Problems 150
   References 151
Chapter 9. Laser Equations
   9.1. Density Matrix and Equations of Motions 153
   9.1.1. Density Matrix 153
   9.1.2. Density Operator and Density Matrix in the Pure State 155
   9.1.3. Density Operator in a Continuous Eigenstate 156
   9.2. Dipole Transition 158
   9.2.1. Diagonal Elements of the Density Matrix 158
   9.2.2. Nondiagonal Elements of the Density Matrix 160
   Problems 163
   References 163
Chapter 10. Rate Equations
   10.1. Homogeneous Gain 165
   10.2. Rate Equations 167
   10.3. Laser Gain 170
   10.3.1. Laser Gain 171
   10.3.2. Gain of Semiconductor Lasers 172
   10.3.3. Quantum Well Lasers 174
   10.4. Oscillation Conditions 177
   Problems 180
   References 181
Chapter 11. Laser Gain and Saturation
   11.1. Inhomogeneous Broadening 183
   11.2. Hole Burning 184
   11.3. Saturation of Light Output 189
   11.4. Gain and Saturation in Semiconductor Lasers 194
   Problems 204
   References 205
Chapter 12. Modulation and Light Pulse Generation
   12.1. Delay in Laser Oscillation 207
   12.2. Relaxation Oscillation 208
   12.3. Q-Switching 210
   12.4. Mode Locking 212
   12.5. Direct Modulation 214
   Problems 216
   References 217
Chapter 13. Laser Noise
   13.1. Intensity Noise 219
   13.1.1. Measure of Intensity Noise 219
   13.1.2. Quantum Noise 220
   13.1.3. Enhancement of Intensity Noise by Various Factors 223
   13.1.4. Stabilization of Laser Output 224
   13.2. Frequency Noise 224
   13.2.1. Expression for Frequency Noise 224
   13.2.2. Quantum Noise 224
   13.2.3. Enhancement of Frequency Noise by Various Factors 227
   13.2.4. Measuring Linewidth 227
   13.3. Control of Linewidth 228
   13.3.1. Optical Methods 228
   13.3.2. An Electric Method 229
   13.4. Laser Frequency Stabilization 229
   13.4.1. Allan Variance 229
   13.4.2. Stabilization at the Center of Laser Gain 230
   13.4.3. Stabilization with an External Frequency Standard 230
   Problems 231
   References 231
Chapter 14. Advanced Technology for Semiconductor Laser Fabrication and Integration
   14.1. Methods of Semiconductor Crystal Growth 233
   14.1.1. Outline of Crystal Growth Method 233
   14.1.2. Liquid-Phase Epitaxy 234
   14.1.3. Vapor-Phase Epitaxy 238
   14.1.4. Metal-Organic Chemical Vapor Deposition 239
   14.1.5. Molecular Beam Epitaxy 240
   14.1.6. Chemical Beam Epitaxy 241
   14.2. Laser Devices and Fabrication Processes 241
   14.2.1. Energy Band Structures in Heterojunction Devices 241
   14.2.2. Doping 244
   14.2.3. Fabrication Methods of Wafers for Lasers 245
   14.3. Evaluation of Wafers 247
   14.3.1. Observation of Surface Morphology 248
   14.3.2. Observation of Cross Sections 248
   14.3.3. Determining Composition 248
   14.3.4. Determining the Band Gap, Eg 248
   14.3.5. Measuring Lattice Matching 249
   14.3.6. Photoluminescence 249
   14.3.7. Measurement of Refractive Index 250
   14.3.8. Misfit Density 251
   14.4. Fabrication of Fundamental Laser Devices and Characterization Methods 251
   14.4.1. Fabrication Method of Fundamental Laser Devices 251
   14.4.2. Stripe-Geometry Lasers 253
   14.5. Longitudinal Mode Control 254
   14.6. Modulation and Noise 257
   14.6.1. Modulation and Bandwidth of a Semiconductor Laser 257
   14.6.2. Noise 258
   14.6.3. Frequency Stability 259
   14.7. Prospects of Semiconductor Lasers 260
   14.7.1. Laser Arrays 260
   14.7.2. Integration 261
   14.7.3. Prospects of Optical Subsystems 263
   Problems 264
   References 264
Chapter 15. Surface-Emitting Lasers
   15.1. Advantages of Surface-Emitting Lasers 267
   15.2. History of Vertical Cavity Surface-Emitting Lasers 270
   15.3. Vertical Cavity Surface-Emitting Lasers (VCSEL) 271
   15.3.1. GaInAsP/InP Surface-Emitting Lasers 271
   15.3.2. GaA1As/GaAs Surface-Emitting Lasers 273
   15.3.3. GaInAs/GaAs Surface-Emitting Lasers 275
   15.4. Ultimate Threshold and Spontaneous Emission Control 275
   15.4.1. Ultimate Threshold 275
   15.4.2. Spontaneous Emission Control 275
   15.4.3. Photon Recycling 276
   15.5. Two Dimensional Arrays of Surface-Emitting Lasers 277
   15.6. Applied Subsystems 278
   15.7. Prospects 280
   References 280
Index 283
Chapter 1. The Basic Concept of Lasers
   1.1. What Is a Laser? 1
   1.2. History of Lasers 4
9.

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9. 現代応用電気数学
伊賀健一著
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10.

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10. 光ファイバ
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