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1.

図書

図書
石塚勝著
出版情報: つくば : 科学情報出版, 2015.3  vi, 218p ; 21cm
シリーズ名: 設計技術シリーズ
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熱の伝わり方
パッケージの熱抵抗
LSIパッケージの熱抵抗
自然空冷筐体の放熱設計
強制空冷筐体内の放熱設計
流体抵抗とファンの特性
圧力損失とその種類
熱伝導解析と応用例
節点法解析と応用例
熱回路網法による熱解析手法
マルチチップモジュールの非定常熱解析
熱回路網法を用いた非定常熱解析例
相変化冷却技術
断熱技術
伝熱デバイス
熱の伝わり方
パッケージの熱抵抗
LSIパッケージの熱抵抗
2.

図書

図書
日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会編 ; 赤崎勇, 松波弘之編著
出版情報: 東京 : 培風館, 2013.1  x, 404p, 図版 [6] p ; 22cm
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第1編 ワイドギャップ半導体のあけぼの : GaN系窒化物半導体研究のあけぼの
パワー半導体SiCのあけぼの
第2編 ワイドギャップ半導体エコ技術の最前線 : 光エコデバイス
電子エコデバイス
情報・通信エコ技術
環境エコ技術
第1編 ワイドギャップ半導体のあけぼの : GaN系窒化物半導体研究のあけぼの
パワー半導体SiCのあけぼの
第2編 ワイドギャップ半導体エコ技術の最前線 : 光エコデバイス
概要: ワイドギャップ半導体について、パイオニアの研究者による「あけぼの」の時期からのチャレンジングな基盤技術の開拓過程と「最前線」のデバイス開発までのブレークスルーを記述し、記録・伝承することを含め、その意義をまとめた。第一線の研究者らが参画し、 近未来の光・電子デバイスの基盤技術開拓に質することを目的に、最前線の研究成果と技術の芽の基礎を網羅して解説する。 続きを見る
3.

図書

図書
クリーンテクノロジー編集部編集
出版情報: 東京 : 日本工業出版, 2014.4  67p ; 28cm
シリーズ名: 月刊「クリーンテクノロジー」 ; 小冊子
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4.

図書

図書
菅沼克昭編著
出版情報: 東京 : 日刊工業新聞社, 2014.12  247p ; 21cm
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第1章 : 緒言
第2章 : ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイスの現状と実装
第3章 : SiC/GaNパワー半導体の開発
第4章 : ワイヤボンド技術
第5章 : ダイアタッチ技術
第6章 : モールド樹脂技術
第7章 : 基板技術
第8章 : 冷却技術
第9章 : 信頼性評価・検査技術
第1章 : 緒言
第2章 : ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイスの現状と実装
第3章 : SiC/GaNパワー半導体の開発
5.

図書

図書
大橋直樹監修
出版情報: 東京 : シーエムシー出版, 2011.12  vi, 252p ; 27cm
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6.

図書

図書
山本秀和著
出版情報: 東京 : コロナ社, 2012.2  viii, 180p ; 21cm
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7.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
西久保靖彦著
出版情報: 東京 : ナツメ社, 2010.5  223p ; 19cm
シリーズ名: 図解雑学 : 絵と文章でわかりやすい!
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はじめに
Chapter1 半導体ってなんだろう?
   電子機器に搭載されている半導体とは?-半導体は高機能電子回路 10
   電気と電子はどこが違うのか?-電気の中身に電子が入っている 12
   導体と絶縁体の違いは何か?-導体の中には自由電子がたくさんある 14
   導体や絶縁体の電気抵抗は何で決まるのか?-電気抵抗は自由電子の流れやすさ 16
   半導体とは何か?その特質は?-半導体は条件次第で導体にも絶縁体にもなる 18
   半導体の電気抵抗の変化-半導体の電気抵抗は温度や光の影響も受ける 20
   エネルギーバンド構造を理解する-絶縁体、半導体、導体のエネルギーバンド構造 22
   半導体に不純物を添加すると導体に変質する-不純物添加で電子をパワーアップ! 24
   半導体材料シリコンとは?-ケイ石として身近に存在する半導体材料 26
   シリコンの原子構造と結晶状態-シリコン単結晶は安定な結晶状態である 28
   N型半導体とは?-N型半導体は電子(エレクトロン)が電流に寄与する 30
   P型半導体とは?-P型半導体は正孔(ホール)が電流に寄与する 32
   N型半導体・P型半導体のエネルギーバンド構造-パワーアップエネルギーの正体は? 34
   コラム 半導体の歴史は古い 36
Chapter2 ダイオードとトランジスタ
   多数キャリアと少数キャリア-N型半導体にもホールが、P型半導体にもエレクトロンがある 38
   半導体の基本となるPN接合とは?-N型半導体とP型半導体が接触すると空乏層ができる 40
   PN接合に電圧をかけるとどうなるのか?-順方向バイアスと逆方向バイアス 42
   P型半導体とN型半導体を接合したダイオード特性-一方向のみに電流を流す 44
   ダイオードの整流作用-交流を直流に変換するダイオードの仕組み 46
   トランジスタってどんなもの?-バイポーラ型トランジスタとMOS型トランジスタ 48
   バイポーラトランジスタってどんなもの?-NPN型とPNP型がある 50
   バイポーラトランジスタの増幅作用-スイッチON状態で1C≧1B 52
   MOS型トランジスタってどんなもの?-NMOS型とPMOS型の2種類がある 54
   MOS型トランジスタのスイッチ動作-電圧制御のため消費電力が小さい 56
   ICとして汎用的に使用されるCMOS-CMOS=NMOS+PMOS 58
   CMOSが低消費電力な理由-どちらかのMOS型トランジスタは必ずOFFになっている 60
   デジタル回路でのCMOSインバータ動作-インバータは論理ゲートでは否定(NOT)となる 62
   CMOS論理回路・ANDゲートとNANDゲート-ANDゲートよりシンプルなNANDゲート 64
   CMOS論理回路・ORゲートとNORゲート-NORゲートは、ORゲートの否定(NOT) 66
   いろいろな用途に使用されるダイオード-ダイオードのさまざまな特性を利用 68
   化合物半導体とは?-大容量・高速情報処理のIT社会に必須な半導体 70
   高周波トランジスタ-GaAsは高周波動作に優れた半導体材料 72
   パワートランジスタ-電気エネルギー損失を最小にする工夫 74
   SiC半導体-シリコン限界を超えて低損失・高効率化を狙う 76
   コラム 初めての半導体~ゲルマニウムラジオとの出会い 78
Chapter3 さまざまな半導体デバイス
   半導体デバイスの種類-電子機器に使用されるさまざまな半導体デバイス 80
   光半導体の種類-電気エネルギーと光エネルギーの変換 82
   発光ダイオード(LED)-低消費電力・長寿命の発光ランプ 84
   照明器具としての白色LED-省エネルギーのエース 86
   フォトダイオードとは?-光エネルギーを電気信号に変換 88
   光複合デバイスとは?-発光素子と受光素子を一体化 90
   レーザダイオード(半導体レーザ)-電気信号をレーザ光に変換 92
   青色半導体レーザが高画質・大容量化を実現-ブルーレイディスク登場の立役者 94
   太陽電子の原理-太陽電池の基本原理はフォトダイオードと同じ 96
   太陽電池の種類-シリコン系、化合物系、有機物系の3種類がある 98
   半導体センサの種類-あらゆるところに存在する半導体センサ 100
   磁気センサ-ホール効果や磁気抵抗効果で磁気を検出 102
   圧力センサ-圧力の変化を歪ゲージでキャッチ 104
   加速度センサ-デジタルカメラ、携帯電話や自動車で活躍 106
   家庭に入ってきた加速度センサ-既存の技術を新しいアイデアでゲーム機や携帯機器に活かす 108
   いろいろなMEMS半導体センサ-半導体とMEMSの統合技術で作られた特殊センサ 110
   自動車に搭載されたセンサ-安全運転や高性能化に半導体センサが果たす役割 112
   イメージセンサとは?-電磁たるカメラの眼となっているイメージセンサ 114
   CCDイメージセンサ-本来は電荷転送を目的とした電荷結合素子 116
   CMOSイメージセンサ-CMOS電子回路と同時搭載のワンチップIC化が可能 118
   半導体メモリの種類-不揮発性メモリ(ROM)と揮発性メモリ(RAM)に大別 120
   DRAMの特徴と基本構造-メモリセルはMOSFETとコンデンサの組み合わせ 122
   DRAMメモリセルの基本動作-メモリ状態はコンデンサに電荷があるか無いか 124
   デジカメや携帯電話に搭載のフラッシュメモリ-RAMとROMの利点を併せもつ 126
   フラッシュメモリセルの基本動作-フローティングゲートの電荷がメモリ状態を作る 128
   大容量化するNAND型フラッシュメモリ-HDDを置き換えストレージの主役へ 130
   次世代メモリには何があるのか?-ユニバーサルメモリへの期待 132
   期待がかかるFRAMとMRAM-FRAMはICカードで実用的に一歩先行 134
   ICカードはポケットの中の情報源-接触型と非接触型がある 136
   微小ICチップの無線通信ICタグ-バーコードに代わり流通管理の仕組みを高度化する 138
   コラム トランジスタは高価で高嶺の花だった 140
Chapter4 IT社会を支えるICとLSI
   高性能電子機器を構成するICとLSI-数千万個もの電子部品を搭載 142
   シリコンウエーハ上の電子部品-半導体素子はウエーハ上に微細化した個別電子部品 144
   機能別に分類したLSIの種類-メモリ、マイクロプロセッサ、ASIC、システムLSI 146
   マイコンの動作-シリコンチップ上の極小マイクロプロセッサ 148
   コンピュータにおけるCPU-人間の頭脳に相当する重要なパーツ 150
   ASICの種類と実現方法による分類-産業用ICの中枢をなすASIC 152
   ゲートアレイとセルベースIC-ゲートアレイ、セルベースICはASICの代表選手 154
   エンベデッドアレイとストラクチャードASIC-より高機能に、より短納期に 156
   ユーザープログラマブルIC-購入者が手元で回路機能を書き込めるIC 158
   あらゆる機能をワンチップ化したシステムLSI-システムLSIがデジタル家電を牽引する 160
   アナログIC vs デジタルIC-アナログを"0"と"1"で表現したデジタル 162
   ミックスドシグナルLSI-アナログ回路とデジタル回路をワンチップに搭載 164
   音声や画像処理が得意なDSPとは?-演算性能を優先し高速処理を実現 166
   半導体業界でいうIPって何?-機能ブロックの知的財産権としてLSIに匹敵する価値をもつ 168
   コラム ICとの出会い、そして自分の手で開発へ 170
Chapter5 LSIの製造工程と未来像
   シリコンウエーハの作り方-円盤状にスライスした単結晶シリコンを鏡のように磨く 172
   ウエーハの大口径化と薄型化-大口径化はコスト減少、薄型化は超小型実装の実現へ 174
   半導体製造に欠かせないクリーン環境-山手線内に仁丹が1粒のクリーンさ 176
   LSIの製造工程-前工程(ウエーハプロセス)と後工程(組み立て・実装工程) 178
   各種の薄膜とその役割-半導体製造には多種多様な膜が必要 180
   ウエーハ上に薄膜を形成するには-熱酸化法・スパッタ法・CVD法 182
   微細加工に必要なリソグラフィ工程-半導体素子形状をウエーハ上に形成 184
   微細化の鍵を握るフォトマスクとは?-半導体素子形状を描画したネガ 186
   転写のための露光工程-微細化露光技術を可能にしたステッパー 188
   次世代露光技術-位相シフトマスクと液浸露光装置の開発 190
   微細3次元加工をするエッチング-シリコンウエーハの薄膜形状加工 192
   P型・N型領域を作る不純物拡散-熱拡散法とイオン注入法がある 194
   多層化する金属配線工程-高性能LSIの金属配線は5~7層に及ぶ多層へ 196
   半導体製造の後工程-ウエーハ完成以降の組み立てと実装 198
   ICパッケージの種類と小型化・高機能化-挿入実装型と表面実装型 200
   高速対応・薄型・高密度ピンのBGAとCSP-エリアタイプで小型化・高密度化 202
   ウエーハレベルCSPとは?-裸チップそのもの!究極のパッケージサイズ 204
   複数のチップを積み重ねたSIP-3次元実装技術でチップを積層(スタック) 206
   熱特性と電気特性の向上-高性能化にともなう熱対策・電気ノイズ対策 208
   半導体のテスト工程-ウエーハテストとファイナルテストがある 210
   半導体はどこまで小さく作れるのか?-微細化による高性能化が進む 212
   微細化半導体が電子機器を高性能化する-集積度増大、高速処理化、低消費電力化 214
   環境問題への対応-有害物質の鉛を使用しない鉛フリーハンダ 214
   コラム シリコンから新材料ダイヤモンドの時代へ? 218
索引 219
はじめに
Chapter1 半導体ってなんだろう?
   電子機器に搭載されている半導体とは?-半導体は高機能電子回路 10
8.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
細野秀雄, 平野正浩監修
出版情報: 東京 : シーエムシー出版, 2010.8  iv, 229p ; 27cm
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第1章 概論-10年間の透明酸化物の機能探索とそれから拓けた新領域-(細野秀雄)
   1. “透明電子活性”に託した想い 1
   2. 新しい範疇のアモルファス半導体:透明アモルファス酸化物半導体(TAOS) 2
   3. ユビキタス元素協同戦略:セメント成分C12A7の多機能化 4
   4. 高温超伝導の新鉱脈:鉄ニクタイド系超伝導体 6
   5. これからの可能性 7
第2章 酸化物半導体
   1. 概要-透明酸化物の材料設計-(神谷利夫) 12
    1.1 高性能材料とは何か?:光電子デバイスに要求される材料物性 12
    1.2 高移動度酸化物の設計指針 16
    1.3 ドーピング問題:バンドアライメント 17
    1.4 価電子帯の局在性:透明酸化物で良いp型半導体ができないもう一つの理由 20
    1.5 p型透明酸化物の設計 21
    1.6 よりよいp型TCOを探す 22
    1.7 鉄系高温超伝導体の発見へ 24
    1.8 n型酸化物でシリコンを超える:アモルファス酸化物半導体 25
    1.9 新しいn型TCO 28
   2. ワイドギャップp型半導体LaCuOSe(平松秀典) 32
    2.1 はじめに 32
    2.2 高濃度正孔ドーピング 33
    2.3 発光ダイオード 38
    2.4 おわりに 39
   3. p型伝導酸化物半導体SnO-価電帯がs軌道から構成されるp型半導体SnO-(小郷洋一) 42
    3.1 はじめに 42
    3.2 p型SnO薄膜を活性層としたp-チャネルTFT 42
    3.3 SnOホモPN接合 47
   4. p型伝導酸化物半導体Cu2O(松崎功佑) 49
    4.1 はじめに 49
    4.2 エピタキシャル薄膜成長 49
    4.3 TFT特性 52
    4.4 熱処理とギャップ内準位 53
    4.5 おわりに 54
   5. 透明アモルファス酸化物半導体a-In-Ga-Zn-OとそのTFT応用(野村研二) 56
    5.1 はじめに 56
    5.2 透明アモルファス酸化物半導体(TAOS) 57
    5.3 TFT応用へ向けたアモルファス酸化物半導体の材料探索指針 57
    5.4 a-In-Ga-Zn-O薄膜成長と基礎物性 59
    5.5 a-In-Ga-Zn-OのTFT応用 68
    5.6 まとめ 79
   6. TAOS-TFT用大型IGZOターゲット(熊原吉一、栗原敏也、鈴木了) 81
    6.1 はじめに 81
    6.2 ターゲットへの要求特性 82
    6.3 ターゲットの製造方法 82
    6.4 ターゲットの諸特性 85
    6.5 おわりに 87
   7. TAOS-TFT用大型スパッタ装置(磯部辰徳) 89
    7.1 はじめに 89
    7.2 スパッタリング装置の変貌 90
    7.3 大型基板対応スパッタリングカソードについて 91
    7.4 G4.5基板730mm×920mm基板でのIGZO-TFT評価 94
    7.5 まとめ 97
第3章 LnTMPO系超伝導化合物
   1. 概要(平野正浩) 99
   2. LaFeAsOの超伝導(野村尚利) 103
   3. AeFeAsF(Ae=Ca、Sr)超伝導体(松石聡) 107
    3.1 はじめに 107
    3.2 AeFeAsFの結晶構造および磁気構造 108
    3.3 AeFe1-xCoxAsFの超伝導 110
    3.4 Co以外の遷移金属置換の効果 112
    3.5 まとめ 113
   4. LaTMPnO(TM=3d遷移金属、Pn=ニクトゲン)およびSrFe2As2の薄膜成長(平松秀典) 116
    4.1 はじめに 116
    4.2 LaZnPnO(Pn=P、As) 116
    4.3 LaMnPnO(Pn=P、As、Sb) 119
    4.4 LaFeAsO 123
    4.5 SrFe2As2 127
    4.6 SrFe2As2における水誘起超伝導 130
    4.7 おわりに 134
第4章 透明酸化物
   1. 概要(平野正浩) 137
   2. シリカガラス(梶原浩一) 138
    2.1 はじめに 138
    2.2 酸素過剰型シリカガラス中の酸素分子濃度の定量 138
    2.3 18O同位体標識法による格子間酸素分子のシリカガラス骨格との反応性の評価 139
    2.4 高純度シリカガラスの真性欠陥機構の解析 142
    2.5 フッ素ドープシリカにおける真性欠陥形成と酸素拡散 145
    2.6 シリカガラス中の水素の反応 146
    2.7 ゾル-ゲル法によるバルクシリカガラスの合成 146
   3. Eu2+蛍光体(上岡隼人) 149
    3.1 はじめに 149
    3.2 Ca2ZnSi2O7蛍光体におけるEu2+イオン 150
    3.3 SrB4O7蛍光体におけるEu2+イオン 155
    3.4 まとめ 158
   4. フェムト秒レーザーによる透明酸化物の加工(河村賢一) 160
    4.1 はじめに 160
    4.2 フェムト秒レーザーシングルパルス干渉露光装置 160
    4.3 シリカガラス表面・内部へのグレーティング書き込み 161
    4.4 LiF分布帰還型(DFB)カラーセンターレーザーの作製 163
    4.5 プリパルス照射によるマイクログレーティングの書き込み閾値およびグレーティング形状の制御 165
    4.6 おわりに 167
第5章 12CaO・7Al2O3(C12A7)
   1. 概要(平野正浩) 169
   2. カチオン、アニオン置換12CaO・7Al2O3化合物と機能発現(林克郎) 172
    2.1 陽イオン置換12CaO・7Al2O3(C12A7) 172
    2.2 Cl-イオンを包接したC12A7系材料の湿度感受電気伝導 176
    2.3 C12A7系材料からのO-イオン放出 177
    2.4 超高温ジルコニア表面を用いた活性酸素放出 181
   3. C12A7エレクトライドの電気特性と超伝導(金聖雄) 183
    3.1 結晶構造の特徴と電子状態 183
    3.2 電子ドーピングと電気特性 184
    3.3 C12A7エレクトライドの超伝導 186
   4. C12A7エレクトライド粉末の合成と包接電子・酸素濃度の定量(松石聡) 192
    4.1 はじめに 192
    4.2 C12A7エレクトライド粉末の合成 193
    4.3 構造解析と包接酸素・電子濃度の測定 193
    4.4 まとめ 197
   5. C12A7エレクトライドの仕事関数と表面の電子構造(戸田喜丈) 199
    5.1 はじめに 199
    5.2 C12A7:e-の電子構造:バンドギャップとケージ伝導帯の実験的観測 199
    5.3 C12A7:e-の電子構造と表面構造 200
    5.4 低い仕事関数のオリジン 206
    5.5 まとめと今後の展望 207
   6. C12A7エレクトライドの化学反応への展開(津田進) 210
    6.1 はじめに 210
    6.2 C12A7エレクトライドを用いたベンズアルデヒド類およびアセトフェノン類の還元的ピナコールカップリングとその反応機構の考察 212
    6.3 炭酸水素カリウムの添加効果とそのメカニズムの考察 215
    6.4 おわりに 216
   7. C12A7エレクトライドの蛍光灯への応用(渡邉暁、宮川直通、伊藤節郎) 218
    7.1 放電ランプと陰極材料 218
    7.2 C12A7エレクトライドのイオン励起2次電子放出特性 220
    7.3 冷陰極蛍光ランプ用陰極材料としてのC12A7エレクトライド 224
第1章 概論-10年間の透明酸化物の機能探索とそれから拓けた新領域-(細野秀雄)
   1. “透明電子活性”に託した想い 1
   2. 新しい範疇のアモルファス半導体:透明アモルファス酸化物半導体(TAOS) 2
9.

図書

図書
佐藤淳一著
出版情報: 東京 : 秀和システム, 2010.3  207p ; 21cm
シリーズ名: How-nual図解入門
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10.

図書

図書
古川静二郎, 荻田陽一郎, 浅野種正共著
出版情報: 東京 : 森北出版, 2014.1  vii, 149p ; 22cm
所蔵情報: loading…
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電子と結晶
エネルギー帯と自由電子
半導体のキャリヤ
キャリヤ密度とフェルミ準位
半導体の電気伝導
pn接合とダイオード
ダイオードの接合容量
バイポーラトランジスタ
金属‐半導体接触
MESFET
MISFET
集積回路
光半導体デバイス
パワーデバイス
電子と結晶
エネルギー帯と自由電子
半導体のキャリヤ
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