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1.

図書

図書
石塚勝著
出版情報: つくば : 科学情報出版, 2015.3  vi, 218p ; 21cm
シリーズ名: 設計技術シリーズ
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熱の伝わり方
パッケージの熱抵抗
LSIパッケージの熱抵抗
自然空冷筐体の放熱設計
強制空冷筐体内の放熱設計
流体抵抗とファンの特性
圧力損失とその種類
熱伝導解析と応用例
節点法解析と応用例
熱回路網法による熱解析手法
マルチチップモジュールの非定常熱解析
熱回路網法を用いた非定常熱解析例
相変化冷却技術
断熱技術
伝熱デバイス
熱の伝わり方
パッケージの熱抵抗
LSIパッケージの熱抵抗
2.

図書

図書
東レリサーチセンター調査研究部編
出版情報: 東京 ; 大津 : 東レリサーチセンター, 2015.1  5, 291p ; 30cm
シリーズ名: TRC R&D library
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3.

図書

図書
日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会編 ; 赤崎勇, 松波弘之編著
出版情報: 東京 : 培風館, 2013.1  x, 404p, 図版 [6] p ; 22cm
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第1編 ワイドギャップ半導体のあけぼの : GaN系窒化物半導体研究のあけぼの
パワー半導体SiCのあけぼの
第2編 ワイドギャップ半導体エコ技術の最前線 : 光エコデバイス
電子エコデバイス
情報・通信エコ技術
環境エコ技術
第1編 ワイドギャップ半導体のあけぼの : GaN系窒化物半導体研究のあけぼの
パワー半導体SiCのあけぼの
第2編 ワイドギャップ半導体エコ技術の最前線 : 光エコデバイス
概要: ワイドギャップ半導体について、パイオニアの研究者による「あけぼの」の時期からのチャレンジングな基盤技術の開拓過程と「最前線」のデバイス開発までのブレークスルーを記述し、記録・伝承することを含め、その意義をまとめた。第一線の研究者らが参画し、 近未来の光・電子デバイスの基盤技術開拓に質することを目的に、最前線の研究成果と技術の芽の基礎を網羅して解説する。 続きを見る
4.

図書

図書
電子情報技術産業協会ICガイドブック編集委員会編集・著作
出版情報: 東京 : 産業タイムズ社, 2012.3  v, 242p ; 28cm
シリーズ名: ICガイドブック / 日本電子機械工業会編集 ; 2012年版(第12版) ; 1
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5.

図書

図書
電子情報技術産業協会ICガイドブック編集委員会編集・著作
出版情報: 東京 : 産業タイムズ社, 2012.3  219p ; 28cm
シリーズ名: ICガイドブック / 日本電子機械工業会編集 ; [2012年版] (第12版) ; 2
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6.

図書

図書
須賀唯知監修
出版情報: 東京 : シーエムシー出版, 2012.11  viii, 294p ; 26cm
シリーズ名: CMCテクニカルライブラリー ; 442 . エレクトロニクスシリーズ||エレクトロニクス シリーズ
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第1編 : 総論
第2編 : 3次元SiP設計評価技術
第3編 : 3次元SiPのためのウエハ加工技術
第4編 : 3次元SiP用配線板技術
第5編 : 3次元SiP実装接合技術
第6編 : 3次元SiPの応用技術
第7編 : 将来展望
第1編 : 総論
第2編 : 3次元SiP設計評価技術
第3編 : 3次元SiPのためのウエハ加工技術
7.

図書

図書
吉岡英美著
出版情報: 東京 : 有斐閣, 2010.3  xiv, 237p ; 22cm
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8.

図書

図書
松橋肇著
出版情報: 東京 : 三松株式会社出版事業部 , 東京 : 丸善株式会社出版事業部 (発売), 2010.6  247p ; 21cm
シリーズ名: 初めて学ぶ現場技術講座
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9.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
津田建二著
出版情報: 東京 : 日刊工業新聞社, 2010.4  vi, 152p ; 22cm
シリーズ名: B&Tブックス
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Chapter 1 半導体は、実は成長産業
   01 世界半導体市場統計は現実を示す 2
   02 シリコンはいつまでも増え続けている 6
   03 シリコンは安定した品質の良い材料 10
   04 半導体製品の広がりは続く 14
Chapter 2 日本の半導体だけが成長が止まっている
   05 かつては世界のトップにいた 20
   06 米国はどうやって復活を遂げたか 24
   07 日本のシェアが落ち続けた原因は何か 26
Chapter 3 世界は半導体を成長産業と位置付けている
   08 世界は水平分業で成長 34
   09 これまで存在しなかった国にも半導体産業が誕生 38
   10 マーケット重視で成功したマイクロン、サムスン 42
   11 半導体産業のない国で半導体を研究開発 46
   12 英国で続出する半導体ベンチャー企業 50
   13 半導体産業の高まりは水平分業にあり 54
Chapter 4 ムーアの法則が水平分業を促進
   14 半導体の設計も製造も複雑 60
   15 半導体を作る工程にはさまざまな企業が参加している 64
   16 分業するメリットは多い 68
   17 分業化する企業も続出 72
   18 なぜ小さなベンチャーが大手半導体に勝てるのか 76
Chapter 5 半導体産業の新しい流れ
   19 転換期を迎えた半導体産業 82
   20 半導体にソフトウエアを埋め込む 88
   21 ハードウエアだけの電子回路の設計が激減 92
Chapter 6 世界の半導体産業は組み込みシステムでリード
   22 組み込みシステム全体はアナログも加わる 96
   23 組み込みシステムで差別化を図る 100
   24 MEMSは単体では価値は少ない 104
Chapter 7 半導体はなぜこれからも成長するのか
   25 太陽電池やLEDも半導体ダイオード 110
   26 太陽エネルギーを効率よく作り出すのも半導体 114
   27 ヘルスケア分野は半導体がカギを握る 118
   28 電気自動車の半導体、大きな市場を期待 122
   29 スマートグリッド、環境配慮も半導体ならでは 126
Chapter 8 新しいビジネスモデルを活用
   30 従来の設計・製造のモノづくりからの脱却 130
   31 アーム社、ライセンスとロイヤルティが収入源 134
   32 クアルコムの特許戦略 138
   33 日本没落の原因は結局、経営判断ミス 142
   34 成長のカギは変化への対応力 146
COLUMUN
   半導体とは、半分導体・半分絶縁体の不思議な材料 18
   トランジスタはえらい 32
   デジタル時代なのになぜアナログ技術がもてはやされるの 58
   半導体経営に求められる、強いリーダーシップ 80
   台湾のファブレス産業も急速に発展中 108
Chapter 1 半導体は、実は成長産業
   01 世界半導体市場統計は現実を示す 2
   02 シリコンはいつまでも増え続けている 6
10.

図書

図書
クリーンテクノロジー編集部編集
出版情報: 東京 : 日本工業出版, 2014.4  67p ; 28cm
シリーズ名: 月刊「クリーンテクノロジー」 ; 小冊子
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11.

図書

図書
菅沼克昭編著
出版情報: 東京 : 日刊工業新聞社, 2014.12  247p ; 21cm
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第1章 : 緒言
第2章 : ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイスの現状と実装
第3章 : SiC/GaNパワー半導体の開発
第4章 : ワイヤボンド技術
第5章 : ダイアタッチ技術
第6章 : モールド樹脂技術
第7章 : 基板技術
第8章 : 冷却技術
第9章 : 信頼性評価・検査技術
第1章 : 緒言
第2章 : ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイスの現状と実装
第3章 : SiC/GaNパワー半導体の開発
12.

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図書
菅博 [ほか] 共著
出版情報: 東京 : 産業図書, 2011.4  xv, 343p ; 22cm
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13.

図書

図書
佐野芳明, 奥村次徳監修
出版情報: 東京 : シーエムシー出版, 2011.7  vii, 266p ; 21cm
シリーズ名: CMCテクニカルライブラリー ; 396 . エレクトロニクスシリーズ||エレクトロニクス シリーズ
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14.

図書

図書
高乗正行著
出版情報: [東京] : 日経BP社 , [東京] : 日経BPマーケティング(発売), 2011.1  191p ; 19cm
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15.

図書

図書
大橋直樹監修
出版情報: 東京 : シーエムシー出版, 2011.12  vi, 252p ; 27cm
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16.

図書

図書
和保孝夫著 ; 電子情報通信学会編
出版情報: 東京 : コロナ社, 2013.5  ix, 184p ; 26cm
シリーズ名: 電子情報通信レクチャーシリーズ / 電子情報通信学会編 ; C-14
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1 : 序論
2 : モデルデバイス
3 : 半導体におけるキャリヤの挙動
4 : pn接合
5 : MOSFET
6 : BJT
7 : CMOS論理回路
8 : メモリ
9 : まとめと今後の展望
1 : 序論
2 : モデルデバイス
3 : 半導体におけるキャリヤの挙動
17.

図書

図書
ディーター・K・シュロゥダー著 ; 嶋田恭博訳
出版情報: 東京 : シーエムシー出版, 2012.5  vii, 583p ; 21cm
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18.

図書

図書
宇津木勝著
出版情報: 東京 : 東京電機大学出版局, 2011.5  219p ; 22cm
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19.

図書

図書
山本秀和著
出版情報: 東京 : コロナ社, 2012.2  viii, 180p ; 21cm
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20.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
西久保靖彦著
出版情報: 東京 : ナツメ社, 2010.5  223p ; 19cm
シリーズ名: 図解雑学 : 絵と文章でわかりやすい!
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はじめに
Chapter1 半導体ってなんだろう?
   電子機器に搭載されている半導体とは?-半導体は高機能電子回路 10
   電気と電子はどこが違うのか?-電気の中身に電子が入っている 12
   導体と絶縁体の違いは何か?-導体の中には自由電子がたくさんある 14
   導体や絶縁体の電気抵抗は何で決まるのか?-電気抵抗は自由電子の流れやすさ 16
   半導体とは何か?その特質は?-半導体は条件次第で導体にも絶縁体にもなる 18
   半導体の電気抵抗の変化-半導体の電気抵抗は温度や光の影響も受ける 20
   エネルギーバンド構造を理解する-絶縁体、半導体、導体のエネルギーバンド構造 22
   半導体に不純物を添加すると導体に変質する-不純物添加で電子をパワーアップ! 24
   半導体材料シリコンとは?-ケイ石として身近に存在する半導体材料 26
   シリコンの原子構造と結晶状態-シリコン単結晶は安定な結晶状態である 28
   N型半導体とは?-N型半導体は電子(エレクトロン)が電流に寄与する 30
   P型半導体とは?-P型半導体は正孔(ホール)が電流に寄与する 32
   N型半導体・P型半導体のエネルギーバンド構造-パワーアップエネルギーの正体は? 34
   コラム 半導体の歴史は古い 36
Chapter2 ダイオードとトランジスタ
   多数キャリアと少数キャリア-N型半導体にもホールが、P型半導体にもエレクトロンがある 38
   半導体の基本となるPN接合とは?-N型半導体とP型半導体が接触すると空乏層ができる 40
   PN接合に電圧をかけるとどうなるのか?-順方向バイアスと逆方向バイアス 42
   P型半導体とN型半導体を接合したダイオード特性-一方向のみに電流を流す 44
   ダイオードの整流作用-交流を直流に変換するダイオードの仕組み 46
   トランジスタってどんなもの?-バイポーラ型トランジスタとMOS型トランジスタ 48
   バイポーラトランジスタってどんなもの?-NPN型とPNP型がある 50
   バイポーラトランジスタの増幅作用-スイッチON状態で1C≧1B 52
   MOS型トランジスタってどんなもの?-NMOS型とPMOS型の2種類がある 54
   MOS型トランジスタのスイッチ動作-電圧制御のため消費電力が小さい 56
   ICとして汎用的に使用されるCMOS-CMOS=NMOS+PMOS 58
   CMOSが低消費電力な理由-どちらかのMOS型トランジスタは必ずOFFになっている 60
   デジタル回路でのCMOSインバータ動作-インバータは論理ゲートでは否定(NOT)となる 62
   CMOS論理回路・ANDゲートとNANDゲート-ANDゲートよりシンプルなNANDゲート 64
   CMOS論理回路・ORゲートとNORゲート-NORゲートは、ORゲートの否定(NOT) 66
   いろいろな用途に使用されるダイオード-ダイオードのさまざまな特性を利用 68
   化合物半導体とは?-大容量・高速情報処理のIT社会に必須な半導体 70
   高周波トランジスタ-GaAsは高周波動作に優れた半導体材料 72
   パワートランジスタ-電気エネルギー損失を最小にする工夫 74
   SiC半導体-シリコン限界を超えて低損失・高効率化を狙う 76
   コラム 初めての半導体~ゲルマニウムラジオとの出会い 78
Chapter3 さまざまな半導体デバイス
   半導体デバイスの種類-電子機器に使用されるさまざまな半導体デバイス 80
   光半導体の種類-電気エネルギーと光エネルギーの変換 82
   発光ダイオード(LED)-低消費電力・長寿命の発光ランプ 84
   照明器具としての白色LED-省エネルギーのエース 86
   フォトダイオードとは?-光エネルギーを電気信号に変換 88
   光複合デバイスとは?-発光素子と受光素子を一体化 90
   レーザダイオード(半導体レーザ)-電気信号をレーザ光に変換 92
   青色半導体レーザが高画質・大容量化を実現-ブルーレイディスク登場の立役者 94
   太陽電子の原理-太陽電池の基本原理はフォトダイオードと同じ 96
   太陽電池の種類-シリコン系、化合物系、有機物系の3種類がある 98
   半導体センサの種類-あらゆるところに存在する半導体センサ 100
   磁気センサ-ホール効果や磁気抵抗効果で磁気を検出 102
   圧力センサ-圧力の変化を歪ゲージでキャッチ 104
   加速度センサ-デジタルカメラ、携帯電話や自動車で活躍 106
   家庭に入ってきた加速度センサ-既存の技術を新しいアイデアでゲーム機や携帯機器に活かす 108
   いろいろなMEMS半導体センサ-半導体とMEMSの統合技術で作られた特殊センサ 110
   自動車に搭載されたセンサ-安全運転や高性能化に半導体センサが果たす役割 112
   イメージセンサとは?-電磁たるカメラの眼となっているイメージセンサ 114
   CCDイメージセンサ-本来は電荷転送を目的とした電荷結合素子 116
   CMOSイメージセンサ-CMOS電子回路と同時搭載のワンチップIC化が可能 118
   半導体メモリの種類-不揮発性メモリ(ROM)と揮発性メモリ(RAM)に大別 120
   DRAMの特徴と基本構造-メモリセルはMOSFETとコンデンサの組み合わせ 122
   DRAMメモリセルの基本動作-メモリ状態はコンデンサに電荷があるか無いか 124
   デジカメや携帯電話に搭載のフラッシュメモリ-RAMとROMの利点を併せもつ 126
   フラッシュメモリセルの基本動作-フローティングゲートの電荷がメモリ状態を作る 128
   大容量化するNAND型フラッシュメモリ-HDDを置き換えストレージの主役へ 130
   次世代メモリには何があるのか?-ユニバーサルメモリへの期待 132
   期待がかかるFRAMとMRAM-FRAMはICカードで実用的に一歩先行 134
   ICカードはポケットの中の情報源-接触型と非接触型がある 136
   微小ICチップの無線通信ICタグ-バーコードに代わり流通管理の仕組みを高度化する 138
   コラム トランジスタは高価で高嶺の花だった 140
Chapter4 IT社会を支えるICとLSI
   高性能電子機器を構成するICとLSI-数千万個もの電子部品を搭載 142
   シリコンウエーハ上の電子部品-半導体素子はウエーハ上に微細化した個別電子部品 144
   機能別に分類したLSIの種類-メモリ、マイクロプロセッサ、ASIC、システムLSI 146
   マイコンの動作-シリコンチップ上の極小マイクロプロセッサ 148
   コンピュータにおけるCPU-人間の頭脳に相当する重要なパーツ 150
   ASICの種類と実現方法による分類-産業用ICの中枢をなすASIC 152
   ゲートアレイとセルベースIC-ゲートアレイ、セルベースICはASICの代表選手 154
   エンベデッドアレイとストラクチャードASIC-より高機能に、より短納期に 156
   ユーザープログラマブルIC-購入者が手元で回路機能を書き込めるIC 158
   あらゆる機能をワンチップ化したシステムLSI-システムLSIがデジタル家電を牽引する 160
   アナログIC vs デジタルIC-アナログを"0"と"1"で表現したデジタル 162
   ミックスドシグナルLSI-アナログ回路とデジタル回路をワンチップに搭載 164
   音声や画像処理が得意なDSPとは?-演算性能を優先し高速処理を実現 166
   半導体業界でいうIPって何?-機能ブロックの知的財産権としてLSIに匹敵する価値をもつ 168
   コラム ICとの出会い、そして自分の手で開発へ 170
Chapter5 LSIの製造工程と未来像
   シリコンウエーハの作り方-円盤状にスライスした単結晶シリコンを鏡のように磨く 172
   ウエーハの大口径化と薄型化-大口径化はコスト減少、薄型化は超小型実装の実現へ 174
   半導体製造に欠かせないクリーン環境-山手線内に仁丹が1粒のクリーンさ 176
   LSIの製造工程-前工程(ウエーハプロセス)と後工程(組み立て・実装工程) 178
   各種の薄膜とその役割-半導体製造には多種多様な膜が必要 180
   ウエーハ上に薄膜を形成するには-熱酸化法・スパッタ法・CVD法 182
   微細加工に必要なリソグラフィ工程-半導体素子形状をウエーハ上に形成 184
   微細化の鍵を握るフォトマスクとは?-半導体素子形状を描画したネガ 186
   転写のための露光工程-微細化露光技術を可能にしたステッパー 188
   次世代露光技術-位相シフトマスクと液浸露光装置の開発 190
   微細3次元加工をするエッチング-シリコンウエーハの薄膜形状加工 192
   P型・N型領域を作る不純物拡散-熱拡散法とイオン注入法がある 194
   多層化する金属配線工程-高性能LSIの金属配線は5~7層に及ぶ多層へ 196
   半導体製造の後工程-ウエーハ完成以降の組み立てと実装 198
   ICパッケージの種類と小型化・高機能化-挿入実装型と表面実装型 200
   高速対応・薄型・高密度ピンのBGAとCSP-エリアタイプで小型化・高密度化 202
   ウエーハレベルCSPとは?-裸チップそのもの!究極のパッケージサイズ 204
   複数のチップを積み重ねたSIP-3次元実装技術でチップを積層(スタック) 206
   熱特性と電気特性の向上-高性能化にともなう熱対策・電気ノイズ対策 208
   半導体のテスト工程-ウエーハテストとファイナルテストがある 210
   半導体はどこまで小さく作れるのか?-微細化による高性能化が進む 212
   微細化半導体が電子機器を高性能化する-集積度増大、高速処理化、低消費電力化 214
   環境問題への対応-有害物質の鉛を使用しない鉛フリーハンダ 214
   コラム シリコンから新材料ダイヤモンドの時代へ? 218
索引 219
はじめに
Chapter1 半導体ってなんだろう?
   電子機器に搭載されている半導体とは?-半導体は高機能電子回路 10
21.

図書

図書
松波弘之 [ほか] 編著
出版情報: 東京 : 日刊工業新聞社, 2011.9  xii, 533p ; 21cm
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22.

図書

図書
萩本英二著
出版情報: 東京 : 東京電機大学出版局, 2011.4  257p ; 21cm
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23.

図書

図書
豊田太郎監修
出版情報: 東京 : シーエムシー出版, 2019.7  iv, 215p ; 26cm
シリーズ名: CMCテクニカルライブラリー ; 694 . エレクトロニクスシリーズ||エレクトロニクス シリーズ
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第1章 量子ドット太陽電池の現状 : CdS量子ドット増感太陽電池
CdSe量子ドット増感太陽電池 ほか
第2章 量子ドットの作製 : 化学吸着法
高密度・高均一量子ドットの自己形成
第3章 太陽電池への応用 : 量子ドット太陽電池
類似型次世代太陽電池
第4章 海外の研究動向 : Quantum Dot Sensitized Solar Cells Research at Bar‐Ilan University / イスラエル
Quantum Dot Solar Cells Research at University of Notre Dame(アメリカ) : ほか
第5章 量子ドット太陽電池の今後の展望 : Quantum Dot Photovoltaics
Synthesis of Quantum Dots ほか
第1章 量子ドット太陽電池の現状 : CdS量子ドット増感太陽電池
CdSe量子ドット増感太陽電池 ほか
第2章 量子ドットの作製 : 化学吸着法
24.

図書

東工大
目次DB

図書
東工大
目次DB
細野秀雄, 平野正浩監修
出版情報: 東京 : シーエムシー出版, 2010.8  iv, 229p ; 27cm
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第1章 概論-10年間の透明酸化物の機能探索とそれから拓けた新領域-(細野秀雄)
   1. “透明電子活性”に託した想い 1
   2. 新しい範疇のアモルファス半導体:透明アモルファス酸化物半導体(TAOS) 2
   3. ユビキタス元素協同戦略:セメント成分C12A7の多機能化 4
   4. 高温超伝導の新鉱脈:鉄ニクタイド系超伝導体 6
   5. これからの可能性 7
第2章 酸化物半導体
   1. 概要-透明酸化物の材料設計-(神谷利夫) 12
    1.1 高性能材料とは何か?:光電子デバイスに要求される材料物性 12
    1.2 高移動度酸化物の設計指針 16
    1.3 ドーピング問題:バンドアライメント 17
    1.4 価電子帯の局在性:透明酸化物で良いp型半導体ができないもう一つの理由 20
    1.5 p型透明酸化物の設計 21
    1.6 よりよいp型TCOを探す 22
    1.7 鉄系高温超伝導体の発見へ 24
    1.8 n型酸化物でシリコンを超える:アモルファス酸化物半導体 25
    1.9 新しいn型TCO 28
   2. ワイドギャップp型半導体LaCuOSe(平松秀典) 32
    2.1 はじめに 32
    2.2 高濃度正孔ドーピング 33
    2.3 発光ダイオード 38
    2.4 おわりに 39
   3. p型伝導酸化物半導体SnO-価電帯がs軌道から構成されるp型半導体SnO-(小郷洋一) 42
    3.1 はじめに 42
    3.2 p型SnO薄膜を活性層としたp-チャネルTFT 42
    3.3 SnOホモPN接合 47
   4. p型伝導酸化物半導体Cu2O(松崎功佑) 49
    4.1 はじめに 49
    4.2 エピタキシャル薄膜成長 49
    4.3 TFT特性 52
    4.4 熱処理とギャップ内準位 53
    4.5 おわりに 54
   5. 透明アモルファス酸化物半導体a-In-Ga-Zn-OとそのTFT応用(野村研二) 56
    5.1 はじめに 56
    5.2 透明アモルファス酸化物半導体(TAOS) 57
    5.3 TFT応用へ向けたアモルファス酸化物半導体の材料探索指針 57
    5.4 a-In-Ga-Zn-O薄膜成長と基礎物性 59
    5.5 a-In-Ga-Zn-OのTFT応用 68
    5.6 まとめ 79
   6. TAOS-TFT用大型IGZOターゲット(熊原吉一、栗原敏也、鈴木了) 81
    6.1 はじめに 81
    6.2 ターゲットへの要求特性 82
    6.3 ターゲットの製造方法 82
    6.4 ターゲットの諸特性 85
    6.5 おわりに 87
   7. TAOS-TFT用大型スパッタ装置(磯部辰徳) 89
    7.1 はじめに 89
    7.2 スパッタリング装置の変貌 90
    7.3 大型基板対応スパッタリングカソードについて 91
    7.4 G4.5基板730mm×920mm基板でのIGZO-TFT評価 94
    7.5 まとめ 97
第3章 LnTMPO系超伝導化合物
   1. 概要(平野正浩) 99
   2. LaFeAsOの超伝導(野村尚利) 103
   3. AeFeAsF(Ae=Ca、Sr)超伝導体(松石聡) 107
    3.1 はじめに 107
    3.2 AeFeAsFの結晶構造および磁気構造 108
    3.3 AeFe1-xCoxAsFの超伝導 110
    3.4 Co以外の遷移金属置換の効果 112
    3.5 まとめ 113
   4. LaTMPnO(TM=3d遷移金属、Pn=ニクトゲン)およびSrFe2As2の薄膜成長(平松秀典) 116
    4.1 はじめに 116
    4.2 LaZnPnO(Pn=P、As) 116
    4.3 LaMnPnO(Pn=P、As、Sb) 119
    4.4 LaFeAsO 123
    4.5 SrFe2As2 127
    4.6 SrFe2As2における水誘起超伝導 130
    4.7 おわりに 134
第4章 透明酸化物
   1. 概要(平野正浩) 137
   2. シリカガラス(梶原浩一) 138
    2.1 はじめに 138
    2.2 酸素過剰型シリカガラス中の酸素分子濃度の定量 138
    2.3 18O同位体標識法による格子間酸素分子のシリカガラス骨格との反応性の評価 139
    2.4 高純度シリカガラスの真性欠陥機構の解析 142
    2.5 フッ素ドープシリカにおける真性欠陥形成と酸素拡散 145
    2.6 シリカガラス中の水素の反応 146
    2.7 ゾル-ゲル法によるバルクシリカガラスの合成 146
   3. Eu2+蛍光体(上岡隼人) 149
    3.1 はじめに 149
    3.2 Ca2ZnSi2O7蛍光体におけるEu2+イオン 150
    3.3 SrB4O7蛍光体におけるEu2+イオン 155
    3.4 まとめ 158
   4. フェムト秒レーザーによる透明酸化物の加工(河村賢一) 160
    4.1 はじめに 160
    4.2 フェムト秒レーザーシングルパルス干渉露光装置 160
    4.3 シリカガラス表面・内部へのグレーティング書き込み 161
    4.4 LiF分布帰還型(DFB)カラーセンターレーザーの作製 163
    4.5 プリパルス照射によるマイクログレーティングの書き込み閾値およびグレーティング形状の制御 165
    4.6 おわりに 167
第5章 12CaO・7Al2O3(C12A7)
   1. 概要(平野正浩) 169
   2. カチオン、アニオン置換12CaO・7Al2O3化合物と機能発現(林克郎) 172
    2.1 陽イオン置換12CaO・7Al2O3(C12A7) 172
    2.2 Cl-イオンを包接したC12A7系材料の湿度感受電気伝導 176
    2.3 C12A7系材料からのO-イオン放出 177
    2.4 超高温ジルコニア表面を用いた活性酸素放出 181
   3. C12A7エレクトライドの電気特性と超伝導(金聖雄) 183
    3.1 結晶構造の特徴と電子状態 183
    3.2 電子ドーピングと電気特性 184
    3.3 C12A7エレクトライドの超伝導 186
   4. C12A7エレクトライド粉末の合成と包接電子・酸素濃度の定量(松石聡) 192
    4.1 はじめに 192
    4.2 C12A7エレクトライド粉末の合成 193
    4.3 構造解析と包接酸素・電子濃度の測定 193
    4.4 まとめ 197
   5. C12A7エレクトライドの仕事関数と表面の電子構造(戸田喜丈) 199
    5.1 はじめに 199
    5.2 C12A7:e-の電子構造:バンドギャップとケージ伝導帯の実験的観測 199
    5.3 C12A7:e-の電子構造と表面構造 200
    5.4 低い仕事関数のオリジン 206
    5.5 まとめと今後の展望 207
   6. C12A7エレクトライドの化学反応への展開(津田進) 210
    6.1 はじめに 210
    6.2 C12A7エレクトライドを用いたベンズアルデヒド類およびアセトフェノン類の還元的ピナコールカップリングとその反応機構の考察 212
    6.3 炭酸水素カリウムの添加効果とそのメカニズムの考察 215
    6.4 おわりに 216
   7. C12A7エレクトライドの蛍光灯への応用(渡邉暁、宮川直通、伊藤節郎) 218
    7.1 放電ランプと陰極材料 218
    7.2 C12A7エレクトライドのイオン励起2次電子放出特性 220
    7.3 冷陰極蛍光ランプ用陰極材料としてのC12A7エレクトライド 224
第1章 概論-10年間の透明酸化物の機能探索とそれから拓けた新領域-(細野秀雄)
   1. “透明電子活性”に託した想い 1
   2. 新しい範疇のアモルファス半導体:透明アモルファス酸化物半導体(TAOS) 2
25.

図書

図書
山本秀和著
出版情報: 東京 : コロナ社, 2015.3  xii, 206p, 図版 [8] p ; 21cm
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基礎編 : 電力変換とパワーデバイス
次世代パワーデバイスへの要求
パワーチップの構造と製造方法 ほか
結晶編 : 原子構造と結晶構造
半導体結晶と物性
半導体中の結晶欠陥 ほか
デバイス編 : SiCパワーデバイス
GaNパワーデバイス
そのほかのワイドギャップ半導体パワーデバイス ほか
基礎編 : 電力変換とパワーデバイス
次世代パワーデバイスへの要求
パワーチップの構造と製造方法 ほか
26.

図書

図書
佐藤淳一著
出版情報: 東京 : 秀和システム, 2010.3  207p ; 21cm
シリーズ名: How-nual図解入門
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27.

電子ブック

EB
大橋直樹監修
出版情報: 東京 : シーエムシー出版, 2011.12  1 オンラインリソース
シリーズ名: エレクトロニクスシリーズ ;
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28.

電子ブック

EB
高橋清, 山田陽一共著
出版情報: 東京 : 森北出版, 2013.10  1 オンラインリソース
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量子論入門
固体の帯理論
統計力学の基礎
半導体と電導機構
p‐n接合
ヘテロ接合と金属‐半導体接触
トランジスタと集積回路
半導体の光学的性質
発光デバイスと受光デバイス
半導体の各種性質
量子効果デバイス
21世紀のエレクトロニクス
量子論入門
固体の帯理論
統計力学の基礎
概要: オプトエレクトロニクスデバイスの進展、半導体の発光機構、ポスト半導体工学の展望—内容を追加・拡充。これからの半導体工学を学ぶのに最適な一冊。
29.

図書

図書
古川静二郎, 荻田陽一郎, 浅野種正共著
出版情報: 東京 : 森北出版, 2014.1  vii, 149p ; 22cm
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電子と結晶
エネルギー帯と自由電子
半導体のキャリヤ
キャリヤ密度とフェルミ準位
半導体の電気伝導
pn接合とダイオード
ダイオードの接合容量
バイポーラトランジスタ
金属‐半導体接触
MESFET
MISFET
集積回路
光半導体デバイス
パワーデバイス
電子と結晶
エネルギー帯と自由電子
半導体のキャリヤ
30.

図書

図書
佐藤淳一著
出版情報: 東京 : 秀和システム, 2013.3  230p ; 21cm
シリーズ名: How-nual図解入門
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第1章 : 半導体製造プロセスを理解する
第2章 : 前工程のプロセスフロー
第3章 : 洗浄・乾燥ウェットプロセス
第4章 : イオン注入・熱処理プロセス
第5章 : リソグラフィプロセス
第6章 : エッチングプロセス
第7章 : 成膜プロセス
第8章 : 平坦化(CMP)プロセス
第9章 : 後工程プロセスの概要
第10章 : 後工程の最新動向
第11章 : 半導体プロセスの今後の動向
第1章 : 半導体製造プロセスを理解する
第2章 : 前工程のプロセスフロー
第3章 : 洗浄・乾燥ウェットプロセス
概要: 前工程から後工程まで、知りたいプロセスの全てが豊富なイラストで手に取るようにわかる。
31.

図書

図書
David K. Ferry [著] ; 落合勇一, 関根智幸, 青木伸之共訳
出版情報: 東京 : コロナ社, 2016.5  vi, 229p ; 22cm
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電子構造 : 周期ポテンシャル
ポテンシャルと擬ポテンシャル ほか
格子力学 : 格子波とフォノン
変形可能な固体中の波 ほか
電子‐フォノン相互作用 : 基本相互作用
音響型変形ポテンシャル散乱 ほか
キャリヤ伝導 : ボルツマン輸送方程式
輸送現象におけるスピンの効果 ほか
電子構造 : 周期ポテンシャル
ポテンシャルと擬ポテンシャル ほか
格子力学 : 格子波とフォノン
32.

図書

図書
市村正也著
出版情報: 東京 : オーム社, 2011.3  viii, 206p ; 21cm
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33.

図書

図書
日本学術振興会情報科学用有機材料第142委員会C部会編
出版情報: 東京 : オーム社, 2015.8  xx, 526p ; 22cm
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第1章 : 有機ELおよび有機半導体レーザー
第2章 : 有機トランジスタ
第3章 : 有機太陽電池
第4章 : 次世代機能デバイス
第5章 : 有機薄膜の電荷輸送特性
第6章 : 光・電子物性および解析技術
第7章 : 実用化に向けたガスバリアフィルム・電極技術
第1章 : 有機ELおよび有機半導体レーザー
第2章 : 有機トランジスタ
第3章 : 有機太陽電池
34.

図書

図書
長谷川文夫, 本田徹共著
出版情報: 東京 : 産業図書, 2011.9  viii, 235p ; 21cm
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35.

図書

図書
大豆生田利章著
出版情報: 東京 : 電気書院, 2010.12  v, 251p ; 26cm
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36.

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図書
前田佳均編著
出版情報: 東京 : 裳華房, 2014.9  xvi, 324p ; 22cm
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目次情報: 続きを見る
第1章 : シリサイド系半導体の基礎
第2章 : 結晶成長技術
第3章 : 薄膜形成技術
第4章 : 構造解析
第5章 : 鉄シリサイドの物性
第6章 : 新しいシリサイドの合成と物性
第7章 : シリサイド系半導体の応用
第1章 : シリサイド系半導体の基礎
第2章 : 結晶成長技術
第3章 : 薄膜形成技術
概要: 本書には、シリサイド系半導体の基礎、結晶成長と素材技術、薄膜形成技術、構造解析、鉄シリサイドの物性、新しいシリサイドの合成と物性、そして発光素子、太陽電池、光学応用、フォトニック結晶、スピントロニクスへの応用研究が含まれている。これらには、 我が国の研究者が世界をリードして生まれた、ユニークで特筆すべきものが多く含まれている。 続きを見る
37.

図書

図書
岡崎信次監修
出版情報: 東京 : エヌ・ティー・エス, 2017.4  ii, x, 382, 12p, 図版vip ; 27cm
所蔵情報: loading…
38.

図書

図書
松波弘之著
出版情報: 東京 : 朝倉書店, 2014.9  ii, ii, iv, 238p ; 21cm
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
1 : 固体物理の基礎
2 : 半導体の基礎的性質
3 : 半導体の諸性質
4 : 接合ならびに界面の現象
5 : 半導体材料と処理技術
6 : ダイオード
7 : バイポーラ・トランジスタ
8 : 電界効果トランジスタ
9 : 集積回路
10 : 半導体ホトニクス
11 : パワーエレクトロニクス
1 : 固体物理の基礎
2 : 半導体の基礎的性質
3 : 半導体の諸性質
39.

図書

図書
執行直之著
出版情報: 東京 : 近代科学社, 2017.3  vi, 143p ; 26cm
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
1章 : 半導体とMOSトランジスタの簡単な説明
2章 : 半導体の基礎物理
3章 : pn接合ダイオード
4章 : バイポーラトランジスタ
5章 : MOSキャパシタ
6章 : MOSトランジスタ
7章 : 超LSIデバイス
付録
1章 : 半導体とMOSトランジスタの簡単な説明
2章 : 半導体の基礎物理
3章 : pn接合ダイオード
40.

図書

図書
佐藤淳一著
出版情報: 東京 : 秀和システム, 2017.12  232p ; 21cm
シリーズ名: How-nual図解入門
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
半導体製造プロセスを理解する
前工程の概要
洗浄・乾燥ウェットプロセス
イオン注入・熱処理プロセス
リソグラフィプロセス
エッチングプロセス
成膜プロセス
平坦化(CMP)プロセス
後工程プロセスの概要
後工程の最新動向
半導体プロセスの今後の動向
半導体製造プロセスを理解する
前工程の概要
洗浄・乾燥ウェットプロセス
概要: 微細化を阻む壁は三次元実装で突破。半導体製造工程がスッキリとわかる!
41.

図書

図書
佐藤淳一著
出版情報: 東京 : 秀和システム, 2016.8  259p ; 21cm
シリーズ名: How-nual図解入門
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
半導体製造装置を取り巻く現状
半導体製造装置をファブから理解する
洗浄・乾燥装置
イオン注入装置
熱処理装置
リングラフィー装置
エッチング装置
成膜装置
平坦化(CMP)装置
検査・測定・解析装置
後工程装置
半導体製造装置を取り巻く現状
半導体製造装置をファブから理解する
洗浄・乾燥装置
概要: 製造装置の全体を俯瞰する。あなたの知らない日本の実力がわかる。世界に冠たる日本の半導体製造装置メーカー、その技術力の神髄が手に取るようにわかる!
42.

図書

図書
高橋邦明編著者代表
出版情報: 東京 : 日刊工業新聞社, 2012.11  256p ; 21cm
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目次情報: 続きを見る
第1章 製品開発に役立つ実用的な信頼性試験と加速性の考え方 : はじめに:開発・設計者に求められる信頼性設計とは
今後日本の電子機器には何が求められているか? ほか
第2章 二次電池 : 電池の基礎理論
市販二次電池の特徴 ほか
第3章 パワー半導体 : パワー半導体の構成
パワー半導体の特性 ほか
第4章 太陽電池 : 太陽電池の原理
セル形成〜モジュール化工程 ほか
第1章 製品開発に役立つ実用的な信頼性試験と加速性の考え方 : はじめに:開発・設計者に求められる信頼性設計とは
今後日本の電子機器には何が求められているか? ほか
第2章 二次電池 : 電池の基礎理論
43.

図書

図書
式田光宏, 佐藤一雄, 田中浩監修
出版情報: 東京 : シーエムシー出版, 2016.3  ix, 301p ; 26cm
シリーズ名: CMCテクニカルライブラリー ; 570 . 新材料・新素材シリーズ||シンザイリョウ シンソザイ シリーズ
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目次情報: 続きを見る
ウエットエッチング編 : ウエットエッチングの基礎
シリコン結晶異方性エッチングの基礎
エッチピットおよびマイクロピラミッド発生メカニズム ほか
ドライエッチング編 : ドライエッチングの基礎と各種パラメータの最適化
プラズマエッチングにおける表面反応機構
シリコン深堀エッチング ほか
エッチング技術の高機能化編 : ウエハ回転方式によるシリコンエッチングの高精度均一化
電圧印加による等方性および異方性の制御
多段異方性エッチングによるエッチング形状の複雑化 ほか
ウエットエッチング編 : ウエットエッチングの基礎
シリコン結晶異方性エッチングの基礎
エッチピットおよびマイクロピラミッド発生メカニズム ほか
44.

図書

図書
柴田直著
出版情報: 東京 : 昭晃堂, 2011.10  ii, iii, 194p ; 26cm
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45.

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石川道夫監修
出版情報: 東京 : ナツメ社, 2011.8  279p, 図版4枚 ; 21cm
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46.

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佐藤淳一著
出版情報: 東京 : 秀和システム, 2019.12  261p ; 21cm
シリーズ名: How-nual図解入門
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第1章 : 半導体製造装置を取り巻く現状
第2章 : 半導体製造装置をファブから理解する
第3章 : 洗浄・乾燥装置
第4章 : イオン注入装置
第5章 : 熱処理装置
第6章 : リソグラフィー装置
第7章 : エッチング装置
第8章 : 成膜装置
第9章 : 平坦化(CMP)装置
第10章 : 検査・測定・解析装置
第11章 : 後工程装置
第1章 : 半導体製造装置を取り巻く現状
第2章 : 半導体製造装置をファブから理解する
第3章 : 洗浄・乾燥装置
概要: 製造装置の構想・構成から、検査・想定・解析装置まで。製造装置の現状と進歩が図解でよくわかる!
47.

図書

図書
浅田邦博, パワーデバイス・イネーブリング協会監修
出版情報: 東京 : 日経BPコンサルティング , [東京] : 日経BPマーケティング (発売), 2013.5-  冊 ; 21cm
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目次情報: 続きを見る
序章 半導体の試験について
第1章 半導体の基礎 : 半導体物性
トランジスタの構造と動作原理 ほか
第2章 半導体の品質保証 : 品質保証
信頼性基礎技術 ほか
第3章 半導体製品の分類 : デバイスタイプ
ロジックデバイス ほか
第4章 半導体の試験項目 : 半導体試験装置(ATE)によるデバイス試験の概要
ファンクション試験 ほか
序章 : 「はかる×わかる半導体」応用編について
第1章 : 半導体を設計する
第2章 : 半導体を製造する
第3章 : 半導体を計測する
第4章 : 半導体を応用する
第5章 : 半導体を保証する
序章 : 「はかる×わかる半導体」パワーエレクトロニクス編について
第1章 : パワーデバイスの基礎
第2章 : パワーデバイスの製造プロセス
第3章 : パワーモジュール
第4章 : パワーデバイスの測定
第5章 : パワーデバイスの応用
第6章 : パワーデバイスの品質保証
序章 半導体の試験について
第1章 半導体の基礎 : 半導体物性
トランジスタの構造と動作原理 ほか
概要: 半導体の構造から試験手法までわかりやすく解説。<br />半導体技術者検定エレクトロニクス2級「パワーエレクトロニクス」公式テキスト。
48.

図書

図書
泉谷渉, 川名喜之著
出版情報: 東京 : 産業タイムズ社, 2019.12  307p ; 19cm
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目次情報: 続きを見る
序章 : ソニーの半導体はついに日本一達成が目前に迫った
第1章 : 断トツ世界一のイメージセンサーはソニーの黄金武器
第2章 : これがソニーの半導体工場の全貌だ!!—日の丸を背負ったものづくりスピリッツ
第3章 : トランジスタラジオ量産成功がソニーを町工場から世界ステージへ
第4章 : ハンディカム実現のCCD開発は苦闘から歓喜へのストーリー
第5章 : 特別インタビュー・ソニー(株)中央研究所元副所長・川名喜之氏—世界初の直視型ポータブルトランジスタTV開発に貢献
第6章 : ソニーの半導体OBたちの語る言葉の超おもしろさ—「失敗をおそれず、加点主義がすべてだ!!」
第7章 : 90年代のソニーはSRAM、マイコン、システムLSIで戦った
第8章 : ゲーム機向け半導体で「ウィンテル」打倒の夢、プレイステーション4はぶっちぎり世界一
第9章 : ソニーの半導体は苦闘の中で選択と集中に向かう
第10章 : 特別インタビュー・ソニー(株)常務半導体事業担当・清水照士氏—国内半導体ランキングで初の首位獲得へ全力!!
終章 : 「感動の共有」こそソニーの哲学—そこには希望だけが立っている
序章 : ソニーの半導体はついに日本一達成が目前に迫った
第1章 : 断トツ世界一のイメージセンサーはソニーの黄金武器
第2章 : これがソニーの半導体工場の全貌だ!!—日の丸を背負ったものづくりスピリッツ
概要: ソニーがニッポン半導体の頂点に立つ日がやってきた!!2019年度の国内半導体生産ランキング第1位獲得は目前!
49.

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松本寿彰編著 ; 小倉常雄 [ほか] 著
出版情報: 東京 : オーム社, 2016.6  ix, 264p ; 22cm
シリーズ名: 実践パワーエレクトロニクス入門
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パワー半導体デバイスの概要
ダイオード
サイリスタ
パワーMOSFET
IGBT
破壊現象と保護
ゲート駆動回路
集積化技術
モジュール形パワーデバイスの実装
圧接形パワーデバイスの実装
信頼性
パワー半導体デバイスの概要
ダイオード
サイリスタ
50.

図書

図書
日本化学会編著
出版情報: 京都 : 化学同人, 2012.6  170p, 図版 [4] p ; 26cm
シリーズ名: CSJ Current Review ; 09
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1 基礎概念と研究現場 : Interview—フロントランナーに聞く
History—ナノ粒子研究の歴史と将来展望
Articles—金属ナノ粒子研究の基礎 ほか
2 研究最前線 : 金属ナノ粒子の精密構造制御、電子物性
金属‐イオン液体ハイブリッド
金クラスターのサイズ選択合成 ほか
3 役に立つ情報・データ : この分野を発展させた革新論文27
覚えておきたい関連最重要用語
知っておくと便利!関連情報
1 基礎概念と研究現場 : Interview—フロントランナーに聞く
History—ナノ粒子研究の歴史と将来展望
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