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1.

図書
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1. 半導体・IC用語事典
飯田隆彦, 古寺博, 山賀威共編
出版情報: 東京 : オーム社 , 東京 : オーム社書店(発売), 1977.4  ii, 300p ; 19cm
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2.

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2. デバイスとプロセス ([その1] - その14)
西澤潤一編
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1987.8-  冊 ; 27cm
シリーズ名: 半導体研究 / 半導体研究振興会編 ; 26, 28, 30, 32, 34, 36, 38, 40-46巻 . 超LSI技術||チョウ LSI ギジュツ ; 11-24
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3.

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3. ディジタル素子とプロセス
菅野卓雄, 生駒俊明, 武石喜幸著
出版情報: 東京 : 岩波書店, 1985.7  x, 321p ; 22cm
シリーズ名: 岩波講座マイクロエレクトロニクス / 元岡達 [ほか] 編 ; 1 . マイクロエレクトロニクス素子 / 菅野卓雄 [ほか] 著||マイクロ エレクトロニクス ソシ ; 1
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4.

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4. 電子デバイス入門
飯田昌盛著
出版情報: 東京 : 東海大学出版会, 1984.12  iv, 160p ; 21cm
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5.

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5. 超LSIへの挑戦 : 日本半導体50年とともに歩む
垂井康夫著
出版情報: 東京 : 工業調査会, 2000.4  271p ; 20cm
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6.

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東工大
目次DB
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東工大
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6. 集積回路工学. 新版 (1: プロセス・デバイス技術編 ; 2: 回路技術編)
永田穰, 柳井久義共著
出版情報: 東京 : コロナ社, 2005.9-2007.10  2冊 ; 22cm
シリーズ名: 大学講義シリーズ
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1半導体工業の歴史と集積回路
   1．1半導体工業の歴史 1
   1．2集積回路の本質とその生れる必然性 8
2集積回路の種類
   2．1高密度実装回路 13
   2．2集積回路 14
   2．3ＳＯＣ技術とＳＩＰ技術 18
3モノリシック集積回路のあらまし
   3．1モノリシックＩＣの構造概要 19
   3．1．1バイポーラＩＣの構造 22
   3．1．2ＭＯＳ－ＩＣの構造 24
   3．1．3ＣＭＯＳ－ＩＣとＢｉ－ＣＭＯＳ－ＩＣの構造 26
   3．2モノリシックＩＣの製造方法の概要 26
   3．2．1バイポーラＩＣのプロセスの概要 27
   3．2．2ＭＯＳ－ＩＣのプロセスの概要 30
   3．3モノリシックＩＣの断面構造の詳細 31
   演習問題 32
4ｐｎ接合とＭＯＳ構造
   4．1基本構造としてのｐｎ接合とＭＯＳ構造 34
   4．2ｐｎ接合とその形成 35
   4．3ｐｎ接合の特性 37
   4．3．1空乏層の広がり 37
   4．3．2空乏層の接合容量 42
   4．3．3ｐｎ接合を流れる電流と整流特性 44
   4．3．4耐圧特性および降伏電圧 48
   4．4ｐｎ接合とバイポーラトランジスタ 52
   4．5ＭＯＳ構造とその形成 54
   4．6ＭＯＳ構造の特性 55
   4．6．1電圧印加時の表面電位のふるまい 55
   4．6．2ＭＯＳ容量のＣ－Ｖ特性としきい値電圧 60
   4．6．3チャネルの形成とチャネルコンダクタンス 64
   4．7ＭＯＳトランジスタ 66
   補足事項 68
   演習問題 74
5半導体モノリシックＩＣの製造技術
   5．1はじめに 76
   5．2シリコン単結晶とウェーハ 77
   5．2．1シリコンの性質 77
   5．2．2シリコンウェーハの作製 79
   5．3酸化と酸化膜の性質 83
   5．3．1酸化膜の形成法と酸化速度 83
   5．3．2酸化膜の性質 87
   5．3．3熱酸化による表面形状の変化（段差） 91
   5．4ホトレジスト加工 92
   5．4．1ホトレジスト材料 92
   5．4．2ホトレジスト加工の手順 93
   5．4．3ホトレジスト加工の精度 95
   5．4．4微細加工とドライブプロセス 97
   5．5熱拡散とイオン打込み 100
   5．5．1不純物元素のドーピング 100
   5．5．2熱拡散の方法 102
   5．5．3熱拡散の理論 105
   5．5．4拡散技術の応用 110
   5．5．5イオン打込み（イオン注入） 114
   5．6エピタキシャル成長とＣＶＤ技術 121
   5．6．1エピタキシャル成長法 121
   5．6．2エピタキシャル成長の応用と問題点 127
   5．6．3ケミカルベーパデポジション（ＣＶＤ） 128
   5．7金属膜の形成と配線技術 132
   5．7．1配線工程と配線材料 133
   5．7．2真空蒸着とスパッタリングの装置 135
   5．7．3多層配線技術とＣＭＰ技術 137
   補足事項 140
   演習問題 141
6半導体モノリシックＩＣの構成素子
   6．1アイソレーションとプレーナ構造 143
   6．2モノリシック抵抗 145
   6．2．1構造と特性 145
   6．2．2バターン設計と抵抗値の精度 146
   6．2．3寄生素子の周波数特性 150
   6．2．4モノリシック抵抗のその他の形 155
   6．3モノリシック・コンデンサ 156
   6．3．1構造と特性 156
   6．3．2パターン設計と容量値 157
   6．4配線およびインダクタンス 161
   6．4．1配線とその特性 161
   6．4．2インダクタンス 164
   6．5ＭＯＳトランジスタ 167
   6．5．1構造と特性 168
   6．5．2パターン設計とホトマスク 172
   6．5．3プロセス設計としきい値電圧 174
   6．5．4寄生素子およびその他の効果 176
   6．5．5ＭＯＳロランジスタの種々の構造 179
   6．6バイポーラトランジスタ 184
   6．6．1構造と特性 185
   6．6．2バターン設計とホトマスク 192
   6．6．3寄生素子とその影響 197
   6．6．4ｐｎｐトランジスタ 201
   6．7モノリシックダイオード 204
   6．7．1モノリシックダイオードの種類 205
   6．7．2モノリシックダイオードの特性 206
   6．7．3ツェナーダイオード 208
   補足事項 209
   演習問題 210
7半導体モノリシックＩＣのパターン設計
   7．1モノリシック集積回路の構成 213
   7．2レイアウト設計とその手順 219
   7．3回路パターンのＩＣチップ上への転写技術 227
   7．3．1マスク原図の製作と転写プロセス 229
   7．3．2転写技術の精度 231
   補足事項 235
   演習問題 241
   参考文献
   演習問題解答
   索引
1半導体工業の歴史と集積回路
   1．1半導体工業の歴史 1
   1．2集積回路の本質とその生れる必然性 8
7.

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7. CMOSの基礎と活用ノウハウ : 基本を理解してCMOSディジタル回路の設計法をマスタする
大幸秀成著
出版情報: 東京 : CQ出版, 2008.4  255p ; 21cm
シリーズ名: 半導体シリーズ
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8.

図書
図書
8. プロセス・デバイス・シミュレーション技術
壇良編著
出版情報: 東京 : 産業図書, 1988.3  297p ; 22cm
シリーズ名: 集積回路プロセス技術シリーズ
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9.

図書
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9. 半導体工学
今井哲二編著 ; 原徹, 米津宏雄, 福家俊郎共著
出版情報: 東京 : オーム社, 1988.10  v, 245p ; 22cm
シリーズ名: OHM大学講座
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10.

図書

東工大
目次DB
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東工大
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10. 電子デバイス工学
宮尾正信, 佐道泰造著
出版情報: 東京 : 朝倉書店, 2007.11  v, 110p ; 21cm
シリーズ名: 電気電子工学シリーズ ; 5
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目次情報: 続きを見る
1.　半導体の特徴とエネルギーバンド構造 1
   1.1　半導体の特徴 1
   1.2　エネルギーバンド構造 1
   　1.2.1　原子の構造とエネルギー準位 1
   　1.2.2　固体の構造とエネルギーバンド 3
   　1.2.3　結晶中の電子の運動（有効質量近似） 6
   1.3　エネルギーバンド構造の見方と物性 7
2.　半導体のキャリヤと電気伝導 11
   2.1　真性半導体と外因性半導体 11
   　2.1.1　真性半導体のキャリヤ 11
   　2.1.2　外因性半導体のキャリヤ 12
   2.2　半導体のフェルミ準位とキャリヤ密度 13
   　2.2.1　状態密度とフェルミ準位 13
   　2.2.2　キャリヤ密度の導出 16
   　2.2.3　pn積一定の法則 17
   　2.2.4　キャリヤ密度の温度依存性 18
   2.3　半導体中の電気伝導 20
   　2.3.1　半導体のキャリヤの流れ 20
   　2.3.2　キャリヤ連続の式 24
3.　芒躇接合ダイオードとショットキー障壁ダイオード 28
   3.1　pn接合の物理 28
   3.2　pn接合の整流性 29
   　3.2.1　整流性の原理 29
   　3.2.2　整流特性の導出 31
   3.3　pn接合の静電容量 35
   　3.3.1　空乏層幅 35
   　3.3.2　空乏層容量 37
   3.4　pn接合の逆電圧降伏 38
   3.5　ショットキー接触と整流性 39
   　3.5.1　ショットキー接触の原理 39
   　3.5.2　ショットキー障壁と電流-電圧特性 40
4.　バイポーラトランジスタ 45
   4.1　基本構造と動作原理 45
   4.2　ベース接地回路の電流増幅率 48
   　4.2.1　電流増幅率の定義 48
   　4.2.2　電流増幅率の物理 49
   　4.2.3　電流増幅率の周波数依存性 53
   4.3　各種接地回路の電流増幅率 55
5.　MOS型電界効果トランジスタ 59
   5.1　MOS構造と基本特性 59
   　5.1.1　エネルギーバンド構造 59
   　5.1.2　容量ゲート電圧（C-V）特性 64
   5.2　MOS型電界効果トランジスタの基本特性 66
   　5.2.1　基本構造と動作原理 66
   　5.2.2　出力特性 67
   　5.2.3　相互コンダクタンス 71
   5.3　MOS型電界効果トランジスタの微細化と課題 71
6.　大規模集積回路 76
   6.1　大規模集積回路の分類 77
   6.2　大規模集積回路の基本回路 79
   　6.2.1　論理LSI 79
   　6.2.2　メモリLSI 84
参考図書 90
演習問題解答 91
索引 107
1.　半導体の特徴とエネルギーバンド構造 1
   1.1　半導体の特徴 1
   1.2　エネルギーバンド構造 1
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