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1.

図書
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1. パソコン・グラフィクスエレクトロニクス
伊賀健一, 武者利光共著
出版情報: 東京 : オーム社, 1984.10  123p ; 26cm
シリーズ名: パソコン・グラフィクス学習シリーズ
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2.

図書
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2. メカトロニクス入門
竹田晴見著
出版情報: 東京 : 昭晃堂, 1987.5  2, 3, iii, 211p ; 21cm
シリーズ名: 21世紀を指向した電子・通信・情報カリキュラムシリーズ ; D-10
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3.

図書
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3. 光エレクトロニクス入門
福光於菟三著
出版情報: 東京 : 昭晃堂, 1987.10  2, 3, 203p ; 22cm
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4.

図書
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4. 電子通信ハンドブック (1967 - [1982])
電子通信学会ハンドブック委員会編
出版情報: 東京 : オーム社, 1967.8-  冊 ; 27cm
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5.

図書
図書
5. メカトロニクス実用便覧
メカトロニクス編集委員会編
出版情報: 東京 : 技術調査会, 1983.5  32, 1087p ; 22cm
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6.

図書
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6. 電子物理学 : 電子と電波の相互作用
桜庭一郎著
出版情報: 東京 : 朝倉書店, 1973.3  v, 198p ; 22cm
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7.

図書
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7. エレクトロニクス入門
石垣可連著
出版情報: 東京 : 朝倉書店, 1972.10  269p ; 22cm
シリーズ名: 機械工学基礎シリーズ ; 11
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8.

図書
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8. たのしくできる光と音のブレッドボード電子工作
西田和明著
出版情報: 東京 : 東京電機大学出版局, 2017.7  vi, 105p ; 26cm
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基礎編 / 電子工作の基礎知識
製作編 : ウインクわんちゃん / トランジスタ式マルチバイブレータ
電気が通るか試してみよう / トランジスタ式導通テスター
電子楽器 / エレキギター風
ビュンビュン警報ブザー / トランジスタ式発振器
電子ホタル / トランジスタ式充放電回路
小鳥のさえずり器 / トランジスタ式充放電発振器
サウンドセンサーアラーム / トランジスタ式音センサー
キッチンタイマー / トランジスタ式タイマー
接触型電子ブザー / IC555タッチセンサー
電子オルガン
スイッチ式電子ブザー
踏切警報機 / JKフリップフロップ応用回路
基礎編 / 電子工作の基礎知識
製作編 : ウインクわんちゃん / トランジスタ式マルチバイブレータ
電気が通るか試してみよう / トランジスタ式導通テスター
概要: トランジスタやICを並べて、電子ホタルや電子ギターを作ってみよう。ブレッドボードを使えば、電子部品を差し込むだけでいろいろな回路を組み立てられるよ。
9.

図書
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9. アナログとデジタルの違いがわかる本 : 今さら人に聞けないエレクトロニクスの常識
吉本猛夫著
出版情報: 東京 : CQ出版, 2017.9  95p ; 24cm
シリーズ名: Ham technical series
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アナログとデジタルの扉を開く
デジタル信号はどのように利用されるか
コンピュータ型のデジタル回路は何をしているのか
デジタル化の魁=時計
CDプレーヤー
コンピュータ
デジタル・テレビ
デジタル・カメラ
デジタル・マルチメータ
まだまだいるぞデジタルの猛者達
社会の中のデジタル化
全体のダイジェスト・総集編
アナログとデジタルの扉を開く
デジタル信号はどのように利用されるか
コンピュータ型のデジタル回路は何をしているのか
概要: 今さら人に聞けないエレクトロニクスの常識。
10.

図書
図書
10. 近代固体電子工学
田中哲郎著
出版情報: 東京 : 電気書院, 1970.4  375p ; 22cm
シリーズ名: 近代電子工学大講座 ; 3
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11.

図書
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11. 光信号受容の電子論
鈴木英雄著
出版情報: 東京 : 共立出版, 1975  197p ; 22cm
シリーズ名: 光生物学シリーズ
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12.

図書
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12. 産業機械・民生機器工業におけるメカトロニクス
日本機械学会編
出版情報: 東京 : 技報堂出版, 1984.9  iv, 147p ; 22cm
シリーズ名: メカトロニクスシリーズ / 日本機械学会編 ; 5 . 応用編 ; 1
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13.

図書
図書
13. センサと知能ロボット
日本機械学会編
出版情報: 東京 : 技報堂出版, 1984.10  iv, 140p ; 22cm
シリーズ名: メカトロニクスシリーズ / 日本機械学会編 ; 3 . 基礎編 ; 2
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14.

図書
図書
14. 電子通信用語辞典
電子通信学会編
出版情報: 東京 : コロナ社, 1984.11  xi, 1055p ; 19cm
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15.

図書
図書
15. 電子・情報・通信工学ガイド
菊池誠 [ほか] 編
出版情報: 東京 : 東海大学出版会, 1987.3  12, 239p ; 21cm
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16.

図書
図書
16. メカトロニクス
石井威望 [ほか著]
出版情報: 東京 : 岩波書店, 1985.3  x, 287p ; 22cm
シリーズ名: 岩波講座マイクロエレクトロニクス / 元岡達 [ほか] 編 ; 11
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17.

図書
図書
17. 光波電子工学
小山次郎, 西原浩共著
出版情報: 東京 : コロナ社, 1978.5  346p ; 22cm
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18.

図書
図書
18. 現代電気電子工学の基礎
遠山武著
出版情報: 東京 : オーム社, 1982.4  300p ; 22cm
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19.

図書
図書
19. 量子電子工学 : 基礎と原理
武者利光著
出版情報: 東京 : 朝倉書店, 1975.9  191p ; 22cm
シリーズ名: 理工学基礎講座 ; 21
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20.

図書
図書
20. 鉄鋼・自動車・重機械工業におけるメカトロニクス
日本機械学会編
出版情報: 東京 : 技報堂出版, 1984.10  v, 167p ; 22cm
シリーズ名: メカトロニクスシリーズ / 日本機械学会編 ; 7 . 応用編 ; 3
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21.

図書
図書
21. 記録用材料と感光性樹脂
篠原功 [ほか] 編
出版情報: 東京 : 学会出版センター, 1979.10  xiv, 326p ; 22cm
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22.

図書
図書
22. ジョゼフソン効果 : 基礎と応用
電気学会クライオエレクトロニクス常置専門委員会編
出版情報: 東京 : 電気学会 , 東京 : コロナ社 (発売), 1978.5  viii, 363p ; 22cm
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23.

図書
図書
23. エレクトロニクス : 基礎と応用
阿部善右衛門編 ; 阿部善右衛門 [ほか] 共著
出版情報: 東京 : オーム社, 1988.7  478p ; 22cm
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24.

図書
図書
24. 液晶エレクトロニクスの基礎と応用
佐々木昭夫編
出版情報: 東京 : オーム社, 1979.4  6, 226p ; 22cm
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25.

図書
図書
25. わかりやすいエレクトロニクス計測法
今井嵩著
出版情報: 東京 : 産報出版, 1967.8  228p ; 21cm
シリーズ名: 電子科学シリーズ ; 24
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26.

図書
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26. 電子情報通信ハンドブック (: セット ; 第1分冊 ; 第2分冊)
電子情報通信学会編
出版情報: 東京 : オーム社, 1988.3  2冊 ; 27cm
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27.

図書
図書
27. 物理のためのエレクトロニクス
向坂正勝著
出版情報: 東京 : 共立出版, 1975.4  187, 6p ; 22cm
シリーズ名: 共立物理学講座 ; 19
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28.

図書
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28. メカトロニクスの電子学入門
雨宮好文監修 ; 妹尾允史著
出版情報: 東京 : オーム社, 1987.2  ix, 194p ; 21cm
シリーズ名: 図解メカトロニクス入門シリーズ / 雨宮好文監修
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29.

図書
図書
29. エレクトロニックスの基礎. 全訂版
霜田光一著
出版情報: 東京 : 裳華房, 1963.4  x, 372p ; 22cm
シリーズ名: 物理学選書 / 山内恭彦, 菊池正士, 小谷正雄編 ; 1
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30.

図書
図書
30. システム構成技術
加藤満左夫 [ほか著]
出版情報: 東京 : 岩波書店, 1985.4  x, 314p ; 22cm
シリーズ名: 岩波講座マイクロエレクトロニクス / 元岡達 [ほか] 編 ; 10
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31.

図書
図書
31. The elementary English on electronics
岩崎助男編
出版情報: 東京 : 海文堂, 1988.3  93p ; 19cm
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32.

図書
図書
32. 機械工学 (基礎編)
機械工学研究会編
出版情報: 東京 : パワー社, 1988.2  170p ; 21cm
シリーズ名: メカトロ・エンジニアリング ; 1
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33.

図書
図書
33. 基礎電子工学 (1 ; 2)
伊藤糾次著
出版情報: 東京 : 昭晃堂, 1968.4-1974.10  2冊 ; 22cm
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34.

図書
図書
34. 電子部品ハンドブック. 7版
阪本, 捷房(1906-) ; 篠原, 登
出版情報: 東京 : 地人書館, 1989.5  14, 790, 217, 23p ; 27cm
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35.

図書
図書
35. 電子工学通論 (上巻 ; 下巻)
Aldert van der Ziel著 ; 平岡正徳訳
出版情報: 東京 : 近代科学社, 1968-1969  2冊 ; 22cm
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36.

図書
図書
36. 気体放電 : 気体電子工学の基礎として
八田吉典著
出版情報: 東京 : 近代科学社, 1960  viii, 182p ; 22cm
シリーズ名: 東北大学基礎電子工学入門講座 ; 第4巻
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37.

図書
図書
37. 超伝導エレクトロニクス
川邊潮 [ほか] 著 ; 川邊潮編
出版情報: 東京 : 丸善, 1995.8  iv, 230p ; 21cm
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38.

図書
図書
38. 電気電子工学概論. 改訂2版
酒井善雄著
出版情報: 東京 : 丸善, 1995.9  x, 236p ; 21cm
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39.

図書
図書
39. 超伝導エレクトロニクスの物理
岸野正剛著
出版情報: 東京 : 丸善, 1993.9  vi, 213p ; 21cm
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40.

図書
図書
40. 基礎メカトロニクス
神崎一男著
出版情報: 東京 : 共立出版, 1994.12  vii, 210p ; 22cm
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41.

図書
図書
41. 初めて学ぶ電気電子の基礎
加地正義, 角政之共編
出版情報: 東京 : オーム社, 1995.2  viii, 219p ; 21cm
所蔵情報: loading…
42.

図書
図書
42. 化学と医学のための電子工学
B.H.バッサス, G.W.ユーウィング著 ; 岩田倫典訳
出版情報: 東京 : 講談社, 1974.10  xiii,335p ; 22cm
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43.

図書
図書
43. バイオエレクトロニクス
松本元編 ; 市川道教 [ほか] 共著
出版情報: 東京 : 丸善, 1989.11  ix,243p ; 22cm
シリーズ名: Maruzen advanced technology / 菅野卓雄 [ほか] 編集 ; 電子・情報・通信編 E03
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44.

図書
図書
44. エレクトロニクス実装技術便覧
日本マイクロエレクトロニクス協会編
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1973  548p ; 26cm
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45.

図書
図書
45. 電子装置の基礎
Karl R.Spangenberg[著] ; 小池勇二郎,宮地杭一翻訳
出版情報: 東京 : 近代科学社, 1960.6  618p ; 22cm
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46.

図書
図書
46. 電子応用
小西重成, 村上正夫共著
出版情報: 東京 : コロナ社, 1968  287p ; 22cm
シリーズ名: 新編電気工学講座 / 丹羽保次郎 [ほか] 監修 ; 江村稔 [ほか] 編集委員 ; 25
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47.

図書
図書
47. 情報ネットワークハンドブック
電子情報通信学会編
出版情報: 東京 : オーム社, 1992.10  16, 562p ; 27cm
所蔵情報: loading…
48.

図書
図書
48. トランジスタおよびダイオード
新美達也著 ; 日本電信電話公社電気通信研究所編集委員会編
出版情報: 東京 : 丸善, 1967.7  x, 501p ; 22cm
シリーズ名: 通研叢書 ; 3
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49.

図書
図書
49. 超伝導エレクトロニクス : 基礎とマイクロ波応用
J. H. ヒンケン著 ; 菅野卓雄監訳
出版情報: 東京 : シュプリンガー・フェアラーク東京, 1992.6  xi, 161p ; 27cm
シリーズ名: シュプリンガー現代物理学シリーズ
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50.

図書
図書
50. 電子通信の現状と展望 (第3巻)
科学技術庁
出版情報: 東京 : 大蔵省印刷局, 1977.2  282p ; 21cm
シリーズ名: 電子通信の現状と展望シリーズ : 総合レビュー / 科学技術庁編 ; 3
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51.

図書
図書
51. Integration of advanced micro- and nanoelectronic devices - critical issues and solutions : symposium held April 13-16, 2004, San Francisco, California, U.S.A.
editors, J. Morais ... [et al.]
出版情報: Warrendale, Pa. : Materials Research Society, c2004  xv, 471 p. ; 24 cm
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings ; v. 811
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52.

図書
図書
52. 情報工学のためのエレクトロニクス (1 ; 2)
宮川浹, 中川修三共著
出版情報: 東京 : 森北出版, 2000.6-  冊 ; 22cm
シリーズ名: 情報工学入門シリーズ / 城戸健一, 三井田惇郎監修 ; 8, 9
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53.

図書
図書
53. 電気・電子なぜなぜおもしろ読本
中村次男, 山本実著
出版情報: 東京 : 山海堂, 2000.8  8, 222p ; 21cm
所蔵情報: loading…
54.

図書
図書
54. エンサイクロペディア電子情報通信ハンドブック
電子情報通信学会編
出版情報: 東京 : オーム社, 1998.11  x, 1339p ; 27cm
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55.

図書
図書
55. III-V semiconducting compounds
by M. Neuberger
出版情報: New York : IFI/Plenum, 1971  v, 115 p. ; 27 cm
シリーズ名: Handbook of electronic materials ; vol. 2
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56.

図書
図書
56. Preparation and properties
John T. Milek
出版情報: New York : IFI/Plenum, 1971  viii, 118 p. ; 27 cm
シリーズ名: Handbook of electronic materials ; v. 3 . Silicon nitride for microelectronic applications ; pt. 1
所蔵情報: loading…
57.

図書
図書
57. Applications and devices
John T. Milek
出版情報: New York : IFI/Plenum, 1972  vii, 117 p. ; 27 cm
シリーズ名: Handbook of electronic materials ; v. 6 . Silicon nitride for microelectronic applications ; pt. 2
所蔵情報: loading…
58.

図書
図書
58. Electronic engineering principles. 3rd ed
John D. Ryder
出版情報: Englewood Cliffs, N.J. : Prentice-Hall , Tokyo : Maruzen, 1962, c1961  xi, 428 p. ; 22 cm
所蔵情報: loading…
59.

図書
図書
59. Processing of electronic materials : proceedings of the First International Conference held at Santa Barbara, California, USA, February 23-28, 1987
editors Clarence G. Law, Jr. and Richard Pollard ; sponsored by Engineering Foundation
出版情報: New York ; American Institute of Chemical Engineers, c1987  ix, 478 p. ; 24 cm
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60.

図書
図書
60. The linear and interface circuits data book for design engineers. lst ed
出版情報: [Dallas] : Texas Instruments Incorporated., c1973  1 vol. ; 26 cm
所蔵情報: loading…
61.

視聴覚資料
ＡＶ
61. 光通信研究論文 : Optical communications 2004-04/ [末松安晴著]
出版情報: [東京] : [国立情報学研究所], [2004.4]  ビデオディスク1枚
所蔵情報: loading…
62.

図書
図書
62. メカトロニクス入門ハンドブック
杉田稔著
出版情報: 東京 : 日刊工業新聞社, 1987.11  17, 544, viip ; 22cm
所蔵情報: loading…
63.

図書
図書
63. やさしい電子工作
神田民太郎著 ; I/O編集部編集
出版情報: 東京 : 工学社, 2016.1  175p ; 26cm
シリーズ名: I/O books
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電子ごま
音声の「録音/再生」ボード
音声合成再生機
「スピーカーBOX」と「アンプ」
ロープウェイ
踏切遮断機
「赤外線光線銃」の射的
侵入者探知機
RGB反射神経ゲーム
電子金庫
「RGBドットマトリクスLED」を使った「カラードット・クロック」
ラーメンオブジェ
電子ごま
音声の「録音/再生」ボード
音声合成再生機
概要: 「簡単な電子回路だけで動作(4例)」するような手軽に製作できるものから、「マイコンを使ってプログラム制御(8例)」する高度な工作まで、全12種類の電子工作の例を紹介。どの工作例も、製作にかかる費用を最小限に抑えており、500〜2000円くら … いで作ることが可能です。また、単に工作をするだけでなく、その工作を通して、電子回路の基本やプログラムについても説明しているので、それらの知識も身につくでしょう。 続きを見る
64.

図書
図書
64. 電子スピンを見る操る
十倉好紀編著
出版情報: 東京 : 日経BP社, 2001.11  201p ; 26cm
シリーズ名: アトムテクノロジーへの挑戦 : ナノテクノロジーの最前線 / 田中一宜監修 ; 2
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65.

図書
図書
65. ナノテクで原子分子を見る触る操る
市川昌和編著
出版情報: 東京 : 日経BP社, 2001.11  285p ; 26cm
シリーズ名: アトムテクノロジーへの挑戦 : ナノテクノロジーの最前線 / 田中一宜監修 ; 1
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66.

図書
図書
66. Fundamentals of modern digital systems (: hbk ; : pbk)
B.R. Bannister, D.G. Whitehead
出版情報: London : Macmillan, 1983  x, 253 p. ; 25 cm
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67.

図書
図書
67. The Third CREST Symposium on "Function Evolusion of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena", FEMD, CREST : program and abstracts, October 25, 2002 Kokuyo Hall (Shinagawa)
CREST Symposium ; FEMD Symposium ; Japan Science and Technology Corporation
出版情報: Tokyo : Japan Science and Technology Corporation (JST), CREST, FEMD Research Office, [2002]  181 p. ; 30 cm
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68.

図書
図書
68. Micromechatronics
Kenji Uchino, Jayne R. Giniewicz
出版情報: New York : Marcel Dekker, c2003  xiv, 489 p. ; 24 cm
シリーズ名: Materials engineering ; 22
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Preface
Prerequisite Knowledge
Suggested Teaching Schedule
Symbols
Current Trends for Actuators and Micromechatronics / 1：
The Need for New Actuators / 1.1：
Conventional Methods for Micropositioning / 1.2：
An Overview of Solid-State Actuators / 1.3：
Critical Design Concepts and the Structure of the Text / 1.4：
A Theoretical Description of Field-Induced Strains / 2：
Ferroelectricity / 2.1：
Microscopic Origins of Electric Field Induced Strains / 2.2：
Tensor/Matrix Description of Piezoelectricity / 2.3：
Theoretical Description of Ferroelectric and Antiferroelectric Phenomena / 2.4：
Phenomenology of Magnetostriction / 2.5：
Ferroelectric Domain Reorientation / 2.6：
Grain Size and Electric Field-Induced Strain in Ferroelectrics / 2.7：
Actuator Materials / 3：
Practical Actuator Materials / 3.1：
Figures of Merit for Piezoelectric Transducers / 3.2：
The Temperature Dependence of the Electrostrictive Strain / 3.3：
Response Speed / 3.4：
Mechanical Properties of Actuators / 3.5：
Ceramic Actuator Structures and Fabrication Methods / 4：
Fabrication of Ceramics and Single Crystals / 4.1：
Device Design / 4.2：
Electrode Materials / 4.3：
Commercially Available Piezoelectric and Electrostrictive Actuators / 4.4：
Drive / Control Techniques for Piezoelectric Actuators / 5：
Classification of Piezoelectric Actuators / 5.1：
Feedback Control / 5.2：
Pulse Drive / 5.3：
Resonance Drive / 5.4：
Sensors and Specialized Components for Micromechatronic Systems / 5.5：
Loss Mechanisms and Heat Generation / 6：
Hysteresis and Loss in Piezoelectrics / 6.1：
Heat Generation in Piezoelectrics / 6.2：
Hard and Soft Piezoelectrics / 6.3：
Introduction to the Finite Element Method for Piezoelectric Structures / 7：
Background Information / 7.1：
Defining the Equations for the Problem / 7.2：
Application of the Finite Element Method / 7.3：
Servo Displacement Transducer Applications / 8：
Deformable Mirrors / 8.1：
Microscope Stages / 8.2：
High Precision Linear Displacement Devices / 8.3：
Servo Systems / 8.4：
VCR Head Tracking Actuators / 8.5：
Vibration Suppression and Noise Elimination Systems / 8.6：
Pulse Drive Motor Applications / 9：
Imaging System Applications / 9.1：
Inchworm Devices / 9.2：
Dot Matrix Printer Heads / 9.3：
Inkjet Printers / 9.4：
Piezoelectric Relays / 9.5：
Adaptive Suspension Systems / 9.6：
Ultrasonic Motor Applications / 10：
General Description and Classification of Ultrasonic Motors / 10.1：
Standing Wave Motors / 10.2：
Mixed-Mode Motors / 10.3：
Traveling Wave Motors / 10.4：
Mode Rotation Motors / 10.5：
Performance Comparison Among Various Ultrasonic Motors / 10.6：
Microscale Walking Machines / 10.7：
Calculations for the Speed and Thrust of Ultrasonic Motors / 10.8：
Elements of Designing an Ultrasonic Motor / 10.9：
Other Ultrasonic Motor Applications / 10.10：
Magnetic Motors / 10.11：
Reliability of Ultrasonic Motors / 10.12：
The Future of Ceramic Actuators in Micromechatronic Systems / 11：
Development Trends as Viewed from Patent Statistics / 11.1：
The Piezoelectric Actuator/Ultrasonic Motor Market / 11.2：
Future Trends in Actuator Design / 11.3：
Index
Preface
Prerequisite Knowledge
Suggested Teaching Schedule
69.

図書
図書
69. トコトンやさしい超微細加工の本
麻蒔立男著
出版情報: 東京 : 日刊工業新聞社, 2004.1  159p ; 21cm
シリーズ名: B&Tブックス ; . 今日からモノ知りシリーズ||キョウ カラ モノシリ シリーズ
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70.

図書
図書
70. 電子工学概論 : 工学基礎. 改訂版
相田貞蔵, 釘澤秀雄共著
出版情報: 東京 : 培風館, 2000.10  vi, 214p ; 22cm
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71.

図書

東工大
目次DB
図書
東工大
目次DB
71. EMAP 2005 : 2005 International Symposium on Electronics Materials and Packaging : December 11-14, 2005, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan
International Symposium on Electronics Materials and Packaging ; 岸本, 喜久雄
出版情報: Piscataway, NJ : IEEE, c2005  vi, 301 p. ; 30 cm
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KEYNOTE LECTURES
   The Story Behind the Red Phosphorus Mold Compound Device Failures / prof.Michael Pecht,University of Maryland,USA 1
   Semiconductor Integrated Circuit Packaging Technology Challenges-Next Five Years / Dr. Mario A. Bolanos, Texas Instruments Inc., USA 6
   Gbps Signal Transmission on Si CMOS ULSI / Prof.Kazuya Masu, Tokyo Institute of Technology,Japan 10
   A Study of Hygro-Thermal Deformations and Stresses in FCPBGA / Prof.Sung Yi, Portland State University,USA 15
GENERAL SESSIONS
Quality ＆ Reliability(1)
   Development of an Automated X-Ray Inspection Method for Microsolder Bumps / Atsushi Teramoto (Nagoya Electric Works Co., Ltd.),Takayuki Murakoshi, Masatoshi Tsuzaka (Nagoya University) and Hiroshi Fujita (Gifu University) 21
   Reliability Assessment of BGA Solder Joints under Cyclic Bending Loads / Ilho Kim(KAIST, Korea) and Soon-Bok Lee 27
   Case Studies of Reliability Analysis by Stochastic Methodology in BGA Creep Analysis / Shoji Sasaki(MSV,Software Ltd.) Motoharu Tateishi, Isamu Ishikawa and Paul Vanderwalt(MSC.Software Corporation,USA) 33
   Fatigue Crack Propagation Analysis for Micro Solder Joints with Void / Takeshi Terasaki(Hitachi,Ltd) and Hisashi Tanie 37
Quality ＆Reliability(2)
   Reliability Analysis of Embedded Chip Technique with Design of Experiment Methods / Xiuzhen Lu(Shanghai University,China), Liu Chen(Chalmers University of Technology,Sweden) Zhaonian Cheng and Johan Liu(Shanghai University,China/Chaimers University of Technology,Sweden) 43
   A Role of Ti-Sn Diffusion Layer Formed at the Interface between Pb Free Solder and TiNiAu Multi-Layer / Kimiharu Kayukawa(Denso Corporation) and Akira Tanahashi 50
   In Situ Observation of Interfacial Fracture in Low-Dimensional Nano Structures / Yoshimasa Takahashi(Kyoto University),Hiroyuki Hirakata and Takayuki Kitamura 55
   Effect of Frequency of Fatigue Crace Growth along Interface between Copper Film and Silicon Substrate / Do Van Truong(Kyoto University),Hiroyuki Hirakata and Takayuki Kitamura 61
Quality ＆ Reliability(3)
   Effect of Lead and Cadmium Free Glasses on Reliability of the Siver End Termination for MLCC Application / Masyood Akhtar(LORD Corporation,USA) 67
   The Study of Silicon Die Stress In Stacked Die Packages / Eiichi Yamada(Texas Instruments Japan Limited),Kenji Abe,Yutaka Suzuki and Masazumi Amagai 74
   A Multifunctional Test Chip for Microelectronic Packaging and Its Application on RF Property Measurements / Kun-Fu Tseng(Chin-Min Institute of Technology,Taiwan),Yi-Hsun Hsion,Ben-Je Lwo and Chin-Hsing Kao(National Defense University,Taiwan) 78
   Strain Measurement in the Microstructure of Advanced Electronic Packages Using Digital Image Correlation / Nobuyuki Shishido(Kyoto University),Toru Ikeda and Noriyuki Miyazaki 83
   Effect of Au and Ni Layer Thicknesses on the Reliability of BGA Solder Joints / M.O.Alam(City University of Hong Kong,Hong Kong), Y.C.Chan and L.Rufer(TIMA Lab,France) 88
   Interconnection Technologies Studies on Double-Layered Metal Bumps for Fine Pitch Flip Chip Applications / Ho-Young Son(KAIST,Korea),Yong-Woon Yeo(Nepes Corperation,Korea), Gi-Jo Jung,Jun-Kyu Lee,Joon-Young Choi,Chang-Joon Park(Hynix Semiconductor,Korea), Min-Suk Suh, Soon-Jin Cho(Samsung Electro-Mechanics,Korea),and Kyung-Wook Paik(KAIST,Korea) 95
   Dynamic Characterization Study of Flip Chip Ball Grid Array(FCBGA) on Periphearl Component Interconnect(PCI) Board Application / Wong Shaw Fong(Intel Technology,Malaysia), Loh Wei Keat, Lee Yung Hsiang, Yap Eng Hooi(Intel Product,Malaysia),Wong Siang Woen,Hin Tze Yang(Intel Technology,Malaysia) and Martin Tay Tiong We 101
   Stability of Ni3p and Its Effect on the Interfacial Reaction between Electroless Ni-P and Molten Tin / K.Chen(Loughborough University,UK),C.Liu, D.C. Whalley and D.A. Hutt 107
   Investigation of void-free Electroplating Method on Copper Column based Solder Bump for Flip-Chip Interconnections / Hiroshi Yamada(Toshiba Corporation) 112
Optoelectronics/Photonics
   Characterization of Au-Sn Eutectic Die Attach Process for Optoelectronics Device / Thang Tak-Seng(Lumileds Lighting(M)Sdn Bhd,Malaysia),Decai Sun,Huck-Khim Koay, Mohd-Fezley Sabudin,Jim Thompson,Paul Martin, Pradeep Rajkomar and Shatil Haque 118
   Propagation Loss Evaluation of Optical Transmission/Interconnect System with Grating Structure / Akiya Kimura(Osaka University),Kiyokazu Yasuda,Michiya Matsushima and Kozo Fujimoto 125
   A New Method of Birefringence Measurement to Obtain Stress Field Using Photoclasticity / Kenji Gomi(Tokyo Denki University),Kengo Shimizu,Hayato Suzuki, Shinichi Gohira,Yasushi Niitsu and Kensuke Ichinose 129
   Optimization of Epoxy Flow for Passive Alignment of Optical Fiber Arrays / Jeffery C.C.Lo(Hong Kong University of Science ＆ Technology,Hong kong), Chung Yeung Li, Chung Leung Tai and S.W.Ricky Lee 132
Polymer Materials
   Study on Long Life Large-Deflective Hinges in Molded Pantograph Mechanisms based on Cyclic Load-Bending Fatigue Test / Mikio Horie(Tokyo Institute of Technology), Yudai Okabe, Masahiro Yamamoto and Daiki Kamiya 137
   Warpages of ACF-bonded COG Packages Induced from Manufacturing and Thermal Cycling / M.Y.Tsai(Chang Gung University,Taiwan), C.Y.Huang,C.Y.Chiang, W.C.Chen(ERSO/ITRI,Taiwan) and S.S. Yang 143
   Simulation of Tensile Deformation Behavior of Polymer by Chain Network Model / Akira Shinozaki(Tokyo Institute of Technology),Kikuo Kishimoto and Hirotsugu Inoue 150
   Effects of the Functional Groups of Non-Conductive Films(NCFs) on Materials Properties and Reliability of NCF Flip-Chip-On-Organic Boards / Chany-kyu Chung(KAIST,Korer),Woon-Seong Kwon,Jin-Hyoung Park, Soon-Bok Lee and Kyung-Wook Paik 156
   Effects of Low-modulus Die Attach Adhesive on Warpage and Damage of BGA / Sung Yi(Portland State University,USA), Paresh D.Daharwal(Intel Corporation,USA), Yeong.J.Lee(Motorola,USA)and Brian R.Harkness(Dow Corning,USA) 162
Thick ＆ Thin Film Materials
   Hardness and Elastic Modulus of ZnO Deposited materials by PLD Method / Han-Ki Yoon(Dong-Eui University,Korea) and Yun-Sik Yu 169
   Mechanical properties of ITO/PET Thin Film Deposited by DC MG Method / Do-Hyoung Kim(Dong-Eui University,Korea),Han-ki Yoon, Do-Hoon Shin(University of Tokushima) and Riichi Murakami 174
   Formation and Characterization of Sputtered Thin Film for Optimizing Multilayered Interconnection Structure / Wataru Sashida(Kogakuin University) and Yuji Kimura 179
Packaging(1)
   Development of The Embedded LST Technology in PALAP / H.Kamiya(DENSO Corportion),T.Miyake, H.Kobasyashi, and K,Kondo 183
   Wafer-Scale BCB Resist-Processing Technologies for High density Intergration and Electronic Packaging / Rainer Pelzer(EV Group,Austria),Viorel Dragoi,Bart Swinnen(IMEC,Belgium),Philippe Soussan and Thorsten Matthias(EV Group,Austria) 187
   Microscale Magnetic Components for the Application of DC-DC Converters Operating in the 1-10 MHz Range / David Flynn(Heriot-Watt University,UK),Anthony Toon and Marc Desmulliez 192
   Low-Cost Active-Allignment of Single-Mode Fiber-Arrays / D. Weiland(Heriot Watt Universtity,UK), M.Luetzelschwab, M.P.Y.Desmulliez, A.Missoffe and C.Beck(TWI Ltd,UK) 199
   SAW Chemical Sensors based on AlGan/GaN Piezoelectric Material System: Acoustic Design and Packaging Considerations / L.Rufer(TIMA Lab,France), A.Torres, S.Mir, M.O.Alam(City University of Hong Kong, Hong Kong),T.Lalinsky(Slovak Academy of Sciences, Slovak Republic) and Y.C.Chan(City University of Hong Kong,Hong Kong) 204
Packaging(2)
   Evaluation of Thermal Deformation Behavior in Electronic Package using UV Moire Interferometry / Jin-Hyoung Park(KAIST,Korea)and Soon-Bok Lee 209
   Evaluation of Fatigue Strength for Solder Joints after Thermal Aging / Takeshi Miyazaki(Tokyo Institute of Technology), Masaki Omiya,Hirotsugu Inoue, Kikuo Kishimoto and Masazumi Amagai(Texas Instruments) 215
   Local Thermal Deformation and Residual Stress of a Thin Si Chip Mounted on a Substrate Using An Area-Arrayed Flip Chip Structure / Hideo Miura(Tohoku University),Nobuki Ueta and Yuhki Sato 220
   The Novel Flip Chip Ball Grid Array Design and Challenges to Enable Higher Routing Density and Power Requirement / Chee Wai Wong(Intel Technology,Malaysia),Chee Kheong Yoon and Seng Hooi Ong 226
   Fatigue Crack Growth in Lead-free Solder Joints / Masaki Omiya(Tokyo Institute of Technology), Kikuo Kishimoto and Masazumi Amagai(Texas Instrument) 232
Modeling ＆ Simulation(1)
   A Study of Hot Spot in Silicon Device for Stacked Die Packages / Jotaro Akiyama(Texas Instruments Japan Limited),Masanobu Naeshiro and Masazumi Amagagai 238
   Modeling the Lamination Process for Ruggedised Displays / Yek Bing Lee(University of Greenwich, UK), Chris Bailey, Hua lu, Steve Riches,Martin Bartholomew and Nigel Tebbit 243
   Modeling and Simulation of a Fluid-driven Microturbine / Chanwut Sriphung(Heriot-Watt University,UK) and Resh Dhariwal 247
Modeling ＆ Simulation(2)
   Stress Intensity Factors of Interface Corners / Chyanbin Hwu(National Cheng Kung University,Taiwan) and T.L.Kuo 252
   The Impact of Capacitors Selection and Placement to the ESL and ESR / Huang Jimmy Huat Since(Intel Microelectronic,Malaysia), Sijher Taninder S and Beh Jiun Kai 258
   Evaluation of Drop Impact Load for Portable Electronic Components / Takahiro Omori(Toshiba Corporation), Hirotsugu Inoue(Tokyo Institute of Technology), Noriyasu Kawamura(Toshiba Corporation), Minoru Mukai,Kikuo Kishimoto(Tokyo Institute of Technology) and Takashi Kawakami(Toshiba Corporation) 262
   Nonlinear Dynamic Behavior of Thin PCB Board for Solder Joint Reliability Study under Shock Loading / Loh Wei Keat(Intel Technology,Malaysia), Lee Yung Hsiang. Ajay A/I Murugayah and Tay,Tiong We 268
Thermal Management
   Turbulence Modelling for Electronic Cooling: A Review / K.Dhinsa(University of Greenwich,UK), C.Bailey and K.Pericleous 275
   Heat Conduction in Composites of Thermally Dissimilar Materials-A Methodology to Economize Numerical Heat Transfer Analysis of Electronic Components / Wataru Nakayama(ThermTech International) 282
   Critical Appraisal of Thermo-Mechanical Reliability of Medium-Power Heterojunction Bipolar Transistors for Base Station and Military Applications Mounted in SOIC-8 Leadframe Based Plastic Overmold Packages with Conductive Silver Epoxy / Satbir Madra(WJ Communications,Inc,USA) 288
   A Study in Establishing Flip-Chip Ball Grid Array(FCBGA) Second Level Interconnect(SLI)Reliability Requirement by CFD Simulation / Lee Eng Kwong(Intel Technology, Malaysia) and Tan wool Aun 292
   Electro-Themal Analysis of Device Interactions in Si CMOS Structure / Tomoyuki Hatakeyama(Tokyo institute of Technology), Kazuyoshi Fushinobu and Ken 296
KEYNOTE LECTURES
   The Story Behind the Red Phosphorus Mold Compound Device Failures / prof.Michael Pecht,University of Maryland,USA 1
   Semiconductor Integrated Circuit Packaging Technology Challenges-Next Five Years / Dr. Mario A. Bolanos, Texas Instruments Inc., USA 6
72.

図書

東工大
目次DB
図書
東工大
目次DB
72. 分子デバイスおよび分子マシン : ナノワールドへの誘い
V. Balzani, A. Credi, M. Venturi原書編 ; 廣瀬千秋翻訳
出版情報: 東京 : エヌ・ティー・エス, 2006.10  vi, ix, 470, viip ; 27cm
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
監訳者まえがき i
翻訳にあたって ii
監訳者・翻訳者のプロフィール iii
序言 iv
Chapter1 概論 1
   1 分子レベルのデバイス(素子)とマシン(機械) 1
   2 素子と機械の小型化(ミニチュア化) 2
   3 トップダウンアプローチ 3
   4 ボトムアップアプローチ 4
   4.1 原子からのボトムアップ 5
   4.2 分子からのボトムアップ 6
   5 (多元)超分子の化学 7
   5.1 巨大分子と(多元)超分子系の比較 9
   5.2 自己組織化と共有結合性合成設計 11
   5.3 超分子化学、芸術、ナノテクノロジー 13
   参考・引用文献 15
PART1 電子および電子エネルギーのプロセシングを行うためのデバイス 19
Chapter2 電子移動およびエネルギー移動の基本原理 19
   1 はじめに 20
   2 光誘起型の電子移動過程とエネルギー移動過程 20
   2.1 電子移動 20
   2.1.1 電子因子 21
   2.1.2 原子核因子 23
   2.2 エネルギー移動 23
   2.2.1 クーロンメカニズム 24
   2.2.2 交換機構 26
   2.3 架橋の役割 29
   参考・引用文献 29
Chapter3 分子導線および関連系 31
   1 はじめに 31
   2 伝導率測定 33
   3 電極における電子移動過程 34
   4 光誘起電子移動 35
   4.1 金属錯体を含む共有結合連結系 38
   4.2 有機化合物をベースにした共有結合連結系 38
   4.3 ポルフィリンを含む共有結合連結系 41
   4.4 DNA系および関連系 42
   5 不均一型光誘起電子移動 45
   6 エネルギー移動 46
   6.1 金属錯体を含む共有結合連結系 46
   6.2 有機化合物をベースにした共有結合連結系 49
   6.3 ポルフィリンを含む共有結合連結系 53
   6.4 DNA系および関連系 53
   参考・引用文献 55
Chapter4 電子移動過程およびエネルギー移動過程のスイッチング 61
   1 はじめに 61
   2 電子移動過程のスイッチング 62
   2.1 光子入力 62
   2.1.1 長寿命スイッチング 63
   2.1.2 高速および超高速スイッチング 67
   2.2 酸化還元入力 72
   2.3 酸塩基入力 75
   2.4 その他の因子 78
   3 エネルギー移動過程のスイッチング 79
   3.1 光子入力 79
   3.2 酸化還元入力 82
   3.3 酸塩基入力 84
   3.4 その他の因子 85
   参考・引用文献 87
Chapter5 光捕集アンテナ 91
   1 はじめに 91
   2 天然のアンテナ系 92
   3 ポルフィリンをベースにした配列 94
   4 多重発色団型のシクロデキストリン 98
   5 デンドリマー 99
   5.1 金属錯体を含むデンドリマー 100
   5.1.1 コアとしての金属錯体 100
   5.1.2 分岐中心ごとの金属錯体 103
   5.2 有機化合物ベースのデンドリマー 105
   5.3 ポルフィリンを含むデンドリマー 108
   5.4 ホストーゲスト系 112
   5.5 光誘起電子移動 117
   6 その他の系 117
   6.1 高分子電解質 117
   6.2 ポリマー 117
   6.3 ロタキサン 118
   6.4 ゼオライト 119
   参考・引用文献 121
Chapter6 光誘起電荷分離と太陽エネルギーの変換 126
   1 はじめに 126
   2 自然界の反応中心 127
   2.1 序論 127
   2.2 バクテリアによる光合成 128
   2.3 光化学系Ⅱ 131
   3 人工の反応中心 132
   3.1 序論 132
   3.2 2分子連結系 133
   3.3 3分子連結系 133
   3.4 4分子および5分子連結系 140
   3.5 アンテナ-反応中心系 144
   3.5.1 ポリフィリンをベースとする配列 144
   3.5.2 2層膜 147
   3.5.3 自己組織化単層膜 149
   3.5.4 層状集合体およびゼオライト 149
   3.6 酸素発生系 150
   4 ハイブリッド型の反応系 153
   4.1 光りからプロトン駆動力への変換 153
   4.2 光駆動によるATP生成 155
   5 太陽エネルギーの人工変換 156
   5.1 光から燃料への変換 156
   5.2 光から電力への変換 158
   参考・引用文献 161
PART2 メモリ、論理ゲート、および関連系 168
Chapter7 双安定システム 168
   1 はじめに 168
   2 フォトクロミックシステム 170
   3 ホスト－ゲスト相互作用の変調 173
   4 蛍光スイッチ 174
   5 キロオプティカルスイッチ 175
   5.1 立体的に過密なアルケン分子 177
   5.2 ジアリールエテン分子 178
   6 光化学反応を用いる生体分子スイッチ 179
   7 エレクトロクロミックシステム 183
   8 酸素還元スイッチ 184
   9 他のシステム 185
   参考・引用文献 186
Chapter8 多状態 多機能システム 191
   1 はじめに 191
   2 双フォトクロミック超分子システム 192
   3 光化学的入力と他の刺激の組み合わせ 194
   3.1 3-状態システム。書き込み-ロック-読み出し-アンロック-消去サイクル 194
   3.2 直交型の光化学刺激-電気化学刺激 196
   3.3 直交型の光化学刺激-(酸塩基)刺激 199
   3.4 分子シフトレジスタ 204
   4 多電子型酸化還元過程 209
   4.1 等価な酸化還元ユニットをもつシステム 210
   4.2 非等価な酸化還元ユニットをもつシステム 214
   5 電気化学的入力と化学的入力の組み合わせ 218
   6 多重化学入力 220
   参考・引用文献 221
Chapter9 論理ゲート 226
   1 はじめに 226
   2 論理ゲートの基本概念 227
   3 分子スイッチによる論理ゲート 229
   4 基本的な論理ゲート 230
   4.1 YESゲート 231
   4.2 NOTゲート 231
   4.3 ORゲート 232
   4.4 ANDゲート 233
   4.5 NORゲート 234
   4.6 NANDゲート 234
   4.7 XORゲート 235
   4.8 XNORゲート 237
   5 組み合わせ型論理 238
   5.1 INH機能 238
   5.2 EnOR機能 238
   5.3 半加算器 239
   5.4 3-状態3-入力2-出力型分子スイッチ 242
   6 ニューラル型システム 243
   6.1 内因性関値メカニズムで制御するXOR論理システム 243
   6.2 パーセプトロン型システム 245
   7 分子スイッチ間の通信 247
   8 オリゴヌクレオチドをベースにした計算 249
   9 分子ベースの電気回路 251
   10 むすび 251
   参考・引用文献 253
PART3 分子スケールのマシン 256
Chapter10 分子マシンの基本原理 256
   1 はじめに 256
   2 分子マシンのコンセプト 257
   3 エネルギー源 259
   3.1 化学的エネルギー 259
   3.2 光エネルギー 261
   3.3 電気化学的エネルギー 261
   4 その他の要請 262
   4.1 運動のタイプ 262
   4.2 制御とモニタリング 262
   4.3 リセット 262
   4.4 時間スケール 262
   4.5 機能 263
   参考・引用文献 263
Chapter11 自発的なマシン型運動 265
   1 はじめに 265
   2 ローター(回転子) 265
   3 はめば歯車(コグホイール) 266
   4 歯車(ギア) 268
   5 水かき車(パドルホイール) 269
   6 回転腕木(ターンスタイル) 269
   7 ブレーキ(制動装置) 270
   8 ラチェット(歯止め装置) 271
   9 分子回転儀(ジャイロスケーン)と回転儀(ジャイロスコープ) 273
   参考・引用文献 274
Chapter12 開閉および転位に関連する運動 276
   1 はじめに 276
   2 アロステリック(活性部位移動)運動 277
   2.1 アロステリック酵素 277
   2.2 人口のアロステリックシステム 278
   3 ピンセットと銛(ハルプーン) 281
   3.1 ピンセット 281
   3.2 ハルプーンおよび関連システム 284
   4 ホスト－ゲストシステムの組織化－解組織化の制御 285
   4.1 序論 285
   4.2 光誘超過程 287
   4.2.1 包接錯体 287
   4.2.2 金属イオンの放出 290
   4.3 酸化還元誘起プロセス 291
   5 タンパク質およびDNAにおける立体配座変化 294
   5.1 タンパク質における折りたたみと解きほぐれの過程 294
   5.2 DNAをベースとする分子マシン 295
   6 分子ロック 297
   7 金属イオンの転座 299
   7.1 酸化還元駆動プロセス 299
   7.2 (酸塩基)駆動プロセス 300
   8 イオンチャネル 302
   8.1 自然界の金属イオンチャネル 302
   8.2 天然プロトンポンプ 304
   8.3 人口のイオンチャネル 305
   8.3.1 序論 305
   8.3.2 天然チャネル形成体の修飾 306
   8.3.3 生体高分子をベースとするイオンチャネル 306
   8.3.4 合成イオンチャネルモデル 308
   参考・引用文献 309
Chapter13 回転運動 317
   1 はじめに 317
   2 自然界の回転モーター 318
   3 ハイブリッド型回転モーター 319
   4 人工系における回転運動 321
   4.1 化学駆動型のプロセス 322
   4.2 光化学駆動型のプロセス 327
   4.3 電気化学駆動型のプロセス 331
   4.4 その他の効果 333
   参考・引用文献 333
Chapter14 輪通し(スレッド)・輪抜き(アンスレッド)運動 336
   1 はじめに 336
   2 化学駆動型の運動 339
   2.1 金属-配位子配合をベースにしたシステム 339
   2.2 水素結合および静電相互作用をベースにしたシステム 339
   2.3 供与体-受容体相互作用をベースにしたシステム 344
   3 電気化学駆動型の運動 352
   4 光化学駆動型の運動 358
   5 不均一システム 363
   参考・引用文献 367
Chapter15 直線運動 374
   1 はじめに 374
   2 自然界のリニアモーター 374
   3 ロタキサンにおける直線運動 378
   3.1 序論 378
   3.2 化学的に駆動されるシステム 382
   3.2.1 金属錯体をベースにするロタキサン 382
   3.2.2 水素結合および供与体-受容体相互作用をベースにするロタキサン 384
   3.2.3 ククルビトウリルをベースにするロタキサン 388
   3.2.4 シクロデキストリンをベースにするロタキサン 390
   3.3 電気化学的に駆動されるシステム 392
   3.4 光化学的に駆動されるシステム 396
   3.5 今後の展望 403
   3.5.1 3-状態ロタキサン 403
   3.5.2 キャリアとしてのロタキサン 403
   4 表面および固体担持体への ロタキサン連結 405
   4.1 光スイッチ能をもつ表面結合ロタキサン 405
   4.2 ロタキサンをベースとする電子デバイス 407
   参考・引用文献 408
Chapter16 知恵の輪分子カテナンにおける運動 413
   1 はじめに 413
   1.1 合成 413
   1.2 輪転過程 416
   1.3 機能性カテナン 418
   2 化学的に駆動された運動 422
   3 電気化学的に駆動された運動 426
   4 光化学的に駆動された運動 432
   5 今後の展望 434
   5.1 カテナンにおける単方向円周運動 434
   5.2 ロタカテナン分子のギア 434
   6 表面および固体担持体へのカテナンの連結 436
   6.1 カテナンの2次元配列 436
   6.2 カテナンをベースとする固体デバイス 437
参考・引用文献 441
用語集 445
略記表 466
監訳者まえがき i
翻訳にあたって ii
監訳者・翻訳者のプロフィール iii
73.

図書
図書
73. 航空電子・電気の基礎. 第4版
日本航空技術協会編
出版情報: 東京 : 日本航空技術協会, 2013.3  iv, 315p ; 26cm
シリーズ名: 航空工学講座 / 日本航空技術協会 [編] ; 第9巻
所蔵情報: loading…
74.

図書
図書
74. 電子機器組立の総合研究. 改訂版
ものづくり技能強化委員会著
出版情報: 東京 : 技術評論社, 2014.6  351p ; 21cm
シリーズ名: 技能研修&検定シリーズ
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
第1章 : 電気の基礎理論
第2章 : 電子回路用部品
第3章 : 基礎電子回路
第4章 : 製図法
第5章 : 機器組立て法
第6章 : 電子材料
第7章 : 電子機器
第8章 : 機械工作法
第9章 : 品質管理と安全
第1章 : 電気の基礎理論
第2章 : 電子回路用部品
第3章 : 基礎電子回路
75.

図書
図書
75. CADLUS+Arduino電子工作ガイド
横田一弘著
出版情報: 東京 : オーム社, 2014.11  viii, 198p ; 24cm
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
1 : 新しい電子工作の魅力
2 : BSch3Vによる回路図の作成
3 : MiOBCのハードウェア
4 CADLUS : PCBによるプリント基板の設計
5 : 部品の作成
6 : プリント基板の配線設計
7 : MiOBCの組み立て
8 : MiOBCの起動
9 : MiOBCの活用
1 : 新しい電子工作の魅力
2 : BSch3Vによる回路図の作成
3 : MiOBCのハードウェア
概要: 本書は、無料プリント基板CAD「CADLUS PCB」と、話題のマイクロボード「Arduino」を組み合わせて、誰にでも簡単に製作できる電子工作の手法を示すものです。オープンハードウェアArduinoの登場は、電子工作のスタイルを大きく変え … ました。また、オリジナルのプリント基板も低コストで入手できるようになった結果、高度な工作も個人で挑戦しやすい環境となっています。そこで本書では、実際にサンプルを示しながら、プリント基板の設計、作成から組み立て、プログラムまでを手順を追って解説していきます。 続きを見る
76.

図書
図書
76. 世界を先駆ける日本のイノベーター : 新規事業創出へ工学知を創造する8人
垂井康夫, 赤城三男編
出版情報: 東京 : オーム社, 2013.1  309p ; 20cm
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1 量子ドットデバイスの提案と実現—荒川/泰彦 / 東京大学生産技術研究所教授・ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構長
2 リチウムイオン電池の基本構造を確立—吉野/彰 / 旭化成株式会社フェロー・理事・吉野研究室室長
3 デジタルカメラの手振れ補正技術などの発明—大嶋/光昭 : パナソニック株式会社R &
D部門顧問・京都大学特命教授
4 三次元デバイスを可能にするTSV技術の先駆的研究—小柳/光正 / 東北大学未来科学技術共同研究センター教授
5 酸化亜鉛発光ダイオードおよび新規デバイスの創出—川崎/雅司 / 東京大学大学院工学研究科量子相エレクトロニクス研究センター教授
6 IGZO薄膜半導体、鉄系高温超伝導体など新規材料の創出—細野/秀雄 / 東京工業大学応用セラミックス研究所教授
7 チタン‐ニッケル系形状記憶合金の研究開発と実用化への貢献—宮崎/修一 / 筑波大学大学院数理物質科学研究科教授・社団法人日本金属学会第61代会長
8 独創的な暗号解読法を駆使して、携帯電話用世界標準暗号を開発—松井/充 / 三菱電機株式会社情報技術総合研究所情報セキュリティ技術部部長
1 量子ドットデバイスの提案と実現—荒川/泰彦 / 東京大学生産技術研究所教授・ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構長
2 リチウムイオン電池の基本構造を確立—吉野/彰 / 旭化成株式会社フェロー・理事・吉野研究室室長
3 デジタルカメラの手振れ補正技術などの発明—大嶋/光昭 : パナソニック株式会社R &
概要: 新規事業創出につながる工学知の創造、そして世界の富と豊かさ・幸福を形成するそこに日本のイノベーターたちが居る。
77.

図書
図書
77. Handbook of nanoscale optics and electronics
editor, Gary P. Wiederrecht
出版情報: Amsterdam : Elsevier, c2010  xi, 387 p. ; 27 cm
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Contents
Preface
Contributors
Editorial Advisory Board
Optics of Metallic Nanostructures / G A Wurtz ; R J Pollard ; A V Zayats1：
Surface Nanophotonics Theory / J M Mcmahon ; S K Gray ; G C Schatz2：
Second Harmonic Generation in Nanostructures / P-F Brevet3：
Organic Electronic Devices with Water-Dispersible Conducting Polymers / J Tarver ; J E Yoo ; Y-L LOO4：
Electronic Properties of Alkanethiol Molecular Junctions: Conduction Mechanisms, Metal-Molecule Contacts, and Inelastic Transport / G Wang ; T-W Kim ; T Lee ; W Wang ; M A Reed5：
Nanoscale Transistors / Y Li ; C-H Hwang6：
Spin-Based Data Storage / O Ozatay ; P G Mather ; J-U Thiele ; T Hauet ; P M Braganca7：
Optical Holographic Data Storage / K Curtis ; L Dhar ; W L Wilson8：
Nanostructures and Surface-Enhanced Raman Spectroscopy / K M Kosuda ; J M Bingham ; K L Wustholz ; R P Van Duyne9：
Colloidal Semiconductor Nanocrystal-Enabled Organic/Inorganic Hybrid Light Emitting Devices / K R Choudhury ; F SO ; Z Kafafi10：
Index
Contents
Preface
Contributors
78.

図書
図書
78. 応用光エレクトロニクスハンドブック
応用光エレクトロニクスハンドブック編集委員会編
出版情報: 東京 : 昭晃堂, 1989.4  ii, 3, 18, 1074p ; 22cm
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79.

図書
図書
79. バイオエレクトロニクス : バイオセンサー・バイオチップ
軽部征夫, 民谷栄一編著
出版情報: 東京 : 朝倉書店, 1994.2  vi, 158p ; 22cm
シリーズ名: 先端科学技術シリーズ / 大越孝敬 [ほか] 編集 ; C . バイオ・メデイカルテクノロジー||バイオ・メディカル テクノロジー ; 2
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80.

図書
図書
80. 電気・電子工学概論 : オームの法則～コンピュータサイエンス. 新版
和田清 [ほか] 著
出版情報: 東京 : 朝倉書店, 2014.9  iii, 228p ; 21cm
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1 : 電気と磁気
2 : 電気回路
3 : 電気計測
4 : 制御
5 : コンピュータと情報処理
6 : 半導体デバイス
7 : 電子回路
1 : 電気と磁気
2 : 電気回路
3 : 電気計測
81.

図書
図書
81. 誰にでも手軽にできる電子工作入門
後閑哲也著
出版情報: 東京 : 技術評論社, 2001.1  376p ; 23cm
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82.

図書
図書
82. マイコンボードで学ぶ楽しい電子工作 : Arduinoで始めるハードウェア制御入門
榊正憲著
出版情報: 東京 : インプレスR&D, 2018.8  290p ; 26cm
シリーズ名: インプレスR&D「next publishing」
New thinking and new ways ; . E-Book/Print Book
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83.

図書
図書
83. 超電導エレクトロニクス
原宏編著 ; 藤澤和男 [ほか] 共著
出版情報: 東京 : オーム社, 1985.12  iv, 222p ; 22cm
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84.

図書
図書
84. 量子エレクトロニクス (上)
霜田光一 [ほか] 著
出版情報: 東京 : 裳華房, 1972.3  xi, 451p ; 22cm
シリーズ名: 物理学選書 / 山内恭彦, 菊池正士, 小谷正雄編 ; 13
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85.

図書
図書
85. メカトロのための数値計算
足立紀彦, 竹内敬治共著
出版情報: 東京 : 森北出版, 1988.4  vii, 166p ; 22cm
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86.

図書
図書
86. エレクトロニクスラボ : ものの仕組みがわかる18の電子工作
DK社著 ; 若林健一訳
出版情報: 東京 : オライリー・ジャパン , 東京 : オーム社 (発売), 2020.10  163p ; 24cm
シリーズ名: Make: kids
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安全に作業するために
道具箱
部品
基本となる技術
電気回路 / 電子回路
ブレッドボード
トラブルシューティング
コイン電池
手作りモーター
手回し発電機
手持ち扇風機
マッチ箱マイク
バグボット
電磁石クレーン
ドアアラーム
無限鏡
AMラジオ
ブザーゲーム
電動プロペラカー
へびロボット
電子オルガン
ペットボトル船
パイプステレオ
金属探知機
自動常夜灯
回路図
用語集
安全に作業するために
道具箱
部品
概要: 現実にあるものがどうやって動いているのか?が、作ってわかる!工具の使い方、ハンダ付けや電線処理の基本、コンデンサ、抵抗器、トランジスタなどエレクトロニクスの基礎知識も網羅。
87.

図書
図書
87. ギャル電とつくる!バイブステンアゲサイバーパンク光り物電子工作
ギャル電著
出版情報: 東京 : オーム社, 2021.9  iii, 128p, 図版 [8] p ; 26cm
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第1章 感電上等!ギャル電流テンアゲ電子工作の始め方 : 何を買っていいのかわからない君へ!
おきにのツールを見つけよう ほか
第2章 テンアゲ電子工作のキホンのキ : 電子工作の土台を知ろう
盛りたいギャルには欠かせない ほか
第3章 テンアゲ1 まずは光らせたい! : 砲弾型LEDで盛ってみよう
テープLEDで光らせよう!
第4章 テンアゲ2 もっと光らせたい! : センサーで光にバリエーションをつけたい
スイッチ &
つまみで光り方もデコりたい
第5章 さらにテンションをアゲたい!自分でできるアレンジのヒント : ギャル電流!電子工作のアレンジポイント
アレンジアイデアの集め方
第1章 感電上等!ギャル電流テンアゲ電子工作の始め方 : 何を買っていいのかわからない君へ!
おきにのツールを見つけよう ほか
第2章 テンアゲ電子工作のキホンのキ : 電子工作の土台を知ろう
概要: とりまつないで光ればいいじゃん?
88.

図書
図書
88. 応用エレクトロニクス
桜井捷海, 霜田光一著
出版情報: 東京 : 裳華房, 1984.3  xiv, 358p ; 22cm
シリーズ名: 物理学選書 / 山内恭彦, 菊池正士, 小谷正雄編 ; 17
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89.

図書

東工大
目次DB
図書
東工大
目次DB
89. ナノエレクトロニクス (上巻 ; 下巻)
Rainer Waser編 ; 木村達也訳
出版情報: 東京 : オーム社, 2006.11  2冊 ; 21cm
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まえがき i
第2版のまえがき ix
訳者まえがき xi
総論 1
   0 総論 3
   0.1 情報の性質 3
   0.2 情報の数学的定義 7
   0.3 情報の処理 11
   　0.3.1 Boole代数とスイッチ回路 11
   　0.3.2 スイッチング代数とスイッチ回路 13
   　0.3.3 多値論理 16
   　0.3.4 非可逆論理と可逆論理 18
   0.4 情報技術の領域 20
第I部 基礎 25
   第I部のまえがき 27
   1.1 境界領域 27
   1.2 予備知識 28
   1.3 材料の性質と種類 29
第1章 誘電体 35
   1.1 序論 35
   1.2 凝縮物質の分極 37
   　1.2.1 誘電体の静電方程式 37
   　1.2.2 微視的アプローチと局部電界 39
   　1.2.3 分極のメカニズム 39
   1.3 分極メカニズムの周波数依存性 41
   　1.3.1 複素誘電関数 41
   　1.3.2 誘電関数の周波数依存性 42
   　1.3.3 共鳴現象 43
   　1.3.4 緩和現象 45
   1.4 イオン結晶の分極波 50
   　1.4.1 音響フォノンと光学フォノン 51
   　1.4.2 極性光学フォノン 54
   　1.4.3 ポラトリン 55
   　1.4.4 ペロブスカイト形酸化物の特性振動 65
   　1.4.5 チタン酸化合物の誘電率の温度依存性 67
   　1.4.6 イオン結晶誘電率の電圧依存性 68
   1.5 誘電体の光学的性質 68
   　1.5.1 平面電磁波 68
   　1.5.2 共振器と導波モード 69
   　1.5.3 吸収 70
   　1.5.4 偏光、反射および屈折 72
   　1.5.5 電気光学効果 75
   1.6 むすび 77
第2章 強誘電体 79
   2.1 序論 79
   2.2 自発分極 81
   　2.2.1 対称性 81
   　2.2.2 強誘電体の現象論 81
   　2.2.3 反強誘電体 85
   　2.2.4 焦電性 86
   　2.2.5 圧電性 86
   2.3 強誘電体相転移の理論 88
   　2.3.1 Ginzburg-Landauの理論 88
   　2.3.2 変位性相転移のソフトモードによるアプローチ 93
   2.4 強誘電体材料 95
   2.5 強誘電体分域 101
   　2.5.1 分域の起源 101
   　2.5.2 バルクシステムの静的分域配置 102
   　2.5.3 薄膜の静的分域配置 105
   　2.5.4 誘電体の小信号に対する振る舞い 108
   　2.5.5 可逆および非可逆分極の寄与 109
   　2.5.6 強誘電体分域の反転 111
   2.6 まとめ 113
第3章 電子的性質と量子効果 117
   3.1 序論 117
   3.2 結晶中の電子の性質 118
   　3.2.1 量子力学の基礎 118
   　3.2.2 周期的結晶格子と電子のバンド構造:金属と半導体 122
   　3.2.3 金属と半導体のFermi統計 130
   3.3 損失を伴う電子輸送:電気抵抗 135
   3.4 界面とヘテロ構造 139
   3.5 低次元構造 145
   　3.5.1 閉じ込められた電子状態 145
   　3.5.2 量子輸送 148
   3.6 超伝導 152
   3.7 むすび 159
第4章 磁気エレクトロニクス-層構造の磁性と磁気輸送 161
   4.1 まえがき 161
   4.2 表面と界面の特殊な異方性 162
   　4.2.1 界面(表面)の異方性 164
   　4.2.2 交換異方性 166
   4.3 層間交換結合(IEC) 170
   　4.3.1 現象論的記述 170
   　4.3.2 メソスコピック描像:量子井戸状態 173
   4.4 巨大磁気抵抗(GMR) 179
   　4.4.1 現象論的記述 179
   　4.4.2 微視的描像:スピンに依存する散乱 180
   　4.4.3 巨大磁気抵抗効果の改善法 182
   4.5 トンネル磁気抵抗(TMR) 183
   　4.5.1 現象論的記述:スピンに依存するトンネル効果 183
   　4.5.2 界面と障壁材料の影響 184
   　4.5.3 中間層と障壁材料の影響 186
   4.6 電流誘起の磁気スイッチング 187
   　4.6.1 現象論的な記述 187
   　4.6.2 微視的描像:スピンの蓄積 188
   4.7 まとめ 190
第5章 有機分子-電子構造、性質と反応 195
   5.1 まえがき 195
   5.2 炭化水素 195
   5.3 π共役システムの電子構造 201
   　5.3.1 LCAO理論 201
   　5.3.2 Huckelの近似 204
   5.4 官能基と分子構造 210
   　5.4.1 官能基の種類と双極子モーメント 210
   　5.4.2 らせん中心と立体異性体 215
   5.5 化学合成の原理 215
   　5.5.1 置換反応 217
   　5.5.2 付加反応 220
   　5.5.3 脱離反応 223
   　5.5.4 骨格転位反応 224
   5.6 まとめ 225
第6章 神経細胞-電気励起の分子的基礎 229
   6.1 神経細胞の構造と基礎的信号機能 229
   6.2 膜電位 235
   6.3 静止膜電位の決定要因 237
   6.4 活動電位の発生 242
   6.5 神経細胞の電気信号の記録 243
   　6.5.1 電圧クランプ法 244
   　6.5.2 パッチクランプ法 247
   6.6 軸索に沿った信号伝搬 248
   6.7 活動電位による神経伝達物質放出の誘発 251
   6.8 イオンチャンネルの分子構造と機能 253
   6.9 学習と記憶の生化学的側面 256
第7章 回路とシステムの設計 261
   7.1 まえがき 261
   7.2 MOSFET 262
   7.3 CMOS回路 263
   　7.3.1 インバータ 263
   　7.3.2 NANDゲート 265
   　7.3.3 NORゲート 266
   　7.3.4 組み合わせゲート 266
   　7.3.5 3状態出力 268
   　7.3.6 SRAMセル 268
   7.4 ディジタル回路 269
   　7.4.1 フリップフロップ 269
   　7.4.2 マルチプレクサ 271
   　7.4.3 デマルチプレクサ 272
   　7.4.4 バレルシフタ 272
   　7.4.5 加算器 273
   7.5 論理アレイ 274
   7.6 回路シミュレーション 276
   　7.6.1 回路モデル 277
   　7.6.2 DC解析 277
   　7.6.3 過渡解析 278
   　7.6.4 AC解析 278
   7.7 マイクロプロセッサ 279
   　7.7.1 マイクロプロセッサ・システム 279
   　7.7.2 基本原理 280
   　7.7.3 パイプライン化 281
   　7.7.4 命令セット 282
   　7.7.5 アドレス指定モード 283
   　7.7.6 マイクロコントローラの例 284
   7.8 ディジタル信号プロセッサ 285
   　7.8.1 DSPプロセッサの分類 286
   　7.8.2 DSPプロセッサの特徴 286
   　7.8.3 ディジタル信号プロセッサの例 289
   7.9 性能とアーキテクチャ 290
第II部 技術と分析 295
   第II部のまえがき 297
   II.1 技術の基本概念 297
   II.2 CMOS技術 299
   II.3 ナノテクノロジーのアプローチ 302
   II.4 分析法 309
第8章 薄膜堆積法 313
   8.1 まえがき 313
   8.2 薄膜堆積の基礎 314
   　8.2.1 気体運動論 314
   　8.2.2 熱力学 316
   　8.2.3 薄膜成長モード 317
   　8.2.4 連続薄膜における歪み緩和 321
   8.3 物理堆積法 322
   　8.3.1 熱蒸着/分子線エピタキシ 322
   　8.3.2 パルスレーザ堆積 327
   　8.3.3 スパッタ堆積法 329
   8.4 化学堆積法 334
   　8.4.1 化学蒸気堆積 335
   　8.4.2 化学溶液堆積345
   　8.4.3 Langmuir-Blodgett薄膜 347
   8.5 まとめ 350
第9章 露光法 355
   9.1 概観 355
   9.2 光露光 358
   　9.2.1 照射法と解像限界 358
   　9.2.2 露光波長と光源 366
   　9.2.3 マスク材料と光学系 369
   9.3 極紫外露光 372
   9.4 X線露光 374
   9.5 電子ビーム露光 376
   　9.5.1 電子ビーム直接描画 376
   　9.5.2 SCALPEL 379
   9.6 イオンビーム露光 380
   　9.6.1 集束イオンビーム 380
   　9.6.2 イオン投影露光 381
   9.7 フォトレジスト 382
   9.8 複数枚のマスク合わせ 388
   9.9 ナノインプリント露光 390
   9.10 むすび 392
第10章 材料除去技術－エッチングと化学機械研磨 397
   10.1 まえがき 397
   10.2 エッチング法 398
   　10.2.1 全体の状況 398
   　10.2.2 ウェットエッチング 399
   　10.2.3 ドライエッチング－基本的方法 401
   　10.2.4 プラズマ発生 404
   　10.2.5 反応器の種類 405
   　10.2.6 ドライエッチングの典型的応用 410
   　10.2.7 プラズマ診断法 417
   　10.2.8 ドライエッチングの挑戦課題 420
   　10.2.9 将来の動向 422
   10.3 CMP－化学機械研磨 425
   　10.3.1 化学機械研磨のメカニズム 426
   　10.3.2 誘電体の化学機械研磨 426
   　10.3.3 金属の化学機械研磨 428
   　10.3.4 市販化学機械研磨装置の構成 430
   　10.3.5 終了点検出 431
   　10.3.6 パッド 433
   　10.3.7 スラリー 434
   　10.3.8 化学機械研磨用後の清浄化 434
   　10.3.9 化学機械研磨の問題点 435
   　10.3.10 欠陥 436
   　10.3.11 将来技術の動向と挑戦課題 436
第11章 回折法と蛍光法による分析 441
   11.1 まえがき 441
   11.2 X線分析法 444
   　11.2.1 まえがき 444
   　11.2.2 X線散乱実験の原理 447
   　11.2.3 結晶のX線散乱 448
   　11.2.4 例 : Si基板に埋め込まれたCoSi₂層 452
   　11.2.5 小さなqにおけるX線散乱 456
   　11.2.6 例 : 金属薄膜 458
   　11.2.7 X線蛍光および吸収分光 458
   11.3 電子ビーム分析法 462
   　11.3.1 まえがき 462
   　11.3.2 電子光学系 462
   　11.3.3 透過電子顕微鏡（TEM） 465
   　11.3.4 走査電子顕微鏡（SEM) 468
   　11.3.5 電子エネルギー損失分光（EELS） 472
   11.4 表面分析法 477
   　11.4.1 まえがき 447
   　11.4.2 2次イオン質量分析（SIMS) 478
   　11.4.3 X線光電子分光（XPS)とAuger電子分光（AES) 480
   　11.4.4 低エネルギー電子顕微鏡とその関連技術 483
   11.5 その他の方法 485
第12章 走査プローブ技術 489
   12.1 まえがき 489
   12.2 走査トンネル顕微鏡 491
   　12.2.1 走査トンネル顕微鏡の理論的基礎 491
   　12.2.2 走査トンネル顕微鏡の動作モード 497
   　12.2.3 走査トンネル顕微鏡の作製 497
   　12.2.4 走査トンネル顕微鏡の応用 499
   12.3 原子間力顕微鏡 502
   　12.3.1 原子間力顕微鏡の理論的原理 503
   　12.3.1 原子間力顕微鏡の動作原理 506
   　12.3.3 原子間力顕微鏡の応用 509
   12.4 柔らかい有機あるいは生物試料の像形成 516
   12.5 原子と分子の操作 520
   　12.5.1 横方向操作 520
   　12.5.2 縦方向の操作 524
   　12.5.3 トンネル電流の効果 526
   　12.5.4 STMによる複雑な化学反応 528
第III部 論理デバイス 533
   第III部のまえがき 535
   III.1 論理デバイスの基礎 535
   　III.1.1 論理デバイスへの要求条件 535
   　III.1.2 論理ゲートの動的性質 541
   　III.1.3 しきい値ゲート 541
   III.2 計算に対する物理的限界 543
   III.3 論理デバイスの概念 551
   　III.3.1 分類 551
   　III.3.2 2端子デバイス 553
   　III.3.3 電界効果デバイス 554
   　III.3.4 Coulombブロッケードデバイス 556
   　III.3.5 スピントロニクス 559
   　III.3.6 量子セルオートマトン 562
   　III.3.7 量子計算 566
   　III.3.8 DNAコンピュータ 568
   III.4 アーキテクチャ 569
   　III.4.1 情報処理システムの柔軟性 570
   　III.4.2 並列処理と粒度 574
   　III.4.3 Teramac－ケーススタディ 577
   III.5 情報処理システムの性能 579
   　III.5.1 基本的な2進演算 579
   　III.5.2 性能の尺度 583
   　III.5.3 生態神経細胞の処理能力 585
   　III.5.4 人間の脳の性能推定 590
   III.6 究極の計算 592
   　III.6.1 電力消費限界 592
   　III.6.2 可逆計算における電力消費 596
第13章 シリコンMOSFET－新材料と新概念 605
   13.1 まえがき 605
   13.2 MOSFETデバイスの基礎 607
   　13.2.1 MOSキャパシタ 607
   　13.2.2 MOSFET 612
   13.3 スケーリング則 615
   13.4 2酸化シリコン系のゲート誘電体 619
   　13.4.1 CMOSのための高誘電率材料 622
   　13.4.2 誘電体特性 623
   　13.4.3 熱力学 624
   　13.4.4 電子的性質 625
   　13.4.5 微細構造の安定性 626
   　13.4.6 高誘電率材料の堆積法と化学 628
   　13.4.7 処理の適用性 631
   　13.4.8 高誘電率積層ゲート絶縁膜の例 632
   13.5 金属ゲート 635
   　13.5.1 ポリシリコンと金属ゲート 635
   　13.5.2 金属ゲートの材料選択 636
   13.6 接合とコンタクト 638
   　13.6.1 浅い接合 638
   　13.6.2 接合コンタクト 642
   13.7 先端的なMOSFETの概念 644
   13.8 まとめ 649
第14章 強誘電体電界効果トランジスタ 655
   14.1 まえがき 655
   14.2 強誘電体電界効果トランジスタの原理 656
   　14.2.1 強誘電体電界効果トランジスタの構造設計と材料特性 659
   　14.2.2 シリコン直上の強誘電体 660
   　14.2.3 強誘電材料とシリコンの間のバッファ層 662
   　14.2.4 金属・強誘電体・金属浮遊ゲート構造 663
   　14.2.5 導電性酸化物上の金属・強誘電体 664
   14.3 強誘電体FETの電気特性 664
   　14.3.1 MFIS構造 666
   　14.3.2 MFMIS構造 669
   　14.3.3 強誘電体FETの最適化 673
   14.4 強誘電体FETセルの設計とデバイスのモデル化 676
   　14.4.1 強誘電体FETのデバイスシミュレーション 676
   　14.4.2 強誘電体FETに対する1T2Cセル設計 679
   　14.4.3 擾乱のない動作が可能な強誘電体FETメモリの概念 680
   14.5 強誘電体FETを用いた神経回路網 682
   14.6 まとめと展望 683
第15章 共鳴トンネリングに基づく量子輸送デバイス 687
   15.1 まえがき 687
   15.2 電子のトンネル現象 688
   　15.2.1 伝達行列法 688
   15.3 共鳴トンネルダイオード 693
   　15.3.1 共鳴特性 693
   　15.3.2 電量電圧特性 694
   　15.3.3 界面と成長温度 697
   15.4 共鳴トンネルデバイス 699
   　15.4.1 共鳴トンネルダイオードの動作速度 699
   　15.4.2 共鳴トンネルダイオードの応用 702
   15.5 まとめと展望 715
第16章 論理応用のための単電子デバイス 719
   16.1 まえがき 719
   16.2 単電子デバイス 720
   　16.2.1 単電子ボックス 720
   　16.2.2 単電子トランジスタ 724
   　16.2.3 他の単電子デバイス 731
   　16.2.4 単電子デバイスの作製 731
   16.3 単電子デバイスの論理回路への応用 734
   　16.3.1 まえがき 734
   　16.3.2 回路シミュレーションのための単電子トランジスタの解析モデル 735
   　16.3.3 単電子トランジスタを有する論理回路 741
   16.4 将来の方向 747
第17章 超伝導ディジタルエレクトロニクス 751
   17.1 まえがき 751
   17.2 Josephson接合 752
   　17.2.1 Josephson効果 : 基礎 752
   　17.2.2 RSJモデル 754
   　17.2.3 接合パラメータ 755
   17.3 電圧状態論理 756
   　17.3.1 スイッチング特性 756
   　17.3.2 論理ゲート 757
   　17.3.3 メモリ素子 758
   17.4 単一磁束量子論理 759
   　17.4.1 単一磁束量子の基礎 759
   　17.4.2 単一磁束量子論理ゲート 761
   17.5 超伝導集積回路技術 765
   　17.5.1 低温超伝導体技術 765
   　17.5.2 高温超伝導体技術 767
   17.6 高速単一磁束量子論理の現状 769
   　17.6.1 直近の応用 769
   　17.6.2 将来の応用の展望 771
   　17.6.3 高温超伝導による高速単一磁束量子の実装 772
   17.7 まとめ 773
第18章 超伝導による量子計算 777
   18.1 量子計算の原理 777
   18.2 qビットによる計算 779
   18.3 qビット : その実現法 781
   18.4 なぜ超伝導体か？ 783
   18.5 電荷qビット 784
   18.6 磁束qビット 788
   18.7 他のqビット 791
   18.8 コヒーレンス劣化のメカニズム 792
   18.9 展望 793
第19章 データ処理のためのカーボンナノチューブ 797
   19.1 まえがき 797
   19.2 電子的性質 799
   　19.2.1 幾何学的構造 799
   　19.2.2 グランフェンの電子構造 800
   　19.2.3 カーボンナノチューブの電子構造 801
   　19.2.4 輸送特性 805
   　19.2.5 コンタクト 810
   19.3 カーボンナノチューブの合成 812
   　19.3.1 合成法 812
   　19.3.2 成長メカニズム 815
   　19.3.3 加工と官能化 817
   　19.3.4 ナノチューブ列の実装とナノ回路 818
   19.4 カーボンナノチューブ配線 820
   　19.4.1 ビアにおけるナノチューブ 822
   　19.4.2 最大電流密度と信頼性 823
   　19.4.3 ナノチューブ中の信号伝搬
   19.5 カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ（CNTFET） 824
   　19.5.1 MOSFETとの比較 824
   　19.5.2 ナノチューブの調整 825
   　19.5.3 バックゲート付きカーボンナノチューブ電界効果トランジスタ 828
   　19.5.4 相補形カーボンナノチューブデバイス 829
   　19.5.5 孤立バックゲートデバイス 831
   　19.5.6 孤立トップゲートデバイス 832
   　19.5.7 Si MOSFETと拡大カーボンナノチューブFETの比較 833
   　19.5.8 カーボンナノチューブ回路 835
   19.6 メモリ応用のためのナノチューブ 837
   　19.6.1 カーボンナノチューブSRAM 837
   　19.6.2 他のメモリー概念 837
   19.7 全カーボンナノチューブナノエレクトロニクスの展望 841
第20章 分子エレクトロニクス 847
   20.1 まえがき 847
   20.2 電極とコンタクト 850
   20.3 機能 852
   　20.3.1 分子ワイヤ，絶縁体，および配線 853
   　20.3.2 ダイオード 855
   　20.3.3 スイッチと記憶素子 858
   　20.3.4 3端子デバイス 862
   20.4 分子エレクトロニクスデバイス－最初のテストシステム 864
   　20.4.1 走査プローブ法 864
   　20.4.2 単分子膜デバイス 867
   　20.4.3 ナノポアの概念 871
   　20.4.4 機械的に制御された破壊接合 872
   　20.4.5 エレクトロマイグレーション法 876
   20.5 シミュレーションと回路設計 877
   　20.5.1 理論的側面 877
   　20.5.2 分子ナノ回路の設計ルール 881
   20.6 作製 883
   　20.6.1 化学合成 883
   　20.6.2 集積化プロセス 887
   20.7 まとめと展望 887
著者紹介 895
略語集 901
索引 913
第 IV 部 ランダムアクセスメモリー 1
第IV 部のまえがき 3
   IV.1 ランダムアクセスデバイスの定義 3
   IV.2 記憶の物理的原理 6
   IV.3 タイミング方式 10
   IV.4 スケーリングの一般傾向と将来のメモリ世代 12
第21章 DRAM のための高誘電率材料 19
   21.1 まえがき 19
   21.2 DRAM セルの基本動作 21
   21.3 Gb DARM キャパシタへの挑戦 24
   21.4 高誘電率誘電体の性質 26
   　21.4.1 DARM に対する要求条件 27
   　21.4.2 電界依存症 28
   　21.4.3 温度依存症 29
   　21.4.4 微細構造依存症 30
   　21.4.5 厚さ依存症 31
   　21.4.6 周波数依存症 35
   21.5 キャパシタ電荷の安定性とセルの信頼性 36
   　21.5.1 緩和電流 37
   　21.5.2 漏れ電流のメカニズム 39
   　21.5.3 抵抗劣化と絶縁破壊 42
   21.6 集積化の側面 43
   21.7 DARM における高誘電率材料 48
   　21.7.1 新誘電材料実装の状況 48
   　21.7.2 ロードマップの目標に向けた傾向 53
   　21.7.3 別の高誘電体材料 56
第22章 強誘電体ランダムアクセスメモリ 63
   22.1 まえがき 63
   　22.1.1 強誘電体不揮発生メモリ 65
   　22.1.2 最新技術 66
   22.2 FeRAM の回路設計 68
   　22.2.1 書き込み法 69
   　22.2.2 読み出し法 70
   　22.2.3 参照電圧 73
   　22.2.4 メモリ構成 74
   22.3 強誘電体薄膜の性質 78
   　22.3.1 一般論 78
   　22.3.2 強誘電性のスイッチング 79
   　22.3.3 厚さの効果 83
   22.4 薄膜の集積化 85
   　22.4.1 一般的側面 85
   　22.4.2 電極 88
   　22.4.3 集積化の特別な話題 89
   22.5 劣化メカニズム 94
   　22.5.1 分極疲労 94
   　22.5.2 保持特性劣化 96
   　22.5.3 刷り込み 97
   22.6 新たな挑戦課題 101
   　22.6.1 高分子強誘電体 RAM 101
   　22.6.2 将来のトレンド 103
   22.7 まとめ 105
第23章 磁気抵抗 RAM 109
   23.1 まえがき 109
   23.2 磁気 RAM デバイスの実装 111
   　23.2.1 単一トランジスタ・単一TMR 磁気 RAM デバイス 113
   　23.2.2 他の磁気 RAM セル構造 115
   　23.2.3 磁気 RAM メモリ回路構成 117
   23.3 磁気 RAM デバイスの磁気的安定性 119
   　23.3.1 磁気素子の熱活性反転 120
   　23.3.2 スイッチングで誘起される減磁 125
   23.4 超高速磁化反転 133
   23.5 まとめの展望 135
第 V 部 大容量記憶デバイス 139
   第 V 部のまえがき 141
   V.1 定義 141
   V.2 記憶の物理的原理 143
   　V.2.1 分類 143
   　V.2.2 次元性 145
   　V.2.3 初期の機械式記憶媒体 145
   　V.2.4 磁気テープとディスク 147
   　V.2.5 コンパクトディスク系のシステム 148
   V.3 分散記憶 153
第24章 ハードディスク 155
   24.1 まえがき 155
   24.2 磁気ハードディスクドライブ 156
   24.3 電磁誘導書き込みヘッド 158
   　24.3.1 構成 158
   　24.3.2 書き込み磁界の計算 158
   　24.3.3 書き込みヘッド材料 162
   24.4 磁気記録媒体 162
   　24.4.1 薄膜ディスク 162
   　24.4.2 巨視的性質 163
   　24.4.3 微視的性質 165
   　24.4.4 熱的安定性 166
   　24.4.5 反強磁性結合 (AFC) 媒体 167
   24.5 磁気読み出しヘッド 168
   24.6 ヘッド・ディスクインタフェース 172
   24.7 将来の動向 174
   　24.7.1 垂直記録 175
   　24.7.2 パターン化媒体 175
   　24.7.3 自己組織化粒子媒体 177
   　24.7.4 熱アシストによる記録 177
   　24.7.5 トンネル磁気抵抗センサ 178
   　24.7.6 コンタクト記録 178
   　24.7.7 小形ドライブ 178
   24.8 まとめ 179
第25章 磁気光学ディスク 181
   25.1 まえがき 181
   25.2 磁気光学データ記憶の原理 182
   25.3 材料特性 185
   25.4 交換結合層の適応 188
   　25.4.1 基本原理 188
   　25.4.2 光変調オーバライト (LIM-DOW) 190
   　25.4.3 磁気超解像 (MSR) 191
   25.5 まとめ展望 193
第26章 相変化材料系も書き換え可能 DVD 195
   26.1 まえがきと相変化材料の原理 195
   26.2 相転移の速度 198
   　26.2.1 相転移の駆動力 198
   　26.2.2 核形成と成長 199
   26.3 相変化媒体への要求条件 203
   26.4 相変化材料の現状 206
   　26.4.1 書き込みプロセス 206
   　26.4.2 消去プロセス 207
   26.5 記憶密度の向上 209
   26.6 相変化ランダムアクセスメモリ 211
   26.7 まとめ 214
第27章 ホログラフィックデータ記憶 217
   27.1 まえがき 217
   27.2 ホログラフィック情報記憶の基礎 218
   27.3 光プロセス 224
   　27.3.1 ホログラフィック回折格子の書き込み 224
   　27.3.2 ホログラフィック回折格子の読み出し 225
   　27.3.3 Bragg 入射の不整合 227
   　27.3.4 多重化の概念 229
   　27.3.5 書き込みの配置 232
   　27.3.6 ビット誤り率 234
   　27.3.7 M#数 236
   27.4 無機材料 237
   　27.4.1 基礎 237
   　27.4.2 鉄添加ニオブ酸リチウム 238
   　27.4.3 光誘起屈折率効果 239
   　27.4.4 展望 : パルスホログラフィ 247
   27.5 光アドレス形高分子 248
   　27.5.1 まえがき 248
   　27.5.2 アゾペンゼンの光化学 250
   　27.5.3 アゾペンゼンを含む高分子 251
   　27.5.4 液晶側鎖高分子 251
   　27.5.5 光記憶用の光アドレス形高分子 252
   　27.5.6 光アドレス形高分子のホログラフィック測定 258
   27.6 展望 260
第28章 AFM による大容量記憶- 「ミリピード」 の構想 267
   28.1 まえがき、動機、目的 267
   28.2 ミリピード構想 269
   28.3 熱機械的 AFM データ記憶 271
   28.4 高分子媒体 274
   28.5 アレイの設計・技術・製作 279
   28.6 アレイの特性評価 283
   28.7 32×32 アレイチップを用いた最初の書き込み・読み出し実験 286
   28.8 データ記憶へのミリピードの応用の可能性 288
   28.9 まとめ展望 290
第 VI 部 データ伝送とインタフェース 295
   第 VI 部のまえがき 297
   VI.1 信号伝送 297
   VI.2 信号の種類と伝送の限界 298
   VI.3 ベースバンド伝送 - 伝送線路 301
   VI.4 キャリア伝送 - 伝送システム 304
   　VI.4.1 Shannon の通信モデル 304
   　VI.4.2 チャンネル容量とキャリア変調 305
   　VI.4.3 情報源符号化 307
   　VI.4.4 チャンネル符号化 308
   　VI.4.5 線路符号化と変調 309
第29章 チップとボードレベルの伝送 315
   29.1 まえがき 315
   29.2 オンチップ配線技術 317
   29.3 チップと基板の配線 321
   　29.3.1 チップ配線技術 321
   　29.3.2 フリップチップボンディング 326
   　29.3.3 テープオートメーテッドボンディング 328
   　29.3.4 比較 329
   29.4 ボールグリッドアレイ 330
   29.5 マルチチップモジュール 331
   29.6 3次元パッケージ 332
   29.7 まとめ 334
第30章 光ネットワーク 337
   30.1 まえがき 337
   　30.1.1 全体のあらまし 337
   　30.1.2 光波システムに使う材料 340
   30.2 光ファイバ中の光の伝搬 342
   　30.2.1 光導波路 342
   　30.2.2 光ファイバ 346
   　30.2.3 波長分割多重化 349
   30.3 光源 353
   30.4 光検出器 358
   30.5 光増幅器 363
   30.6 スイッチと変調器 366
   　30.6.1 スイッチングデバイスの2つの基本機能 366
   　30.6.2 MEMS - 微小電気機械システム 367
   　30.6.3 光強誘電体 367
   　30.6.4 音響光学デバイス 371
   30.7 まとめ 375
第31章 マイクロ波通信システム - 受動デバイスの新動向 379
   31.1 まえがき 379
   31.2 マイクロ波通信システムの重要な特性 380
   　31.2.1セルラ通信 381
   　31.2.2 衛星通信と固定通信 383
   31.3 マイクロ波共振デバイスの基本的性質 385
   　31.3.1 電磁波共振器 385
   　31.3.2 有極形フィルタ 390
   31.4 金属、超伝導体、誘電体材料のマイクロ波特性 392
   　31.4.1 通常金属の表面インピーダンス 393
   　31.4.2 高温超伝導薄膜の表面インピーダンス 394
   　31.4.3 誘電体単結晶、セラミックおよび薄膜のマイクロ波特性 396
   31.5 マイクロ波通信システムの新受動デバイス 403
   　31.5.1 誘電体フィルタ 403
   　31.5.2 高温超伝導平面フィルタとサブシステム 406
   31.6 マイクロ波用の微小機械 : RF MEMS とFBAR 408
   31.7 フォトニックバンドギャップ構造 411
   31.8 まとめ 415
第32章 神経電子インタフェース - イオンチャンネル、神経細胞、および脳を有する半導体チップ 419
   32.1 まえがき 419
   32.2 イオン・電子インタフェース 421
   　32.2.1 平面コア・コート伝導体 423
   　32.2.2 細胞・シリコン接合の間隙 427
   　32.2.3 間隙の伝導度 430
   　32.2.4 細胞・シリコン接合におけるイオンチャンネル 439
   32.3 神経細胞・シリコン回路 443
   　32.3.1 神経細胞活動のトランジスタ記録 444
   　32.3.2 神経細胞活動の容量性刺激 449
   　32.3.3 シリコンチップ上の2神経細胞回路 454
   　32.3.4 規定された神経細胞ネットワークに向けて 461
   32.4 脳・シリコンチップ 465
   　32.4.1 組織・シート伝導体 466
   　32.4.2 脳スライスのトランジスタ記録 468
   　32.4.3 脳スライスの容量性刺激 470
   32.5 まとめと展望 472
第 VII 部 センサアレイと画像システム 475
   第 VII 部のまえがき 477
   VII.1 センサの分類と物理的原理 477
   VII.2 電子センサアレイ 480
   VII.3 生物センサアレイ 483
   　VII.3.1 視覚 483
   　VII.3.2 嗅覚 485
   　VII.3.3 触覚 456
第33章 光3次元飛行時間形画像化システム 489
   33.1 まえがき 489
   33.2 3次元光技術の分類 490
   33.3 CMOS 画像化 492
   33.4 CMOS 3次元飛行時間画像センサ 495
   33.5 応用例 501
   33.6 まとめ 501
第34章 赤外画像化のための焦電検出器アレイ 505
   34.1 まえがき 505
   34.2 焦電赤外検出器の動作原理 507
   　34.2.1 焦電応答 507
   　34.2.2 雑音と検出能 511
   　34.2.3 数値例 514
   　34.2.4 熱波長効果 514
   　34.2.5 熱画像のための焦点面アレイの特性 516
   34.3 焦電材料 517
   34.4 デバイス製作、評価とプロセスの問題 520
   　34.4.1 製作技術 520
   　34.4.2 読み出し集積回路 526
   34.5 まとめ 529
第35章 電子嗅覚 533
   35.1 まえがき 533
   35.2 ガスセンサ素子の動作原理 533
   　35.2.1 熱量測定センサ 534
   　35.2.2 電気化学セル 535
   　53.2.3 表面およびバルク弾性波デバイス 536
   　35.2.4 ガス感受性 FET 538
   　35.2.5 半導体抵抗ガスセンサ 539
   35.3 電子嗅覚 542
   35.4 信号評価 543
   35.5 実現例 544
   　35.5.1 有害溶剤やガスの同定 544
   　35.5.2 半導体センサアレイ - KAMINA 546
   　35.5.3 食品の香りの検出 547
   　35.5.4 食品のローストプロセスの監視 548
   35.6 まとめと展望 551
第36章 2次元触覚センサと触覚センサアレイ 555
   36.1 まえがき 555
   36.2 定義と分類 556
   36.3 抵抗形タッチスクリーン 560
   36.4 超音波形タッチスクリーン 563
   36.5 ロボット触覚センサ 566
   36.6 指紋センサ 568
   　36.6.1 まえがき 568
   　36.6.2 容量形指紋センサの原理 570
   　36.6.3 指紋照合処理を統合化した単一チップ指紋センサアレイ 570
   　36.6.4 センサ構造と製作プロセス 572
   36.7 まとめと展望 576
第VIII 部 ディスプレイ 581
   第 VIII 部のまえがき 583
   VIII.1 定義 583
   VIII.2 測光 585
   VIII.3 人間の視感度 586
   VIII.4 色彩理論 588
   VIII.5 ディスプレイの概念とアドレス法 590
   VIII.6 3次元ディスプレイの概念 591
   　VIII.6.1 眼鏡を使う立体視 592
   　VIII.6.2 裸眼立体視 593
   　VIII.6.3 今後のアプローチ 594
第37章 液晶ディスプレイ 597
   37.1 まえがき 597
   37.2 液晶材料 599
   　37.2.1 液晶の物理的性質 599
   　37.2.2 液晶の化学 605
   37.3 ねじれネマティックセル 607
   37.4 液晶ディスプレイのアドレス指定 611
   　37.4.1動的 (多重化) アドレス指定 611
   　37.4.2 グレイスケールとカラーの発生 615
   37.5 高解像度ディスプレイのためのセル 616
   　37.5.1 超ねじれネマティックセル 616
   　37.5.2 能動マトリクスディスプレイ 619
   37.6 バックライト 622
   37.7 反射形液晶ディスプレイ 623
   　37.7.1 2偏光子反射形液晶ディスプレイ 625
   　37.7.2 偏光子のない反射形液晶ディスプレイ 625
   　37.7.3 単一偏光子反射形液晶ディスプレイ 626
   　37.7.4 反射板 627
   37.8 半透過形ディスプレイ 629
   37.9 投影形ディスプレイ 630
   　37.9.1 透過形ディスプレイ 630
   　37.9.2 反射形ディスプレイ 631
   37.10 新しい液晶ディスプレイの原理 633
   　37.10.1 強誘電性液晶 633
   37.11 まとめ 638
第38章 有機発光デバイス 643
   38.1 まえがき 643
   38.2 有機半導体 646
   　38.2.1 独立分子と van der Waals 分子結晶 646
   　38.2.2 吸収、励起子拡散、および蛍光 647
   　38.2.3 電荷キャリアの輸送 649
   38.3 有機発光ダイオード 650
   　38.3.1 効率的な有機発光ダイオードの必要条件 650
   　38.3.2 単層および 2 層有機発光ダイオード 652
   　38.3.3 蛍光不純物を用いたデバイス効率の改善 653
   　38.3.4 高効率の燐光有機発光ダイオード 654
   　38.3.5 不純物添加電荷輸送層のよる低電圧化 658
   38.4 有機ディスプレイ 663
   　38.4.1 受動および能動マトリクスディスプレイ 663
   　38.4.2 パターン化技術 664
   　38.4.3 展望 : 透明、積層、および可撓性有機発光ダイオード 665
第39章 電解放出とプラズマディスプレイ 671
   39.1 まえがき 671
   39.2 電解放出ディスプレイ (FED) 672
   　39.2.1 電界放出ディスプレイの基本原理 672
   　39.2.2 電界放出ディスプレイの陰極と陰極材料 674
   　39.2.3 電界放出ディスプレイの蛍光スクリーン 678
   　39.2.4 電界放出ディスプレイのマトリクスアドレス指定 686
   　39.2.5 電界放出ディスプレイの性能と展望 687
   39.3 プラズマディスプレイパネル(PDP) 688
   　39.3.1 プラズマディスプレイパネルの放電 690
   　39.3.2 プラズマディスプレイパネルの動作原理 693
   　39.3.3 プラズマディスプレイパネルの設計と製造 695
   　39.3.4 プラズマディスプレイパネルのセルにおける高γコーティング 696
   　39.3.5 プラズマディスプレイパネル用の蛍光体 702
   　36.3.6 プラズマディスプレイパネルの性能と展望 709
   39.4 まとめ 711
第40章 電子ペーパ 717
   40.1 まえがき 717
   40.2 微小粒子系ディスプレイ 718
   　40.2.1 電気泳動ディスプレイ 718
   　40.2.2 回転球ディスプレイ 727
   　40.2.3 懸濁粒子ディスプレイ 729
   40.3 紙状ディスプレイの代替技術 730
   　40.3.1 直視形反射液晶ディスプレイ 730
   　40.3.2 双安定性液晶ディスプレイ 731
   　40.3.3 微小機械系ディスプレイ 732
   40.4 フレキシブル背面版の電子回路 733
   　40.4.1 印刷可能な集積回路 734
   　40.4.2 流体的自己集積化 736
   40.5 展望と将来像 737
著者紹介 741
略語集 747
索引 759
まえがき i
第2版のまえがき ix
訳者まえがき xi
90.

図書
図書
90. 最新ゾルーゲル法による機能性薄膜作成技術
平島碩著
出版情報: 東京 : 総合技術センター, 1992.10  vii, 222p ; 27cm
所蔵情報: loading…
91.

図書
図書
91. 電子回路の計算法
難波茂著
出版情報: 東京 : 共立出版, 1963.8  3, 222, 3p ; 22cm
シリーズ名: 標準工学シリーズ ; 11
所蔵情報: loading…
92.

図書
図書
92. 基礎電子工学
藤本晶著
出版情報: 東京 : 森北出版, 2012.6  vi, 167p ; 22cm
所蔵情報: loading…
93.

図書

東工大
目次DB
図書
東工大
目次DB
93. 電子デバイスプロセス
西永頌執筆
出版情報: 東京 : コロナ社, 1983.1  viii, 188p ; 22cm
シリーズ名: 電子通信学会大学シリーズ / 電子通信学会編 ; D-7
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
1.デバイスプロセスの基礎
   1.1 自由エネルギーの概念 1
   1.2 化学平衡 9
   1.3 偏析と固溶限界 12
   1.4 デバイスプロセスで出合ら重要な結晶欠陥 24
   1.4.1 結晶構造 24
   1.4.2 結晶欠陥 32
   演習問題 32
2.結晶成長
   2.1 融液からの結晶成長 35
   2.2 気相および溶液相からの単結晶成長 43
   2.3 結晶成長の考え方 50
   演習問題 62
3.シリコン酸化膜および窒化膜
   3.1 熱酸化 64
   3.1.1 熱酸化の方法 64
   3.1.2 熱酸化の考え方 68
   3.2 化学反応を利用した酸化膜と窒化膜の形成(CVD法) 71
   3.2.1 薄膜の形成方法 71
   3.2.2 CVD法による薄膜成長の考え方 72
   3.2.3 新しい形のCVD 74
   3.3 電気的性質に影響を与える酸化膜および界面の欠陥 75
   演習問題 79
4.不純物拡散とイオン注入
   4.1 不純物拡散法によるpn接合の形成 80
   4.2 不純物拡散の理論 84
   4.2.1 表面密度一定の場合 85
   4.2.2 有限な拡散源からの拡散 86
   4.2.3 半導体結晶から外部への拡散(out-diffusion) 89
   4.3 拡散の考え方 90
   4.4 化合物半導体への不純物拡散 93
   4.5 イオン注入 95
   4.5.1 イオン注入装置 95
   4.5.2 イオン注入の考え方 98
   4.5.3 イオン注入の応用 107
   演習問題 110
5.真空下での薄膜形成技術
   5.1 真空蒸着法 113
   5.1.1 蒸着の原理 113
   5.1.2 蒸発源 114
   5.1.3 真空の作り方と計測法 116
   5.1.4 膜形式の考え方 120
   5.2 スパッタリング法 121
   5.3 分子線エピタキシー法 123
   演習問題 124
6.リソグラフィー
   6.1 ホトリソグラフィー 125
   6.1.1 ホトリソグラフィー(光食刻,photo-lithography)の原理 125
   6.1.2 ホトマスクの作製 129
   6.1.3 ホトレジスト 132
   6.1.4 ホトリソグラフィーの精度 133
   6.2 サブミクロン加工のためのリソグラフィー技術 136
   6.2.1 遠紫外ホトリソグラフィー 136
   6.2.2 X線リソグラフィー 137
   6.2.3 電子線リソグラフィー 138
   演習問題 140
7.デバイス作製の周辺技術
   7.1 オーム性接触の形成 142
   7.2 ボンディング 144
   7.3 ケースへの封止 146
   演習問題 149
8.結晶の評価
   8.1 結晶欠陥の評価 151
   8.1.1 線欠陥および面欠陥 151
   8.1.2 点欠陥の観察 156
   8.2 不純物の評価 158
   8.2.1 質量分析 158
   8.2.2 発光分光分析 160
   8.2.3 X線マイクロアナライザ 160
   8.2.4 オージェ電子分光 161
   8.2.5 放射化分析 162
   8.2.6 backscattering法 162
   8.3 電気的性質 166
   8.3.1 四点法(four-point probe method) 166
   8.3.2 ホール効果 167
   8.3.3 van der Pauw の方法 169
   8.3.4 伝導形の決定 170
   8.3.5 キャリヤの寿命(carrier lifetime) 171
   8.4 評価の考え方 172
   演習問題 173
付録
   1.高純度水素精製法 175
   2.高純度水の製造法 176
   3.三次元結晶での回折条件 177
参考文献 182
演習問題略解 182
索引 185
1.デバイスプロセスの基礎
   1.1 自由エネルギーの概念 1
   1.2 化学平衡 9
94.

図書
図書
94. 通信・ラジオ・テレビの基礎回路
川上正光著
出版情報: 東京 : 共立出版, 1953.3  2, 6, 244p ; 19cm
シリーズ名: 共立全書 ; 50 . 電子回路 / 川上正光著||デンシ カイロ ; 1
所蔵情報: loading…
95.

図書
図書
95. 信号波の性質と増幅回路
川上正光著
出版情報: 東京 : 共立出版, 1955.1  6, 194p ; 19cm
シリーズ名: 共立全書 ; 95 . 電子回路 / 川上正光著||デンシ カイロ ; 2
所蔵情報: loading…
96.

図書
図書
96. 発振回路・マイクロ波真空管・変調復調回路
川上正光著
出版情報: 東京 : 共立出版, 1955.5  6, 192p ; 19cm
シリーズ名: 共立全書 ; 100 . 電子回路 / 川上正光著||デンシ カイロ ; 3
所蔵情報: loading…
97.

図書
図書
97. Transistorの物理と回路
川上正光著
出版情報: 東京 : 共立出版, [1965.7]  8, 263p ; 19cm
シリーズ名: 共立全書 ; 131 . 電子回路 / 川上正光著||デンシ カイロ ; 5
所蔵情報: loading…
98.

図書
図書
98. 半導体の電子物性工学
太田英二, 坂田亮共著 ; 日本材料科学会出版委員会企画・編集
出版情報: 東京 : 裳華房, 2005.8  ix, 379p ; 21cm
シリーズ名: 新教科書シリーズ
所蔵情報: loading…
99.

図書
図書
99. 超カンタン!電子工作のはじめ方
I/O編集部編集
出版情報: 東京 : 工学社, 2020.10  127p ; 26cm
シリーズ名: I/O books
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
第1章 : 初心者が知っておきたい電子工作の話
第2章 : 「マイコン・ボード」「ブレッド・ボード」「Groveモジュール」
第3章 「Raspberry : Pi」にセンサをつないでみよう
第4章 : 「電子工作」の“心得”と“知っておきたいこと”
第5章 「Raspberry : Pi」を使ってみよう
第6章 : コミュニケーション・ロボット「ベゼリー」で遊ぶ
第7章 : 「電子工作」を安くするための工夫
第8章 液晶付きマイコン「Wio : Terminal」
第9章 「REVIVE USB : MICRO」でオリジナル「HIDデバイス」を作る
第1章 : 初心者が知っておきたい電子工作の話
第2章 : 「マイコン・ボード」「ブレッド・ボード」「Groveモジュール」
第3章 「Raspberry : Pi」にセンサをつないでみよう
概要: マイコンボード、Groveモジュール、ブレッドボード。「電子工作の基礎知識」から「初歩の工作」まで。
100.

図書
図書
100. マイクロマシーニングとマイクロメカトロニクス
江刺正喜 [ほか] 共著
出版情報: 東京 : 培風館, 1992.6  vi, 254p ; 27cm
所蔵情報: loading…
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