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1.

図書
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1. 磁電変換素子の構造と応用
H.WEISS著 ; 片岡照栄訳
出版情報: 東京 : コロナ社, 1974  366p ; 22cm
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2.

図書
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2. パワーエレクトロニクスの基礎
K.ホイマン著 ; 前田明志訳
出版情報: 東京 : 東京電機大学出版局, 1978.8  18, 277p ; 22cm
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3.

図書
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3. セラミック半導体
エレセラ出版委員会編
出版情報: 東京 : 技献 , 東京 : 学献社 (発売), 1979.1  4,202p ; 21cm
シリーズ名: ケラスの本 ; 2
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4.

図書
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4. 半導体工学 : 半導体物性の基礎
高橋清著
出版情報: 東京 : 森北出版, 1975.8  vi, 358p ; 22cm
シリーズ名: 森北電気工学シリーズ ; 4
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5.

図書
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5. 半導体・IC用語事典
飯田隆彦, 古寺博, 山賀威共編
出版情報: 東京 : オーム社 , 東京 : オーム社書店(発売), 1977.4  ii, 300p ; 19cm
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6.

図書
図書
6. 固体マイクロ波素子
植之原道行, 今井哲二編
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1973  217p ; 22cm
シリーズ名: エレクトロニクス技術全書 ; 2
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7.

図書
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7. 電気・電子材料の物性
小山恒夫, 樋浦正共著
出版情報: 東京 : 学献社, 1970  8, 264p ; 22cm
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8.

図書
図書
8. 半導体変換素子
片岡照栄著
出版情報: 東京 : 日刊工業新聞社, 1972.4  3, 8, 271, 9p ; 22cm
シリーズ名: Semi Conductor Series ; 4
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9.

図書
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9. 半導体の物性と素子 (1)
菅野卓雄著
出版情報: 東京 : 昭晃堂, 1973  4, 7, 485p ; 22cm
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10.

図書
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10. 半導体デバイスとその応用
応用物理学会編
出版情報: 東京 : 日刊工業新聞社, 1975  342p ; 22cm
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11.

図書
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11. MOSデバイス
徳山巍著
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1973  vii, 334p ; 22cm
シリーズ名: エレクトロニクス技術全書 ; 3
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12.

図書
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12. ガン発振とナダレ発振
半導体研究振興会編
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1970.3  7, 282p ; 27cm
シリーズ名: 半導体研究 / 半導体研究振興会編 ; 6
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13.

図書
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13. 不純物制御された完全結晶
半導体研究振興会編
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1975.3  8, 360p ; 27cm
シリーズ名: 半導体研究 / 半導体研究振興会編 ; 11
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14.

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14. 超高周波発振
半導体研究振興会編
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1977.7  7, 325p ; 27cm
シリーズ名: 半導体研究 / 半導体研究振興会編 ; 13
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15.

図書
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15. 表面電子工学
菅野卓雄, 御子柴宣夫, 平木昭夫共編
出版情報: 東京 : コロナ社, 1979.11  viii, 455p ; 22cm
シリーズ名: 電気・電子工学大系 ; 25
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16.

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16. 固体電子論
村尾, 剛(1931-)
出版情報: 東京 : 共立出版, 1971.2  2, 3, 195, 6p ; 22cm
シリーズ名: 共立物理学講座 ; 28 . 固体物理学 / 村尾剛著||コタイ ブツリガク ; 2
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17.

図書
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17. 固体発光素子とその応用
中村哲郎, 内丸清著
出版情報: 東京 : 産報, 1971.12  222p ; 21cm
シリーズ名: 電子科学シリーズ ; 42
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18.

図書
図書
18. 半導体の物理. 第2版
川村肇著
出版情報: 東京 : 槙書店, 1971.2  2, 204p ; 22cm
シリーズ名: 新物理学進歩シリーズ / 小林稔 [ほか] 編 ; 3
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19.

図書
図書
19. 半導体素子の物理
D.A.Fraser[著] ; 伊藤良一訳
出版情報: 東京 : 丸善, 1979.12  x, 144p ; 21cm
シリーズ名: オックスフォード物理学シリーズ / 柿内賢信, 土方克法監修 ; 16
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20.

図書
図書
20. 半導体技術の最近の進歩
「物性」編集委員会編
出版情報: 東京 : 槙書店, 1974  235p ; 22cm
シリーズ名: 「物性」実験技術シリーズ ; 5
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21.

図書
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21. 半導体材料
新美達也, 馬場英夫共著
出版情報: 東京 : コロナ社, 1978.5  viii, 303p ; 22cm
シリーズ名: 電気・電子工学大系 ; 26
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22.

図書
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22. 半導体電子工学
白藤純嗣著
出版情報: 東京 : コロナ社, 1979.3  vii, 333p ; 22cm
シリーズ名: 電気・電子工学大系 ; 11
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23.

図書
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23. 半導体技術 (上 ; 下)
庄野克房著
出版情報: 東京 : 東京大学出版会, 1976.5  2冊 ; 21cm
シリーズ名: 物理工学実験 ; 2-3
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24.

図書
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24. 光電変換デバイス
前田敬二 [ほか] 共著
出版情報: 東京 : コロナ社, 1975.11  xiii, 351p ; 22cm
シリーズ名: 電気・電子工学大系 ; 15
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25.

図書
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25. 半導体プロセス ([その1] ; その2 ; その3)
西澤潤一編
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1979.8-1985.8  3冊 ; 27cm
シリーズ名: 半導体研究 / 半導体研究振興会編 ; 16巻, 19巻, 22巻 . 超LSI技術||チョウ LSI ギジュツ ; 3, 6, 9
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26.

図書
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26. 固体電子素子
D.V.Morgan, M.J.Howes著 ; 尾崎肇訳
出版情報: 東京 : 共立出版, 1978.3  186p ; 21cm
シリーズ名: モダンサイエンスシリーズ
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27.

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27. やさしい光電素子の応用. 改訂版
山中一郎著
出版情報: 東京 : 産報出版, 1975.4  188p ; 21cm
シリーズ名: 電子科学シリーズ ; 6
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28.

図書
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28. 半導体エレクトロニクス
宇田新太郎著
出版情報: 東京 : 丸善, 1970.11  x, 325p ; 22cm
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29.

図書
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29. 高分子有機半導体
J.E.Katon編 ; 土田英俊訳
出版情報: 東京 : 昭晃堂, 1972  320p ; 22cm
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30.

図書
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30. 化合物半導体デバイス
日本産業技術振興協会新材料技術委員会編
出版情報: 東京 : 工業調査会(発売), 1973  464p ; 27cm
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31.

図書
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31. 電子デバイスの基礎. 軽装版
P.E.グレイ, C.L.サール著 ; 宇都宮敏男, 菅野卓雄訳
出版情報: 東京 : 産業図書, 1979.8  174, 62p ; 22cm
シリーズ名: MIT基礎電子工学教科書 / P.E.グレイ, C.L.サール著 ; 宇都宮敏男,菅野卓雄訳 ; 1
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32.

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32. 半導体素子とモデル. 軽装版
P.E.グレイ, C.L.サール著 ; 宇都宮敏男, 菅野卓雄訳
出版情報: 東京 : 産業図書, 1979.9  p177-430, 3p ; 22cm
シリーズ名: MIT基礎電子工学教科書 / P.E.グレイ, C.L.サール著 ; 宇都宮敏男,菅野卓雄訳 ; 2
所蔵情報: loading…
33.

図書
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33. 半導体電子工学例題演習
柳井久義, 林敏也共著
出版情報: 東京 : コロナ社, 1972.7  vi, 274p ; 22cm
シリーズ名: 標準電気・電子工学例題演習シリーズ ; 7
所蔵情報: loading…
34.

図書
図書
34. イオン注入技術
難波進編著
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1975.2  5, 194p ; 21cm
シリーズ名: エレクトロニクス技術全書 ; 8
所蔵情報: loading…
35.

図書
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35. 光・熱・歪半導体素子とその使い方
伝田精一編
出版情報: 東京 : 共立出版, 1974  156, 6p ; 22cm
シリーズ名: ソリッドステート回路シリーズ / 川上正光[ほか]編 ; 10
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36.

図書
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36. 固体電子デバイス概論
松尾幸人著
出版情報: 東京 : 広川書店, 1979.3  180p ; 22cm
所蔵情報: loading…
37.

図書
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37. 電子素子工学
中村新太郎著
出版情報: 東京 : 実教出版, 1975  184p ; 22cm
シリーズ名: 実教理工学全書
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38.

図書
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38. チタバリ系半導体
エレセラ出版委員会編
出版情報: 東京 : 技献 , 東京 : 学献社 (発売), 1977.3  6,176p ; 21cm
シリーズ名: ケラスの本 ; 1
所蔵情報: loading…
39.

図書
図書
39. シリコンプレーナ技術による半導体工学
庄野克房著
出版情報: 東京 : 日刊工業新聞社, 1973  251p ; 22cm
所蔵情報: loading…
40.

図書
図書
40. 半導体工学 : 大学課程. 第2版
山口次郎[ほか]編
出版情報: 東京 : オーム社, 1975.3  236p ; 22cm
所蔵情報: loading…
41.

図書
図書
41. 回路設計
西澤潤一編著
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1978.4  9, 446p ; 27cm
シリーズ名: 半導体研究 / 半導体研究振興会編 ; 15巻 . 超LSI技術||チョウ LSI ギジュツ ; 2
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42.

図書
図書
42. 半導体デバイスの物理 (1 ; 2)
S.M.Sze原著 ; 柳井久義, 小田川嘉一郎, 生駒俊明共訳
出版情報: 東京 : コロナ社, 1974-1975  2冊 ; 22cm
所蔵情報: loading…
43.

図書
図書
43. 高分子半導体
三川礼, 艸林成和編
出版情報: 東京 : 講談社, 1977.10  xiv, 318p ; 22cm
シリーズ名: 機能性高分子シリーズ
所蔵情報: loading…
44.

図書
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44. オプトエレクトロニクス : 基礎と応用
水野博之著
出版情報: 東京 : 日刊工業新聞社, 1978.7  3, 203p ; 22cm
所蔵情報: loading…
45.

図書
図書
45. 化合物半導体の完全性
半導体研究振興会編
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1976.3  8, 378p ; 27cm
シリーズ名: 半導体研究 / 半導体研究振興会編 ; 12
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46.

図書
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46. 電荷転送デバイス : CCD,BBDの基礎と応用
Carlo H. Séquin, Michael F.Tompsett[著] ; 武石喜幸, 香山晋監訳 ; 香山晋 [ほか] 翻訳
出版情報: 東京 : 近代科学社, 1978.2  xv, 293p ; 22cm
所蔵情報: loading…
47.

図書
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47. 微細加工
半導体研究振興会編
出版情報: 東京 : 工業調査会, 1977.12  9, 376p ; 27cm
シリーズ名: 半導体研究 / 半導体研究振興会編 ; 14 . 超LSI技術||チョウ LSI ギジュツ ; 1
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48.

図書
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48. 半導体結合論
フィリップス著 ; 小松原毅一訳
出版情報: 京都 : 吉岡書店, 1976.8  xx, 362p ; 22cm
シリーズ名: 物理学叢書 / 小谷正雄 [ほか] 編 ; 38
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49.

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49. 半導体物性 (1 ; 2)
犬石嘉雄, 浜川圭弘, 白藤純嗣著
出版情報: 東京 : 朝倉書店, 1977.6  2冊 ; 22cm
シリーズ名: 基礎物理科学シリーズ ; 8,9
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50.

図書
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50. 半導体中における光過程
Jacques I.Pankove [著] ; 西沢潤一 [ほか] 訳
出版情報: 東京 : 近代科学社, 1974.8  xviii, 459p ; 22cm
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51.

図書
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51. 詳解半導体工学演習
山口勝也著
出版情報: 東京 : 日本理工出版会 , 東京 : オーム社書店 (発売), 1972.1  v, 269p ; 22cm
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52.

図書

東工大
目次DB
図書
東工大
目次DB
52. 電子デバイス (1 ; 2)
古川静二郎, 松村正清共著
出版情報: 東京 : 昭晃堂, 1979.11-1980  2冊 ; 22cm
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目次情報: 続きを見る
1
第1章 緒論
   1.1 エレクトロニクスと電子デバイス 1
   1.2 電子デバイスの発達 2
   1.3 電子デバイスの分類 7
   1.4 電子デバイスの産業における位置づけ 11
第2章 半導体の物理
   2.1 固体内電子 13
   2.2 金属・絶縁体および半導体 20
   2.3 Ⅳ族半導体とキャリア 22
   2.4 電気伝導 29
   2.5 キャリヤの分布と流れ 38
   2.6 キャリヤのエネルギー分布 47
   演習問題 52
第3章 pn接合ダイオードとショットキーバリアダイオード
   3.1 熱平衡状態のpn接合 56
   3.2 pn接合ダイオードの静的特性 62
   3.3 pn接合ダイオードの動的特性 73
   3.4 pn接合ダイオードのモデル 80
   3.5 ホットエレクトロンによる現象 83
   3.6 pn接合ダイオードの応用 89
   3.7 金属-半導体接触 94
   演習問題 101
第4章 バイポーラトランジスタ
   4.1 動作原理 105
   4.2 トランジスタモデル 118
   4.3 バイポーラトランジスタの諸現象 131
   4.4 各種バイポーラトランジスタ 136
   演習問題 142
第5章 MOS トランジスタ
   5.1 半導体表面の物理 144
   5.2 MOS トランジスタの特性 156
   5.3 MOS トランジスタとバイポーラトランジスタとの対応 164
   5.4 MOS トランジスタの諸現象とその応用 166
   5.5 MOS トランジスタ回路 171
   演習問題 173
第6章 サイリスタ
   6.1 ショックレイダイオード 176
   6.2 SCRにおけるトリガー機構 179
   6.3 サイリスタの回路と応用 183
   演習問題 189
演習問題略解 191
索引 200
VOL.II
第7章 半導体集積回路
   7.1 集積回路の概念 1
   7.2 IC製造技術 6
   7.3 アナログIC 17
   7.4 ディジタル論理IC 21
   7.5 メモリIC 40
   7.6 電荷転送デバイス 45
   演習問題 49
第8章 電子管
   8.1 電子放出 52
   8.2 電界,磁界と電子の流れ 59
   8.3 空間電荷制御管 67
   8.4 マイクロ波電子管 79
   演習問題 90
第9章 電気-光変換デバイス
   9.1 受光-発光デバイス 93
   9.2 太陽電池 105
   9.3 レーザ 107
   9.4 受像および撮像デバイス 125
   演習問題 144
第10章 その他の電子デバイス
   10.1 放電管 147
   10.2 接合形およびショットキーバリア形電界効果トランジスタ 157
   10.3 マイクロ波負性抵抗ダイオード 164
   10.4 サーミスタとバリスタ 169
   演習問題 170
第11章 新しいデバイス
   11.1 ジョセフソン素子 171
   11.2 バブル・ドメインデバイス 176
   11.3 アモルファス半導体デバイス 180
   演習問題略解 188
索引 191
   電子デバイス〔I〕目次概要
   第1章 緒論
   第2章 半導体の物理
   第3章 pn接合ダイオードとショットキーバリアダイオード
   第4章 バイポーラトランジスタ
   第5章 MOSトランジスタ
   第6章 サイリスタ
1
第1章 緒論
   1.1 エレクトロニクスと電子デバイス 1
53.

図書
図書
53. 半導体の化学. 増補版
河口武夫著
出版情報: 東京 : 丸善, 1974.4  282p ; 19cm
所蔵情報: loading…
54.

図書
図書
54. 半導体ハンドブック. 第2版
半導体ハンドブック編纂委員会編
出版情報: 東京 : オーム社, 1977.11  v, 1239p ; 22cm
所蔵情報: loading…
55.

図書

東工大
目次DB
図書
東工大
目次DB
55. 半導体ヘテロ接合
A.G.ミルネス, D.L.フォイヒト原著 ; 酒井善雄, 高橋清, 森泉豊栄共訳
出版情報: 東京 : 森北出版, 1974.9  xv, 410p ; 22cm
所蔵情報: loading…
目次情報: 続きを見る
   日本語版への序文 i
   序 ii
   謝辞 iv
   訳者序文 v
   記号の説明 x
1.半導体ヘテロ接合入門
   1.1 ヘテロ接合 1
   1.2 ヘテロ接合のエネルギー帯構造 3
   1.3 半導体ヘテロ接合の組合せ 7
   1.4 ヘテロ接合の特徴 13
   1.5 その他のヘテロ接合デバイス 18
   1.6 画像変換におけるヘテロ接合の光学的性質 31
   1.7 注入型ヘテロ接合レーザ:GaAs/AlχGa1-χAs構造 34
2.半導体p-nヘテロ接合モデルとダイオード特性
   2.1 n-pおよびp-nヘテロ接合のAndersonモデル 35
   2.2 n-p Ge-GaAsヘテロ接合の研究 40
   2.3 ヘテロ接合の再結合およびトンネル機構 46
   2.4 n-pおよびp-nヘテロ接合の容量特性 52
   2.5 界面準位を介しての再結合 57
3.ヘテロ接合トランジスタ
   3.1 理想的ヘテロ接合トランジスタの特徴 59
   3.2 ヘテロ接合トランジスタ中の無効電流成分 64
   3.3 ZnSe-Geヘテロ接合トランジスタの特性 74
   3.4 ヘテロ接合トランジスタの性能 81
4.アイソタイプ(n-n,p-p)ヘテロ接合
   4.1 はじめに 98
   4.2 界面準位が存在する場合のn-n接合のエネルギー帯構造 102
   4.3 接合容量測定からのエネルギー帯構造の決定 108
   4.4 ダブルショットキー障壁としてのn-n Ge-Siヘテロ接合の研究 110
   4.5 n-n Ge-GaAsヘテロ接合 114
   4.6 その他のアイソタイプへテロ接合の研究 118
5.ヘテロ接合の光学的性質とヘテロ接合レーザ
   5.1 はじめに 119
   5.2 p-nホモ接合の光電池動作 119
   5.3 p-nヘテロ接合光電池 122
   5.4 アイソタイプn-nヘテロ接合の光学的性質 126
   5.5 ヘテロ表面型太陽電池の考察 129
   5.6 ヘテロ接合太陽電池の解析 133
   5.7 GaAs-AlχGa1-χAsヘテロ接合レーザ 146
6.金属-半導体障壁
   6.1 ショットキーモデル 160
   6.2 障壁高さの決定 164
   6.3 各種半導体の障壁高さの観測値 169
7.金属-半導体接合の特性
   7.1 障壁を越えてのエミッションから期待される特性 174
   7.2 鏡像力による障壁の低下 175
   7.3 障壁領域中のキャリアの流れ 178
   7.4 実験的特性 181
   7.5 p-n接合のガードリングをもったショットキーダイオード 185
   7.6 電界効果による障壁低下の研究 189
   7.7 熱電子トンネル現象およびその他の概念 190
   7.8 金属-半導体接合における少数キャリアの流れ 192
   7.9 金属-半導体接合の応用 194
8.高利得光電陰極
   8.1 はじめに 203
   8.2 セシウムをつけたp+-GaAs光電陰極 205
   8.3 III-V光電陰極の障壁 213
   8.4 光電子増倍用2次電子エミッタ 219
   8.5 冷陰極電子エミッタ 224
9.ヘテロ接合の形成
   9.1 ヘテロ接合形成に対する考察 227
   9.2 ヨウ化物不均等化反応による成長法 234
   9.3 HCI輸送法 238
   9.4 水素化合物および水蒸気による成長 249
   9.5 真空蒸着およびスパッタリングによるヘテロ接合の形成 253
   9.6 ヘテロ接合の液相成長 264
   9.7 合金法によるヘテロ接合の形成 276
   9.8 測定技術 283
   9.9 半導体へのオーミックコンタクト 290
   参考文献 309
   人名索引 377
   項目索引 398
   日本語版への序文 i
   序 ii
   謝辞 iv
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